JPH0331221B2 - - Google Patents
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- Publication number
- JPH0331221B2 JPH0331221B2 JP57160669A JP16066982A JPH0331221B2 JP H0331221 B2 JPH0331221 B2 JP H0331221B2 JP 57160669 A JP57160669 A JP 57160669A JP 16066982 A JP16066982 A JP 16066982A JP H0331221 B2 JPH0331221 B2 JP H0331221B2
- Authority
- JP
- Japan
- Prior art keywords
- glass bottle
- light
- bottle
- flaw
- flaws
- Prior art date
- Legal status (The legal status is an assumption and is not a legal conclusion. Google has not performed a legal analysis and makes no representation as to the accuracy of the status listed.)
- Expired - Lifetime
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-
- G—PHYSICS
- G01—MEASURING; TESTING
- G01N—INVESTIGATING OR ANALYSING MATERIALS BY DETERMINING THEIR CHEMICAL OR PHYSICAL PROPERTIES
- G01N21/00—Investigating or analysing materials by the use of optical means, i.e. using sub-millimetre waves, infrared, visible or ultraviolet light
- G01N21/84—Systems specially adapted for particular applications
- G01N21/88—Investigating the presence of flaws or contamination
- G01N21/90—Investigating the presence of flaws or contamination in a container or its contents
Landscapes
- Physics & Mathematics (AREA)
- Health & Medical Sciences (AREA)
- Life Sciences & Earth Sciences (AREA)
- Chemical & Material Sciences (AREA)
- Analytical Chemistry (AREA)
- Biochemistry (AREA)
- General Health & Medical Sciences (AREA)
- General Physics & Mathematics (AREA)
- Immunology (AREA)
- Pathology (AREA)
- Length Measuring Devices By Optical Means (AREA)
- Investigating Materials By The Use Of Optical Means Adapted For Particular Applications (AREA)
- Re-Forming, After-Treatment, Cutting And Transporting Of Glass Products (AREA)
Description
【発明の詳細な説明】
本発明は、散乱光の強度変化を利用した硝子ビ
ンのきず検出方法に関する。
ンのきず検出方法に関する。
ビール、清涼飲料水などの容器にされる硝子ビ
ンは、一般に回収されて何回も使用されるが、そ
の使用回数が増加するに従いビンの円筒部上部お
よび下端部にはちまき状のすりきずが生じ、同時
にきず強度（きずの深さ）およびきずの幅が大き
くなる。さらに使用回数が増大すると、円筒部全
面に規則性のないきずも増加する。このような硝
子ビンは商品価値が低下すると共に強度的にも劣
