JPH0331475A - Ｃｖｄ法による金属薄膜の成膜方法 - Google Patents
Ｃｖｄ法による金属薄膜の成膜方法Info
- Publication number
- JPH0331475A JPH0331475A JP16786589A JP16786589A JPH0331475A JP H0331475 A JPH0331475 A JP H0331475A JP 16786589 A JP16786589 A JP 16786589A JP 16786589 A JP16786589 A JP 16786589A JP H0331475 A JPH0331475 A JP H0331475A
- Authority
- JP
- Japan
- Prior art keywords
- radicals
- substrate
- metal
- raw material
- thin film
- Prior art date
- Legal status (The legal status is an assumption and is not a legal conclusion. Google has not performed a legal analysis and makes no representation as to the accuracy of the status listed.)
- Pending
Links
Landscapes
- Chemical Vapour Deposition (AREA)
Abstract
(57)【要約】本公報は電子出願前の出願データであるた
め要約のデータは記録されません。
め要約のデータは記録されません。
Description
【発明の詳細な説明】
［産業上の利用分野］
本発明は、金属カルボニル化合物からＣＶＤ法により金
属薄膜を成膜する方法に関する。
属薄膜を成膜する方法に関する。
［従来の技術］
タングステンなどの高融点の金属からなる薄膜を成膜す
る場合、このような金属は蒸気化しにく＜ＰＶＤ法によ
る成膜では堆積速度の点から不利である。そこで従来よ
り、フッ化タングステンまたはタングステンカルボニル
などの金属フッ化物または金属カルボニル化合物を原料
とし、紫外光、レーザー光、プラズマあるいは熱などの
励起手段により励起分解して基板表面に成膜するＣＶＤ
法が用いられている。
る場合、このような金属は蒸気化しにく＜ＰＶＤ法によ
る成膜では堆積速度の点から不利である。そこで従来よ
り、フッ化タングステンまたはタングステンカルボニル
などの金属フッ化物または金属カルボニル化合物を原料
とし、紫外光、レーザー光、プラズマあるいは熱などの
励起手段により励起分解して基板表面に成膜するＣＶＤ
法が用いられている。
タングステンは導電性および耐熱性に優れているため電
極、ＭＯＳデバイスなどに有用である。
極、ＭＯＳデバイスなどに有用である。
しかし三次元デバイスやガラス基板などに適用するには
、熱による基板への悪影響を避けるため、３００℃以下
の低温で行う低温ＣＶＤ法により成膜する必要がある。
、熱による基板への悪影響を避けるため、３００℃以下
の低温で行う低温ＣＶＤ法により成膜する必要がある。
［発明が解決しようとする課題］
ところで金属フッ化物を原料としてＣＶＤ法により金属
薄膜を成膜する場合、純度の高い金属薄膜を成膜するこ
とができるが、反面毒性の強いフッ化水素ガスが生成す
るという不具合がある。
薄膜を成膜する場合、純度の高い金属薄膜を成膜するこ
とができるが、反面毒性の強いフッ化水素ガスが生成す
るという不具合がある。
一方、金属カルボニル化合物を原料として低温ＣＶＤ法
により成膜する場合には、毒性のガスは発生しないが、
金属薄膜中にカルボニルを形成している炭素や酸素が取
込まれて金属の純度が低下する場合がある。たとえばタ
ングステンカルボニルを原料とした場合、本発明者らの
実験によれば、成膜されたタングステン薄膜中には約２
重量％の炭素および約５重量％の酸素が含有されていた
。
により成膜する場合には、毒性のガスは発生しないが、
