JPH0332212B2 - - Google Patents
Info
- Publication number
- JPH0332212B2 JPH0332212B2 JP56159812A JP15981281A JPH0332212B2 JP H0332212 B2 JPH0332212 B2 JP H0332212B2 JP 56159812 A JP56159812 A JP 56159812A JP 15981281 A JP15981281 A JP 15981281A JP H0332212 B2 JPH0332212 B2 JP H0332212B2
- Authority
- JP
- Japan
- Prior art keywords
- wafer
- disk
- wax
- mirror
- parallel
- Prior art date
- Legal status (The legal status is an assumption and is not a legal conclusion. Google has not performed a legal analysis and makes no representation as to the accuracy of the status listed.)
- Expired - Lifetime
Links
Classifications
-
- H—ELECTRICITY
- H10—SEMICONDUCTOR DEVICES; ELECTRIC SOLID-STATE DEVICES NOT OTHERWISE PROVIDED FOR
- H10P—GENERIC PROCESSES OR APPARATUS FOR THE MANUFACTURE OR TREATMENT OF DEVICES COVERED BY CLASS H10
- H10P50/00—Etching of wafers, substrates or parts of devices
Landscapes
- Mechanical Treatment Of Semiconductor (AREA)
Description
本発明はウエハの加工方法に関する。
半導体ウエハは反り及び変形があると製造され
る半導体素子に悪影響を及ぼすため、非常に平坦
であることが要求され、鏡面加工又はラツピング
加工が行なわれる。 ところで、従来、ウエハの片面に鏡面加工又は
ラツピング加工を行なう場合、第１図ａに示す如
く、平坦な円盤１にパラフイン等を主成分とする
ワツクス２を塗布し、その上にウエハ３を載置
し、ウエハ押え棒４でウエハ３を押えて円盤１に
貼り付けた後、鏡面加工又はラツピング加工が行
なわれている。 しかしながら、上記従来方法においては、ウエ
ハ３に反り及び変形がある場合、ウエハ押え棒４
ではウエハ３を平坦に矯正することができないた
め、第１図ｂに示す如く、平坦な円盤１上にワツ
クス２を介して貼り付けられたウエハ３はその加
工面が円盤１上面に対して平行にならない。こう
した状態では例えばウエハを鏡面加工すると、第
１図ｃに示す如く加工後のウエハ３′表面のみが
円盤１上面に対して平行になるため、ウエハ３′
内の厚さにバラツキを生じるという欠点があつ
た。 本発明は上記欠点を解消するためになされたも
のであり、ウエハを均一厚さで鏡面加工又はラツ
ピング加工しうるウエハの加工方法を提供しよう
とするものである。 すなわち、本発明は平坦な円盤にワツクスを使
用してウエハを貼り付け、片面を鏡面加工又はラ
ツピング加工する方法において、ウエハの加工面
を真空チヤツクによりチヤツキングし、ウエハを
回転させながら、円盤上面に塗布されたワツクス
上で該円盤に対して平行に移動させて貼り付ける
ことを特徴とするものである。 本発明において、真空チヤツクによりチヤツキ
ングしたウエハを回転させながら、円盤上面に塗
布されたワツクス上で該円盤に対して平行に移動
させるのは、ウエハと円盤間のワツクスを薄く均
一に延ばし、かつウエハとワツクス間の気泡を除
去することにより、ウエハの密着性をよくするた
めである。上記の平行移動は円運動あるいは直線
運動等によつて行なわれるが、ウエハの密着性を
よくするためには円運動が望ましい。この際、ウ
エハの移動距離が10mm未満であるとワツクスの延
び及び気泡の除去効果が少ないため、ウエハの移
動距離は10mm以上必要である。 以下、本発明の一実施例を第２図ａ〜ｅを参照
して説明する。 実施例 まず、反りがJISH0611の規格で15及び30で４
インチ径、厚さ約650μｍのウエハ１１（第２図
ａ図示）を、ウエハ１１より小径の真空チヤツク
１２によりチヤツキングし、ウエハ１１を平坦に
矯正した（第２図ｂ図示）。次に上面にワツクス
１３を塗布した円盤１４上面に真空チヤツク１２
よりチヤツキングされたウエハ１１を、円盤１４
上面に対して平行になるように押しつけた。つづ
いて、真空チヤツク１２上に連結した偏心軸１５
によりウエハ１１を回転させ、かつ円盤１４に対
して平行に円運動で約20mm移動させた（第２図ｃ
図示）。上記の操作により、ウエハ１１と円盤１
４間のワツクス１３が薄く均一に延ばされ、かつ
ウエハ１１とワツクス１３間の気泡が除去される
ため、ウエハ１１の密着性がよくなる。このた
め、真空チヤツク１２を取り除いても、ウエハ１
１は円盤１４上面に平行に保たれたまま貼り付け
られた（第２図ｄ図示）。つづいて、貼り付けら
れたウエハの表面に常法に従つて鏡面加工を行な
い、集積回路用半導体ウエハ１１′を得た（第２
