JPH0620092B2 - 半導体ペレットのダイボンディング用チャック装置 - Google Patents
半導体ペレットのダイボンディング用チャック装置Info
- Publication number
- JPH0620092B2 JPH0620092B2 JP59190326A JP19032684A JPH0620092B2 JP H0620092 B2 JPH0620092 B2 JP H0620092B2 JP 59190326 A JP59190326 A JP 59190326A JP 19032684 A JP19032684 A JP 19032684A JP H0620092 B2 JPH0620092 B2 JP H0620092B2
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- semiconductor pellet
- collet
- semiconductor
- pellet
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- H—ELECTRICITY
- H10—SEMICONDUCTOR DEVICES; ELECTRIC SOLID-STATE DEVICES NOT OTHERWISE PROVIDED FOR
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-
- H—ELECTRICITY
- H10—SEMICONDUCTOR DEVICES; ELECTRIC SOLID-STATE DEVICES NOT OTHERWISE PROVIDED FOR
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- H10P72/00—Handling or holding of wafers, substrates or devices during manufacture or treatment thereof
- H10P72/70—Handling or holding of wafers, substrates or devices during manufacture or treatment thereof for supporting or gripping
- H10P72/78—Handling or holding of wafers, substrates or devices during manufacture or treatment thereof for supporting or gripping using vacuum or suction, e.g. Bernoulli chucks
Description
【発明の詳細な説明】 ＜産業上の利用分野＞ 本発明は、ＩＣチップ等の半導体ペレットを例えばコバ
ール基板にダイボンディングする際に使用される半導体
ペレットのダイボンディング用チャック装置に関する。
ール基板にダイボンディングする際に使用される半導体
ペレットのダイボンディング用チャック装置に関する。
＜従来の技術＞ 一般に、この種のダイボンディング用チャック装置とし
ては、例えば半導体ペレットを支持するコレットを備
え、このコレットに設けた吸引孔を例えば真空ポンプ等
の真空引き手段に連通接続して、該コレットの下端に設
けたチャック面に前記半導体ペレットを真空引きにより
吸着支持することにより、該半導体ペレットを例えば加
熱されたコバール基板上に機械的に固定し、かつ該半導
体ペレットの裏面とコバール基板とを電気的に接続する
ようにしたものが知られている。
ては、例えば半導体ペレットを支持するコレットを備
え、このコレットに設けた吸引孔を例えば真空ポンプ等
の真空引き手段に連通接続して、該コレットの下端に設
けたチャック面に前記半導体ペレットを真空引きにより
吸着支持することにより、該半導体ペレットを例えば加
熱されたコバール基板上に機械的に固定し、かつ該半導
体ペレットの裏面とコバール基板とを電気的に接続する
ようにしたものが知られている。
＜発明が解決しようとする問題点＞ ところで、前記コレットは従来より超硬合金等の金属材
で構成され、例えば第６図(イ)、(ロ)、(ハ)に示すよう
に、チャック面の形状を種々工夫したものが使用されて
いる。このうち、第６図(イ)に示されるものは、半導体
ペレット１の一面に密接して、該半導体ペレット１を強
力に支持するように、コレット３のチャック面４を平坦
な鏡面に形成している。ところが、このように鏡面仕上
げを施されたチャック面４では、半導体ペレット１が吸
引時に高硬度のチャック面４により強い衝撃を受けた場
