JPH0332242B2 - - Google Patents

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JPH0332242B2
JPH0332242B2 JP56182984A JP18298481A JPH0332242B2 JP H0332242 B2 JPH0332242 B2 JP H0332242B2 JP 56182984 A JP56182984 A JP 56182984A JP 18298481 A JP18298481 A JP 18298481A JP H0332242 B2 JPH0332242 B2 JP H0332242B2
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JP
Japan
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circuit
oscillation frequency
varactor
voltage
varactor diodes
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JP56182984A
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JPS5885603A (en
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Juji Noda
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NEC Corp
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Nippon Electric Co Ltd
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Publication of JPH0332242B2 publication Critical patent/JPH0332242B2/ja
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    • HELECTRICITY
    • H03ELECTRONIC CIRCUITRY
    • H03BGENERATION OF OSCILLATIONS, DIRECTLY OR BY FREQUENCY-CHANGING, BY CIRCUITS EMPLOYING ACTIVE ELEMENTS WHICH OPERATE IN A NON-SWITCHING MANNER; GENERATION OF NOISE BY SUCH CIRCUITS
    • H03B5/00Generation of oscillations using amplifier with regenerative feedback from output to input
    • H03B5/18Generation of oscillations using amplifier with regenerative feedback from output to input with frequency-determining element comprising distributed inductance and capacitance
    • H03B5/1841Generation of oscillations using amplifier with regenerative feedback from output to input with frequency-determining element comprising distributed inductance and capacitance the frequency-determining element being a strip line resonator
    • H03B5/1847Generation of oscillations using amplifier with regenerative feedback from output to input with frequency-determining element comprising distributed inductance and capacitance the frequency-determining element being a strip line resonator the active element in the amplifier being a semiconductor device

Landscapes

  • Inductance-Capacitance Distribution Constants And Capacitance-Resistance Oscillators (AREA)

Description

【発明の詳細な説明】 本発明は高周波トランジスタ発振器に関し、特
にバラクタダイオードを発振周波数可変素子とし
て用いた電圧制御発振器に関するものである。
DETAILED DESCRIPTION OF THE INVENTION The present invention relates to a high frequency transistor oscillator, and particularly to a voltage controlled oscillator using a varactor diode as an oscillation frequency variable element.

従来、この種の電圧制御発振器は送受信機の信
号源として使用されることが多い。したがつて発
振信号は信号対雑音比(S/N)の良好なことが
要求される。しかも、送受信機の多チヤンネル化
および発振器の汎用性を増すために発振周波数帯
域が広いことが要求される。さらに、バラクタダ
イオードに印加する発振周波数制御電圧に対する
発振周波数の変化の割合(変調感度)が大きいこ
とが望まれる。
Conventionally, this type of voltage controlled oscillator is often used as a signal source for a transmitter/receiver. Therefore, the oscillation signal is required to have a good signal-to-noise ratio (S/N). Moreover, a wide oscillation frequency band is required in order to increase the multi-channel nature of the transmitter/receiver and increase the versatility of the oscillator. Furthermore, it is desired that the ratio of change in oscillation frequency (modulation sensitivity) to the oscillation frequency control voltage applied to the varactor diode be large.

第1図は、マイクロストリツプラインを共振器
として用いた電圧制御発振器の従来例を示したも
のである。図中、TRはトランジスタ、C1,C
2,C3,C4およびC5はコンデンサ、L1は
チヨークコイル、X1はバラクタダイオード、S
1はマイクロストリツプライン、1は発振周波数
制御電圧端子を示す。図において、発振時におけ
るバラクタダイオードX1の両端の電圧VX1は次
式で表わせる。
FIG. 1 shows a conventional example of a voltage controlled oscillator using a microstripline as a resonator. In the figure, TR is a transistor, C1, C
2, C3, C4 and C5 are capacitors, L1 is a chiyoke coil, X1 is a varactor diode, S
1 indicates a microstrip line, and 1 indicates an oscillation frequency control voltage terminal. In the figure, the voltage V X1 across the varactor diode X1 during oscillation can be expressed by the following equation.

VX1=VAPC+VX (1) 但し、VAPCは端子1よりバラクタダイオード
に印加する発振周波数制御電圧、VVはバラクタ
ダイオードX1に印加される発振信号の高周波電
圧である。
V X1 =V APC + V

従つて、VX1の最大値VX1(max)と最小値VX1
(min)は次式で表わせる。
Therefore, the maximum value V X1 (max) and the minimum value V X1 of V X1
(min) can be expressed by the following formula.