図ｅ図示）。 鏡面加工後、得られたウエハ100枚について貼
付精度及び加工精度を測定したところ下記表のよ
うになつた。なお、表中の比較例は従来のウエハ
押え棒による方法で円盤に貼り付けて鏡面加工を
行なつたウエハ100枚について貼付精度及び加工
精度を測定したものである。 ここで、貼付精度はウエハを円盤に貼り付けた
際の第３図に示すウエハ外周から５mmの４個所で
のウエハと円盤間のワツクス厚を電気マイクロメ
ータで測定したもので、下記表中ワツクス厚の最
大値と最小値の差の平均値及びその標準偏差
σxを示している。 また加工精度は鏡面加工後のウエハ厚を
JISH0611の規格に従い測定したもので、下記表
中ウエハ厚の最大値と最小値との差の平均値及
びその標準偏差σyを示している。
る半導体素子に悪影響を及ぼすため、非常に平坦
であることが要求され、鏡面加工又はラツピング
加工が行なわれる。 ところで、従来、ウエハの片面に鏡面加工又は
ラツピング加工を行なう場合、第１図ａに示す如
く、平坦な円盤１にパラフイン等を主成分とする
ワツクス２を塗布し、その上にウエハ３を載置
し、ウエハ押え棒４でウエハ３を押えて円盤１に
貼り付けた後、鏡面加工又はラツピング加工が行
なわれている。 しかしながら、上記従来方法においては、ウエ
ハ３に反り及び変形がある場合、ウエハ押え棒４
ではウエハ３を平坦に矯正することができないた
め、第１図ｂに示す如く、平坦な円盤１上にワツ
クス２を介して貼り付けられたウエハ３はその加
工面が円盤１上面に対して平行にならない。こう
した状態では例えばウエハを鏡面加工すると、第
１図ｃに示す如く加工後のウエハ３′表面のみが
円盤１上面に対して平行になるため、ウエハ３′
内の厚さにバラツキを生じるという欠点があつ
た。 本発明は上記欠点を解消するためになされたも
のであり、ウエハを均一厚さで鏡面加工又はラツ
ピング加工しうるウエハの加工方法を提供しよう
とするものである。 すなわち、本発明は平坦な円盤にワツクスを使
用してウエハを貼り付け、片面を鏡面加工又はラ
ツピング加工する方法において、ウエハの加工面
を真空チヤツクによりチヤツキングし、ウエハを
回転させながら、円盤上面に塗布されたワツクス
上で該円盤に対して平行に移動させて貼り付ける
ことを特徴とするものである。 本発明において、真空チヤツクによりチヤツキ
ングしたウエハを回転させながら、円盤上面に塗
布されたワツクス上で該円盤に対して平行に移動
させるのは、ウエハと円盤間のワツクスを薄く均
一に延ばし、かつウエハとワツクス間の気泡を除
去することにより、ウエハの密着性をよくするた
めである。上記の平行移動は円運動あるいは直線
運動等によつて行なわれるが、ウエハの密着性を
よくするためには円運動が望ましい。この際、ウ
エハの移動距離が10mm未満であるとワツクスの延
び及び気泡の除去効果が少ないため、ウエハの移
動距離は10mm以上必要である。 以下、本発明の一実施例を第２図ａ〜ｅを参照
して説明する。 実施例 まず、反りがJISH0611の規格で15及び30で４
インチ径、厚さ約650μｍのウエハ１１（第２図
ａ図示）を、ウエハ１１より小径の真空チヤツク
１２によりチヤツキングし、ウエハ１１を平坦に
矯正した（第２図ｂ図示）。次に上面にワツクス
１３を塗布した円盤１４上面に真空チヤツク１２
よりチヤツキングされたウエハ１１を、円盤１４
上面に対して平行になるように押しつけた。つづ
いて、真空チヤツク１２上に連結した偏心軸１５
によりウエハ１１を回転させ、かつ円盤１４に対
して平行に円運動で約20mm移動させた（第２図ｃ
図示）。上記の操作により、ウエハ１１と円盤１
４間のワツクス１３が薄く均一に延ばされ、かつ
ウエハ１１とワツクス１３間の気泡が除去される
ため、ウエハ１１の密着性がよくなる。このた
め、真空チヤツク１２を取り除いても、ウエハ１
１は円盤１４上面に平行に保たれたまま貼り付け
られた（第２図ｄ図示）。つづいて、貼り付けら
れたウエハの表面に常法に従つて鏡面加工を行な
い、集積回路用半導体ウエハ１１′を得た（第２
図ｅ図示）。 鏡面加工後、得られたウエハ100枚について貼
付精度及び加工精度を測定したところ下記表のよ
うになつた。なお、表中の比較例は従来のウエハ
押え棒による方法で円盤に貼り付けて鏡面加工を
行なつたウエハ100枚について貼付精度及び加工
精度を測定したものである。 ここで、貼付精度はウエハを円盤に貼り付けた
際の第３図に示すウエハ外周から５mmの４個所で
のウエハと円盤間のワツクス厚を電気マイクロメ
ータで測定したもので、下記表中ワツクス厚の最
大値と最小値の差の平均値及びその標準偏差
σxを示している。 また加工精度は鏡面加工後のウエハ厚を
JISH0611の規格に従い測定したもので、下記表
中ウエハ厚の最大値と最小値との差の平均値及
びその標準偏差σyを示している。
【表】
上記表から明らかなように、反りが１５及び３
０のウエハのいずれについても、その貼付精度は
平均値、標準偏差ともに実施例の方が比較例より
も小さい値を示している。このことは本発明方法
によつてウエハを円盤に貼り付ける方法がワツク
スが均一に延ばされていることを示し、ひいては
ウエハが平坦であることを示している。この結果
として、反りが１５及び３０のウエハのいずれに
ついても、その加工精度は平均値、標準偏差とも
に実施例の方が比較例よりも小さい値を示す。す
なわち、本発明方法によつて円盤に貼り付けられ
たウエハに鏡面加工を施すと、厚さが均一でバラ
ツキのないウエハが得られることを示している。 以上詳述した如く本発明によれば、ウエハを均