金属薄膜中にカルボニルを形成している炭素や酸素が取
込まれて金属の純度が低下する場合がある。たとえばタ
ングステンカルボニルを原料とした場合、本発明者らの
実験によれば、成膜されたタングステン薄膜中には約２
重量％の炭素および約５重量％の酸素が含有されていた
。
これは励起分解により形成された酸素ラジカル、炭素ラ
ジカル、−酸化炭素ラジカルなどがタングステ薄膜中に
取込まれることによるものと考えられている。
ジカル、−酸化炭素ラジカルなどがタングステ薄膜中に
取込まれることによるものと考えられている。
このようにタングステンに不純物が混入すると薄膜の比
抵抗が増大して導電性が低下して、電極材料などとして
の機能が大きく低下するという不具合がある。ちなみに
、本発明者らの実験によれば、基板温度３００℃で光Ｃ
ＶＤ法でタングステン薄膜を成膜した場合、その比抵抗
は純粋の金属タングステンでは５．６ＸＩＣ）’″６Ω
口であるがこの薄膜の比抵抗はｌＸ１０−４Ω菌と１桁
以上大きな値となっていた。
抵抗が増大して導電性が低下して、電極材料などとして
の機能が大きく低下するという不具合がある。ちなみに
、本発明者らの実験によれば、基板温度３００℃で光Ｃ
ＶＤ法でタングステン薄膜を成膜した場合、その比抵抗
は純粋の金属タングステンでは５．６ＸＩＣ）’″６Ω
口であるがこの薄膜の比抵抗はｌＸ１０−４Ω菌と１桁
以上大きな値となっていた。
本発明者はこのような事情に鑑みてなされたもので、金
属カルボニル化合物を原料として低温ＣＶＤ法により金
属薄膜を成膜する場合に、金属薄膜の純度を向上させる
ことを目的とする。
属カルボニル化合物を原料として低温ＣＶＤ法により金
属薄膜を成膜する場合に、金属薄膜の純度を向上させる
ことを目的とする。
［課題を解決するための手段］
本発明のＣＶＤ法による金属薄膜の成膜方法は、金属カ
ルボニル化合物よりなる原料ガスを反応室に供給し励起
手段により該金属カルボニル化合物を励起分解して基板
表面に金属薄膜を成膜する方法において、 前記反応室内の基板の表面部位に不活性ガス流を供給す
ることを特徴とする。
ルボニル化合物よりなる原料ガスを反応室に供給し励起
手段により該金属カルボニル化合物を励起分解して基板
表面に金属薄膜を成膜する方法において、 前記反応室内の基板の表面部位に不活性ガス流を供給す
ることを特徴とする。
金属カルボニル化合物としては、タングステンカルボニ
ル（Ｗ （Ｃｏ）６ ） 、クロムカルボニル（Ｃｒ
（Ｃｏ）ｃ ） 、モリブデンカルボニル（ＭＯ（Ｃｏ
）６＞、鉄カルボニル（Ｆｅ （Ｃｏ）ｓ ＞などが挙
げられる。これらの金属カルボニル化合物は、昇華など
によりガス化されて原料ガスとされ、反応室に供給され
る。この場合、水素ガスなどのキャリアガスを用いるこ
ともできる。また、反応室は一般に真空状態となってい
る。その真空度は適宜選定することができる。
ル（Ｗ （Ｃｏ）６ ） 、クロムカルボニル（Ｃｒ
（Ｃｏ）ｃ ） 、モリブデンカルボニル（ＭＯ（Ｃｏ
）６＞、鉄カルボニル（Ｆｅ （Ｃｏ）ｓ ＞などが挙
げられる。これらの金属カルボニル化合物は、昇華など
によりガス化されて原料ガスとされ、反応室に供給され
る。この場合、水素ガスなどのキャリアガスを用いるこ
ともできる。また、反応室は一般に真空状態となってい
る。その真空度は適宜選定することができる。
反応室内に供給された原料ガスは、励起手段により励起
分解され基板表面に金属が堆積、成長して金属薄膜が成
膜される。ここで励起手段とは低温ＣＶＤ法に用いられ
る励起手段をいい、紫外線ランプ、各種レーザー光、あ
るいはプラズマなどが利用できる。なかでも、基板への
イオン照射ダメージや熱影響が特に小さい紫外線やレー
ザー光を用いることが好ましい。
分解され基板表面に金属が堆積、成長して金属薄膜が成
膜される。ここで励起手段とは低温ＣＶＤ法に用いられ
る励起手段をいい、紫外線ランプ、各種レーザー光、あ
るいはプラズマなどが利用できる。なかでも、基板への
イオン照射ダメージや熱影響が特に小さい紫外線やレー
ザー光を用いることが好ましい。
この励起手段により金属カルボニル化合物は、金属ラジ