VX1(max)=VAPC+|VV| (2) VX1(min)=VAPC−|VV| (3) 但し、|VV|はVVの振幅である。 V X1 (max) = V APC + |V V | ( 2) V

さらに、VVは次式で表わせる。 Furthermore, V V can be expressed by the following formula.

VV=C5/C5+CX1・V (4) 但し、VはストリツプラインS1の右端に発生
する高周波電圧、CX1はバラクタダイオードX1
の容量値である。
V V = C5/C5 + C X1・V (4) However, V is the high frequency voltage generated at the right end of the stripline S1, and C
is the capacitance value.

したがつて、(3)式より発振レベルが高くバラク
タダイオードに印加する発振周波数制御電圧が低
いほどバラクタダイオードX1は順方向に振り込
まれやすくなる。また、C5の容量値を増加すれ
ば変調感度を増加することができるが、それによ
り(4)式よりバラクタダイオードX1に印加される
高周波電圧が増加するので、バラクタダイオード
X1は順方向に振り込まれやすくなる。
Therefore, according to equation (3), the higher the oscillation level and the lower the oscillation frequency control voltage applied to the varactor diode, the more likely the varactor diode X1 will be shifted in the forward direction. Furthermore, modulation sensitivity can be increased by increasing the capacitance value of C5, but as a result, the high frequency voltage applied to varactor diode X1 increases according to equation (4), so varactor diode X1 is transferred in the forward direction. It becomes easier.

上述のように、発振信号の高周波電圧によりバ
ラクタダイオードが順方向に振り込まれると、容
量値が変化し等価的に抵抗値が減少する結果、発
振信号のS/Nは急激に悪化し、さらに発振停止
や寄生発振などの異常現象を発生することが多
い。このように、第1図の従来例では発振周波数
制御電圧を余り低くできず、発振周波数帯域を広
くとれないので、送受信機の多チヤンネル化およ
び発振器の汎用性に限界があつた。
As mentioned above, when the varactor diode is forward-directed by the high frequency voltage of the oscillation signal, the capacitance value changes and the resistance value equivalently decreases, resulting in a rapid deterioration of the S/N of the oscillation signal, which causes further oscillation. Abnormal phenomena such as stoppages and parasitic oscillations often occur. As described above, in the conventional example shown in FIG. 1, the oscillation frequency control voltage cannot be lowered very much and the oscillation frequency band cannot be widened, so there are limits to the multi-channel transceiver and the versatility of the oscillator.

第1図の従来例の欠点を解決するには、バラク
タダイオードX1が順方向に振り込まれるのを防
げばよい。その1方法としては、バラクタダイオ
ードに印加される高周波電圧VVが小さくなるよ
うにすればよい。
In order to solve the drawbacks of the conventional example shown in FIG. 1, it is sufficient to prevent the varactor diode X1 from being switched in the forward direction. One method is to reduce the high frequency voltage VV applied to the varactor diode.

第2図は上記方法を適用するためコンデンサC
6を介してバラクタダイオード2個を極性が同一
方向となるように縦続接続することにより、第1
図の従来例に比較しバラクタダイオード1個当り
に印加される高周波電圧を減少した他の従来例の
電圧制御発振器である。図中、C6はコンデン
サ、L2およびL3はチヨークコイルを示す。こ
の第2図のものは非常に有効な電圧制御発振器で
あるが、第1図の電圧制御発振器と比較しバラク
タダイオードX2の他に2個のバラクタダイオー
ドに発振周波数制御電圧を印加するためのチヨー
クコイルL2およびL3、コンデンサC6が増加
するため、部品点数が多くなるという欠点があ
る。又、チヨークコイルL3を個別部品で構成し
ているため、発振周波数にバラツキを与えてしま
うという欠点があつた。
Figure 2 shows capacitor C to apply the above method.
The first
This is another conventional voltage controlled oscillator in which the high frequency voltage applied to each varactor diode is reduced compared to the conventional example shown in the figure. In the figure, C6 is a capacitor, and L2 and L3 are chiyoke coils. The one shown in Fig. 2 is a very effective voltage controlled oscillator, but compared to the voltage controlled oscillator shown in Fig. 1, in addition to the varactor diode Since L2 and L3 and capacitor C6 are increased, there is a drawback that the number of parts increases. Furthermore, since the chiyoke coil L3 is constructed of individual parts, there is a drawback that the oscillation frequency varies.

