JPH0332162B2 - - Google Patents
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- Publication number
- JPH0332162B2 JPH0332162B2 JP56054139A JP5413981A JPH0332162B2 JP H0332162 B2 JPH0332162 B2 JP H0332162B2 JP 56054139 A JP56054139 A JP 56054139A JP 5413981 A JP5413981 A JP 5413981A JP H0332162 B2 JPH0332162 B2 JP H0332162B2
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- JP
- Japan
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- composition
- present
- dielectric constant
- pbo
- mgo
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- Compositions Of Oxide Ceramics (AREA)
- Ceramic Capacitors (AREA)
- Inorganic Insulating Materials (AREA)
Description
本発明は1000℃以下の低温で焼結できる高誘電
率磁器組成物に関するものである。 従来、高誘電率誘電体はチタン酸バリウム，チ
タン酸ストロンチウムを主成分とするものが広く
実用化されていた。 しかしながら、これらのBaTiO3，SrTiO3を主
成分とするものは通常1300〜1400℃の高温で焼結
しなければならず、高品質の積層コンデンサ及び
厚膜コンデンサを製造しようとすれば、この焼結
温度に適した内部電極として、白金，パラジウム
等の高価な貴金属を使用しなければならないとい
う欠点がある。 そこで低価格の銀を主成分とする安価な内部電
極の使用を可能とするためにも、できる限り900
〜1000℃付近の低温温度で焼結できる誘導体の材
料が強く要望される。 本発明の目的は、低温で焼結できるとともに誘
電率が高く、しかも誘導損失が小さく、かつ比抵
抗が高い、誘電体特性の優れた高誘電率磁器組成
物を提供するものである。 本発明はPb（Fe2/3W1/3）O3−Pb（Mg1/3−
Nb2/3）O3−PbTiO3の三成分系組成ならびに
PbO，MgOを過剰に添加させたことにより、室
温で誘導率を著しく増加させ、かつ比抵抗を増加
させ、しかも1000℃以下の低温で焼結できる高性
能な高誘電率磁器組成物を発明したものである。 すなわち、本発明の磁器組成物は Pb（Fe2/3W1/3）O3，Pb（Mg1/3Nb2/3）O3，
PbTiO3，PbOおよびMgOよりなる組成物を、 〔Pb（Fe2/3W1/3）O3〕X〔Pb（Mg1/3Nb2/3）O3〕Y
〔PbTiO3〕Z＋Awt％PbO＋Bwt％MgOと表した
時に、Ｘ，Ｙ，Ｚ，Ａ，Ｂの範囲が Ｘ＝0.01〜0.20 Ｙ＝0.60〜0.98 Ｚ＝0.01〜0.20 （但し、Ｘ＋Ｙ＋Ｚ＝１） ０≦Ａ≦20 ０≦Ｂ≦５ よりなることを特徴とするものである。 本発明の磁器組成物は積層コンデンサ、厚膜コ
ンデンサの誘電体として適用できる。本発明の高
誘電率磁器組成物を製造すれば、1000℃以下で安
易に焼結が可能なため、積層コンデンサ，厚膜コ
ンデンサの製造に内部電極として銀系金属を使用
できることが可能で、コンデンサを安価に製造で
きる。 以下、本発明を実施例にて詳細に説明する。原
料酸化物として酸化鉛（PbO），酸化第二鉄
（Fe2O3），酸化タングステン（WO3），酸化チタ
ン（TiO2），五酸化ニオブ（Nb2O5），酸化マグ
ネシウム（MgO）の各原料を下記の第１表に示
した組成に全体が200ｇになるように秤量した。
これらとともにメノウ石300ｇ、純水200ｇをボー
ルミルで混合させ、スラリー化した後に固化乾燥
させる。次に、アルミナルツボで700〜850℃で仮
焼した。この仮焼粉末30ｇと５％PVA溶液をバ
インダーとして加え、約700Kg／cm2の圧力で直径
20mm，厚さ１mmの円板に成形し、これを900〜
1000℃で１時間焼成して焼結体を得た。得られた
焼結体には導電性銀ペーストを塗布して電極を形
成し、電気的諸特性の測定試料とした。諸電率及
び誘電損失は1KHz、温度25℃で測定した。比抵
抗は直流100Vを印加して室温で測定した。その
結果を第２表に示している。
率磁器組成物に関するものである。 従来、高誘電率誘電体はチタン酸バリウム，チ
タン酸ストロンチウムを主成分とするものが広く
実用化されていた。 しかしながら、これらのBaTiO3，SrTiO3を主
成分とするものは通常1300〜1400℃の高温で焼結
しなければならず、高品質の積層コンデンサ及び
厚膜コンデンサを製造しようとすれば、この焼結
温度に適した内部電極として、白金，パラジウム