化し、破損の危険がある。特に炭酸飲料水の容器
として使用する場合は、内部が加圧状態になつて
いるため破損し易くなる。
ンは、一般に回収されて何回も使用されるが、そ
の使用回数が増加するに従いビンの円筒部上部お
よび下端部にはちまき状のすりきずが生じ、同時
にきず強度（きずの深さ）およびきずの幅が大き
くなる。さらに使用回数が増大すると、円筒部全
面に規則性のないきずも増加する。このような硝
子ビンは商品価値が低下すると共に強度的にも劣
化し、破損の危険がある。特に炭酸飲料水の容器
として使用する場合は、内部が加圧状態になつて
いるため破損し易くなる。
そこで、ビン詰め工場では、その工程の自動
化、省力化のため硝子ビンのきずを検出する装置
が必要となる。
化、省力化のため硝子ビンのきずを検出する装置
が必要となる。
しかしながら、現状ではきずのある硝子ビンを
検出するに当り、人間の目視判断により選別して
おり、正確な検出ができない。また最近はきずを
散乱光、反射光、透過光の変化として捕える光学
式のきず検出装置が発表されているが、ビン全周
の強度の不均一性や移送装置で送られるビンの送
り速度の不均一性等により検出受光量の変化、き
ず情報を得るタイミングのずれ等を起し易く、以
下に詳述するように誤り判定が多くなる問題があ
つた。
検出するに当り、人間の目視判断により選別して
おり、正確な検出ができない。また最近はきずを
散乱光、反射光、透過光の変化として捕える光学
式のきず検出装置が発表されているが、ビン全周
の強度の不均一性や移送装置で送られるビンの送
り速度の不均一性等により検出受光量の変化、き
ず情報を得るタイミングのずれ等を起し易く、以
下に詳述するように誤り判定が多くなる問題があ
つた。
ビールビンを例としてそのきずの強度分布状態
を第１図を参照して説明すると以下のように判定
基準が設定される。
を第１図を参照して説明すると以下のように判定
基準が設定される。
初期状態；きずが殆んどないか全くない。
第２期状態；円筒部下端に弱いはちまき状のきず
Ａが生じる。
Ａが生じる。
第３期状態；円筒部上端Ｂと下端Ａにはつきり認
められるはちまき状のきずが生じるが、きず強
さは軽い。
められるはちまき状のきずが生じるが、きず強
さは軽い。
第４期状態；円筒部上端と下端に強度のはちまき
状のきずが生じ、円筒部全体にもきずが生じ
る。
状のきずが生じ、円筒部全体にもきずが生じ
る。
末期状態；円筒部上端と下端に強度のはちまき状
のきずがあり、円筒部全体にも相当のきずが生
じる。
のきずがあり、円筒部全体にも相当のきずが生
じる。
上述の各きず状態のうち、商品として許容でき
るのは第３期までであるが、これら基準は概念的
基準であつて目視によつて同じきず程度と認めら
れるものにあつても個々を詳細に見ると、はちま
き状のきずにおいて強度（きず深さ）は小さいが
幅の広いきずがあるもの、逆に幅は狭いが強度の
大きいきずがあるもの、一周の分布に強度と幅の
違いが殆んどないもの、強度と幅が周面位置で大
きく違うものなど一様でない。特に、一周のきず
強度と幅については、ビンにそのメーカ名Ｃ、す
べり止めＤ、容量Ｅ等を表示する文字、印が凹凸
状にある場合には第４期及び末期状態のビンでは
該表示部分での判定の差異が顕著となり、光学式
検出では判定のバラツキが一層大きくなる。
るのは第３期までであるが、これら基準は概念的
基準であつて目視によつて同じきず程度と認めら
れるものにあつても個々を詳細に見ると、はちま
き状のきずにおいて強度（きず深さ）は小さいが
幅の広いきずがあるもの、逆に幅は狭いが強度の
大きいきずがあるもの、一周の分布に強度と幅の
違いが殆んどないもの、強度と幅が周面位置で大
きく違うものなど一様でない。特に、一周のきず
強度と幅については、ビンにそのメーカ名Ｃ、す
べり止めＤ、容量Ｅ等を表示する文字、印が凹凸
状にある場合には第４期及び末期状態のビンでは
該表示部分での判定の差異が顕著となり、光学式
検出では判定のバラツキが一層大きくなる。
第２図は凸状の容量表示面に重量発生したビー
ルビンの下端はちまき状のきずを横幅１mmで一周
走査した光学式センサ出力を例示し、同図イは第
３期状態のうちの平均的と判定されるビンの検出
結果であり、ロは末期状態に近い第４期状態と判
定されるビンの検出結果である。こうした検出結
果からその平均値を基準値と比較するなどの信号
処理できず強度状態の判別が可能となるが、ビン
を一周走査するためには生産ラインのビン移送装
置の大幅な変更が必要となつて、これまでの移送
装置と比較して非常に複雑、精密なものを必要と
する。また、第２図に示すようなセンサ出力曲線
