JPH033250A - 基板保持装置 - Google Patents
基板保持装置Info
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- JPH033250A JPH033250A JP1136867A JP13686789A JPH033250A JP H033250 A JPH033250 A JP H033250A JP 1136867 A JP1136867 A JP 1136867A JP 13686789 A JP13686789 A JP 13686789A JP H033250 A JPH033250 A JP H033250A
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Landscapes
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- Physical Vapour Deposition (AREA)
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Abstract
(57)【要約】本公報は電子出願前の出願データであるた
め要約のデータは記録されません。
め要約のデータは記録されません。
Description
【発明の詳細な説明】
（産業上の利用分野）
本発明は、ドライエツチング装置、プラズマＣＶＤ装置
、スパッタリング装置、イオン注入装置等の半導体製造
装置に使用される基板保持装置に関する。
、スパッタリング装置、イオン注入装置等の半導体製造
装置に使用される基板保持装置に関する。
（従来の技術）
従来、上記の半導体製造装置に於いて、半導体基板等の
被処理物を、真空室内に設けた水冷電極の前面に取付け
た静電チャック電極に保持させ、該被処理物を冷却し乍
らこれにエツチング等の処理を施すことが行なわれてい
る。こうした場合、１個の静電チャック電極は１個の被
処理物を吸着保持するを一般とするもので、複数個の被
処理物を同時に処理する場合には複数個の水冷電極及び
静電チャック電極を設けている。
被処理物を、真空室内に設けた水冷電極の前面に取付け
た静電チャック電極に保持させ、該被処理物を冷却し乍
らこれにエツチング等の処理を施すことが行なわれてい
る。こうした場合、１個の静電チャック電極は１個の被
処理物を吸着保持するを一般とするもので、複数個の被
処理物を同時に処理する場合には複数個の水冷電極及び
静電チャック電極を設けている。
また、被処理物が化合物半導体基板（例えばＧａＡｓ基
板）であるときは、基板が不定型であることが多く、定
型のものでも３ｉｎ程度の大きさであり、しかも割れ易
いために、二了’Ｅ室内を搬送するときに、トレイが用
いられることがあるが、被処理物をトレイに載せたまま
水冷電極に静電吸着させるには、例えば特開昭ｆｉ３−
５６９２０号公開公報に見られるように複雑な装置を水
冷電極に設けるを要する。
板）であるときは、基板が不定型であることが多く、定
型のものでも３ｉｎ程度の大きさであり、しかも割れ易
いために、二了’Ｅ室内を搬送するときに、トレイが用
いられることがあるが、被処理物をトレイに載せたまま
水冷電極に静電吸着させるには、例えば特開昭ｆｉ３−
５６９２０号公開公報に見られるように複雑な装置を水
冷電極に設けるを要する。
（発明が解決しようとする課題）
前記のように複数個の被処理物を同時に処理するために
水冷電極を複数個設けることは、真空室内が複雑化し、
真空室も大型化する不都合がある。また、トレイに載せ
て割れ易い化合物半導体基板の被処理物が搬送される場
合には、トレイの静電吸着のため水冷電極の構造が複雑
になる欠点があった。
水冷電極を複数個設けることは、真空室内が複雑化し、
真空室も大型化する不都合がある。また、トレイに載せ
て割れ易い化合物半導体基板の被処理物が搬送される場
合には、トレイの静電吸着のため水冷電極の構造が複雑
になる欠点があった。
本発明は、上記の不都合、欠点を解消し、簡単な構成で