カル、炭素ラジカル、酸素ラジカルに励起分解される。
カル、炭素ラジカル、酸素ラジカルに励起分解される。
そして金属ラジカルを基板に堆積させるのであるが、そ
の堆積途中に存在する酸素ラジカルや炭素ラジカルが取
込こまれるため不純物を含んだ薄膜が成膜されると考え
られる。
の堆積途中に存在する酸素ラジカルや炭素ラジカルが取
込こまれるため不純物を含んだ薄膜が成膜されると考え
られる。
ところで、タングステンカルボニルの場合、励起分解に
より生ずると考えられる物質の分子量または原子間は、
タングステンが１８３．８５、炭素が１２．０１、酸素
が１６．００、−酸化炭素が２８．０１、酸素分子が３
２．００である。したがって、タングステンとそれ以外
のものとは極端に質量が異なる。そこで基板の上面部に
励起分解で生じたラジカルを不活性にしない不活性ガス
流を供給する。不活性ガスは、たとえばアルゴンでは原
子間が３９．９５であり、ネオンでは２０゜１８である
。するとこの不活性ガス流が上記の質量の小さい分子や
原子のラジカルを吹き飛ばし、質量の大きな金属が優先
的に基板上に堆積し、質量の小さい分子などは不活性ガ
スとともに真空ポンプで系外に排出される。その結果、
薄膜中には炭素や酸素が取込まれるのが防止され純度の
高い金属薄膜を成膜することができる。
より生ずると考えられる物質の分子量または原子間は、
タングステンが１８３．８５、炭素が１２．０１、酸素
が１６．００、−酸化炭素が２８．０１、酸素分子が３
２．００である。したがって、タングステンとそれ以外
のものとは極端に質量が異なる。そこで基板の上面部に
励起分解で生じたラジカルを不活性にしない不活性ガス
流を供給する。不活性ガスは、たとえばアルゴンでは原
子間が３９．９５であり、ネオンでは２０゜１８である
。するとこの不活性ガス流が上記の質量の小さい分子や
原子のラジカルを吹き飛ばし、質量の大きな金属が優先
的に基板上に堆積し、質量の小さい分子などは不活性ガ
スとともに真空ポンプで系外に排出される。その結果、
薄膜中には炭素や酸素が取込まれるのが防止され純度の
高い金属薄膜を成膜することができる。
この不活性ガスとしては、アルゴンガス、ネオンガス、
クリプトンガス、キセノンガスなどが利用できる。なお
、この不活性ガス流は、炭素ラジカルや酸素ラジカルな
どの質量の小さい成分のもつ運動エネルギーよりも大き
な運動エネルギーを有し、かつ、金属ラジカルの運動エ
ネルギーよりも小さな運動エネルギーを有する流速とす
ることが望ましい。これにより金属を優先的に効率よく
堆積させることができる。
クリプトンガス、キセノンガスなどが利用できる。なお
、この不活性ガス流は、炭素ラジカルや酸素ラジカルな
どの質量の小さい成分のもつ運動エネルギーよりも大き
な運動エネルギーを有し、かつ、金属ラジカルの運動エ
ネルギーよりも小さな運動エネルギーを有する流速とす
ることが望ましい。これにより金属を優先的に効率よく
堆積させることができる。
［作用］
本発明のＣＶＤ法による金属薄膜の成膜方法は、薄膜の
原料となる金属カルボニル化合物とキャリアガスから構
成される雰囲気の反応室内で励起手段により金属カルボ
ニル化合物を励起分解して金属ラジカル、炭素ラジカル
、酸素ラジカルなどが生成される。しかしこの金属ラジ
カルの基板への堆積時に炭素ラジカル、酸素ラジカルが
取込まれて不純物として堆積する。この不純物の堆積を
阻止するため基板の上面部に不活性ガス流を形成して金
属より質量の小さいラジカル分子を基板の上面部より吹
飛ばし取込みを阻止して、基板には高純度の金属薄膜を
成膜する。
原料となる金属カルボニル化合物とキャリアガスから構
成される雰囲気の反応室内で励起手段により金属カルボ
ニル化合物を励起分解して金属ラジカル、炭素ラジカル
、酸素ラジカルなどが生成される。しかしこの金属ラジ
カルの基板への堆積時に炭素ラジカル、酸素ラジカルが
取込まれて不純物として堆積する。この不純物の堆積を
阻止するため基板の上面部に不活性ガス流を形成して金
属より質量の小さいラジカル分子を基板の上面部より吹
飛ばし取込みを阻止して、基板には高純度の金属薄膜を
成膜する。
［実施例］