のある１点の検出又は狭い範囲の走査によるきず
強度判別では検出位置の差異によつてきず強度が
著しく異なり、誤判別の確率が非常に高くなる。
ルビンの下端はちまき状のきずを横幅１mmで一周
走査した光学式センサ出力を例示し、同図イは第
３期状態のうちの平均的と判定されるビンの検出
結果であり、ロは末期状態に近い第４期状態と判
定されるビンの検出結果である。こうした検出結
果からその平均値を基準値と比較するなどの信号
処理できず強度状態の判別が可能となるが、ビン
を一周走査するためには生産ラインのビン移送装
置の大幅な変更が必要となつて、これまでの移送
装置と比較して非常に複雑、精密なものを必要と
する。また、第２図に示すようなセンサ出力曲線
のある１点の検出又は狭い範囲の走査によるきず
強度判別では検出位置の差異によつてきず強度が
著しく異なり、誤判別の確率が非常に高くなる。
本発明は上述までの事情に鑑みてなされたもの
で、投光器と受光器を同じ平面位置でビン移送方
向とほぼ垂直になる平面位置にし、ビン移送によ
る約半周分のきず強度を検出し、この検出値のピ
ーク値が基準値を越えたことできず強度の判定を
することにより、比較的低廉にして確実なきず強
度検出を可能にした検出方法を提供することを目
的とする。
で、投光器と受光器を同じ平面位置でビン移送方
向とほぼ垂直になる平面位置にし、ビン移送によ
る約半周分のきず強度を検出し、この検出値のピ
ーク値が基準値を越えたことできず強度の判定を
することにより、比較的低廉にして確実なきず強
度検出を可能にした検出方法を提供することを目
的とする。
第３図は本発明における投光器と受光器の配置
構成を示す。移送装置１によつて図中矢印で示す
方向に移送されるビン２に対して、１つ以上の光
源を持つてビン２のきず部位を光照射する投光器
３及びビン２のきず部位からの散乱光を光検出す
る受光器４は夫々の光軸角度αを持つてほぼ同一
平面内でしかもビン移送方向とほぼ垂直になる配
置にしている。
構成を示す。移送装置１によつて図中矢印で示す
方向に移送されるビン２に対して、１つ以上の光
源を持つてビン２のきず部位を光照射する投光器
３及びビン２のきず部位からの散乱光を光検出す
る受光器４は夫々の光軸角度αを持つてほぼ同一
平面内でしかもビン移送方向とほぼ垂直になる配
置にしている。
この構成において、ビン２は移送装置１で矢印
方向に移送され、投光器３と受光器４の光軸の交
点を通過する過程でその周面の約半周分が光走査
され、該交点を下端部等のきず部位にしておくこ
とで受光器４にはきず強度に応じたきず強度分布
曲線が検出される。
方向に移送され、投光器３と受光器４の光軸の交
点を通過する過程でその周面の約半周分が光走査
され、該交点を下端部等のきず部位にしておくこ
とで受光器４にはきず強度に応じたきず強度分布
曲線が検出される。
投光器３と受光器４及びその信号処理回路は第
４図に示すように構成される。投光器３は、電源
５によつて通電点灯されるランプ６の背面に反射
鏡７を有してビン２のきず検出部位側への平行光
束を得、この平行光は集光レンズ８，９によつて
きず部位の幅寸法程度までスポツト状に集束され
る構成としている。受光器４は、ビン２のきず部
位からの散乱光を光軸として、該散乱光がレンズ
１０，１１によつて捕集され、スリツト１２によ
つてきず部位の検出エリアが第５図に示すように
幅ａで高さｂになるよう縦長枠に設定され、スリ
ツト１２を経た受光束が受光素子１３で光強度に
対応する電圧（又は電流）信号として検出される
構成としている。受光素子１３の検出信号は増幅
回路１４で適当なレベルまで増幅され、この増幅
した信号は比較判定回路１５によつて比較基準値
との比較判定がなされる。この比較判定にはビン
位置信号と比較基準値が与えられる。
４図に示すように構成される。投光器３は、電源
５によつて通電点灯されるランプ６の背面に反射
鏡７を有してビン２のきず検出部位側への平行光
束を得、この平行光は集光レンズ８，９によつて
きず部位の幅寸法程度までスポツト状に集束され
る構成としている。受光器４は、ビン２のきず部
位からの散乱光を光軸として、該散乱光がレンズ
１０，１１によつて捕集され、スリツト１２によ
つてきず部位の検出エリアが第５図に示すように
幅ａで高さｂになるよう縦長枠に設定され、スリ
ツト１２を経た受光束が受光素子１３で光強度に
対応する電圧（又は電流）信号として検出される
構成としている。受光素子１３の検出信号は増幅
回路１４で適当なレベルまで増幅され、この増幅
した信号は比較判定回路１５によつて比較基準値
との比較判定がなされる。この比較判定にはビン