トレイに載せた一枚もしくは複数枚の被処理物を同時に
保持し得る主として化合物半導体基板の処理に好都合な
基板保持装置を提供することを目的とするものである。
トレイに載せた一枚もしくは複数枚の被処理物を同時に
保持し得る主として化合物半導体基板の処理に好都合な
基板保持装置を提供することを目的とするものである。
（課題を解決するための手段）
本発明では、真空室内に設けた水冷電極の前面に、静電
チャック電極を設けて該真空室内を搬送される被処理物
を静電吸着するようにしたものに於いて、該被処理物を
、該静電チャック電極に静電吸着される誘電体からなる
トレイにｇ２置することにより、前記目的を達成するよ
うにした。
チャック電極を設けて該真空室内を搬送される被処理物
を静電吸着するようにしたものに於いて、該被処理物を
、該静電チャック電極に静電吸着される誘電体からなる
トレイにｇ２置することにより、前記目的を達成するよ
うにした。
この場合前記静電チャック電極を、２枚のセラミック絶
縁基板の間に導電パターンを介在させて一体に焼結した
もので構成し、前記トレイを導電パターンを形成したセ
ラミック絶縁基板で構成してもよい。
縁基板の間に導電パターンを介在させて一体に焼結した
もので構成し、前記トレイを導電パターンを形成したセ
ラミック絶縁基板で構成してもよい。
（作 用）
水冷電極により冷却された静電チャック電極に高電圧を
印加し、該静電チャック電極の前面に、被処理物を栽せ
た誘電体からなるトレイを静電吸着させる。該トレイは
誘電体で形成されているので、その下の静電チャック電
極の前面に発生する静電荷によって静電荷を帯電し、被
処理物をトレイに静電吸着することが出来る。
印加し、該静電チャック電極の前面に、被処理物を栽せ
た誘電体からなるトレイを静電吸着させる。該トレイは
誘電体で形成されているので、その下の静電チャック電
極の前面に発生する静電荷によって静電荷を帯電し、被
処理物をトレイに静電吸着することが出来る。
該トレイは、その下の静電チャック電極との位置関係に
制限がなく、搬送中にトレイの方向が変わっても確実に
その下の静電チャック電極に吸着され、複数枚の被処理
物をトレイに載せた場合でも強い吸着力で各被処理物を
吸着することが出来、１つの水冷電極を作動させること
によって複数枚の被処理物を処理し得る。
制限がなく、搬送中にトレイの方向が変わっても確実に
その下の静電チャック電極に吸着され、複数枚の被処理
物をトレイに載せた場合でも強い吸着力で各被処理物を
吸着することが出来、１つの水冷電極を作動させること
によって複数枚の被処理物を処理し得る。
（実施例）
本発明の実施例を図面第１図に基づき説明すると、同図
に於いて、符号（１）は真空室（２）の室壁（２ａ）に
設けたＭ製の水冷電極、（３）は該水冷電極（１）の前
面に形成した凹部（４）内に取付固定された静電チャッ
ク電極、（５）は該静電チャック電極（３）の静電気に
より吸着されるセラミック絶縁基板の誘電体からなるト
レイ、（６）は該トレイ（５）に裁せられて真空室（２
）内を搬送され、水冷電極（１）上に於いてドライエツ
チング、或はプラズマＣｖＤやスパッタリングの成膜処
理、或はイオン注入等の処理が施されるＧａＡｓ基板、
シリコン基板等の被処理物を示す。
に於いて、符号（１）は真空室（２）の室壁（２ａ）に
設けたＭ製の水冷電極、（３）は該水冷電極（１）の前
面に形成した凹部（４）内に取付固定された静電チャッ
ク電極、（５）は該静電チャック電極（３）の静電気に
より吸着されるセラミック絶縁基板の誘電体からなるト
レイ、（６）は該トレイ（５）に裁せられて真空室（２
）内を搬送され、水冷電極（１）上に於いてドライエツ
チング、或はプラズマＣｖＤやスパッタリングの成膜処
理、或はイオン注入等の処理が施されるＧａＡｓ基板、
シリコン基板等の被処理物を示す。
該水冷電極（１）は、その内部に冷却水が循環する冷却
空間（７）を備えると共に内部を貫通する冷却ガスの流
通孔（８）及び２本のリード線種通孔（９ａ） （９ｂ
）を備え、該リード線挿通孔（９ａ） （９ｂ）にはセ