合に、該半導体ペレット１の表面に形成された保護膜が
損傷されることが少なからず起こるという不都合があ
る。
で構成され、例えば第６図(イ)、(ロ)、(ハ)に示すよう
に、チャック面の形状を種々工夫したものが使用されて
いる。このうち、第６図(イ)に示されるものは、半導体
ペレット１の一面に密接して、該半導体ペレット１を強
力に支持するように、コレット３のチャック面４を平坦
な鏡面に形成している。ところが、このように鏡面仕上
げを施されたチャック面４では、半導体ペレット１が吸
引時に高硬度のチャック面４により強い衝撃を受けた場
合に、該半導体ペレット１の表面に形成された保護膜が
損傷されることが少なからず起こるという不都合があ
る。
また、第６図(ロ)に示されるものでは、前記チャック面
４をコレット３の下端から凹入する角錐状の複数のテー
パ面１６で構成し、このテーパ面１６に半導体ペレット
１の周縁コーナー部が当接する状態で該ペレット１を支
持するようにしている。しかしながら、この場合では、
半導体ペレット１が傾斜した状態で支持されることがあ
り、これでは半導体ペレット１が傾斜したままの状態で
ボンディングが行なわれるという不都合がある。また、
このような場合に、半導体ペレット１のチャック時に該
ペレット１の各コーナー部に対して個別に不均等な衝撃
が加わることになるため、該コーナー部や半導体ペレッ
ト１の内部にクラックが生じるおそれがある。更には、
前述のように、半導体ペレット１はテーパ面１６に不安
定な状態で支持されることになるため、例えば１mm以下
の径寸法の半導体ペレット１では吸着ミスを起こし易い
といった問題点がある。
４をコレット３の下端から凹入する角錐状の複数のテー
パ面１６で構成し、このテーパ面１６に半導体ペレット
１の周縁コーナー部が当接する状態で該ペレット１を支
持するようにしている。しかしながら、この場合では、
半導体ペレット１が傾斜した状態で支持されることがあ
り、これでは半導体ペレット１が傾斜したままの状態で
ボンディングが行なわれるという不都合がある。また、
このような場合に、半導体ペレット１のチャック時に該
ペレット１の各コーナー部に対して個別に不均等な衝撃
が加わることになるため、該コーナー部や半導体ペレッ
ト１の内部にクラックが生じるおそれがある。更には、
前述のように、半導体ペレット１はテーパ面１６に不安
定な状態で支持されることになるため、例えば１mm以下
の径寸法の半導体ペレット１では吸着ミスを起こし易い
といった問題点がある。
更に、第６図(ハ)に示されるものでは、前記チャック面
４を平坦に形成されたコレット３の下面に樹脂製のＯリ
ング等を装着し、このＯリングに半導体ペレット１が支
持されるようにしている。しかし、この場合において
も、前述のような小径の半導体ペレット１はＯリングで
支持し得ないうえ、該Ｏリングが樹脂材からなるため、
ボンディング時にチャック面４が粘着力および静電気を
帯びることがあり、真空引きを解除しても半導体ペレッ
ト１がチャック面４に密着して離れなくなる場合がある
という問題点がある。
４を平坦に形成されたコレット３の下面に樹脂製のＯリ
ング等を装着し、このＯリングに半導体ペレット１が支
持されるようにしている。しかし、この場合において
も、前述のような小径の半導体ペレット１はＯリングで
支持し得ないうえ、該Ｏリングが樹脂材からなるため、
ボンディング時にチャック面４が粘着力および静電気を
帯びることがあり、真空引きを解除しても半導体ペレッ
ト１がチャック面４に密着して離れなくなる場合がある
という問題点がある。
本発明はかかる従来の問題点に鑑み、半導体ペレットを
コレットのチャック面に正しく吸着支持し、このチャッ
ク時に該半導体ペレットの保護膜やペレット自体の損傷
の発生をほぼ完全に防止するとともに、真空引きの解除
に伴なって、半導体ペレットがコレットのチャック面か
ら例外なくスムーズに離脱し得るようにすることを目的
とする。
コレットのチャック面に正しく吸着支持し、このチャッ
ク時に該半導体ペレットの保護膜やペレット自体の損傷
の発生をほぼ完全に防止するとともに、真空引きの解除
に伴なって、半導体ペレットがコレットのチャック面か
ら例外なくスムーズに離脱し得るようにすることを目的
とする。
＜問題点を解決するための手段＞ 本発明ではこのような目的を達成するために、コレット
を備え、このコレットは半導体ペレットの一面を支持す
るチャック面と、このチャック面に開口する吸引孔とを
有し、該コレットの吸引孔を通じて真空引きすることに
より前記半導体ペレットを前記チャック面に吸着支持す
るようにしたダイボンディング用チャック装置におい
て、前記コレットの全体をシリコンゴムあるいはこれと
