KR100242529B1 - 정전척을 가지는 재치대 및 이것을 사용한 플라즈마 처리장치 - Google Patents

정전척을 가지는 재치대 및 이것을 사용한 플라즈마 처리장치 Download PDF

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KR100242529B1
KR100242529B1 KR1019930026459A KR930026459A KR100242529B1 KR 100242529 B1 KR100242529 B1 KR 100242529B1 KR 1019930026459 A KR1019930026459 A KR 1019930026459A KR 930026459 A KR930026459 A KR 930026459A KR 100242529 B1 KR100242529 B1 KR 100242529B1
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데루오 아사카와
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히가시 데쓰로
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Abstract

반도체 웨이퍼의 플라즈마 에칭장치는, 진공처리실 내에 배설된 서셉터를 구비한다. 서셉터에는 웨이퍼를 흡착유지하기 위한 정전척이 배설된다. 정전척은 서셉터상에 절연층을 통하여 배설된 척전극을 구비한다. 척전극은 스위치를 통하여 직류전원의 정극에 접속된다. 척전극은 저항층에 의하여 피복되며, 웨이퍼는 이 위에 직접 재치된다. 저항층은, 에칭시의 온도범위에서 1×1010Ωㆍ㎝ ~ 1×1012Ωㆍ㎝ 의 비저항을 가진다. 또, 저항층은, 중심선 평균 거칠기가, 0.1~1.5㎛의 범위로 되는 표면 거칠기를 가지도록 설정된다. 척전극에 직류전원의 정극의 전위가 부여되며, 또 웨이퍼가 플라즈마를 통하여 접지되면, 저항층의 표면과 웨이퍼의 이면과의 사이에 접촉전위차가 생기고, 이 정전인력에 의하여 웨이퍼가 저항층에 흡착유지된다.

Description

정전척을 가지는 재치대 및 이것을 사용한 플라즈마 처리장치
제1도는 본 발명의 제1실시예에 관한 플라즈마 에칭장치를 나타내는 단면도.
제2도는 본 발명의 정전척의 저항층과 웨이퍼와의 계면을 나타내는 확대단면도.
제3도는 종래의 정전척의 저항층과 웨이퍼와의 계면을 나타내는 확대단면도.
제4도는 본 발명의 제2실시예에 관한 플라즈마 에칭장치를 나타내는 단면부분도.
제5도는 본 발명의 제3실시예에 관한 플라즈마 에칭장치를 나타내는 단면도.
제6도는 제5도에 나타낸 장치의 정전척의 평면도.
제7도는 저항층의 중심선 평행 거칠기 및 비저항(比抵抗)의 사용 가능한 범위를 나타내는 도면.
제8도는 제5도에 나타낸 장치의 스위치(s)의 변환 타이밍챠트.
제9도는 정전척의 변경예를 나타내는 평면도.
제10도는 정전척의 다른 변경예를 나타내는 평면도.
* 도면의 주요부분에 대한 부호의 설명
1 : 처리실 2 : 서셉터
3,3a,3b : 저항층 5 : 절연코팅
7 : 제1로드로크실 8 : 제2로드로크실
11,12 : 게이트밸브 13 : 배기관
14 : 진공펌프 16 : 절연체
21 : 냉각블록 22b : 배출관
22 : 보어 22a : 도입관
23 : 고주파전원 24 : 관통공
25a : 밸브 25 : 가스공급로
26 : 승강기구 27 : 푸셔핀
28 : 콘덴서 29,35,35a,35b,37a,39 : 스위치
31 : 절연층 32b : 제2전극
32 : 척 전극 32a : 제1전극
33 : 도전선 34 : 전기공급봉
36,36s,36b : 직류전원 37 : 라인
38 : 접지라인의 단자 41 : 상부전극
42 : 가스도입관 43 : 확산판
44 : 보어 50 : 제어부
L1,L2,L3,L4 : 선 W : 웨이퍼
s : 정전척
본 발명은, 반도체 웨이퍼 등의 피처리 기판에 에칭, 성막 등의 처리를 하는 때, 피처리 기판을 흡착(attract) 유지하기 위하여 사용되는 재치대를 가지는 정전척과, 이것을 사용한 플라즈마 처리장치에 관한 것이다.
반도체 웨이퍼를 한 장씩 처리하는 플라즈마 에칭장치 등의 처리장치에서는, 진공상태로 설정가능한 처리실(process chamber) 내에 하부전극으로서 기능하는 서셉터가 배치된다. 피처리기판인 웨이퍼는 서셉터상에 재치 고정되고, 또 처리를 받는다. 웨이퍼를 서셉터에 고정하는 수단으로서는 클램프 등의 기계적인 유지수단과, 정전인력으로 웨이퍼를 흡착 유지하는 정전척이 주로 사용된다.
미국특허 4,771,730(1988. 9. 20 공고)는 피처리기판, 예를들면 반도체 웨이퍼를 지지하기 위한 서셉터, 또는 테이블 상에 배치된 정전척을 개시한다. 정전척은, 2 개의 유도체층과, 그 사이에 끼워진 전극을 구비한다. 전극은 외부의 직류전원의 정극에 접속되며, 다른 쪽 전극은 직류 전원의 부(負)극에 접지된다. 웨이퍼 상부 유전체층과의 사이에는 열전달 가스가 공급된다. 상기 특허는, 제2도에서 유전체층으로서 SiC층을 사용한 구조를, 제3도에서 유전체층으로서 폴리이미드를 사용한 구조를 개시하고 있다.