ラミック絶縁体からなる円筒（ＩＯ（ＩＯを夫々嵌着し
た。
空間（７）を備えると共に内部を貫通する冷却ガスの流
通孔（８）及び２本のリード線種通孔（９ａ） （９ｂ
）を備え、該リード線挿通孔（９ａ） （９ｂ）にはセ
ラミック絶縁体からなる円筒（ＩＯ（ＩＯを夫々嵌着し
た。
該静電チャック電極〈３）は、前面のＡｌ２Ｏ３等のセ
ラミック絶縁基板（Ｉｔ）の内面に、第２図示のような
半円形の２つの導電パターン（１２ａ）（１２ｂ）を形
成したのち、該パターン（１２ａ）（１２ｂ）を挾んで
セラミック絶縁基板（′１３を重ね、一体に焼結し、更
にその背面から前面へと貫通する冷却ガス導入孔ｑＩＯ
及び導電パターン（１２ａ）（１２ｂ）へのリード線の
導孔（１５ａ） （１５ｂ）を開孔して形成するように
した。該静電チャック電極（３）は、好ましくは、金属
ボンディング（ＩＧにより水冷電極（１）の凹部（４）
内に取付固定され、その取付の際、水冷電極（１）の流
通孔（８）及びリード線種通孔（９ａ） （９ｂ）が静
電チャック電極（３）の冷却ガス導入孔ａ＠及び導孔（
１５ａ）（１５ｂ）に夫々合致するように設置される。
ラミック絶縁基板（Ｉｔ）の内面に、第２図示のような
半円形の２つの導電パターン（１２ａ）（１２ｂ）を形
成したのち、該パターン（１２ａ）（１２ｂ）を挾んで
セラミック絶縁基板（′１３を重ね、一体に焼結し、更
にその背面から前面へと貫通する冷却ガス導入孔ｑＩＯ
及び導電パターン（１２ａ）（１２ｂ）へのリード線の
導孔（１５ａ） （１５ｂ）を開孔して形成するように
した。該静電チャック電極（３）は、好ましくは、金属
ボンディング（ＩＧにより水冷電極（１）の凹部（４）
内に取付固定され、その取付の際、水冷電極（１）の流
通孔（８）及びリード線種通孔（９ａ） （９ｂ）が静
電チャック電極（３）の冷却ガス導入孔ａ＠及び導孔（
１５ａ）（１５ｂ）に夫々合致するように設置される。
トレイ（５）は、水冷電極（１）の四部（４）に適合す
る直径の例えばＡ１ｚｏ３の円板にて構成され、その前
面には被処理物（６）を安定に載せるために凹部θを形
成し、更に、下方の静電チャック電極（３）の冷却ガス
導入孔Ｇ＠に通じる冷却ガス吹出口（’＋７）を貫通し
て形成するようにした。
る直径の例えばＡ１ｚｏ３の円板にて構成され、その前
面には被処理物（６）を安定に載せるために凹部θを形
成し、更に、下方の静電チャック電極（３）の冷却ガス
導入孔Ｇ＠に通じる冷却ガス吹出口（’＋７）を貫通し
て形成するようにした。
ａｇは、各導電パターン（１２ａ）（１２ｂ）へリード
線ａ■を介して接続される高圧直流電源である。
線ａ■を介して接続される高圧直流電源である。
該トレイ（５）は、第３図及び第４図に示すように、背
面に環状の導電パターン■を形成したちであってもよく
、第５図及び第６図示のように放射状に導電パターン■
を形成してもよい。これらの場合、導電パターン■によ
って全面に略均−に分布する静電気を発生させることが
出来、被処理物（６）の吸着力が向上する。
面に環状の導電パターン■を形成したちであってもよく
、第５図及び第６図示のように放射状に導電パターン■
を形成してもよい。これらの場合、導電パターン■によ
って全面に略均−に分布する静電気を発生させることが
出来、被処理物（６）の吸着力が向上する。
また、静電チャック電極（３）の導電パターン（１２ａ
）（１２ｂ）を第７図及び第８図示のように互に入り組
んだパターンで形成してもよく、これに使用するトレイ
（５）として、第９図及び第１Ｏ図示のように２組の導
電パターン■■を形成し、２枚の被処理物（６）を載せ
ることも出来る。
）（１２ｂ）を第７図及び第８図示のように互に入り組
んだパターンで形成してもよく、これに使用するトレイ
（５）として、第９図及び第１Ｏ図示のように２組の導
電パターン■■を形成し、２枚の被処理物（６）を載せ
ることも出来る。
第１図示の実施例の作動を説明すると、高圧直流電源（
′ｌεから静電チャック電極（３）の導電パターン（１
２ａ）（１２ｂ）へ、例えば２ＫＶの直流高電圧を印加