以下、実施例により具体的に説明する。
第１図に本実施例で用いたレーザーＣＶＤ装置の概略構
成図を、第２図に不活性ガス吹出し部の概略構成図を示
す。
成図を、第２図に不活性ガス吹出し部の概略構成図を示
す。
反応室１内にはヒータ４を内臓したヒータホルダ５の上
面にサセプタ３が配置され、サセプタ３にガラス基板２
が保持されている。反応室１のガラス基板２に対向する
上面壁には入射窓６が設けられ、外部のレーザー光照射
装置からの波長１９３．２４８ｎｍ、１０４Ｗ／ｍ”の
エキシマレーザ−光７が入射窓６を透過してガラス基板
２に垂直に照射されるように構成されている。なお、こ
の反応室１は径が１００φの縦型の円筒状である。
面にサセプタ３が配置され、サセプタ３にガラス基板２
が保持されている。反応室１のガラス基板２に対向する
上面壁には入射窓６が設けられ、外部のレーザー光照射
装置からの波長１９３．２４８ｎｍ、１０４Ｗ／ｍ”の
エキシマレーザ−光７が入射窓６を透過してガラス基板
２に垂直に照射されるように構成されている。なお、こ
の反応室１は径が１００φの縦型の円筒状である。
反応室１の側壁からは、第２図に示す不活性ガスのアル
ゴンを吹出す３０Ｘ１０Ｊｌ！ｌ！１の長方形の吹出し
口９が反応室１内に延びガラス基板２の表面近傍に開口
している。この吹出し口９はアルゴンガス通路８と接続
されて配置されている。この第２図の吹出し口９は、ガ
ラス基板の上部面積を覆う範囲にガス流を充分形成でき
る形状および開口面積をもっている。また反応室１の上
部側壁には原料ガスが供給される原料ガス通路１０が開
口し、ざらに入射窓６の近傍には、入射窓６に向かって
水素ガスを供給する水素ガス通路１１が開口している。
ゴンを吹出す３０Ｘ１０Ｊｌ！ｌ！１の長方形の吹出し
口９が反応室１内に延びガラス基板２の表面近傍に開口
している。この吹出し口９はアルゴンガス通路８と接続
されて配置されている。この第２図の吹出し口９は、ガ
ラス基板の上部面積を覆う範囲にガス流を充分形成でき
る形状および開口面積をもっている。また反応室１の上
部側壁には原料ガスが供給される原料ガス通路１０が開
口し、ざらに入射窓６の近傍には、入射窓６に向かって
水素ガスを供給する水素ガス通路１１が開口している。
そして反応室１の下部には真空ポンプ１３に連結された
排気通路１２が設けられている。
排気通路１２が設けられている。
上記した装置を用いて、ガラス基板２表面にタングステ
ン薄膜を成膜する本実施例の成膜方法を以下に説明する
。
ン薄膜を成膜する本実施例の成膜方法を以下に説明する
。
まず反応室１内の空気は排気通路１２から吸引され、反
応室１内は５０〜１０００Ｐａの真空状態とされる。ま
たガラス基板２はヒータ４により３００℃の一定温度に
加熱されている。入射窓６からエキシマレーザ−光７を
基板２表面に照射する。
応室１内は５０〜１０００Ｐａの真空状態とされる。ま
たガラス基板２はヒータ４により３００℃の一定温度に
加熱されている。入射窓６からエキシマレーザ−光７を
基板２表面に照射する。
原料ガス通路１０には、図示しないガス化装置が連結さ
れ、粉末状のＷ（Ｃｏ）ｇが減圧下でそのガス化装置で
昇華されてガス化されている。そして２５ｄ／ｍｉｎの
水素ガスをキャリアガスとして、ガス化されたＷ（Ｃｏ
）６がマス７０−コントローラ１４およびバルブ１５で
流量を１ｄ／ｍｉｎに調整され、原料ガス通路１０の開
口より反応室１内に供給される。するとレーザー光７に
照射されて励起分解してタングステンラジカルがガラス
基板２上に沈着する。なお水素ガス通路１１からは水素
ガスが２５ＩＩｄｌ／ｍｉｎの流量で噴出され、入射窓
６に反応物が付着するのを阻止して透過率の低下を防止
している。さらにガス吹出し口９よりアルゴンガスを１
．８ａｄ！／ｍｉ ｎ （Ａ）と３．６ｒｆＩＩｌ／ｍ
ｉｎ （Ｂ）（７）流ｍで噴出ａせた。
れ、粉末状のＷ（Ｃｏ）ｇが減圧下でそのガス化装置で
昇華されてガス化されている。そして２５ｄ／ｍｉｎの
水素ガスをキャリアガスとして、ガス化されたＷ（Ｃｏ
）６がマス７０−コントローラ１４およびバルブ１５で
流量を１ｄ／ｍｉｎに調整され、原料ガス通路１０の開