처리실에 플라즈마가 발생되면, 정전척 상의 반도체 웨이퍼는, 플라즈마 및 상부 전극을 통하여 접지된다. 이 때, 정전척의 전극에 직류전원으로부터의 정(正)의 전위가 부여되어 있으면, 웨이퍼가 부의 전위로 됨과 동시에, 상부 유전체층이 분극하고, 그 표면이 정전위로 된다. 따라서 웨이퍼와 유전체층과의 사이에서 정전인력이 발생하며, 이 정전인력에 의하여 서셉터 상에 웨이퍼가 흡착 유지된다.
그러나, 정전척에서는 처리후에 정전척의 전극과 직류전원과의 접속을 OFF 하여도 웨이퍼와 척 사이에는 흡착력이 남게 된다(이하, 잔류흡착력이라고 함). 이 상태에서, 웨이퍼를 언로드할 서셉터 내에 내장된 푸셔핀에 의하여 들어 웨이퍼에 부분적으로 큰 힘이 걸리어 파손한다거나 웨이퍼의 위치가 어긋나게 된다. 따라서 웨이퍼 뒷면 또는 척 표면의 제점(除電)을 하기 위한 기술이 제안되고 있다. 즉 상기 미국특허의 동시 계속특허 출원 08/017,379(1993. 2. 12 출원).
또, 폴리이미드와 같은 유전체시트는, 시트 두께가 얇으면 제작이 곤란함과 동시에 절연파괴를 일으킬 가능성이 있기 때문에, 예를들면 50㎛의 두께로 형성된다. 그러나 이 정도로 시트를 두껍게 형성하면, 강한 흡착력을 얻기 위해서는 직류전원의 전압을 높게 할 필요가 있다. 그러나, 고전압을 사용하면, 필요없는 방전의 발생이나 직류전원 코스트의 증대라고 하는 문제를 일으킨다.
따라서 본 발명의 목적은 잔류흡착력을 일으키지 않는 정전척을 가지는 재치대를 제공함에 있다.
상기 목적을 달성하기 위하여 본 발명에 의하면, 피처리면으로 되는 주면과 반대측의 이면을 가지는 피처리 기판을 정전인력으로 흡착유지하는 정전척(靜電 Chuck)을 가지는 재치대로서, 상기 기판을 그 상기 이면을 통하여 지지하기 위한 지지면을 가지는 재치대 본체와, 상기 지지면에 배설된 척 전극과, 상기 척 전극에 제1전위를 선택적으로 부여하는 전원수단과, 상기 척전극을 피복하는 저항층과, 상기 저항층은, 상기 기판이 상기 지지면상에 지지된 때, 상기 기판의 상기 이면과 대면하는(접촉도 포함하는 개념) 표면을 가지는 것과, 상기 저항층은, 상기 기판을 흡착 유지할 때의 온도범위에서 1×1010Ωㆍ㎝ ~ 1×1012Ωㆍ㎝ 의 비저항을 가지는 것과, 여기에서, 상기 척전극에 상기 제1전위가 부여됨과 동시에 상기 기판에 상기 제1전위와는 다른 제2전위가 부여된 상태에서, 상기 저항층의 상기 표면과 상기 기판의 상기 이면과의 사이에 접촉전위차가 발생하고, 이것에 의하여 상기 기판이 상기 저항층에 흡착유지되는 것을 구비한다.
또, 본 발명에 의하면, 피처리면으로 되는 주면과 반대측의 이면을 가지는 피처리기판을 정전인력으로 흡착유지하는 정전척을 가지는 재치대, 상기 기판을 그 상기 이면을 통하여 지지하기 위한 지지면을 가지는 재치대 본체와, 상기 지지면에 배설된 제1 및 제2전극과, 상기 제1 및 제2전극은 서로 절연되는 것과, 상기 제1전극에 제1전위를 선택적으로 부여하는 제1전원수단과, 상기 제2전극에 상기 제1전위와는 다른 제2전위를 선택적으로 부여하는 제2전원수단과, 상기 제1 및 제2전원수단보다도 상기 제1 및 제2전극에 가까운 위치에서, 상기 제1 및 제2전극을 선택적으로 접속 및 분리하는 스위치 수단과, 상기 제1 및 제2전극을 각각 피복하는 제1 및 제2저항층과, 상기 제1 및 제2저항층은 서로 절연되는 것과, 상기 제1 및 제2저항층은 상기 기판이 상기 지지면상에 지지된 때, 상기 기판의 상기 이면과 접촉하는 표면을 각각 가지는 것과, 상기 제1 및 제2저항층의 각각은, 상기 기판을 흡착유지하는 때의 온도범위에서 1×1010Ωㆍ㎝ ~ 1×1012Ωㆍ㎝ 의 비저항을 가지는 것과, 여기에서, 상기 제1 및 제2전극에 각각 상기 제1 및 제2전위가 부여된 상태에서 상기 제1전원수단으로부터 상기 기판을 통하여 상기 제2전원수단에 이르는 폐(閉)루우프가 형성되며, 또 상기 제1 및 제2저항층의 상기 표면과 상기 기판이 상기 이면과의 사이에 접촉전위차가 생기며, 이것에 의하여 상기 기판이 상기 제1 및 제2저항층에 흡착유지되는 것과, 또, 제1 및 제2전극에 함께 상기 제1전위가 부여되며, 또 상기 기판에 상기 제1전위와는 다른 제3전위가 부여된 상태에서 상기 제1 및 제2저항층의 상기 표면과 상기 기판의 상기 이면과의 사이에 접촉전위차가 생기며, 이것에 의하여 상기 기판이 상기 제1 및 제2저항층에 흡착유지되는 것을 구비하는 것을 특징으로 한다.