して静電チャック電極（３）の前面に静電気を発生させ
、そこに被処理物（６）を載せたトレイ（５）を静電吸
着する。該トレイ（５）は、その下の静電チャック電極
（３）の静電気によって静電気を帯電し、被処理物（６
）を静電吸着する。次いで流通孔（８）、冷却ガス導入
孔（′ｌ＠及び冷却ガス吹出口０を通って冷却ガスを導
入し、被処理物（６）とトレイ（５）の微少なすきまを
介して真空室（２）内へと流し、冷却ガス吹出口（ＩＤ
のないトレイ（５）ではトレイ（５）と静電チャック電
極（３）とのすきまを介して冷却ガスを真空室（２）内
へと流すことによりトレイ（５）を介して被処理物（６
）を冷却する。そして水冷電極（１）に図示してない電
源から通電し、アノードとの間にプラズマを発生させ、
被処理物（６）を例えばエツチングする。該被処理物（
６）は、エツチング等の処理に伴って発熱するが、その
熱は水冷電極（１）により冷却された静電チャック電極
（３）へトレイ（５）を介して流れると共に冷却ガス或
は冷却されたトレイ（５）によって奪われ、被処理物（
６）が熱損傷しないように低温に維持される。
′ｌεから静電チャック電極（３）の導電パターン（１
２ａ）（１２ｂ）へ、例えば２ＫＶの直流高電圧を印加
して静電チャック電極（３）の前面に静電気を発生させ
、そこに被処理物（６）を載せたトレイ（５）を静電吸
着する。該トレイ（５）は、その下の静電チャック電極
（３）の静電気によって静電気を帯電し、被処理物（６
）を静電吸着する。次いで流通孔（８）、冷却ガス導入
孔（′ｌ＠及び冷却ガス吹出口０を通って冷却ガスを導
入し、被処理物（６）とトレイ（５）の微少なすきまを
介して真空室（２）内へと流し、冷却ガス吹出口（ＩＤ
のないトレイ（５）ではトレイ（５）と静電チャック電
極（３）とのすきまを介して冷却ガスを真空室（２）内
へと流すことによりトレイ（５）を介して被処理物（６
）を冷却する。そして水冷電極（１）に図示してない電
源から通電し、アノードとの間にプラズマを発生させ、
被処理物（６）を例えばエツチングする。該被処理物（
６）は、エツチング等の処理に伴って発熱するが、その
熱は水冷電極（１）により冷却された静電チャック電極
（３）へトレイ（５）を介して流れると共に冷却ガス或
は冷却されたトレイ（５）によって奪われ、被処理物（
６）が熱損傷しないように低温に維持される。
（発明の効果）
以上のように本発明によるときは、水冷電極の静電チャ
ック電極に、被処理物を載せた誘電体のトレイを載せる
ようにしたので、被処理物をトレイと共に水冷電極に吸
着させることが出来、トレイに複数枚の被処理物を載せ
ることが可能で、１つの水冷電極で複数の被処理物の同
時処理を行なえ、真空室内の構造が複雑化する不都合も
なく、特に割れ易いＧａＡｓ基板の処理に好都合に適用
出来る等の効果がある。
ック電極に、被処理物を載せた誘電体のトレイを載せる
ようにしたので、被処理物をトレイと共に水冷電極に吸
着させることが出来、トレイに複数枚の被処理物を載せ
ることが可能で、１つの水冷電極で複数の被処理物の同
時処理を行なえ、真空室内の構造が複雑化する不都合も
なく、特に割れ易いＧａＡｓ基板の処理に好都合に適用
出来る等の効果がある。
第１図は本発明の実施例の裁断側面図、第２図は第１図
の■−■線断面図、第３図はトレイの変形例の断面図、
第４図は第３図の底面図、第５図はトレイの他の変形例
の断面図、第６図は第５図の■−■線に沿った裁断平面
図、第７図は静電チャック電極の変形例の断面図、第８
図は第７図の■−■線截断平面図、第９図はトレイの更
に他の変形例の断面図、第１０図は第９図のＸ−Ｘ線に
沿った截断底面図である。 （１）・・・水冷電極 （２）・・・真空室 （３）・・・静電チャック電極 （５）・・・トレイ （６）・・・被処理物 （Ｉｔ） ａｇ・・・セラミック絶縁基板（１２ａ ）
（１２ｂ ）−導電パターン■・・・導電パターン
の■−■線断面図、第３図はトレイの変形例の断面図、
第４図は第３図の底面図、第５図はトレイの他の変形例
の断面図、第６図は第５図の■−■線に沿った裁断平面
