JPH0332094Y2 - - Google Patents
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- JPH0332094Y2 JPH0332094Y2 JP1981077852U JP7785281U JPH0332094Y2 JP H0332094 Y2 JPH0332094 Y2 JP H0332094Y2 JP 1981077852 U JP1981077852 U JP 1981077852U JP 7785281 U JP7785281 U JP 7785281U JP H0332094 Y2 JPH0332094 Y2 JP H0332094Y2
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Description
【考案の詳細な説明】
この考案は増幅回路に関し、特にバイアス回路
部を改良したものである。[Detailed Description of the Invention] This invention relates to an amplifier circuit, and in particular improves the bias circuit section.
一般にトランジスタ増幅回路においては、増幅
素子の直流動作点の安定化のため、出力から入力
へ直流負帰還をかけることが行なわれる。第1図
は従来の増幅回路を示すもので、入力信号は、入
力端子1からトランジスタQ1のベースに入力さ
れる。このトランジスタQ1のコレクタ出力は、
トランジスタQ2のベースに供給される。トラン
ジスタQ2,Q3,Q4,Q5は、差動増幅器を構成し
ている。R1はバイアス抵抗、R2,R3,R4は負荷
抵抗、I0は電流源、2は電源端子、Vrは基準電圧
である。また出力端子3はトランジスタQ2のエ
ミツタから導出されている。さらに、トランジス
タQ4のコレクタに接続された負荷抵抗R3に対し
ては、これと並列にコンデンサC1が接続され、
低域通過フイルタを構成している。 Generally, in transistor amplifier circuits, negative DC feedback is applied from the output to the input in order to stabilize the DC operating point of the amplifier element. FIG. 1 shows a conventional amplifier circuit, in which an input signal is input from input terminal 1 to the base of transistor Q1 . The collector output of this transistor Q1 is
Supplied to the base of transistor Q2 . Transistors Q 2 , Q 3 , Q 4 , and Q 5 constitute a differential amplifier. R 1 is a bias resistance, R 2 , R 3 , and R 4 are load resistances, I 0 is a current source, 2 is a power supply terminal, and V r is a reference voltage. Further, the output terminal 3 is led out from the emitter of the transistor Q2 . Furthermore, a capacitor C 1 is connected in parallel to the load resistor R 3 connected to the collector of the transistor Q 4 .
It constitutes a low pass filter.
抵抗R3の端子の直流電圧は、抵抗R5を介して
トランジスタQ1のベースに負帰還され、トラン
ジスタQ1のコレクタ電圧が基準電圧Vrと等しく
なるように制御する。これによつて、トランジス
タQ1の直流動作点が安定化される。 The DC voltage at the terminal of the resistor R3 is negatively fed back to the base of the transistor Q1 via the resistor R5 , and is controlled so that the collector voltage of the transistor Q1 is equal to the reference voltage Vr . This stabilizes the DC operating point of transistor Q1 .
ここで、上記回路の直流負帰還ループの残留誤
差をΔV(=Vr−V1)(V1はトランジスタQ1のコ
レクタ電圧)とすると、トランジスタQ4のコレ
クタ電流IC4は、PNPトランジスタのベース接地
電流増幅率をαpとして、
IC4=αpI0/1+exp(ΔV/KT/q) …(1)
となる。またトランジスタQ1のベース電流をIB1、
ベース・エミツタ接合電位をVBE1とすると、
R3・IC4=VJ1+R5IB1 …(2)
となる。式(1),(2)よりΔVを求めると、
ΔV=kT/qln(αpI0R3/VBE1+R5IB1−1) …(3)
式(3)においてΔV=0となるためには、
(αpI0R3/VBE1+R5IB1−1)が1になるように各定
数
を決定すればよい。 Here, if the residual error of the DC negative feedback loop in the above circuit is ΔV (= V r − V 1 ) (V 1 is the collector voltage of transistor Q 1 ), then the collector current I C4 of transistor Q 4 is equal to that of the PNP transistor. Assuming that the common base current amplification factor is α p , I C4 = α p I 0 /1 + exp (ΔV/KT/q) (1). Also, the base current of transistor Q 1 is I B1 ,
When the base-emitter junction potential is V BE1 , R 3 · I C4 = V J1 + R 5 I B1 (2). Calculating ΔV from equations (1) and (2), ΔV=kT/qln(α p I 0 R 3 /V BE1 +R 5 I B1 −1) …(3) In equation (3), ΔV=0 In order to do this, each constant may be determined so that (α p I 0 R 3 /V BE1 +R 5 I B1 −1) becomes 1.