等の高価な貴金属を使用しなければならないとい
う欠点がある。 そこで低価格の銀を主成分とする安価な内部電
極の使用を可能とするためにも、できる限り900
〜1000℃付近の低温温度で焼結できる誘導体の材
料が強く要望される。 本発明の目的は、低温で焼結できるとともに誘
電率が高く、しかも誘導損失が小さく、かつ比抵
抗が高い、誘電体特性の優れた高誘電率磁器組成
物を提供するものである。 本発明はPb（Fe2/3W1/3）O3−Pb（Mg1/3−
Nb2/3）O3−PbTiO3の三成分系組成ならびに
PbO，MgOを過剰に添加させたことにより、室
温で誘導率を著しく増加させ、かつ比抵抗を増加
させ、しかも1000℃以下の低温で焼結できる高性
能な高誘電率磁器組成物を発明したものである。 すなわち、本発明の磁器組成物は Pb（Fe2/3W1/3）O3，Pb（Mg1/3Nb2/3）O3，
PbTiO3，PbOおよびMgOよりなる組成物を、 〔Pb（Fe2/3W1/3）O3〕X〔Pb（Mg1/3Nb2/3）O3〕Y
〔PbTiO3〕Z＋Awt％PbO＋Bwt％MgOと表した
時に、Ｘ，Ｙ，Ｚ，Ａ，Ｂの範囲が Ｘ＝0.01〜0.20 Ｙ＝0.60〜0.98 Ｚ＝0.01〜0.20 （但し、Ｘ＋Ｙ＋Ｚ＝１） ０≦Ａ≦20 ０≦Ｂ≦５ よりなることを特徴とするものである。 本発明の磁器組成物は積層コンデンサ、厚膜コ
ンデンサの誘電体として適用できる。本発明の高
誘電率磁器組成物を製造すれば、1000℃以下で安
易に焼結が可能なため、積層コンデンサ，厚膜コ
ンデンサの製造に内部電極として銀系金属を使用
できることが可能で、コンデンサを安価に製造で
きる。 以下、本発明を実施例にて詳細に説明する。原
料酸化物として酸化鉛（PbO），酸化第二鉄
（Fe2O3），酸化タングステン（WO3），酸化チタ
ン（TiO2），五酸化ニオブ（Nb2O5），酸化マグ
ネシウム（MgO）の各原料を下記の第１表に示
した組成に全体が200ｇになるように秤量した。
これらとともにメノウ石300ｇ、純水200ｇをボー
ルミルで混合させ、スラリー化した後に固化乾燥
させる。次に、アルミナルツボで700〜850℃で仮
焼した。この仮焼粉末30ｇと５％PVA溶液をバ
インダーとして加え、約700Kg／cm2の圧力で直径
20mm，厚さ１mmの円板に成形し、これを900〜
1000℃で１時間焼成して焼結体を得た。得られた
焼結体には導電性銀ペーストを塗布して電極を形
成し、電気的諸特性の測定試料とした。諸電率及
び誘電損失は1KHz、温度25℃で測定した。比抵
抗は直流100Vを印加して室温で測定した。その
結果を第２表に示している。
【表】
但し、＊印は請求範囲外
また、図は本発明に係る磁器組成物の主成分の
成分組成を示す三角組成図であり、図中の番号は
上記表中の試料No.と対応している。 表からも明らかなように本発明の範囲内のもの
は、誘電率が3000〜15000と高く、誘電損失が0.4
〜3.5％と極めて小さく、また比抵抗は10″Ω・cm
以上で、しかも1000℃以下で焼結が可能である。
すなわち、この組成からずれるものは表に示すよ
うに望ましい特性は得られなかつた。 なお、本発明の組成物を 〔Pb（Fe2/3W1/3）O3〕X〔Pb（Mg1/3Nb2/3）O3〕Y
〔PbTiO3〕Z＋Awt％PbO＋Bwt％MgOと表した
時に、Ｘ，Ｙ，Ｚ，Ａ，Ｂの範囲が Ｘ＝0.01〜0.20 Ｙ＝0.60〜0.98 Ｚ＝0.01〜0.20 （但し、Ｘ＋Ｙ＋Ｚ＝１） ０≦Ａ≦20 ０≦Ｂ≦５ と限定される。この理由はＸが20モル％を超える
と誘電率が低下する。一方、Ｘが１モル％未満に
なると誘電損失が大きくなる。また、Ｚが20モル
％を超えると焼結が不可能になり、逆に１モル％
を切ると誘電率が低下する。ＹはＸ，Ｚから決定
される。次に、Ａは20wt％までは焼結性が増し
誘電率が大きくなるが、20wt％を超えると磁器
がポーラスとなり誘電率が減少し、誘電損失が大
きくなり比抵抗も小さくなる。また、ＢもＡと同
様に5wt％までは特性が向上するが、5wt％を超
えると上記の誘電体特性が劣化する。 以上述べたように本発明の磁器組成物は1000℃
以下の低温で焼結でき、通常のデイスクコンデン
サのみならず、特に大容量の積層コンデンサ用材
料及び大容量厚膜コンデンサ用材料に適し、しか
もより安価な焼成炉の使用を可能とし、かつ熱エ
ネルギーを節約し得る非常に優れた組成物であ
る。
また、図は本発明に係る磁器組成物の主成分の
成分組成を示す三角組成図であり、図中の番号は
上記表中の試料No.と対応している。 表からも明らかなように本発明の範囲内のもの
は、誘電率が3000〜15000と高く、誘電損失が0.4
〜3.5％と極めて小さく、また比抵抗は10″Ω・cm
以上で、しかも1000℃以下で焼結が可能である。
すなわち、この組成からずれるものは表に示すよ
うに望ましい特性は得られなかつた。 なお、本発明の組成物を 〔Pb（Fe2/3W1/3）O3〕X〔Pb（Mg1/3Nb2/3）O3〕Y
〔PbTiO3〕Z＋Awt％PbO＋Bwt％MgOと表した