同程度の弾性を有する樹脂で筒状に構成するとともに、
前記チャック面を平坦に形成し、かつ該チャック面の少
なくとも半導体ペレットの一面の接触する部分は、微小
凹凸面に形成したことに特徴を有する。
を備え、このコレットは半導体ペレットの一面を支持す
るチャック面と、このチャック面に開口する吸引孔とを
有し、該コレットの吸引孔を通じて真空引きすることに
より前記半導体ペレットを前記チャック面に吸着支持す
るようにしたダイボンディング用チャック装置におい
て、前記コレットの全体をシリコンゴムあるいはこれと
同程度の弾性を有する樹脂で筒状に構成するとともに、
前記チャック面を平坦に形成し、かつ該チャック面の少
なくとも半導体ペレットの一面の接触する部分は、微小
凹凸面に形成したことに特徴を有する。
＜作用＞ このようにすれば、コレットが弾性を有するため、半導
体ペレットがコレットのチャック面に吸着される際に、
該ペレットの保護膜に加わる衝撃力がコレットに吸収さ
れる。また、この吸着時における吸引力により、チャッ
ク面の微小凹凸面が平坦に変形されるため、半導体ペレ
ットは正確に、かつ確実に支持される。更に、真空引き
の解除時においては、前記微小凹凸面が弾性復元するた
め、ペレットの被吸着面とチャック面との間に、該ペレ
ットの外側に通じる多数の空隙が生じるため、該ペレッ
トはチャック面から無理なく自然に離脱する。
体ペレットがコレットのチャック面に吸着される際に、
該ペレットの保護膜に加わる衝撃力がコレットに吸収さ
れる。また、この吸着時における吸引力により、チャッ
ク面の微小凹凸面が平坦に変形されるため、半導体ペレ
ットは正確に、かつ確実に支持される。更に、真空引き
の解除時においては、前記微小凹凸面が弾性復元するた
め、ペレットの被吸着面とチャック面との間に、該ペレ
ットの外側に通じる多数の空隙が生じるため、該ペレッ
トはチャック面から無理なく自然に離脱する。
また、コレットの長手方向に対して基板が正確に直角を
なす角度になくても、その角度のずれをコレット全体が
湾曲することで吸引するから、コレットに吸着された半
導体ペレットは、その裏面全面が均等に基板に押し当て
られる。
なす角度になくても、その角度のずれをコレット全体が
湾曲することで吸引するから、コレットに吸着された半
導体ペレットは、その裏面全面が均等に基板に押し当て
られる。
＜実施例＞ 以下、本発明を図面に示す実施例に基づき詳細に説明す
る。
る。
第１図はこの実施例の半導体ペレットのダイボンディン
グ用チャック装置の要部を示す一部切欠概略正面図であ
る。この図において、１はＩＣチップ等の半導体ペレッ
トであって、該半導体ペレット１の表面部分には保護膜
２が形成されている。３は該半導体ペレット１を支持す
るコレットである。このコレット３はシリコンゴムある
いはこれと同程度の弾性を有する樹脂からなる円柱形の
ブロック状部材であって、下端面が半導体ペレット１の
一面を支持するチャック面４として平坦に形成されてい
る。このチャック面４の中央には該コレット３の軸心に
沿って貫通形成された吸引孔５が開口する。この吸引孔
５は例えば真空ポンプ等の真空引き手段６に連通接続さ
れる。そして、前記チャック面４に半導体ペレット１を
真空引きにより吸着支持することにより該半導体ペレッ
ト１を持ち上げて、容器の基板７上に位置させる。この
基板７は例えばコバールからなる。該コバール基板７上
には例えば金めっきが施されており、このめっき面上に
例えば金箔８を介して前記半導体ペレット１を載置する
とともに、前記コバール基板７を加熱して、このコバー
ル基板７上に該ペレット１を接着固定し、かつ該半導体
ペレット１の裏面とコバール基板７とを電気的に接続し
ている。
グ用チャック装置の要部を示す一部切欠概略正面図であ
る。この図において、１はＩＣチップ等の半導体ペレッ
トであって、該半導体ペレット１の表面部分には保護膜
２が形成されている。３は該半導体ペレット１を支持す
るコレットである。このコレット３はシリコンゴムある
いはこれと同程度の弾性を有する樹脂からなる円柱形の
ブロック状部材であって、下端面が半導体ペレット１の
一面を支持するチャック面４として平坦に形成されてい
る。このチャック面４の中央には該コレット３の軸心に
沿って貫通形成された吸引孔５が開口する。この吸引孔
５は例えば真空ポンプ等の真空引き手段６に連通接続さ
れる。そして、前記チャック面４に半導体ペレット１を
真空引きにより吸着支持することにより該半導体ペレッ
ト１を持ち上げて、容器の基板７上に位置させる。この
基板７は例えばコバールからなる。該コバール基板７上
には例えば金めっきが施されており、このめっき面上に
例えば金箔８を介して前記半導体ペレット１を載置する