しかしながら、トランジスタQ1のエミツタ接
地電流増幅率β1がばらつけば、IB1が変化し、ま
たVBE1,αpの値は素子によるばらつきがあり、さ
らにこれらのβ1,VBE1,αpの値は温度により変化
する。その結果、式(3)におけるΔV(Vr−V1)が
変化する。これはVrが一定であれば、V1が変化
することになり、トランジスタQ1のコレクタ電
流IC1、コレクタ・エミツタ電圧VCEも変化するこ
とを意味する。 However, if the common emitter current amplification factor β 1 of transistor Q 1 varies, I B1 changes, and the values of V BE1 and α p vary depending on the element, and furthermore, these β 1 , V BE1 , α p The value of changes with temperature. As a result, ΔV (V r −V 1 ) in equation (3) changes. This means that if V r is constant, V 1 will change, and the collector current I C1 and collector-emitter voltage V CE of transistor Q 1 will also change.
上述したように従来の増幅回路では、特に不安
定要素であるトランジスタの各パラメータ(α,
β,VBE)の変動によつて直流動作点が変動する
欠点がある。 As mentioned above, in conventional amplifier circuits, each parameter (α,
The disadvantage is that the DC operating point fluctuates due to fluctuations in β, V BE ).
この考案は上述した点に鑑みてなされたもの
で、信号増幅用トランジスタ出力と基準電圧を両
入力とする差動増幅器の電流負荷として電流源を
用い、前記電流負荷の端子電圧を用いて前記信号
増幅用トランジスタのベースに直流負帰還をかけ
るように構成し、信号増幅用トランジスタの直流
動作点が各素子の特性にほとんど影響されないよ
うにし得、極めて安定した動作を得る増幅回路を
提供することを目的とする。 This idea was made in view of the above-mentioned points, and uses a current source as a current load of a differential amplifier that has both the signal amplification transistor output and a reference voltage as inputs, and uses the terminal voltage of the current load to generate the signal. It is an object of the present invention to provide an amplifier circuit configured to apply negative DC feedback to the base of an amplification transistor, so that the DC operating point of the signal amplification transistor is almost unaffected by the characteristics of each element, and which achieves extremely stable operation. purpose.
以下この考案の一実施例を図面を参照して説明
する。 An embodiment of this invention will be described below with reference to the drawings.
第2図において1は信号入力端子であり、信号
増幅用のトランジスタQ1のベースに接続されて
いる。このトランジスタQ1のエミツタは基準電
位端に接続され、コレクタは、抵抗R1を介して
電源端子2に接続されるとともにトランジスタ
Q2のベースに接続される。このトランジスタQ2
と、トランジスタQ3.Q4,Q5は差動増幅器を構成
している。トランジスタQ2のコレクタは電源端
子2に接続され、エミツタは抵抗R2を介して基
準電位端に接続されるとともに、抵抗R3を介し
てトランジスタQ3のベースに接続されている。
またトランジスタQ2のエミツタは、出力端子3
に接続されている。トランジスタQ3,Q4のエミ
ツタは共通接続されたのち、電流源I0を介して電
源端子2に接続される。トランジスタQ3のコレ
クタは、ダイオードD1を介して基準電位端に接
続されるとともにトランジスタQ6のベースに接
続される。このトランジスタQ6は定電流源を構
成するもので、そのコレクタは前記トランジスタ
Q4のコレクタに接続され、エミツタは基準電位
端に接続される。さらに、前記トランジスタQ4
のコレクタとトランジスタQ1のベース間には負
帰還ループ4が接続されている。またトランジス
タQ4のベースは、抵抗4を介してトランジスタQ5
のエミツタに接続されている。このトランジスタ
Q5のエミツタは、抵抗R5を介して基準電位端に
接続され、ベースには基準電圧Vrが与えられ、
コレクタは電源端子2に接続されている。電源端
子2とトランジスタQ3のベース間には、コンデ
ンサC1が接続される。 In FIG. 2, 1 is a signal input terminal, which is connected to the base of a transistor Q1 for signal amplification. The emitter of this transistor Q 1 is connected to the reference potential terminal, and the collector is connected to the power supply terminal 2 via the resistor R 1 and the transistor
Connected to the base of Q2 . This transistor Q 2
, and transistors Q 3 , Q 4 , and Q 5 constitute a differential amplifier. The collector of the transistor Q 2 is connected to the power supply terminal 2, and the emitter is connected to the reference potential terminal via a resistor R 2 and to the base of the transistor Q 3 via a resistor R 3 .