一厚さで鏡面加工又はラツピング加工でき、ひい
てはこのウエハから品質のバラツキのない半導体
装置を得ることができる等顕著な効果を有する。
０のウエハのいずれについても、その貼付精度は
平均値、標準偏差ともに実施例の方が比較例より
も小さい値を示している。このことは本発明方法
によつてウエハを円盤に貼り付ける方法がワツク
スが均一に延ばされていることを示し、ひいては
ウエハが平坦であることを示している。この結果
として、反りが１５及び３０のウエハのいずれに
ついても、その加工精度は平均値、標準偏差とも
に実施例の方が比較例よりも小さい値を示す。す
なわち、本発明方法によつて円盤に貼り付けられ
たウエハに鏡面加工を施すと、厚さが均一でバラ
ツキのないウエハが得られることを示している。 以上詳述した如く本発明によれば、ウエハを均
一厚さで鏡面加工又はラツピング加工でき、ひい
てはこのウエハから品質のバラツキのない半導体
装置を得ることができる等顕著な効果を有する。
第１図ａ〜ｃは従来のウエハの加工方法を示す
断面図、第２図ａ〜ｅは本発明の実施例における
ウエハの加工方法を示す断面図、第３図はワツク
ス厚の測定個所を示す平面図である。 １１……ウエハ、１２……真空チヤツク、１３
……ワツクス、１４……円盤、１５……偏心軸。
断面図、第２図ａ〜ｅは本発明の実施例における
ウエハの加工方法を示す断面図、第３図はワツク
ス厚の測定個所を示す平面図である。 １１……ウエハ、１２……真空チヤツク、１３
……ワツクス、１４……円盤、１５……偏心軸。
Claims (1)
- １ 平坦な円盤にワツクスを使用してウエハを貼
り付け、片面を鏡面加工又はラツピング加工する
方法において、ウエハの加工面を真空チヤツクに
よりチヤツキングし、ウエハを回転させながら、
円盤上面に塗布されたワツクス上で該円盤に対し
て平行に移動させて貼り付けることを特徴とする
ウエハの加工方法。
Priority Applications (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP56159812A JPS5860541A (ja) | 1981-10-07 | 1981-10-07 | ウエハの加工方法 |
Applications Claiming Priority (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP56159812A JPS5860541A (ja) | 1981-10-07 | 1981-10-07 | ウエハの加工方法 |
Publications (2)
| Publication Number | Publication Date |
|---|---|
| JPS5860541A JPS5860541A (ja) | 1983-04-11 |
| JPH0332212B2 true JPH0332212B2 (ja) | 1991-05-10 |
Family
ID=15701785
Family Applications (1)
| Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
|---|---|---|---|
| JP56159812A Granted JPS5860541A (ja) | 1981-10-07 | 1981-10-07 | ウエハの加工方法 |
Country Status (1)
| Country | Link |
|---|---|
| JP (1) | JPS5860541A (ja) |
Families Citing this family (3)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| JP2534210B2 (ja) * | 1989-04-03 | 1996-09-11 | 三菱電機株式会社 | ウエハ剥し装置 |
| JP2011025338A (ja) * | 2009-07-23 | 2011-02-10 | Disco Abrasive Syst Ltd | 板状物固定方法 |
| JP2012049448A (ja) * | 2010-08-30 | 2012-03-08 | Mitsubishi Chemicals Corp | 窒化物半導体基板の製造方法 |
Family Cites Families (2)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| JPS56164535A (en) * | 1980-05-23 | 1981-12-17 | Toshiba Corp | Manufacture of semicondutor element |
| JPS57147241A (en) * | 1981-03-05 | 1982-09-11 | Nec Corp | Bonding method for crystal wafer |
-
1981
- 1981-10-07 JP JP56159812A patent/JPS5860541A/ja active Granted
Also Published As
| Publication number | Publication date |
|---|---|
| JPS5860541A (ja) | 1983-04-11 |
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