位置信号と比較基準値が与えられる。
こうした構成において、ビン２が移送され、き
ず部位がａ×ｂの検出エリアで走査された場合、
第６図に示すように検出エリアが−π／２＜θ＜
π／２で移動する。このとき、受光素子１３が受
ける光量Iθは、きず強度が全走査範囲で一様にあ
つてきずによる散乱光に方向性がなければ下記式
の関係になる。
ず部位がａ×ｂの検出エリアで走査された場合、
第６図に示すように検出エリアが−π／２＜θ＜
π／２で移動する。このとき、受光素子１３が受
ける光量Iθは、きず強度が全走査範囲で一様にあ
つてきずによる散乱光に方向性がなければ下記式
の関係になる。
Iθ＝Ｋ・Io・ａ・ｂ・cosθ／（cosθ）
｛Ｌ＋ｒ（１−cosθ）｝2
Ｋ＝・Io・ａ・ｂ／｛Ｌ＋ｒ（１−cosθ）｝2
但し、Ioは投光器によつてビンに照射される光
束密度、Ｋは散乱光量定数、Ｌはビンと受光面の
最短距離、ｒはビンの半径である。
束密度、Ｋは散乱光量定数、Ｌはビンと受光面の
最短距離、ｒはビンの半径である。
上記式において、Ｌをｒに比較して十分に大き
くすれば、受光量Iθは走査範囲においてほぼ一定
となる。従つて、実際のきず検出には走査方向の
きず強度分布を増幅回路１４の出力として得るこ
とができるし、きず強度分布からピーク値が比較
基準値を越えるか否かを比較判定回路１５によつ
て検出してビンの良否判定結果を得ることができ
る。
くすれば、受光量Iθは走査範囲においてほぼ一定
となる。従つて、実際のきず検出には走査方向の
きず強度分布を増幅回路１４の出力として得るこ
とができるし、きず強度分布からピーク値が比較
基準値を越えるか否かを比較判定回路１５によつ
て検出してビンの良否判定結果を得ることができ
る。
第７図は受光量Iθが走査範囲内でほぼ一定にな
ることの検証のための実験データである。同図ａ
中、イ，ロ，ハで示す各きず強度分布曲線はｂに
示すイ，ロ，ハのように投光器３と受光器４を試
料ビン２Ａに対してその中心線上に位置させる場
合イと、中心線から20mmずらせて位置させる場合
ロと、中心線から35mmずらせて位置させる場合ハ
で夫々ビン２Ａを一回転させた測定結果である。
なお、実験にはビン２Ａの半径ｒが37.5mm、受光
器までの最短距離Ｌが600mm、検出エリアの幅ａ
が１mm、高さｂが20mm、投光器と受光器の角度α
が45度としている。第７図ａの各曲線から明らか
なように、投光器と受光器の位置がビン中心線上
からずれてもきず位置に対して絶対レベルに差異
があるも相似形になり、ビンの移送によつてその
半周面を走査したきず強度分布を正確に測定でき
る。
ることの検証のための実験データである。同図ａ
中、イ，ロ，ハで示す各きず強度分布曲線はｂに
示すイ，ロ，ハのように投光器３と受光器４を試
料ビン２Ａに対してその中心線上に位置させる場
合イと、中心線から20mmずらせて位置させる場合
ロと、中心線から35mmずらせて位置させる場合ハ
で夫々ビン２Ａを一回転させた測定結果である。
なお、実験にはビン２Ａの半径ｒが37.5mm、受光
器までの最短距離Ｌが600mm、検出エリアの幅ａ
が１mm、高さｂが20mm、投光器と受光器の角度α
が45度としている。第７図ａの各曲線から明らか
なように、投光器と受光器の位置がビン中心線上
からずれてもきず位置に対して絶対レベルに差異
があるも相似形になり、ビンの移送によつてその
半周面を走査したきず強度分布を正確に測定でき
る。
なお、イ，ロ，ハのきず強度分布の絶対値の差
異は距離Ｌを大きくすること及び角度αを小さく
することで少なくすることができるし、ビン走査
位置信号によつて自動補正することもできる。
異は距離Ｌを大きくすること及び角度αを小さく
することで少なくすることができるし、ビン走査
位置信号によつて自動補正することもできる。
第８図は目視によつて予め前述の５つの判定基
準により分けた試料ビン（各状態20本）につい
て、夫々移送方向に対して試料ビンを90度走査位
置を変えて４回の走査を行ない、各位置での最高
ピーク値を取り、さらに４回の走査についてその
最高値と最低値を示したものである。同図Ａは初
期状態の試料ビンについての測定結果を、Ｂ〜Ｅ
は第２期状態から末期状態までの各測定結果を示
す。この実験からも明らかなように、ビンがどの
方向を向いてもそのきず強度分布の中で比較的高
い出力（ピーク）を得る部分が存在し、ビンのほ
ぼ半周分の走査で確実なきず強度を測定してその
判定からビン良否判別を可能にする。例えば、第
８図中、比較基準をVREFに設定すると、目視で初
期、第２期状態と判別される試料ビンは本発明方
法でも全て良品と判定されるし、目視で末期と判