図、第７図は静電チャック電極の変形例の断面図、第８
図は第７図の■−■線截断平面図、第９図はトレイの更
に他の変形例の断面図、第１０図は第９図のＸ−Ｘ線に
沿った截断底面図である。 （１）・・・水冷電極 （２）・・・真空室 （３）・・・静電チャック電極 （５）・・・トレイ （６）・・・被処理物 （Ｉｔ） ａｇ・・・セラミック絶縁基板（１２ａ ）
（１２ｂ ）−導電パターン■・・・導電パターン
Claims (2)
- １．真空室内に設けた水冷電極の前面に、静電チャック
電極を設けて該真空室内を搬送される被処理物を静電吸
着するようにしたものに於いて、該被処理物を、該静電
チャック電極に静電吸着される誘電体からなるトレイに
載置したことを特徴とする基板保持装置。 - ２．真空室内に設けた水冷電極の前面に、静電チャック
電極を設けて該真空室内を搬送される被処理物を静電吸
着するようにしたものに於いて、該静電チャック電極を
、２枚のセラミック絶縁基板の間に導電パターンを介在
させて一体に焼結したもので構成し、真空室内を搬送さ
れる被処理物をセラミック絶縁基板に導電パターンを形
成したトレイに載置したことを特徴とする基板保持装置
。
Priority Applications (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP1136867A JP2767282B2 (ja) | 1989-05-30 | 1989-05-30 | 基板保持装置 |
Applications Claiming Priority (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP1136867A JP2767282B2 (ja) | 1989-05-30 | 1989-05-30 | 基板保持装置 |
Publications (2)
| Publication Number | Publication Date |
|---|---|
| JPH033250A true JPH033250A (ja) | 1991-01-09 |
| JP2767282B2 JP2767282B2 (ja) | 1998-06-18 |
Family
ID=15185379
Family Applications (1)
| Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
|---|---|---|---|
| JP1136867A Expired - Fee Related JP2767282B2 (ja) | 1989-05-30 | 1989-05-30 | 基板保持装置 |
Country Status (1)
| Country | Link |
|---|---|
| JP (1) | JP2767282B2 (ja) |
Cited By (11)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
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| JP2005101505A (ja) * | 2003-03-13 | 2005-04-14 | Ventec-Ges Fuer Venturekapital & Unternehmensberatung Mbh | 可動可搬型静電式基板保持器 |
| JP2007214577A (ja) * | 2006-02-10 | 2007-08-23 | Veeco Instruments Inc | ウエハキャリアの温度補償によってウエハの表面温度を変化させるシステム及び方法 |
| US7736462B2 (en) * | 2003-01-13 | 2010-06-15 | Oc Oerlikon Balzers Ag | Installation for processing a substrate |
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