Also, the emitter of transistor Q 2 is connected to output terminal 3.
It is connected to the. The emitters of transistors Q 3 and Q 4 are connected in common and then connected to power supply terminal 2 via current source I 0 . The collector of transistor Q 3 is connected to the reference potential terminal via diode D 1 and to the base of transistor Q 6 . This transistor Q6 constitutes a constant current source, and its collector is connected to the transistor
It is connected to the collector of Q4 , and the emitter is connected to the reference potential terminal. Furthermore, said transistor Q 4
A negative feedback loop 4 is connected between the collector of Q1 and the base of transistor Q1 . Also, the base of transistor Q 4 is connected to transistor Q 5 through resistor 4 .
It is connected to the Emitsuta. this transistor
The emitter of Q 5 is connected to the reference potential terminal via a resistor R 5 , and the base is given a reference voltage V r .
The collector is connected to power terminal 2. A capacitor C1 is connected between the power supply terminal 2 and the base of the transistor Q3 .
この考案の一実施例は上記の如く構成され、入
力端子1に入力した信号は、トランジスタQ1に
て増幅され、トランジスタQ2を介して出力端子
3に導出される。ここで、抵抗R3とコンデンサ
C1とは、低域通過フイルタを構成している。こ
の低域通過フイルタによつて、トランジスタQ3
のベースに対しては、交流信号成分が入力するの
を阻止される。また、差動増幅器の直流バランス
をとるために、トランジスタQ5のエミツタとト
ランジスタQ4のベースとの間に、抵抗R3と等し
い値の抵抗R4が接続される。前記差動増幅器の
トランジスタQ3とQ4のエミツタには、電流源ま
たは抵抗により電流I0が供給され、トランジスタ
Q3のコレクタと接地電位間にはダイオードD1が
接続される。そしてダイオードD1とトランジス
タQ6とはカレントミラー構成を形成する。 One embodiment of this invention is constructed as described above, and a signal input to the input terminal 1 is amplified by the transistor Q 1 and is led out to the output terminal 3 via the transistor Q 2 . Here, resistor R 3 and capacitor
C1 constitutes a low pass filter. This low-pass filter allows transistor Q 3
AC signal components are prevented from entering the base. Further, in order to maintain DC balance of the differential amplifier, a resistor R4 having a value equal to that of the resistor R3 is connected between the emitter of the transistor Q5 and the base of the transistor Q4 . A current I0 is supplied to the emitters of transistors Q3 and Q4 of the differential amplifier by a current source or a resistor, and the transistors Q3 and Q4 are supplied with a current I0 by a current source or a resistor.
A diode D1 is connected between the collector of Q3 and ground potential. Diode D 1 and transistor Q 6 then form a current mirror configuration.