[실시예]
제1도에 나타낸 본 발명의 제1실시예에 관한 플라즈마 에칭장치는, 알마이트 처리된 표면을 가지는 알루미늄 등의 전도성 금속으로 구성하는 처리실(1)을 구비한다. 처리실(1)의 측벽에는 제1 및 제2로드로크실(7),(8)과의 사이를, 기밀하게 시일하는 게이트 밸브(11),(12)가 설치된다.
처리실(1)의 하부에는 배기관(13)을 통하여 진공펌프(14)가 접속된다. 배기펌프(14)의 작동에 의하여, 처리실(1) 내가 소정의 진공상태로 설정 가능하게 된다.
처리실(1)의 저부 중앙에 절연체(16)를 통하여 냉각 블록(21)이 배치된다. 냉각 블록(21)은, 알마이트 처리된 표면을 가지는 알루미늄 등의 도전성 금속에 의하여, 예를들면 원기둥 형상으로 형성된다. 냉각 블록(21)의 내부에는 액체질소 등의 냉매를 순환시키는 보어(22)가 형성된다. 보어(22)에는 도입관(22a)과 배출관(22b)이 접속되며, 도입관(22a)을 통하여 보어(22) 내에 공급된 냉각액은 배출관(22b)을 통하여 용기(1) 외부로 배출된다.
냉각블록(21)의 위에는, 알마이트처리된 표면을 가지는 알루미늄 등의 도전성 금속으로 구성된 서셉터(2)가, 예를들면 보울트(도시하지 않음)에 의하여 착탈이 자유롭게 부착된다. 서셉터(2)는, 하부전극으로서 기능하며, 처리실(1) 외부에 설치된 고주파전원(23)과 콘덴서(28)를 통하여 접속된다. 전원(23)은 스위치(29)를 통하여 접지된다. 서셉터(2)의 상면은 웨이퍼 재치면으로서 기능하고, 여기에 예를들면 폴리이미드 등의 절연체로 구성하는 절연층(31)이 접착된다. 절연층(31)상에는, 도전성의 척 전극(32) 및 고저항재료로 구성하는 저항층(3)이 차례로 형성된다. 저항층(3) 위에 반도체 웨이퍼(W)가 재치된다.
이 실시예에서 척 전극(32)은, 은(銀) 페이스트로 구성하며 저항층(3)의 하면에 도포되어 부착된다. 척 전극(32)은, 은페이스트를 도포하는 대신에 은이나 파라디움(palladium)을 스크린 인쇄에 의하여 저항층(3)의 표면에 형성하여도 좋다.
서셉터(2)에는, 절연 케이블로 주위를 피복한 도전선(33)이, 그 일단측이 척 전극(32)과 접속되도록 설치된다. 냉각블록(21)에는 도전선(33)과 대응하는 위치에 관통공(24)이 형성된다. 관통공(24) 내에, 전기공급봉(34)이 도전선(33)의 타단측과 접속되도록 배치된다. 전기공급봉(34)은, 장치 외부에 설치된 직류전원(36)에 스위치(35)를 통하여 접속된다. 따라서 척 전극(32)이, 도전선(33), 전기공급봉(34) 및 스위치(35)를 통하여 직류전원(36)에 접속된다.
스위치(35)는 릴레이 스위치이며, 접지라인의 단자(38)에 교체가능하게 되어 있다. 전원(36)은 스위치(39)를 통하여 접지된다. 저항층(3), 서셉터(2) 및 냉각블록(21)에는, 열전달 가스를 서셉터(2) 상의 웨이퍼(W)의 이면에 공급하기 위한 가스 공급로(25)가 형성된다. 가스 공급로(25)는 밸브(25a)를 통하여 He 등의 열전달 가스원(도시하지 않음)에 접속된다.
또, 저항층(3), 서셉터(2) 및 냉각블록(21)에는, 웨이퍼를 저항층(3)의 상면에 대하여 상하로 이동하기 위한 여러 개, 예를들면 3 개의 푸셔핀(27)이 배치된다. 푸셔핀(27)은 승강기구(26)에 의하여 구동된다.
서셉터(2)의 윗 쪽에는 알마이트 처리된 표면을 가지는 알루미늄 등의 도전성 금속으로 구성되는 상부전극(41)이 배치된다. 상부전극(41)은 하부전극인 서셉터(2)와 대향하도록 배치된다. 상부전극(41)은 접지되며, 고주파전원(23)에 접속된 서셉터(2), 즉 하부전극과 함께 평행평판형의 대향 전극쌍을 구성한다.
상부전극(41)은 내부에 보어(44)를 가지며, 처리가스를 공급하기 위한 헤더로서 기능한다. 보어(44)에는 가스도입관(42)을 통하여 프로세스 가스, 예를들면 반응성의 CF4및 캐리어 가스로서의 Ar 의 혼합물로 구성하는 처리가스가 공급된다.
상부전극(41)의 하부에는 처리가스를 처리실(1) 내에, 예를들면 샤워 형상으로 공급하기 위한, 가스 확산판(443)이 설치된다.
직류전원(36)의 스위치(35), 고주파전원(23)의 스위치(29), 열전달 가스의 변환밸브(25a) 등의 작동은 제어부(50)에 의하여 제어된다. 제어부(50)에는 소정의 프로그램이 미리 기억되며, 이것에 의거하여 출력되는 명령에 의하여 이들 부재가 변환된다.
서셉터(2) 및 냉각블록(21)에는, 처리실(1) 외부의 부재(고주파전원(23)을 제외함)와 전기적으로 접속된다. 이 형태는 동시 계속의 미국 특허출원(출원번호: 08/104,475호)에 개시되어 있으며, 상세한 내용이 기재되어 있다.