とともに、前記コバール基板７を加熱して、このコバー
ル基板７上に該ペレット１を接着固定し、かつ該半導体
ペレット１の裏面とコバール基板７とを電気的に接続し
ている。
第２図は前記コレット３の要部の斜視図、第３図はチャ
ック面４の部分拡大断面図である。これらの図におい
て、該チャック面４の少なくとも半導体ペレット１の被
吸着面９と接触する部分１０は微小凹凸面、例えば梨地
面に形成されている。この微小凹凸面の凹部深さは、梨
地面としては一般的な凹部深さ、すなわち５０〜１００
μｍ程度に設定されている。
ック面４の部分拡大断面図である。これらの図におい
て、該チャック面４の少なくとも半導体ペレット１の被
吸着面９と接触する部分１０は微小凹凸面、例えば梨地
面に形成されている。この微小凹凸面の凹部深さは、梨
地面としては一般的な凹部深さ、すなわち５０〜１００
μｍ程度に設定されている。
このように梨地面状に形成されたチャック面４では、第
４図に示すように、該チャック面４に真空引きにより半
導体ペレット１を吸着すると、その真空圧により梨地面
が平らに変形する。したがって、半導体ペレット１の被
吸着面９とチャック面４とは吸着時において密接してい
る。また、第２図に示すように、真空引きが解除される
と、該チャック面４はそれ自体が有する弾性力により自
動的に梨地面に復元し、ペレット１の被吸着面９との間
に多数の空隙部分gが生じ、これにより両者間の負圧を
なくして半導体ペレット１をチャック面４から離脱させ
る。
４図に示すように、該チャック面４に真空引きにより半
導体ペレット１を吸着すると、その真空圧により梨地面
が平らに変形する。したがって、半導体ペレット１の被
吸着面９とチャック面４とは吸着時において密接してい
る。また、第２図に示すように、真空引きが解除される
と、該チャック面４はそれ自体が有する弾性力により自
動的に梨地面に復元し、ペレット１の被吸着面９との間
に多数の空隙部分gが生じ、これにより両者間の負圧を
なくして半導体ペレット１をチャック面４から離脱させ
る。
次に、上記構成のコレットの評価実験の結果を説明す
る。
る。
実験の対象である本発明のコレットは、上記のように、
全体がシリコンゴムで形成され、チャック面には、凹部
深さが５０〜１００μｍの範囲内に収まる梨地の凹凸面
が形成されているものである。比較例としての従来のコ
レットは、本発明のコレットと同寸法の超硬合金製で、
チャック面は平坦で鏡面に形成されている。
全体がシリコンゴムで形成され、チャック面には、凹部
深さが５０〜１００μｍの範囲内に収まる梨地の凹凸面
が形成されているものである。比較例としての従来のコ
レットは、本発明のコレットと同寸法の超硬合金製で、
チャック面は平坦で鏡面に形成されている。
そして、各コレットを備えた２台のチャック装置で、そ
れぞれ多数の半導体ペレットについて基板へのダイボン
ディング動作を行った後、各半導体ペレットをアルミエ
ッチング液に浸漬し、その表面状態を、倍率１００の顕
微鏡で観察した。ダイボンディング動作により、半導体
ペレットが損傷を受けていれば、その半導体ペレットの
保護膜が破壊されて、その内部のアルミニウム配線がエ
ッチング液で侵食されているはずである。
れぞれ多数の半導体ペレットについて基板へのダイボン
ディング動作を行った後、各半導体ペレットをアルミエ
ッチング液に浸漬し、その表面状態を、倍率１００の顕
微鏡で観察した。ダイボンディング動作により、半導体
ペレットが損傷を受けていれば、その半導体ペレットの
保護膜が破壊されて、その内部のアルミニウム配線がエ
ッチング液で侵食されているはずである。
その結果、一部の半導体ペレットについてアルミニウム
配線がエッチング液により侵食されていたものがあり、
その数は、本発明のコレットによるものに比べ、従来の
コレットによるものの方が多く、発生率は１：５であっ
た。
配線がエッチング液により侵食されていたものがあり、
その数は、本発明のコレットによるものに比べ、従来の
コレットによるものの方が多く、発生率は１：５であっ
た。
この評価実験の結果から、本発明のチャック装置によれ
ば、半導体ペレットに損傷を与えることが少ないことが
分かる。
ば、半導体ペレットに損傷を与えることが少ないことが
分かる。
第５図は該コレット３の成形手段１１の一例を示す要部
断面図である。この図において、該成形手段１１は基板
１２と、この基板１２上に設けられる型枠１３とを備え
る。この基板１２および型枠１３は例えばステンレス鋼
等で形成されており、このうち基板１２の上面には梨地
模様が形成されている。そして、前記吸引孔５を成形す
るための中子１４を型枠１３の成形孔１５の軸心に配置
するとともに、該成形孔１５に樹脂材を注入したのち硬