ここで、トランジスタQ1の直流コレクタ電位
をV1とし、この直流帰還ループの残留誤差ΔV
(=Vr−V1)とすると、トランジスタQ4のコレク
タ電流IC4は、PNPトランジスタのベース接地電
流増幅率をαpとして、
IC4=αpI0/1+exp(ΔV/KT/q) …(4)
となる。また、トランジスタQ1のベース電流を
IB1とすると、ダイオードD1、トランジスタQ6は
カレントミラー構成となつているので、
IC4=αpI0+IB1/2 …(5)
となる。式(4),(5)よりΔVを求めると
ΔV=kT/qln(2αpI0/αpI0+IIB1−1) …(6)
となる。ここで、IB1はトランジスタQ1のエミツ
タ接地電流増幅率β1のばらつき、温度変化に対し
て変化するが、考えられ得るIB1の最大値(β1の
最小値)に対して、
αpI0≫IB1 …(7)
としておけば、αpI0に対してIB1を無視することが
でき、更にその場合式(6)においてαpの項もなくな
り、ΔV0とすることができる。つまり、V1=
Vrとなつて、トランジスタQ1のコレクタ電流IC1、
およびコレクタ・エミツタ間電圧VCEは、
IC1=VCC−V1/R1=VCC−Vr/R1,
VCE=V1=Vr …(8)
となり、不安定要素であるトランジスタの各パラ
メータ(α,β,VBE)の影響を受けない安定な
直流動作点が得られる。 Here, the DC collector potential of transistor Q 1 is V 1 , and the residual error ΔV of this DC feedback loop is
(=V r −V 1 ), the collector current I C4 of transistor Q 4 is I C4 = α p I 0 /1 + exp (ΔV/KT/q), where α p is the common base current amplification factor of the PNP transistor. …(4) becomes. Also, the base current of transistor Q1 is
Assuming I B1 , the diode D 1 and the transistor Q 6 have a current mirror configuration, so I C4 = α p I 0 + I B1 /2 (5). Determining ΔV from equations (4) and (5), ΔV=kT/qln(2α p I 0 /α p I 0 +II B1 −1) …(6). Here, I B1 changes due to variations in the common emitter current amplification factor β 1 of transistor Q 1 and temperature changes, but for the maximum possible value of I B1 (minimum value of β 1 ), α p If I 0 ≫ I B1 …(7), I B1 can be ignored for α p I 0 , and in that case, the α p term also disappears in equation (6), and ΔV0 can be obtained. . In other words, V 1 =
V r , the collector current of transistor Q 1 I C1 ,
And the collector-emitter voltage V CE is I C1 = V CC −V 1 /R 1 = V CC −V r /R 1 , V CE = V 1 = V r (8), which is an unstable element. A stable DC operating point can be obtained that is not affected by the transistor parameters (α, β, V BE ).
このとき信号出力は、トランジスタQ2のエミ
ツタまたはトランジスタQ1のコレクタから取り
出すことができる。またトランジスタQ1の負荷
を第3図に示すようにカスコード接続としても上
記と同様な効果が得られる。つまり、ベースにバ
イアスVBが与えられるトランジスタQ7をカスコ
ード接続するものである。他の回路部は、先の実
施例と同じであるから説明は省略する。また、本
回路においては、トランジスタQ4のコレクタか
らトランジスタQ1のベースに直流負帰還をかけ
る帰還回路には、交流的な変動を抑えるためにフ
イルタを接続してもよい。 The signal output can then be taken out from the emitter of transistor Q2 or the collector of transistor Q1 . Furthermore, the same effect as above can be obtained by connecting the load of transistor Q1 in cascode connection as shown in FIG. In other words, the transistor Q7 , whose base is given bias VB, is connected in cascode. The other circuit sections are the same as those in the previous embodiment, so their explanation will be omitted. Further, in this circuit, a filter may be connected to the feedback circuit that applies negative DC feedback from the collector of the transistor Q 4 to the base of the transistor Q 1 in order to suppress AC fluctuations.
第1図に示した回路を半導体集積化(IC化)
した場合、PNPトランジスタは通常、ラテラル
PNPトランジスタとして形成される。このラテ
ラルPNPトランジスタは直流でのエミツタ接地
電流増幅率β010、トランジシヨン周波数T
5MHzであつて、極めて性能が悪い。従つてこの
回路をビデオ帯域の増幅回路として使用した場
合、次のような問題がある。 Semiconductor integration (IC) of the circuit shown in Figure 1
If the PNP transistor is
Formed as a PNP transistor. This lateral PNP transistor has a DC grounded emitter current amplification factor β010 and a transition frequency T
It is 5MHz and has extremely poor performance. Therefore, when this circuit is used as a video band amplifier circuit, the following problems arise.
即ち、周波数におけるトランジスタQ3のエ
ミツタ接地電流増幅率βは、
β=(T/) …(1A)
となるので、周波数でのトランジスタQ2のエ
ミツタから見たトランジスタQ3のベース入力イ
ンピーダンスZiは、
Zi=2re・β=2re・(T/) …(2A)
ここで、reはトランジスタQ3,Q4の内部エミ
ツタインピーダンスであり、
re=(kT/q)・(2/I0)
で与えられる。(ただし、k:ボルツマン定数、
T:絶対温度、q:電子の電荷である。 That is, the common emitter current amplification factor β of the transistor Q 3 at the frequency is β = (T/) ... (1A), so the base input impedance Zi of the transistor Q 3 seen from the emitter of the transistor Q 2 at the frequency is , Zi=2re・β=2re・(T/) …(2A) Here, re is the internal emitter impedance of transistors Q 3 and Q 4 , and re=(kT/q)・(2/I 0 ) is given by (However, k: Boltzmann constant,
T: absolute temperature, q: electron charge.