口より反応室１内に供給される。するとレーザー光７に
照射されて励起分解してタングステンラジカルがガラス
基板２上に沈着する。なお水素ガス通路１１からは水素
ガスが２５ＩＩｄｌ／ｍｉｎの流量で噴出され、入射窓
６に反応物が付着するのを阻止して透過率の低下を防止
している。さらにガス吹出し口９よりアルゴンガスを１
．８ａｄ！／ｍｉ ｎ （Ａ）と３．６ｒｆＩＩｌ／ｍ
ｉｎ （Ｂ）（７）流ｍで噴出ａせた。
不活性ガス流の最適流速は以下に示す計算に基づいて算
出した。
出した。
この反応室に供給される原料ガスのＷ（Ｃｏ）６および
水素ガスの流速は、１．０８ｘ１０″″４ｍ／Ｓｅｃで
あり、一分子当たりの運動エネルギーはＷ＝３．４１Ｘ
１０−１０ ［Ｊ］ （Ｗ（Ｇｏ）ｃ ）、Ｗ＝１．
９５Ｘ１０″″）’［Ｊ］（水素）である。
水素ガスの流速は、１．０８ｘ１０″″４ｍ／Ｓｅｃで
あり、一分子当たりの運動エネルギーはＷ＝３．４１Ｘ
１０−１０ ［Ｊ］ （Ｗ（Ｇｏ）ｃ ）、Ｗ＝１．
９５Ｘ１０″″）’［Ｊ］（水素）である。
吹出し口９より吹出すアルゴンガス流が１．８、Ｉｆｄ
ｌ／ｍｉｎの時（Ａ＞は速度がＶ＝ＩＸ１０−４［ｍ／
Ｓ ｅ Ｃ］となり、３．６ａｄ！／ｍｉ ｎの時（Ｂ
）は速度がＶ＝２Ｘ１０−４ ［ｍ／ＳｅＣ］となり、
それぞれ１分子当たりの運動エネルギーはＷ＝３．３２
Ｘ１０’″）ｌ［Ｊ］、とＷ＝６゜６４Ｘ１０”″）ｌ
［Ｊ］となる。
ｌ／ｍｉｎの時（Ａ＞は速度がＶ＝ＩＸ１０−４［ｍ／
Ｓ ｅ Ｃ］となり、３．６ａｄ！／ｍｉ ｎの時（Ｂ
）は速度がＶ＝２Ｘ１０−４ ［ｍ／ＳｅＣ］となり、
それぞれ１分子当たりの運動エネルギーはＷ＝３．３２
Ｘ１０’″）ｌ［Ｊ］、とＷ＝６゜６４Ｘ１０”″）ｌ
［Ｊ］となる。
一方、Ｗ（Ｇｏ）６がエキシマレーザ−により励起分解
されて生成された炭素ラジカル、酸素うジカル、−酸化
炭素、酸素、タングステンラジカルなどの運動エネルギ
ーは、それぞれＷＣ＝１゜１６ｘ１０− ” ” ［
Ｊ］、Ｗｏ＝１．５５ｘ１０− ” ” ［Ｊ］、Ｗ
ｃｏ＝２．７１ｘ１０− ”［Ｊ］、ＷＯ２−３，１０
Ｘ１０−）ｌ ［Ｊ］、ＷＷ−１，７８Ｘ１０−１０
［Ｊ］である。
されて生成された炭素ラジカル、酸素うジカル、−酸化
炭素、酸素、タングステンラジカルなどの運動エネルギ
ーは、それぞれＷＣ＝１゜１６ｘ１０− ” ” ［
Ｊ］、Ｗｏ＝１．５５ｘ１０− ” ” ［Ｊ］、Ｗ
ｃｏ＝２．７１ｘ１０− ”［Ｊ］、ＷＯ２−３，１０
Ｘ１０−）ｌ ［Ｊ］、ＷＷ−１，７８Ｘ１０−１０
［Ｊ］である。
すなわち、励起分解により生じた炭素ラジカルや酸素ラ
ジカルなどはタングステンラジカルに比べて質量が１／
３０〜１／６と遥かに小さいので、運動エネルギーはタ
ングステンラジカル以外はアルゴンの運動エネルギーよ
り小さくなる。したがって炭素ラジカルや酸素ラジカル
などはアルゴン気流により吹き飛ばされアルゴンガスと
ともに真空ポンプ１３により吸引され排気される。この
ため不活性ガスの吹出し口９より吹出すアルゴンガス流
の流速を調整することにより不純物の取込みの少ないタ
ングステンが基板に沈着でき堆積、成長して高純度のタ
ングステンの薄膜が成膜された。
ジカルなどはタングステンラジカルに比べて質量が１／
３０〜１／６と遥かに小さいので、運動エネルギーはタ
ングステンラジカル以外はアルゴンの運動エネルギーよ
り小さくなる。したがって炭素ラジカルや酸素ラジカル
などはアルゴン気流により吹き飛ばされアルゴンガスと
ともに真空ポンプ１３により吸引され排気される。この
ため不活性ガスの吹出し口９より吹出すアルゴンガス流
の流速を調整することにより不純物の取込みの少ないタ
ングステンが基板に沈着でき堆積、成長して高純度のタ
ングステンの薄膜が成膜された。
（評価結果）
得られたタングステン薄膜に含有される酸素元素および
炭素元素の量と量および薄膜の比抵抗とを測定し、結果
を第３図および第４図に示す。なお、元素量はＥＰＭＡ
により測定し、比抵抗は四探針シート抵抗測定器および
膜の一部をエツチングする触針式膜厚計により測定した
。吹出し口９よりのアルゴンの流速がＶ＝ＩＸ１０’″