반도체 웨이퍼(W)의 처리시에는, 우선, 웨이퍼(W)가, 제1로드로크실(7) 내에 배열설치된 반송아암(도시하지 않음)에 의하여, 게이트 밸브(11)를 통하여 제1로드로크실(7)로부터 처리실(1) 내로 반입된다.
웨이퍼(W)는 반송아암과 푸셔핀(27)과의 협동에 의하여 서셉터(2) 상에 재치된다.
이어서, 가스 도입관(42)에 의하여, 상부전극(41)의 보어(44), 가스확산판(43)을 통하여 처리실(1) 내로 처리가스가 공급된다. 또 이와 함께, 배기관(13)을 통하여 펌프(14)에 의하여 처리실(1)이 배기되고, 소정의 압력으로 유지된다. 또 서셉터(2)와 상부전극(41)과의 사이에, 고주파 전원(23)이, 예를들면 380㎑, 1.5㎾가 인가되고, 웨이퍼(W)상에서 플라즈마화된다.
또, 척 전극(32)에 300V의 직류전원(36)의 전극이 접속된다. 이 때에 발생하는 정전인력에 의하여, 웨이퍼(W)가 정전척의 저항층(3)을 통하여 서셉터(2) 상에 흡착유지된다. 또, 웨이퍼(W)와 저항층(3) 사이에는 열전달가스가 공급되며, 냉각블록(21)으로부터의 냉열이 웨이퍼(W)에 전달되며, 웨이퍼(W)의 온도가 설정된다.
플라즈마중의 이온은 웨이퍼(W)의 표면에 수직으로 입사하여 웨이퍼표면의 피가공물질을 물리적으로 에칭한다.
플라즈마중의 활성종(活性種) 웨이퍼(W)는, 웨이퍼 표면의 피가공물질과 반응하며, 이것을 화학적으로 에칭한다.
웨이퍼(W)의 에칭 종료후, 처리가스, 열전달 가스의 공급이 정지됨과 동시에 고주파전원(23)이 OFF 된다.
그리고, 처리실(1) 내가 불활성 가스에 의하여 어느 정도 치환된다. 또 스위치(35)가 전원(36)으로부터 접지단자(38)로 변환된다. 그리고 푸셔핀(27)이 저항층(3)으로부터 돌출하고 웨이퍼(W)가 서셉터(2)로부터 밀리어 올려진다. 그 후, 웨이퍼(W)는, 제2로드로크실(8) 내에 배설된 반송아암(도시되지 않음)에 의하여, 게이트 밸브(12)를 통하여 처리실(1)로부터 제2로드로크실(8) 내로 반출된다.
정전척의 저항층(3)의 두께는, 예를들면 5㎜이하로 설정된다. 저항층(3)은 1×1010Ωㆍ㎝ ~ 1×1012Ωㆍ㎝ 의 비저항(Re)을 가지는 고저항 재료로 구성한다. 이 재료로서는 시판되고 있는 SiC 를 사용할 수가 있다.
또, 도전성 불순물의 함유량을 조정하는 것에 의하여 상기 범위의 비저항을 가지도록 만들어진 Al2O3도 시판되고 있다.
재료의 비저항은 통상 사용온도가 높게 되는 만큼 저하한다. 따라서 저항층(3)의, 재료는, 그 비저항이 정전척의 사용온도 범위에서 상술한 범위에 들어간 것을 선택할 필요가 있다.
제1도에 나타낸 플라즈마 에칭장치에서는, 에칭중에 있어서의 정전척의 온도는 -50~120℃ 이고, 상술한 재료는 이 온도 범위에서 상기 범위의 비저항을 가지는 것이다.
따라서, 예를들면 열 CVD와 같이 300~600℃ 의 온도 범위로 1×1010Ωㆍ㎝ ~ 1×1012Ωㆍ㎝ 의 비저항을 가지는 재료를 선택할 필요가 있다. 예를들면 pyrolytic boron nitride, Si3N4등은 이 고온도 범위에서 상기 범위에 들어가는 비저항을 구비하는 판매품이 존재한다. 또, 도전성 불순물의 함유량을 조정하는 것에 의하여 상기 고온도 범위로 상기 범위의 비저항을 가지도록 만들어진 Al2O3도 시판되고 있다.
저항층(3)의 표면은 비경면(非鏡面) 상태를 나타내도록 마무리 가공된다. 보다 구체적으로는, 저항층(3)의 표면은, 여기에서 중심선 평균 거칠기가, 0.1~1.5의 범위로 되도록 표면 거칠기(surface roughness)를 가지도록 설정된다.
또, 여기에서 중심선 평균 거칠기(Ra)라는 것은, 거칠기 곡선으로부터 그 중심선 방향으로 측정한 길이(L)의 부분을 발췌하고, 이 발췌한 부분의 중심선을 X축, 종배율의 방향을 Y축으로 하고, 거칠기 곡선을 y=f(x)로 나타냈을 때, 다음 식에 의하여 구해지는 값을 ㎛로 나타낸 것을 말한다.
여기에서 거칠기 곡선의 중심선이라는 것은, 거칠기 곡선의 평균선으로 평행한 직선을 그었을 때 그 직선과 거칠기 곡선으로 둘러싸인 면적이, 이 곡선의 양측에서 같게 되는 직선을 말한다. 또 여기에서 거칠기 곡선의 평균선이라는 것은, 거칠기 곡선의 발췌한 부분에서 피측정면의 기하학적 형상을 가지는 직선 또는 곡선으로, 또 그 선으로부터 거칠기 곡선까지의 편차의 이승화(二乘和)가 최소로 되도록 설정한 선을 말한다.