ただし、トランジスタQ5のエミツタ出力イン
ピーダンスを充分小さいものとする。 However, the emitter output impedance of transistor Q5 must be sufficiently small.
ここで、式(2A)に実際の定数、
=4MHz、T=5MHz、I0=200μA、k=1.38
×10-23j/k、q=1.06×10-19C、T=300゜Kを代
入すると、
Zi2×259×(5/4)648Ω
となり、Ziは極めて小さなインピーダンスとな
る。 Here, the actual constants in equation (2A) are: = 4MHz, T = 5MHz, I 0 = 200μA, k = 1.38
Substituting ×10 -23 j/k, q = 1.06 × 10 -19 C, and T = 300°K yields Zi2 × 259 × (5/4) 648Ω, making Zi an extremely small impedance.
このZiは、トランジスタQ2のエミツタ出力負
荷であり、その値が上記のように小さいため、ト
ランジスタQ2のエミツタ出力信号に歪みを与え
る。さらに、Ziは周囲温度によつて変化するため
それに応じて歪みも変化する。 This Zi is the emitter output load of transistor Q2 , and since its value is small as described above, it distorts the emitter output signal of transistor Q2 . Furthermore, since Zi changes depending on the ambient temperature, the strain also changes accordingly.
しかし本願考案の回路によれば、トランジスタ
Q2のエミツタとトランジスタQ3のベース間に低
域通過フイルタを構成する抵抗R3が接続されて
いる。この抵抗R3の値は、トランジスタQ3、Q4
の差動対が直流領域で動作すれば良いので、数+
KΩ(実際には10KΩ〜30KΩ)と大きな値をとる
ことができる。 However, according to the circuit of the present invention, the transistor
A resistor R 3 forming a low-pass filter is connected between the emitter of Q 2 and the base of transistor Q 3 . The value of this resistor R 3 is the same as that of transistors Q 3 , Q 4
It is sufficient that the differential pair operates in the DC region, so the number +
It can take a large value of KΩ (actually 10KΩ to 30KΩ).
従つて、トランジスタQ2のエミツタ出力信号
の歪みを極めて小さくすることができる。 Therefore, distortion of the emitter output signal of transistor Q2 can be made extremely small.
またこの考案の回路では、トランジスタQ4,
Q6のコレクタの接続点からトランジスタQ1のベ
ースに帰還をかけているので、トランジスタQ6
のコレクタ・エミツタ間電圧と等しくなる。従つ
て、ダイオードD1をトランジスタで構成した場
合(一般にはICではほとんどのダイオードはト
ランジスタのコレクタ・ベース間を短絡させて構
成する)、そのVCEとトランジスタQ6のVCEとがほ
ぼ等しく(0.7V)なるので、アーリー効果も等
しくなりカレントミラーのマツチングが良くな
る。 Also, in the circuit of this invention, transistors Q 4 ,
Feedback is applied from the connection point of the collector of Q 6 to the base of transistor Q 1 , so transistor Q 6
It is equal to the collector-emitter voltage of . Therefore, if diode D 1 is constructed from a transistor (generally, most diodes in ICs are constructed by shorting the collector and base of the transistor), its V CE and the V CE of transistor Q 6 are approximately equal ( 0.7V), so the Early effect is also equal and the matching of the current mirror is improved.
これにより、トランジスタQ1の直流コレクタ
電圧V1を精度良く基準電圧に等しくすることが
できる。 Thereby, the DC collector voltage V 1 of the transistor Q 1 can be made equal to the reference voltage with high accuracy.