４ ［ｍ／５ｅａｌの流速の場合（Ａ＞には、薄膜中の
不純物の量は炭素が１％、酸素が１％であった。さらに
アルゴンの流速をＶ−２ｘ １０−４ ［ｍ／５ｅａｌ
に高めた場合（Ｂ）は、炭素が０．５％、酸素が０．５
％と減少した（第３図参照）。一方アルゴンガス“を吹
きこまない従来例の場合（Ｃ）は、炭素が２％、酸素が
５％含まれていた。また薄膜の比抵抗はアルゴンガスの
流速がＶ−ＩＸｌｏ−４［ｍ／５ｅａｌの場合（Ａ）１
Ｘ１０− ＳΩ口で、流速がＶ＝２ｘ１０−’ ［ｍ／
５ｅａｌの場合（Ｂ）は８Ｘ１０″″６Ωαであった（
第４図参照）。一方アルゴンガスを吹きこまない従来例
の場合（Ｃ）は、１Ｘ１０″′４０個である。
炭素元素の量と量および薄膜の比抵抗とを測定し、結果
を第３図および第４図に示す。なお、元素量はＥＰＭＡ
により測定し、比抵抗は四探針シート抵抗測定器および
膜の一部をエツチングする触針式膜厚計により測定した
。吹出し口９よりのアルゴンの流速がＶ＝ＩＸ１０’″
４ ［ｍ／５ｅａｌの流速の場合（Ａ＞には、薄膜中の
不純物の量は炭素が１％、酸素が１％であった。さらに
アルゴンの流速をＶ−２ｘ １０−４ ［ｍ／５ｅａｌ
に高めた場合（Ｂ）は、炭素が０．５％、酸素が０．５
％と減少した（第３図参照）。一方アルゴンガス“を吹
きこまない従来例の場合（Ｃ）は、炭素が２％、酸素が
５％含まれていた。また薄膜の比抵抗はアルゴンガスの
流速がＶ−ＩＸｌｏ−４［ｍ／５ｅａｌの場合（Ａ）１
Ｘ１０− ＳΩ口で、流速がＶ＝２ｘ１０−’ ［ｍ／
５ｅａｌの場合（Ｂ）は８Ｘ１０″″６Ωαであった（
第４図参照）。一方アルゴンガスを吹きこまない従来例
の場合（Ｃ）は、１Ｘ１０″′４０個である。
このようにアルゴンガス流を基板上面に供給することに
より薄膜中の不純物が大幅に減少し比抵抗値も向上して
導電性の優れた薄膜が得られる。
より薄膜中の不純物が大幅に減少し比抵抗値も向上して
導電性の優れた薄膜が得られる。
なお、この成膜方法は種々のメタルカルボニル化合物Ｍ
（Ｃｏ）ｃを原料として用いる場合に適用でき純度の
高い金属薄膜を成膜することができる。たとえば、光の
透過を防止する反射膜として使用されるクロムの薄膜の
成膜に適用すると、炭素や酸素などの不純物の混入が少
なくなり透過性が押えられた反射膜が得られる。
（Ｃｏ）ｃを原料として用いる場合に適用でき純度の
高い金属薄膜を成膜することができる。たとえば、光の
透過を防止する反射膜として使用されるクロムの薄膜の
成膜に適用すると、炭素や酸素などの不純物の混入が少
なくなり透過性が押えられた反射膜が得られる。
［発明の効果］
したがって本発明の方法によれば、金属薄膜に不純物が
取込まれるのが防止でき高い純度の薄膜を成膜すること
ができる。すなわち、本発明の成膜方法によりタングス
テンの薄膜を成膜すれば、低温ＣＶＤ法を用いても比抵
抗が金属タングステンのそれに近い導電性にすぐれた薄
膜を成膜することができる。またクロムの薄膜では透過
率を低く押えた薄膜を成膜することができる。
取込まれるのが防止でき高い純度の薄膜を成膜すること
ができる。すなわち、本発明の成膜方法によりタングス
テンの薄膜を成膜すれば、低温ＣＶＤ法を用いても比抵
抗が金属タングステンのそれに近い導電性にすぐれた薄
膜を成膜することができる。またクロムの薄膜では透過
率を低く押えた薄膜を成膜することができる。
第１図は本発明の一実施例で用いたレーザーＣＶＤ装置
の構成説明図、第２図は不活性ガス吹出し口の形状の概
略図、第３図は形成されたタングステン薄膜中の元素量
を示すグラフ、第４図は比抵抗の測定結果を示すグラフ
である。 １・・・反応室 ２・・・ガラス基板６・・・
入射窓 ７・・・レーザー光８・・・アルゴン
ガス供給通路 ９・・・アルゴンガス吹出し口 １０・・・原料ガス供給通路 １１・・・水素ガス供給通路 １２・・・排気通路
の構成説明図、第２図は不活性ガス吹出し口の形状の概
略図、第３図は形成されたタングステン薄膜中の元素量
を示すグラフ、第４図は比抵抗の測定結果を示すグラフ
である。 １・・・反応室 ２・・・ガラス基板６・・・
入射窓 ７・・・レーザー光８・・・アルゴン