本発明の目的は、バラクタダイオードが順方向
に振り込まれるのを防止し、S/Nが良好な動作
の安定した、部品点数が少なく、かつ発振周波数
帯域の広い電圧制御発振器を提供するものであ
る。
It is an object of the present invention to provide a voltage controlled oscillator that prevents the varactor diode from being transferred in the forward direction, has a stable operation with good S/N ratio, has a small number of parts, and has a wide oscillation frequency band. .

本発明によると、互いに極性が相反するように
接続された2個のバラクタダイオードからなる少
なくとも1つの縦続接続回路と、この回路に並列
接続されたマイクロストリツプラインと、前記バ
ラクタダイオードの縦続接続回路におけるバラク
タダイオード相互の接続点とマイクロストリツプ
ラインとの間に、前記縦続回路を構成するバラク
タダイオードのすべてが逆方向にバイアスされる
ように発振周波数制御電圧を印加する手段とを有
する電圧制御発振器が得られる。
According to the present invention, at least one cascade connection circuit consisting of two varactor diodes connected so that their polarities are opposite to each other, a microstrip line connected in parallel to this circuit, and a cascade connection circuit of the varactor diodes. and means for applying an oscillation frequency control voltage between the connection point between the varactor diodes and the microstrip line so that all of the varactor diodes constituting the cascade circuit are biased in the reverse direction. is obtained.

以下、本発明を実施例により図面を参照して説
明する。
Hereinafter, the present invention will be explained by way of examples with reference to the drawings.

第3図は本発明の電圧制御発振器の第1の実施
例を示した図である。この実施例について以下に
説明する。
FIG. 3 is a diagram showing a first embodiment of the voltage controlled oscillator of the present invention. This embodiment will be explained below.

まず、互いに極性が相反するように接続された
2個のバラクタダイオードX1およびX2の縦続
接続回路とマイクロストリツプラインS2とを並
列接続し、バラクタダイオード相互の接続点2と
マイクロストリツプラインS2との間にバラクタ
ダイオードX1およびX2が逆方向にバイアスさ
れるように発振周波数制御電圧を印加する。発振
周波数制御電圧は、チヨークコイルL1を介して
端子1より印加する。第3図においてバラクタダ
イオード1個あたりに印加される高周波電圧は、
第2図と同様に第1図に示したバラクタダイオー
ドX1に印加される高周波電圧より減少する。本
発明による第3図の回路は、第2図の回路に比較
し、お互いに極性が相反するように縦続接続し1
個のチヨークコイルを介してバラクタダイオード
に電圧を印加するためチヨークコイルL2および
コンデンサC6を省略することができる。第3図
の回路において、点3から見たストリツプライン
S2のインピーダンスが無限大となるようにS2
の長さを選べば、第2図の回路と電気的に等価と
なる。しかし、バラクタダイオードX1およびX
2の縦続接続回路とストリツプラインS2で構成
される並列回路の並列共振周波数が、発振周波数
の近傍となるようにS2の長さを選ぶことによ
り、変調感度を増加し発振周波数帯域を広げるこ
とが可能である。つまり点3から見たストリツプ
ラインS2のインピーダンスがバラクタダイオー
ドX1およびX2の縦続接続回路の容量値と並列
共振をおこすインダクタンスに近い値となるよう
に、S2の長さを選ぶのである。ストリツプライ
ンS2は個別部品のインダクタンスを用いても同
様の効果が得られるけれども、発振周波数が
UHF帯になると、並列共振をおこすためのイン
ダクタンスは数nHと非常に小さな値となり、個
別部品で構成すればインダクタンスの偏差および
取付位置の精度が発振周波数のバラツキに大きく
影響する。そこで寸法精度の高い印刷技術を用い
てストリツプラインで構成し他の回路パターンと
同時に製造した方が発振周波数のバラツキを小さ
くすることができ得策である。
First, a cascade connection circuit of two varactor diodes X1 and X2, which are connected so that their polarities are opposite to each other, and a microstrip line S2 are connected in parallel, and a connection point 2 between the varactor diodes and a microstrip line S2 are connected in parallel. During this period, an oscillation frequency control voltage is applied so that the varactor diodes X1 and X2 are biased in the opposite direction. The oscillation frequency control voltage is applied from terminal 1 via chiyoke coil L1. In Figure 3, the high frequency voltage applied to each varactor diode is:
Similarly to FIG. 2, the high frequency voltage applied to the varactor diode X1 shown in FIG. 1 is reduced. The circuit shown in FIG. 3 according to the present invention is different from the circuit shown in FIG.
Since the voltage is applied to the varactor diode through the two current coils, the current coil L2 and the capacitor C6 can be omitted. In the circuit of Fig. 3, the impedance of the stripline S2 as seen from point 3 becomes infinite.
If the length of is selected, the circuit becomes electrically equivalent to the circuit shown in FIG. However, the varactor diodes X1 and
By selecting the length of S2 so that the parallel resonance frequency of the parallel circuit composed of the two cascaded circuits and the stripline S2 is close to the oscillation frequency, the modulation sensitivity can be increased and the oscillation frequency band can be expanded. is possible. In other words, the length of stripline S2 is selected so that the impedance of stripline S2 viewed from point 3 is close to the capacitance value of the cascaded circuit of varactor diodes X1 and X2 and the inductance that causes parallel resonance. Although the same effect can be obtained with the strip line S2 by using the inductance of individual components, the oscillation frequency is
In the UHF band, the inductance required to cause parallel resonance is extremely small, only a few nH, and if it is constructed from individual components, the deviation in inductance and the accuracy of the mounting position will greatly affect the variation in oscillation frequency. Therefore, it is better to construct the strip line using printing technology with high dimensional accuracy and manufacture it at the same time as other circuit patterns, since this can reduce the variation in the oscillation frequency.