化させると、梨地状のチャック面４を有するコレット３
が成形される。
断面図である。この図において、該成形手段１１は基板
１２と、この基板１２上に設けられる型枠１３とを備え
る。この基板１２および型枠１３は例えばステンレス鋼
等で形成されており、このうち基板１２の上面には梨地
模様が形成されている。そして、前記吸引孔５を成形す
るための中子１４を型枠１３の成形孔１５の軸心に配置
するとともに、該成形孔１５に樹脂材を注入したのち硬
化させると、梨地状のチャック面４を有するコレット３
が成形される。
なお、前記微小凹凸面としては梨地面のほか、多数の溝
を平行に刻設したものや、網目状の溝を形成したもので
あってもよい。
を平行に刻設したものや、網目状の溝を形成したもので
あってもよい。
また、前記基板７は４２アロイ、銅材、セラミック板あ
るいは樹脂板等で構成してもよい。
るいは樹脂板等で構成してもよい。
＜発明の効果＞ 以上のように本発明によれば、コレット全体が弾性を有
するため、半導体ペレットがコレットのチャック面に吸
着される際に、該ペレットに加わる衝撃力がコレットの
弾性により吸収されるので、半導体ペレットの保護膜の
損傷を防止することができる。したがって、基板に対す
るコレットの移動ストロークに若干のずれがあっても支
障がなく、それだけチヤック装置の制御が容易になる。
するため、半導体ペレットがコレットのチャック面に吸
着される際に、該ペレットに加わる衝撃力がコレットの
弾性により吸収されるので、半導体ペレットの保護膜の
損傷を防止することができる。したがって、基板に対す
るコレットの移動ストロークに若干のずれがあっても支
障がなく、それだけチヤック装置の制御が容易になる。
また、この吸着時における吸引力により、チャック面の
微小凹凸面が半導体ペレット表面に沿って平坦に変形さ
れるため、半導体ペレットとの間に空気漏れがなく、半
導体ペレットは正確に、かつ確実に支持され、吸着ミス
の発生をなくすことができる。しかも、チャック面が平
坦であるため、小形の半導体ペレットに対しても、吸着
ミスを生じることがない。
微小凹凸面が半導体ペレット表面に沿って平坦に変形さ
れるため、半導体ペレットとの間に空気漏れがなく、半
導体ペレットは正確に、かつ確実に支持され、吸着ミス
の発生をなくすことができる。しかも、チャック面が平
坦であるため、小形の半導体ペレットに対しても、吸着
ミスを生じることがない。
更に、真空引きの解除時においては、前記微小凹凸面が
弾性復元するため、半導体ペレットの被吸着面とチャッ
ク面との間に、半導体ペレットの外側に通じる多数と空
隙が生じ、これにより該ペレットはチャック面から無理
なく自然に離脱するので、ボンディング作業に支障を来
たすおそれをなくすことができる。
弾性復元するため、半導体ペレットの被吸着面とチャッ
ク面との間に、半導体ペレットの外側に通じる多数と空
隙が生じ、これにより該ペレットはチャック面から無理
なく自然に離脱するので、ボンディング作業に支障を来
たすおそれをなくすことができる。
このほか、コレットのチャック面に半導体ペレットを吸
着支持してこの半導体ペレットを基板上に固定する際、
コレットの長手方向に対して基板が正確に直角をなす角
度になくても、その角度のずれをコレット全体が湾曲す
ることで吸引するから、半導体ペレットは、その裏面全
面が均等に基板に押し当てられ、局部的な衝撃が少な
く、安定した姿勢で基板に固定される。
着支持してこの半導体ペレットを基板上に固定する際、
コレットの長手方向に対して基板が正確に直角をなす角
度になくても、その角度のずれをコレット全体が湾曲す
ることで吸引するから、半導体ペレットは、その裏面全
面が均等に基板に押し当てられ、局部的な衝撃が少な
く、安定した姿勢で基板に固定される。
第１図ないし第４図は本発明の実施例を示し、第１図は
この実施例の半導体ペレットのダイボンディング用チャ
ック装置の要部を示す一部切欠概略正面図、第２図は前
記コレットの要部の斜視図、第３図はチャック面の部分
拡大断面図、第４図は半導体ペレットがチャック面に吸
着されている状態を示す要部拡大断面図、第５図は該コ
レットの成形手段の一例を示す要部断面図、第６図
(イ)、(ロ)、(ハ)はそれぞれコレットの従来例を示す一
部切欠断面図である。 １……半導体ペレット、３……コレット、４……チャッ
ク面、５……吸引孔、９……半導体ペレットの一面（被
吸着面）、１０……チャック面の被吸着面との接触部
分。
この実施例の半導体ペレットのダイボンディング用チャ
ック装置の要部を示す一部切欠概略正面図、第２図は前
記コレットの要部の斜視図、第３図はチャック面の部分
拡大断面図、第４図は半導体ペレットがチャック面に吸