別されるビンについては１本のビンを除いて全て
不良品と判定されるし、また第３期、第４期につ
いても目視判別の不確さを考慮すれば良好な判定
結果を得ることができ、目視判別との間に相等の
相関を得ることができた。実際のきず検出として
基準値VREFを与えて試料ビンの良否判別し、その
後試料ビンを目視で検討したが、その判別は十分
に妥当性あるという結果が得られた。
準により分けた試料ビン（各状態20本）につい
て、夫々移送方向に対して試料ビンを90度走査位
置を変えて４回の走査を行ない、各位置での最高
ピーク値を取り、さらに４回の走査についてその
最高値と最低値を示したものである。同図Ａは初
期状態の試料ビンについての測定結果を、Ｂ〜Ｅ
は第２期状態から末期状態までの各測定結果を示
す。この実験からも明らかなように、ビンがどの
方向を向いてもそのきず強度分布の中で比較的高
い出力（ピーク）を得る部分が存在し、ビンのほ
ぼ半周分の走査で確実なきず強度を測定してその
判定からビン良否判別を可能にする。例えば、第
８図中、比較基準をVREFに設定すると、目視で初
期、第２期状態と判別される試料ビンは本発明方
法でも全て良品と判定されるし、目視で末期と判
別されるビンについては１本のビンを除いて全て
不良品と判定されるし、また第３期、第４期につ
いても目視判別の不確さを考慮すれば良好な判定
結果を得ることができ、目視判別との間に相等の
相関を得ることができた。実際のきず検出として
基準値VREFを与えて試料ビンの良否判別し、その
後試料ビンを目視で検討したが、その判別は十分
に妥当性あるという結果が得られた。
以上のとおり、本発明方法によれば、ビン移送
装置は既存のものを使つてビンのきず強度分布と
その良否判定を容易かつ確実に得ることができ
る。また、きず強度分布曲線のピーク値を比較基
準と比較して良否判別することにより、ビンのき
ず強度部分の不均一性、ビン送り速度の不均一性
による誤判定を殆んど無くすことができる。な
お、本発明は散乱光を利用しているため、ビンの
色の違いによる判定への影響が殆んどない。ま
た、投光はスポツト状にしてビンのレツテルなど
からの散乱光に影響を受けにくくなる。特に本発
明では受光器と硝子ビンとの距離を移送される硝
子ビン半周面からの受光量がほぼ一定となる距離
に配置することにより、受光器の検出領域でビン
を回転させることを不要としながらほぼ半周面に
渡つてきず度合を検出でき、ビンの回転を不要に
すると共に検出スピードを高める等の効果があ
る。
装置は既存のものを使つてビンのきず強度分布と
その良否判定を容易かつ確実に得ることができ
る。また、きず強度分布曲線のピーク値を比較基
準と比較して良否判別することにより、ビンのき
ず強度部分の不均一性、ビン送り速度の不均一性
による誤判定を殆んど無くすことができる。な
お、本発明は散乱光を利用しているため、ビンの
色の違いによる判定への影響が殆んどない。ま
た、投光はスポツト状にしてビンのレツテルなど
からの散乱光に影響を受けにくくなる。特に本発
明では受光器と硝子ビンとの距離を移送される硝
子ビン半周面からの受光量がほぼ一定となる距離
に配置することにより、受光器の検出領域でビン
を回転させることを不要としながらほぼ半周面に
渡つてきず度合を検出でき、ビンの回転を不要に
すると共に検出スピードを高める等の効果があ
る。
なお、本発明方法は丸ビンに限らず角ビンさら
には特殊曲面、凹凸面を持つ種々材質の容器、部
品検出にも応用できるのは勿論である。
には特殊曲面、凹凸面を持つ種々材質の容器、部
品検出にも応用できるのは勿論である。
第１図は硝子ビンのきず発生状況を示す図、第
２図は光学式きず検出例を示す図、第３図は本発
明方法の装置配置構成図、第４図は本発明方法に
おける装置構成図、第５図は本発明方法における
きず検出エリアの説明図、第６図は本発明方法に
おける検出面の走査を原理的に説明するための
図、第７図は本発明方法を検証するための実験例
を示す図、第８図は本発明方法による試料ビンの
判別結果を示す図である。 １……移送装置、２……ビン、３……投光器、
４……受光器、５……電源、１２……スリツト、
１３……受光素子、１４……増幅回路、１５……
比較判定回路。
２図は光学式きず検出例を示す図、第３図は本発
明方法の装置配置構成図、第４図は本発明方法に
おける装置構成図、第５図は本発明方法における
きず検出エリアの説明図、第６図は本発明方法に
おける検出面の走査を原理的に説明するための
図、第７図は本発明方法を検証するための実験例
を示す図、第８図は本発明方法による試料ビンの
判別結果を示す図である。 １……移送装置、２……ビン、３……投光器、