ガス供給通路 ９・・・アルゴンガス吹出し口 １０・・・原料ガス供給通路 １１・・・水素ガス供給通路 １２・・・排気通路
Claims (1)
- （１）金属カルボニル化合物よりなる原料ガスを反応室
に供給し励起手段により該金属カルボニル化合物を励起
分解して基板表面に金属薄膜を成膜する方法において、 前記反応室内の該基板の表面部位に不活性ガスを供給す
ることを特徴とするＣＶＤ法による金属薄膜の成膜方法
。
Priority Applications (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP16786589A JPH0331475A (ja) | 1989-06-29 | 1989-06-29 | Ｃｖｄ法による金属薄膜の成膜方法 |
Applications Claiming Priority (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP16786589A JPH0331475A (ja) | 1989-06-29 | 1989-06-29 | Ｃｖｄ法による金属薄膜の成膜方法 |
Publications (1)
| Publication Number | Publication Date |
|---|---|
| JPH0331475A true JPH0331475A (ja) | 1991-02-12 |
Family
ID=15857518
Family Applications (1)
| Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
|---|---|---|---|
| JP16786589A Pending JPH0331475A (ja) | 1989-06-29 | 1989-06-29 | Ｃｖｄ法による金属薄膜の成膜方法 |
Country Status (1)
| Country | Link |
|---|---|
| JP (1) | JPH0331475A (ja) |
Cited By (3)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| JP2002212112A (ja) * | 2001-01-22 | 2002-07-31 | Tanaka Kikinzoku Kogyo Kk | 化学気相蒸着用のルテニウム化合物並びにルテニウム薄膜及びルテニウム化合物薄膜の化学気相蒸着方法。 |
| WO2004042112A1 (ja) * | 2002-11-06 | 2004-05-21 | Tokyo Electron Limited | 金属カルボニルガスを使用するｃｖｄ方法 |
| US7427426B2 (en) | 2002-11-06 | 2008-09-23 | Tokyo Electron Limited | CVD method for forming metal film by using metal carbonyl gas |
-
1989
- 1989-06-29 JP JP16786589A patent/JPH0331475A/ja active Pending
Cited By (4)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| JP2002212112A (ja) * | 2001-01-22 | 2002-07-31 | Tanaka Kikinzoku Kogyo Kk | 化学気相蒸着用のルテニウム化合物並びにルテニウム薄膜及びルテニウム化合物薄膜の化学気相蒸着方法。 |
| WO2004042112A1 (ja) * | 2002-11-06 | 2004-05-21 | Tokyo Electron Limited | 金属カルボニルガスを使用するｃｖｄ方法 |
| US7427426B2 (en) | 2002-11-06 | 2008-09-23 | Tokyo Electron Limited | CVD method for forming metal film by using metal carbonyl gas |