제7도는 제1도에 나타낸 에칭장치에서 저항층(3)의 중심선 평균 거칠기 Ra(㎛) 및 비저항 Re(Ωㆍ㎝)를 바꿔서 사용가능한 조건 범위를 조사한 결과를 나타낸다. 웨이퍼(W)로서 Si 웨이퍼를 사용하였다.
척(Chuck) 시의 흡착력이 10㎏/㎠ 이상, 저항층(3)으로부터의 누설전류가 1㎂/㎠ 이하를 목표로 하였다.
제7도중, X축은 log Re를, Y축은 Ra를 나타낸다. 선(L1), (L2), (L3) 및 (L4)은, 각각 x= 10, y=0.1, y= 1.5, y= 7의 관수로 나타난다.
본 발명에서는, 4개의 선(L1)-(L4)로 포위되는 범위가 사용가능한 조건으로 된다. L1으로부터 왼 쪽, 즉 x〈11에서는 누설전류가 많게 된다. L2로부터 아래, 즉 y〈0.1에서는 저항층(3)과 피처리기판과의 사이의 전위차가 충분하게 얻어지지 않는다.
L3로부터 위, 즉 y〉1.5 에서는 웨이퍼(W)와 피처리기판과의 거리가 너무 크게 된다. L4로부터 왼 쪽에서는 잔류 흡착력이 너무 크게 된다.
제2도에서와 같이, 저항층(3) 표면의 거칠기 때문에 웨이퍼(W)와 저항층(3)과의 접촉면에는 간격(BI)이 존재한다. 척전극(32)에 직류전원(36)의 전극의 전위가 인가되며, 또 웨이퍼(W)가 플라즈마를 통하여 접지되면, 저항층(3)은 전압강하가 작기 때문에, 웨이퍼(W)의 하면의 전위(V3)와, 저항층(3)의 상면의 전위(V2)에 큰 전위차가 생긴다.
따라서 이 전위차, 즉 접촉전위차에 의하여 큰 정전인력이 발생하고, 웨이퍼(W)가 저항층(3)에 흡착된다. 또 V1, V4는 각각 저항층(3)의 하면, 웨이퍼(W)의 표면 전위이다.
이와 같이 본 발명은, 저항층(3)과 웨이퍼(W)와의 접촉전위차에 의하여 생기는 정전인력을 이용하여 웨이퍼(W)를 흡착시킨다. 이 구성에서는, 저전압의 직류전원의 사용으로, 강력한 흡착력을 얻을 수 있다.
또, 종래의 정전척에 있어서의 문제점이었던 잔류흡착력의 발생을 억제할 수가 있다. 이하에 이 이유에 대하여 설명한다.
미국특허 4,771,730호에 개시된 바와 같은 종래의 정전척에서는, 웨이퍼측의 유전체층 또는 시트에서 분극이 일어나고, 유전체층의 웨이퍼와의 접촉면측에 정의 전하를 일으킨다. 그리고 부에 대전하는 웨이퍼와의 사이의 정전인력을 일으키고, 이것에 의하여 웨이퍼가 흡착된다.
이와 같은 종래의 정전척에 관한 것으로, 반도체 웨이퍼를 꺼낸 후의 유전체층 표면의 잔류전위의 측정을 행하였다. 정전척의 전극에는 1.5㎸의 직류전원의 정극을 접속하였다. 측정한 결과, 유전체층 표면의 전위는 -700V였다. 상술한 바와 같이, 유전체층의 표면에는 정의 전하를 일으키기 때문에, 유전체층의 표면의 잔류전위는 정의 전위인 것이 예상되었다.
그러나, 측정결과는, 반대로 부의 전위였다. 이 사실에서, 종래의 정전척의 잔류 흡착력에 대하여 이하와 같은 추찰을 할 수 있다.
제3도에 나타낸 바와 같이, 웨이퍼(W)와 정전척의 유전체층, 예를들면 폴리이미드 시트(PS) 와의 접촉면에는 간격이 존재한다. 이 간격에는 열전달 가스로서 He 가 공급된다. He가스중에는 미량의 수분이 들어가 있고 이 수분은 정전척용의 직류전원 및 플라즈마 발생용의 도주파 전원으로부터의 고전압의 영향에 의하여 수소이온(H+), 하이드로니움 이온(H3O+)과 수산이온(OH-)에 전리(電離) 한다.
H+및 H3O+는 부에 대전하고 있는 웨이퍼(W)에 흡착되고, 또, OH-는 정에 대전하고 있는 유전체 시트(PS)에 흡착된다. OH-의 전하는 유전체 시트(PS)가 고절연성이기 때문에, 이 유전체 시트(PS) 속을 이동할 수 없고, 정전척과 직류전원과의 접속을 차단한 후에도, 유전체 시트(PS)의 표면에 남아 있는 상태로 된다.
따라서, 유전체 시트(PS)의 표면의 잔류전위는 이 OH-에 의하여 부로 되며, 또 OH-와 H+또는 H3O+와의 합산 인력에 의하여 잔류흡착력이 발생한다.
또, 본 발명에서도 웨이퍼(W)와 저항층(3)과의 접촉면에는 간격이 존재하고 있고, 이 간격에서 수분이 전리하며, 웨이퍼(W)에는 H+, H3O+가 흡착되며 또 저항층(3)에는 OH-가 흡착된다고 생각된다. 그러나 저항층(3)은 고저항이면서 도전성이 있기 때문에, 저항층(3) 표면에 흡착된 OH-의 전하는 전원(36)이 접속되어 있는 사이는 전원(36)에, 또 스위치(35)를 변환하여 전원(36)을 OFF 로 한 후는, 스위치(35) 및 단자(38)를 통하여 접지로 흐른다.