４……受光器、５……電源、１２……スリツト、
１３……受光素子、１４……増幅回路、１５……
比較判定回路。
Claims (1)
- 【特許請求の範囲】 １ 一定方向に移送される硝子ビンのきず検出部
位に向かつて投光器で光照射し、この投光器との
光軸をほぼ同一平面内にかつ硝子ビン移送方向と
ほぼ垂直になるよう配置される受光器によつて硝
子ビンのきず部位からの散乱光を検出し、この受
光器の検出信号と比較基準との大小比較によつて
硝子ビンの良否判定をする硝子ビンのきず検出方
法において、上記受光器は硝子ビンとの間を硝子
ビンの移送に伴つて受光する硝子ビン半周面から
の受光量がほぼ一定となる距離以上離して配置す
ることを特徴とする硝子ビンのきず検出方法。 ２ 特許請求の範囲第１項において、受光器の検
出信号のうちのピーク値を比較基準と大小比較す
ることにより硝子ビンの良否判定をすることを特
徴とする硝子ビンのきず検出方法。 ３ 特許請求の範囲第１項又は第２項において、
受光器は硝子ビンのきず検出エリアをスリツトで
調整することを特徴とする硝子ビンのきず検出方
法。
Priority Applications (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP16066982A JPS5950345A (ja) | 1982-09-14 | 1982-09-14 | 硝子ビンのきず検出方法 |
Applications Claiming Priority (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP16066982A JPS5950345A (ja) | 1982-09-14 | 1982-09-14 | 硝子ビンのきず検出方法 |
Publications (2)
| Publication Number | Publication Date |
|---|---|
| JPS5950345A JPS5950345A (ja) | 1984-03-23 |
| JPH0331221B2 true JPH0331221B2 (ja) | 1991-05-02 |
Family
ID=15719921
Family Applications (1)
| Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
|---|---|---|---|
| JP16066982A Granted JPS5950345A (ja) | 1982-09-14 | 1982-09-14 | 硝子ビンのきず検出方法 |
Country Status (1)
| Country | Link |
|---|---|
| JP (1) | JPS5950345A (ja) |
Families Citing this family (3)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| JPS61240144A (ja) * | 1985-04-18 | 1986-10-25 | Toshiba Corp | 表面検査装置 |
| JPH067104B2 (ja) * | 1985-06-11 | 1994-01-26 | 株式会社東芝 | 表面検査装置 |
| JPS61288108A (ja) * | 1985-06-15 | 1986-12-18 | Ishizuka Glass Ltd | ガラス壜の胴へこみ検査方法 |
Family Cites Families (2)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| JPS4876585A (ja) * | 1972-01-17 | 1973-10-15 | ||
| JPS5527917A (en) * | 1978-08-17 | 1980-02-28 | Hitachi Zosen Corp | Method of detecting crack on bottle type body |
-
1982
- 1982-09-14 JP JP16066982A patent/JPS5950345A/ja active Granted
Also Published As
| Publication number | Publication date |
|---|---|
| JPS5950345A (ja) | 1984-03-23 |
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