第3図の回路において、マイクロストリツプラ
インS1の右端より右側を見たコンデンサC4及
びC5、ストリツプライン、S2、並びにバラク
タダイオードX1及びX2の各素子より構成され
た回路網の合成インピーダンスは容量(以下CS
略す)として作用する。容量CSはマイクロストリ
ツプラインS1によりインピーダンス変換され、
ストリツプラインS1の左端よりストリツプライ
ンS1及び容量CSを見たインピーダンスはインダ
クタンスとして作用する。したがつて、第3図の
回路はコルピツツ発振回路と等価となる。
In the circuit shown in Figure 3, the combined impedance of the circuit network consisting of the capacitors C4 and C5, the stripline, S2, and the varactor diodes X1 and X2 when viewed to the right from the right end of the microstripline S1 is the capacitance. (hereinafter abbreviated as C S ). The impedance of the capacitance C S is converted by the microstrip line S1,
The impedance seen from the left end of the stripline S1 and the capacitance C S acts as an inductance. Therefore, the circuit of FIG. 3 is equivalent to a Colpitts oscillator circuit.

上記のバラクタダイオードX1及びX2並びに
ストリツプラインS2の作用は、次のとおりであ
る。ダイオードX1及びX2並びにストリツプラ
インS2の並列回路は、端子1に印加する発振周
波数制御電圧の変化に対し、第3図に示すコンデ
ンサC5の下端よりグランド側を見たインピーダ
ンスの変化を、第1図に示す値より大きく変化さ
せるために設けるものである。つまり、バラクタ
ダイオードX1及びX2の直列回路にマイクロス
トリツプラインS2により構成されたインダクタ
ンスを並列接続することにより、第1図のバラク
タダイオードX1のみの場合と比較し、端子1に
印加する発振周波数制御電圧の変化に対しインピ
ーダンス変化を大きくすることができる。
The effects of the varactor diodes X1 and X2 and the stripline S2 described above are as follows. The parallel circuit of diodes X1 and X2 and the stripline S2 responds to changes in the oscillation frequency control voltage applied to terminal 1 by changing the impedance as seen from the lower end of capacitor C5 shown in FIG. This is provided to make the value change larger than the value shown in the figure. In other words, by connecting the inductance formed by the microstrip line S2 in parallel to the series circuit of varactor diodes X1 and X2, the oscillation frequency applied to terminal 1 can be controlled more easily than in the case of only varactor diode X1 in FIG. Impedance changes can be increased with respect to voltage changes.

更に説明すると、発振周波数制御電圧端子1に
印加する発振周波数制御電圧の変化に対し、第1
図と第3図と回路において、コンデンサC5の下
端からグランド側を見たインピーダンスを求め
る。第1図の回路において、ダイオードX1の容
量値をCX1とし、コンデンサC5の下端からグラ
ンド側をみたインピーダンスをZ1とすれば Z1=−j1/ωCX1 …(1) にて示される。
To explain further, in response to changes in the oscillation frequency control voltage applied to the oscillation frequency control voltage terminal 1, the first
In the circuit shown in Fig. 3 and Fig. 3, the impedance viewed from the lower end of the capacitor C5 to the ground side is determined. In the circuit shown in FIG. 1, if the capacitance value of the diode X1 is C X1 and the impedance seen from the lower end of the capacitor C5 toward the ground is Z1, then Z1=-j1/ωC X1 (1).