着されている状態を示す要部拡大断面図、第５図は該コ
レットの成形手段の一例を示す要部断面図、第６図
(イ)、(ロ)、(ハ)はそれぞれコレットの従来例を示す一
部切欠断面図である。 １……半導体ペレット、３……コレット、４……チャッ
ク面、５……吸引孔、９……半導体ペレットの一面（被
吸着面）、１０……チャック面の被吸着面との接触部
分。
フロントページの続き (56)参考文献 特開 昭57−53946（ＪＰ，Ａ) 特開 昭56−144551（ＪＰ，Ａ) 実開 昭56−154151（ＪＰ，Ｕ)
Claims (2)
- 【請求項１】コレットを備え、このコレットは半導体ペ
レットの一面を支持するチャック面と、このチャック面
に開口する吸引孔とを有し、該コレットの吸引孔を通じ
て真空引きすることにより前記半導体ペレットを前記チ
ャック面に吸着支持するようにしたダイボンディング用
チャック装置において、 前記コレットの全体をシリコンゴムあるいはこれと同程
度の弾性を有する樹脂で筒状に構成するとともに、前記
チャック面を平坦に形成し、かつ該チャック面の少なく
とも半導体ペレットの一面の接触する部分は、微小凹凸
面に形成したことを特徴とする半導体ペレットのダイボ
ンディング用チャック装置。 - 【請求項２】特許請求の範囲第１項に記載の半導体ペレ
ットのダイボンディング用チャック装置において、 前記チャック面の少なくとも半導体ペレットの一面と接
触する部分が梨地面である半導体ペレットのダイボンデ
ィング用チャック装置。
Priority Applications (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP59190326A JPH0620092B2 (ja) | 1984-09-11 | 1984-09-11 | 半導体ペレットのダイボンディング用チャック装置 |
Applications Claiming Priority (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP59190326A JPH0620092B2 (ja) | 1984-09-11 | 1984-09-11 | 半導体ペレットのダイボンディング用チャック装置 |
Publications (2)
| Publication Number | Publication Date |
|---|---|
| JPS6167931A JPS6167931A (ja) | 1986-04-08 |
| JPH0620092B2 true JPH0620092B2 (ja) | 1994-03-16 |
Family
ID=16256318
Family Applications (1)
| Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
|---|---|---|---|
| JP59190326A Expired - Lifetime JPH0620092B2 (ja) | 1984-09-11 | 1984-09-11 | 半導体ペレットのダイボンディング用チャック装置 |
Country Status (1)
| Country | Link |
|---|---|
| JP (1) | JPH0620092B2 (ja) |
Cited By (2)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| JP2009004609A (ja) * | 2007-06-22 | 2009-01-08 | Renesas Technology Corp | 半導体集積回路装置の製造方法 |
| JP2013055133A (ja) * | 2011-09-01 | 2013-03-21 | Toshiba Corp | 積層型半導体装置の製造方法と製造装置 |
Families Citing this family (1)
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-
1984
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| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
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Also Published As
| Publication number | Publication date |
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