| US7879399B2 (en) | 2002-11-06 | 2011-02-01 | Tokyo Electron Limited | CV method using metal carbonyl gas |
Similar Documents
| Publication | Publication Date | Title |
|---|---|---|
| CA2107242C (en) | An evaporation system for gas jet deposition on thin film materials | |
| JPH0752718B2 (ja) | 薄膜形成方法 | |
| JPH03257182A (ja) | 表面加工装置 | |
| WO1996018756A1 (en) | A PA-CVD PROCESS FOR DEPOSITION OF A SOLID METAL-CONTAINING FILM ONTO A SUBSTRATE CONTAINING AT LEAST 50 % of Fe or WC | |
| Wrobel et al. | Remote hydrogen–nitrogen plasma chemical vapor deposition from a tetramethyldisilazane source. Part 1. Mechanism of the process, structure and surface morphology of deposited amorphous hydrogenated silicon carbonitride films | |
| KR20010039780A (ko) | 발열체 ｃｖｄ 장치 및 부착막의 제거방법 | |
| EP0617142A1 (en) | Preparation of silica thin films | |
| US4617237A (en) | Production of conductive metal silicide films from ultrafine powders | |
| US20030049468A1 (en) | Cascade arc plasma and abrasion resistant coatings made therefrom | |
| JPH07138761A (ja) | 薄膜の製造方法とその装置 | |
| JPH0331475A (ja) | Ｃｖｄ法による金属薄膜の成膜方法 | |
| JPH0733243B2 (ja) | 光照射併用プラズマｃｖｄ法による硬質窒化ホウ素の製造法 | |
| EP2208806A1 (en) | Heating element CVD system | |
| JPH02225670A (ja) | Ｃｖｄ法による金属薄膜の成膜方法 | |
| JPH0480116B2 (ja) | ||
| JPS5848664A (ja) | 被覆方法および被覆物 | |
| JP2002543293A (ja) | 材料のプラズマ利用反応性堆積方法の使用 | |
| JP6975972B2 (ja) | Ｙｆ３成膜体の製造方法 | |
| JPH0247258A (ja) | 薄膜形成用蒸発源 | |
| Llewellyn et al. | Low temperature pulsed plasma deposition: III. A method for the deposition of aluminium and tin at room temperature | |
| JP4377008B2 (ja) | 化学蒸着方法及び化学蒸着装置 | |
| JPS6140755B2 (ja) | ||
| JPH01104763A (ja) | 金属化合物薄膜の製造方法 | |
| JPH0689455B2 (ja) | 薄膜形成方法 | |
| JPH08100264A (ja) | 薄膜の形成方法およびその装置 |