次に、第3図のコンデンサC5の下端からグラ
ンド側を見たインピーダンスをZ3とし、ダイオ
ードX1とX2の縦続接続回路の合成容量値を
CT、マイクロストリツプラインS2のインダク
タンスをL2とすれば Z3=1/1/jωL2+jωCT=jωCT/CT/L2−ω2CT 2=j
ωCTL2/CT(1−ω2CTL2)=jωCTL2/CT(1−ω2CTL
2)…(2) 次にどのような制御電圧VAPCを端子1に供給
すれば、一義的に所望の発振周波数(fV)を得ら
れるかについて説明する。
Next, let Z3 be the impedance seen from the bottom end of capacitor C5 in Fig. 3 to the ground side, and calculate the combined capacitance value of the cascaded circuit of diodes X1 and X2.
C T , and if the inductance of the microstripline S2 is L2, then Z3 = 1/1/jωL 2 +jωC T =jωC T /C T /L 2 −ω 2 C T 2 = j
ωC T L 2 /C T (1−ω 2 C T L 2 )=jωC T L 2 /C T (1−ω 2 C T L
2 )...(2) Next, it will be explained what kind of control voltage V APC should be supplied to the terminal 1 to obtain the uniquely desired oscillation frequency (f V ).

まず、端子1への制御電圧VAPCを制御に都合
のよいような値に固定する。次に、上述の並列共
振回路の共振周波数が発振周波数fVの近傍に来る
ように、ストリツプラインS2のインダクタンス
L2を求める。インダクタンスL2を決定後、端
子1への制御電圧VAPCを変化させ、それに対応
する発振周波数fVの値を測定し、電圧VAPCと周波
数fVとの特性図を作成する。作成したVAPC-fV
特性図に従つて、所望の発振周波数fVを得る制御
電圧VAPCを端子1に供給する。このようにして、
ある制御電圧VAPCに対し、所望の発振周波数fV
一義的に決定でき、得ることができる。
First, the control voltage V APC to terminal 1 is fixed at a value convenient for control. Next, the inductance of the stripline S2 is adjusted so that the resonant frequency of the above-mentioned parallel resonant circuit is near the oscillation frequency fV .
Find L 2 . After determining the inductance L2, the control voltage V APC to the terminal 1 is changed, the corresponding value of the oscillation frequency f V is measured, and a characteristic diagram of the voltage V APC and the frequency f V is created. According to the created characteristic diagram of V APC- f V , a control voltage V APC is supplied to terminal 1 to obtain the desired oscillation frequency f V. In this way,
For a certain control voltage V APC , a desired oscillation frequency f V can be uniquely determined and obtained.

第4図は、本発明の第2の実施例の電圧制御発
振器である。この電圧制御発振器では、第3図の
バラクタダイオードX1およびX2で構成した縦
続接続回路にバラクタダイオードX3およびX4
で構成した縦続接続回路を並列接続することによ
つて、第1図の回路と比較しバラクタダイオード
1個に印加される高周波電圧は1/2となり、かつ
バラクタダイオードX1,X2,X3およびX4
で構成された総合の容量値は、第1図のバラクタ
ダイオードX11個の容量値と同様になる。この
第2の実施例においても、第1の実施例と同様に
バラクタダイオードの他にマイクロストリツプラ
インを必要とするだけであり、部品点数が少な
い。ストリツプラインS2の長さを最適化するこ
とにより変調感度を増加することができるのは、
第3図と同様である。このように、互いに極性が
相反するように接続された2個のバラクタダイオ
ードの縦続接続回路を並列接続することによつ
て、第3図の第1の実施例のものよりさらにバラ
クタダイオード1個あたりに印加される高周波電
圧を減少することができた。
FIG. 4 shows a voltage controlled oscillator according to a second embodiment of the present invention. In this voltage controlled oscillator, varactor diodes X3 and X4 are connected to a cascade circuit made up of varactor diodes X1 and
By connecting the cascaded circuits constructed of
The total capacitance value made up of is the same as the capacitance value of X11 varactor diodes in FIG. This second embodiment also requires only a microstrip line in addition to the varactor diode, as in the first embodiment, and the number of components is small. The modulation sensitivity can be increased by optimizing the length of the stripline S2 because
It is similar to FIG. In this way, by connecting in parallel the cascade circuit of two varactor diodes connected so that their polarities are opposite to each other, the number of cascades per varactor diode can be further increased than that of the first embodiment shown in FIG. It was possible to reduce the high frequency voltage applied to the