上述したように、この考案は、信号増幅用のト
ランジスタの出力から低域通過フイルタを通した
ものと、基準電圧とを両入力とする差動増幅器の
コレクタ負荷をカレントミラー構成とし、その電
流源負荷側より信号増幅トランジスタのベースに
直流負帰還をかけることにより、各構成トランジ
スタの各パラメータ(α,β,VBE)の影響をほ
とんど受けずに信号増幅トランジスタの直流動作
点を極めて安定化でき、集積回路化に適した増幅
回路を提供することができる。 As mentioned above, this idea uses a current mirror configuration for the collector load of a differential amplifier whose inputs are the output of a signal amplifying transistor passed through a low-pass filter and the reference voltage, and its current source By applying negative DC feedback to the base of the signal amplification transistor from the load side, the DC operating point of the signal amplification transistor can be extremely stabilized without being affected by each parameter (α, β, V BE ) of each constituent transistor. , it is possible to provide an amplifier circuit suitable for integration into an integrated circuit.
第1図は従来の増幅回路を示す回路構成図、第
2図はこの考案の一実施例を示す回路構成図、第
3図はこの考案の他の実施例を説明するのに示し
た回路図である。
1……入力端子、3……出力端子、Q1〜Q7…
…トランジスタ、R1〜R5……抵抗、D1……ダイ
オード。
Fig. 1 is a circuit diagram showing a conventional amplifier circuit, Fig. 2 is a circuit diagram showing an embodiment of this invention, and Fig. 3 is a circuit diagram showing another embodiment of this invention. It is. 1...Input terminal, 3...Output terminal, Q 1 to Q 7 ...
...Transistor, R1 to R5 ...Resistor, D1 ...Diode.
Claims (1)
が加えられる信号増幅用トランジスタと、 コレクタ負荷がカレントミラー構成とされたト
ランジスタ差動増幅器と、 前記トランジスタ差動増幅器の一方の入力端に
接続された基準電圧源と、 前記信号増幅用トランジスタの出力端と前記ト
ランジスタ差動増幅器の他方の入力端間に接続さ
れた抵抗を含む低域通過フイルタと、 前記トランジスタ差動増幅器のコレクタと前記
カレントミラー負荷の接続点と前記信号増幅用ト
ランジスタのベース間を直結接続した直流帰還回
路とを具備したことを特徴とする増幅回路。[Claims for Utility Model Registration] A signal amplifying transistor whose emitter is grounded and an input signal is applied to its base; a transistor differential amplifier whose collector load has a current mirror configuration; and one of the transistor differential amplifiers. a reference voltage source connected to an input terminal of the transistor differential amplifier; a low-pass filter including a resistor connected between the output terminal of the signal amplifying transistor and the other input terminal of the transistor differential amplifier; An amplifier circuit comprising: a DC feedback circuit directly connecting the collector of the current mirror, the connection point of the current mirror load, and the base of the signal amplifying transistor.
Priority Applications (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP1981077852U JPH0332094Y2 (en) | 1981-05-28 | 1981-05-28 |
Applications Claiming Priority (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP1981077852U JPH0332094Y2 (en) | 1981-05-28 | 1981-05-28 |
Publications (2)
| Publication Number | Publication Date |
|---|---|
| JPS57191109U JPS57191109U (en) | 1982-12-03 |
| JPH0332094Y2 true JPH0332094Y2 (en) | 1991-07-08 |
Family
ID=29873497
Family Applications (1)
| Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
|---|---|---|---|
| JP1981077852U Expired JPH0332094Y2 (en) | 1981-05-28 | 1981-05-28 |
Country Status (1)
| Country | Link |
|---|---|
| JP (1) | JPH0332094Y2 (en) |
Cited By (1)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| US8377022B2 (en) | 2006-06-02 | 2013-02-19 | Uni-Charm Corporation | Absorbent article |
Family Cites Families (2)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| JPS6013325B2 (en) * | 1976-02-25 | 1985-04-06 | 株式会社日立製作所 | differential amplifier |
| JPS5468140A (en) * | 1977-11-10 | 1979-06-01 | Matsushita Electric Ind Co Ltd | Amplifying circuit |
-
1981
- 1981-05-28 JP JP1981077852U patent/JPH0332094Y2/ja not_active Expired
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| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| US8377022B2 (en) | 2006-06-02 | 2013-02-19 | Uni-Charm Corporation | Absorbent article |
Also Published As
| Publication number | Publication date |
|---|---|
| JPS57191109U (en) | 1982-12-03 |
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