이것에 의하여 저항층(3)의 표면에는 OH-가 머물지 않기 때문에 종래의 정전척과는 다르며 잔류흡착력은 발생하지 않는다.
또, 종래 정전척에서는 꽤 얇은 유전체 시트는 절연파괴가 일어나기 쉽고 제조하기 어렵기 때문에, 유전체 시트를 어느 정도 두껍게 하여야 한다.
그러나 유전체 시트를 두껍게 하면 분극이 일어나기 어렵게 되기 때문에, 필요한 흡착력을 얻기 위해서는 고전압전원의 사용이 필요하였다. 이것에 대하여 본 발명의 저항층(3)에서는, 기술한 바와 같이, 저항층(3)과 웨이퍼(W)와의 접촉면에 있어서의 접촉전위차에 의거하여 흡착하고 있다. 따라서 저전압의 인가에 의하여 충분한 흡착력을 얻을 수 있다.
이 때문에 고전압의 인가에 의하여 일어나는 주변장치에의 악영향을 억제할 수 있는 외에, 전원장치도 간단하게 된다. 또, 플라즈마 발생에 의하여 웨이퍼(W)가 대전하는 부의 전위의 절대치가 큰 경우에는, 플라즈마종에 정전척(32)을 접지시키는 것만으로 직류전원(36)을 생략할 수가 있게 된다.
제4도는 본 발명의 제2실시예에 관한 플라즈마 에칭장치의 정전척을 나타낸다.
제2실시예 장치는 도시하지 않은 부분은 제1도의 장치와 동일하다. 제4도중, 제1도의 장치의 부재와 대응하는 부재에는, 동일 부호를 붙여서 설명을 생략한다.
이 실시예에서는, 저항층(3)의 표면에 절연 코팅(5)이 배치된다. 이와 같이, 저항층(3)에 절연 코팅(5)을 설치하는 경우에는, 저항층(3)의 웨이퍼(W)와의 접촉면에 있어서의 접촉저항이 크게 되기 때문에, 전체의 저항도 크게 된다. 접촉전위차는 작게 되지 않기 때문에, 충분한 흡착력을 얻을 수 있다.
단, 절연 코팅(5)의 두께를 너무 두껍게 하면, 수분의 전리에 의하여 생긴 OH-가 절연 코팅(5)의 표면에 머물고, 잔류 흡착력을 발생할 우려가 있기 때문에, 그 막의 두께는 예를들면 1㎛ 이하로 하는 것이 바람직하다.
제4도의 구조에서는, 이하와 같은 효과를 가진다. 즉, 웨이퍼(W)의 에칭처리시의 온도가 높게 되며 저항층의 저항율이 낮게 되면, 저항층의 종방향으로 흐르는 누설전류가 크게 된다. 이 전류는 웨이퍼(W)에 악영향을 미치지만, 저항층과 웨이퍼(W) 사이에 절연 코팅(5)을 설치하는 것에 의하여 누설전류를 억제할 수가 있다.
제5도는 본 발명의 제3실시예에 의한 플라즈마 에칭장치를 나타낸다. 제5도중, 제1도 장치의 부재와 대응하는 부재에는 동일 부호를 붙여서 설명을 생략한다.
이 실시예에서는, 제6도에서와 같이, 저항층이 동심형상으로 배치된 원판형상 및 링형상의 제1 및 제2저항층(3a),(3b)로 구성된다. 또, 척전극도 제1 및 제2전극(32a),(32b)로 구성된다. 제1전극 및 저항층(32a),(3a)의 한 조와 제2전극 및 저항층(32b),(3b)의 한 조와는 폴리이미드 등의 절연체로 되는 절연층(31)에 의하여 절연된다.
내측의 제1전극(32a)은 스위치(35a)를 통하여 제1직류전원(36s)의 정극에 접속되며, 외측의 제2전극(32b)은 스위치(35b)를 통하여 제2직류전원(36b)의 부극에 접속된다.
제1전극(32a) 및 제2전극(32b)은, 라인(37)에 의하여 접속되며, 여기에 스위치(37a)가 배치된다. 제8도는 35a, 35b, 37a의 변환 타이밍 챠트를 나타낸다.
스위치(35a),(35b),(37a)의 변환은, 제어부(50)에 미리 기억된 소정의 프로그램에 의거하여 제어부(50)로부터 출력되는 명령에 의하여 이루어진다.
제5도의 장치의 정전척에서는, 웨이퍼(W)를 서셉터(2)상에 재치하기 전에 스위치(35a),(35b)를 ON한다.
이 상태에서 웨이퍼(W)가 재치되면, 제1저항층(3a)과 웨이퍼(W) 사이 및 제2저항층(3b)과 웨이퍼(W) 사이의 각각에, 큰 접촉전위차를 가지는 전원(36s)로부터 웨이퍼(W)를 통하여 전원(36b)에 이르는 폐루우프가 형성된다. 따라서 제1저항층(3a)과 웨이퍼(W) 사이 및 제2저항층(3b)과 웨이퍼(W) 사이의 각각에 정전인력이 작용하고, 웨이퍼(W)가 서셉터(2)상에 고정 유지된다.