また、バラクタダイオードの縦続接続回路を複
数個、並列接続することによつて高出力発振器に
おいてバラクタダイオードが順方向に振り込まれ
るのを防止し、S/Nの良好な動作の安定した電
圧制御発振器を構成することも可能となつた。
In addition, by connecting multiple varactor diode cascade circuits in parallel, it is possible to prevent the varactor diodes from forwarding in a high-output oscillator, thereby creating a stable voltage-controlled oscillator with good S/N ratio. It has also become possible to configure

以上の実施例では、マイクロストリツプライン
S1を共振器として用いた高周波発振器について
述べたが、他の高周波発振器でもよいのは明らか
である。
In the above embodiment, a high frequency oscillator using the microstripline S1 as a resonator has been described, but it is obvious that other high frequency oscillators may be used.

又、以上の実施例では発振周波数制御電圧端子
1に正の電圧を印加しているが、バラクタダイオ
ードの極正をすべて逆になるように接続して前記
端子1に負の電圧を印加してもよいのは明らかで
ある。
Further, in the above embodiment, a positive voltage is applied to the oscillation frequency control voltage terminal 1, but it is possible to connect the varactor diodes so that the positive and negative poles are all reversed and apply a negative voltage to the terminal 1. It is obvious that it is good.

以上述べたように本発明によりS/Nが良好で
あり動作の安定したさらに発振周波数帯域の広い
高出力の電圧制御発振器を構成することが可能で
あり、その効果が大きい。
As described above, according to the present invention, it is possible to construct a high-output voltage controlled oscillator with good S/N ratio, stable operation, and wide oscillation frequency band, which is highly effective.

【図面の簡単な説明】[Brief explanation of drawings]

第1図、第2図は従来の電圧制御発振器を示
し、第3図および第4図はそれぞれ本発明による
第1および第2の実施例の電圧制御発振器を示
す。 記号の説明:TRはトランジスタ、C1,C
2,C3,C4,C5,C6はコンデンサ、X
1,X2,X3,X4はバラクタダイオード、S
1,S2はマイクロストリツプライン、L1,L
2,L3はチヨークコイル、1は発振周波数制御
電圧端子をそれぞれあらわしている。
1 and 2 show conventional voltage controlled oscillators, and FIGS. 3 and 4 show voltage controlled oscillators according to first and second embodiments of the present invention, respectively. Symbol explanation: TR is a transistor, C1, C
2, C3, C4, C5, C6 are capacitors, X
1, X2, X3, X4 are varactor diodes, S
1, S2 is a microstrip line, L1, L
2 and L3 represent a chiyoke coil, and 1 represents an oscillation frequency control voltage terminal, respectively.

Claims (1)

【特許請求の範囲】[Claims] 1 互いに極性が相反するように接続された2個
のバラクタダイオードからなる少なくとも1つの
縦続接続回路と、この回路に並列接続されたマイ
クロストリツプラインと、前記バラクタダイオー
ドの縦続接続回路におけるバラクタダイオード相
互の接続点と前記マイクロストリツプラインとの
間に、前記縦続回路を構成するバラクタダイオー
ドのすべてが逆方向にバイアスされるように発振
周波数制御電圧を印加する手段とを有する回路を
電圧制御発振器の共振回路に接続し、前記バラク
タダイオードの縦続接続回路と前記マイクロスト
リツプラインで構成される並列回路の並列共振周
波数が、前記電圧制御発振器の発振周波数の近傍
となるように前記バラクタダイオードの容量値及
び前記マイクロストリツプラインの長さを選択し
たことを特徴とする電圧制御発振器。
1 At least one cascaded circuit consisting of two varactor diodes connected so that their polarities are opposite to each other, a microstrip line connected in parallel to this circuit, and the varactor diodes mutually connected in the cascaded circuit of varactor diodes. and means for applying an oscillation frequency control voltage between the connection point of the voltage controlled oscillator and the microstrip line so that all of the varactor diodes constituting the cascade circuit are biased in the reverse direction. The capacitance value of the varactor diode is connected to a resonant circuit, and the capacitance value of the varactor diode is set so that the parallel resonant frequency of the parallel circuit composed of the cascade circuit of the varactor diodes and the microstrip line is close to the oscillation frequency of the voltage controlled oscillator. and a voltage controlled oscillator characterized in that the length of the microstrip line is selected.
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