時に、Ｘ，Ｙ，Ｚ，Ａ，Ｂの範囲が Ｘ＝0.01〜0.20 Ｙ＝0.60〜0.98 Ｚ＝0.01〜0.20 （但し、Ｘ＋Ｙ＋Ｚ＝１） ０≦Ａ≦20 ０≦Ｂ≦５ と限定される。この理由はＸが20モル％を超える
と誘電率が低下する。一方、Ｘが１モル％未満に
なると誘電損失が大きくなる。また、Ｚが20モル
％を超えると焼結が不可能になり、逆に１モル％
を切ると誘電率が低下する。ＹはＸ，Ｚから決定
される。次に、Ａは20wt％までは焼結性が増し
誘電率が大きくなるが、20wt％を超えると磁器
がポーラスとなり誘電率が減少し、誘電損失が大
きくなり比抵抗も小さくなる。また、ＢもＡと同
様に5wt％までは特性が向上するが、5wt％を超
えると上記の誘電体特性が劣化する。 以上述べたように本発明の磁器組成物は1000℃
以下の低温で焼結でき、通常のデイスクコンデン
サのみならず、特に大容量の積層コンデンサ用材
料及び大容量厚膜コンデンサ用材料に適し、しか
もより安価な焼成炉の使用を可能とし、かつ熱エ
ネルギーを節約し得る非常に優れた組成物であ
る。
図は本発明に係る磁器組成物の主成分の成分組
成を示す三角組成図である。
成を示す三角組成図である。
Claims (1)
- 【特許請求の範囲】 １ 鉄・タングステン酸鉛Pb（Fe2/3W1/3）O3，
マグネシウム・ニオブ酸鉛Pb（Mg1/3Nb2/3）O3，
チタン酸鉛PbTiO3，酸化鉛PbOおよび酸化マグ
ネシウムMgOよりなる組成物を、 〔Pb（Fe2/3W1/3）O3〕X〔Pb（Mg1/3Nb2/3）O3〕Y
〔PbTiO3〕Z＋Awt％PbO＋Bwt％MgOと表した
時に、Ｘ，Ｙ，Ｚ，Ａ，Ｂの範囲が Ｘ＝0.01〜0.20 Ｙ＝0.60〜0.98 Ｚ＝0.01〜0.20 （但し、Ｘ＋Ｙ＋Ｚ＝１） ０≦Ａ≦20 ０≦Ｂ≦５ よりなる高誘電率磁器組成物。
Priority Applications (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP56054139A JPS57168405A (en) | 1981-04-09 | 1981-04-09 | High dielectric porcelain composition |
Applications Claiming Priority (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP56054139A JPS57168405A (en) | 1981-04-09 | 1981-04-09 | High dielectric porcelain composition |
Publications (2)
| Publication Number | Publication Date |
|---|---|
| JPS57168405A JPS57168405A (en) | 1982-10-16 |
| JPH0332162B2 true JPH0332162B2 (ja) | 1991-05-10 |
Family
ID=12962229
Family Applications (1)
| Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
|---|---|---|---|
| JP56054139A Granted JPS57168405A (en) | 1981-04-09 | 1981-04-09 | High dielectric porcelain composition |
Country Status (1)
| Country | Link |
|---|---|
| JP (1) | JPS57168405A (ja) |
Families Citing this family (4)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| JPS61109204A (ja) * | 1984-10-31 | 1986-05-27 | 株式会社村田製作所 | 誘電体磁器組成物 |
| JPH01100051A (ja) * | 1987-10-12 | 1989-04-18 | Mitsubishi Mining & Cement Co Ltd | 誘電体磁器組成物 |
| JP2658121B2 (ja) * | 1988-02-03 | 1997-09-30 | 松下電器産業株式会社 | 高誘電材料および同材料を用いたコンデンサ |
| CN104557038B (zh) * | 2014-12-30 | 2017-07-07 | 中国科学院声学研究所 | 一种复合体系热释电陶瓷材料及其制备方法 |
-
1981
- 1981-04-09 JP JP56054139A patent/JPS57168405A/ja active Granted
Also Published As
| Publication number | Publication date |
|---|---|
| JPS57168405A (en) | 1982-10-16 |
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