즉, 플라즈마 발생전에 웨이퍼(W)를 정전척에 의하여 고정할 수가 있게 된다. 따라서 플라즈마 발생전에 웨이퍼 뒷면으로 열전달 가스를 공급하고, 웨이퍼를 소정의 온도로 설정할 수 있으며, 처리의 신뢰성과 스루푸트의 향상을 도모할 수 있다.
플라즈마 발생직후, 스위치(35a)는 그대로 ON으로 유지하며, 스위치(35b)를 OFF하고, 스위치(37a)를 ON으로 한다. 이것에 의하여 제1 및 제2전극(32a),(32b)에 제1전원(36s)으로부터 웨이퍼(W)를 통하여 전원(36b)에 이르는 폐루우프에 의하여 정전척에 고정된다. 이어서, 처리실(1) 내가 불활성 가스로 치환되지만, 이 사이 웨이퍼(W)는 상기 폐 루우프로 고정된다.
그리고, 웨이퍼(W)를 서셉터(2)로부터 취하기 전에, 스위치(35a),(35b)를 OFF로 한다.
이것에 의하여 웨이퍼(W)는 정전척으로부터 해방된다. 전술한 바와 같이, 제1저항층(3a)의 표면에 흡착하는 OH-및 제2저항층(3b)의 표면에 흡착하는 H+또는 H3O+의 전하는, 각각 제1 및 제2전원(36s),(36b)에 흐르기 때문에, 전류흡착력을 발생하지 않는다. 필요하다면 제1도의 장치와 같이, 스위치(35a),(35b)를, 접지라인의 단자(38)에 변환이 가능한 릴레이 스위치로 하여도 좋다.
각 제1 및 제2저항층(3a),(3b) 및 제1 및 제2전극(32a),(32b)은, 제9도와 같은 반달형상, 제10도와 같은 빗살형상으로 할 수도 있다.
또, 각 제1 및 제2저항층(3a),(3b) 및 제1 및 제2전극(32a),(32b)은, 여러 개의 세그멘트로 구성할 수도 있다. 또, 플라즈마의 성질에 따라 웨이퍼(W)는 부의 전위로 되기 때문에, 그 전위의 크기에 따라서는 플라즈마 발생중에 제1 및 제2전극(32a),(32b)을 접지전극으로 하여도 좋다.
본 발명의 정전척(s)은, 플라즈마 처리 등을 하는 처리실 내의 서셉터에 조립하는 것에 한정되는 것은 아니고, 예를들면 대기중에서 사용하는 반송아암이나, 재치대 등에 조립할 수도 있다. 단, 이 경우, 제1도 장치와 같이, 척전극이 1 개인 때는, 척전극과는 다른 전위를 웨이퍼에 부여하는 수단이 필요하게 된다. 또, 플라즈마 처리장치로서는, 플라즈마 에칭 장치외에, 플라즈마 에싱 장치, 플라즈마 CVD장치 등을 들 수 있다. 피처리 기판으로서는, 반도체 웨이퍼 외에 LCD기판을 들 수 있다.

Claims (20)

  1. 피처리면으로 되는 주면과 반대측의 이면을 가지는 피처리 기판을 정전인력으로 흡착유지하는 정전척을 가지는 재치대로서, 상기 기판을 그 상기 이면을 통하여 지지하기 위한 지지면을 가지는 재치대 본체와, 상기 지지면에 배설된 척 전극(32)과, 상기 척 전극에 제1전위를 선택적으로 부여하는 전원수단과, 상기 척전극(32)을 피복하고, 상기 기판이 상기 지지면상에 지지된 때, 상기 기판의 상기 이면과 대면하는 표면을 가지며, 상기 기판을 흡착 유지할 때의 온도범위에서 1×1010Ωㆍ㎝ ~ 1×1012Ωㆍ㎝ 의 비저항을 가지는 저항층(3)을 구비하며, 여기에서, 상기 척전극(32)에 상기 제1전위가 부여됨과 동시에 상기 기판에 상기 제1전위와는 다른 제2전위가 부여된 상태에서, 상기 저항층(3)의 상기 표면과 상기 기판의 상기 이면과의 사이에 접촉전위차가 발생하고, 이것에 의하여 상기 기판이 상기 저항층(3)에 흡착유지되는 것을 특징으로 하는 정전척을 가지는 재치대.
  2. 제1항에 있어서, 상기 저항층(3)의 상기 표면이, 중심선 평균 거칠기가, 0.1~1.5㎛로 되는 표면 거칠기를 가지도록 설정되며, 또 상기 기판의 상기 이면과 직접 접촉하는 정전척을 가지는 재치대.
  3. 제1항에 있어서, 상기 저항층(3)의 상기 표면이, 절연물로 구성되는 코팅으로 피복되고, 상기 코팅의 두께는 1㎛ 이하인 정전척을 가지는 재치대.
  4. 제1항에 있어서, 상기 온도범위가 -50~120℃ 이고, 상기 저항층(3)이 SiC, 도전성 불순물의 함유량이 조정된 Al2O3로 구성하는 군(群)에서 선택된 재료로 이루어지는 정전척을 가지는 재치대.
  5. 제1항에 있어서, 상기 온도범위가 300~600℃ 이고, 상기 저항층(3)이 피롤성 보론 질화물, Si3N4, 도전성 불순물의 함유량이 조정된 Al2O3로 구성하는 군(群)에서 선택된 재료로 이루어지는 정전척을 가지는 재치대.
  6. 제1항에 있어서, 상기 지지면이 반도체 웨이퍼(W)를 지지하기 위한 면을 구비하는 정전척을 가지는 재치대.
  7. 피처리면으로 되는 주면과 반대측의 이면을 가지는 피처리기판을 정전인력으로 흡착유지하는 정전척을 가지는 재치대로서, 상기 기판을 그 상기 이면을 통하여 지지하기 위한 지지면을 가지는 재치대 본체와, 상기 지지면에 배설되어 서로 절연되는 제1 및 제2전극(32a),(32b)과, 상기 제1전극(32a)에 제1전위를 선택적으로 부여하는 제1전원수단과, 상기 제2전극(32b)에 상기 제1전위와는 다른 제2전위를 선택적으로 부여하는 제2전원수단과, 상기 제1 및 제2전원수단보다도 상기 제1 및 제2전극(32a),(32b)에 가까운 위치에서, 상기 제1 및 제2전극(32a),(32b)을 선택적으로 접속 및 분리하는 스위치 수단과, 상기 제1 및 제2전극(32a),(32b)을 각각 피복하여 서로 절연되고, 상기 기판이 상기 지지면상에 지지된 때, 상기 기판의 상기 이면과 접촉하는 표면을 각각 가지며, 상기 기판을 흡착유지하는 때의 온도범위에서 1×1010Ωㆍ㎝ ~ 1×1012Ωㆍ㎝ 의 비저항을 가지는 제1 및 제2저항층(3a),(3b)을 구비하며, 여기에서, 상기 제1 및 제2전극(32a),(32b)에 각각 상기 제1 및 제2전위가 부여된 상태에서 상기 제1전원수단으로부터 상기 기판을 통하여 상기 제2전원수단에 이르는 폐(閉)루우프가 형성되며, 또 상기 제1 및 제2저항층(3a),(3b)의 상기 표면과 상기 기판이 상기 이면과의 사이에 접촉전위차가 생기며, 이것에 의하여 상기 기판이 상기 제1 및 제2저항층(3a),(3b)에 흡착유지되며, 또, 제1 및 제2전극(32a),(32b)에 함께 상기 제1전위가 부여되며, 또 상기 기판에 상기 제1전위와는 다른 제3전위가 부여된 상태에서 상기 제1 및 제2저항층(3a),(3b)의 상기 표면과 상기 기판의 상기 이면과의 사이에 접촉전위차가 생기며, 이것에 의하여 상기 기판이 상기 제1 및 제2저항층(3a),(3b)에 흡착유지되는 것을 특징으로 하는 정전척을 가지는 재치대.
  8. 제7항에 있어서, 상기 저항층의 상기 표면이, 중심선 평균 거칠기가 0.1~1.5㎛ 로 되는 표면 거칠기를 가지도록 설정되는 정전척을 가지는 재치대.
  9. 제8항에 있어서, 상기 온도범위가 -50~120℃ 이고, 상기 저항층이 SiC, 도전성 불순물의 함유량이 조정된 Al2O3로 구성하는 군에서 선택된 재료로 이루어지는 정전척을 가지는 재치대.
  10. 제9항에 있어서, 상기 지지면이 반도체 웨이퍼(W)를 지지하기 위한 면을 구비하는 정전척을 가지는 재치대.
  11. 피처리면으로 되는 주면과 반대측의 이면을 가지는 피처리 기판을, 정전인력으로 흡착유지하는 정전척을 가지는 재치대로 지지하면서, 처리가스의 플라즈마를 사용하여 상기 피처리면을 처리하는 플라즈마 처리 장치로서, (a) 상기 기판을 수납하기 위한 처리실(1)과, (b) 상기 처리실(1)에 상기 처리가스를 공급하기 위한 수단과, (c) 상기 처리실(1)을 배기함과 동시에, 진공상태로 설정하기 위한 수단과, (d) 상기 처리실(1) 내에서 상기 처리가스를 플라즈마화하기 위한 수단과, (e) 상기 처리실(1) 내에 배설된 상기 재치대를 구비하며, 상기 재치대가, 상기 기판을 그 상기 이면을 통하여 지지하기 위한 지지면을 가지는 재치대 본체와, 상기 지지면에 배설된 척전극(32)과, 상기 척전극(32)에 제1전위를 선택적으로 부여하는 전원수단과, 상기 척전극(32)을 피복하고, 상기 기판이 상기 지지면상에 지지된 때, 상기 기판의 상기 이면과 대면하는 표면을 가지며, 상기 기판을 흡착 유지할 때의 온도범위에서 1×1010Ωㆍ㎝ ~ 1×1012Ωㆍ㎝ 의 비저항을 가지는 저항층(3)을 구비하며, 여기에서, 상기 척전극(32)에 상기 제1전위가 부여됨과 동시에, 상기 플라즈마를 통하여 상기 기판에 상기 제1전위와는 다른 제2전위가 부여된 상태에서, 상기 저항층(3)의 상기 표면과 상기 기판의 상기 이면과의 사이에 접촉전위차가 발생하고, 이것에 의하여 상기 기판이 상기 저항층(3)에 흡착유지되는 것을 특징으로 하는 플라즈마 처리 장치.
  12. 제11항에 있어서, 상기 저항층(3)의 상기 표면이, 중심선 평균 거칠기가, 0.1~1.5㎛로 되는 표면 거칠기를 가지도록 설정되며, 또 상기 기판의 상기 이면과 직접 접촉하는 플라즈마 처리장치.
  13. 제11항에 있어서, 상기 저항층(3)의 상기 표면이, 절연물로 구성되는 코팅으로 피복되고, 상기 코팅의 두께는 1㎛ 이하인 플라즈마 처리장치.
  14. 제11항에 있어서, 상기 온도범위가 -50~120℃ 이고, 상기 저항층(3)이 SiC, 도전성 불순물의 함유량이 조정된 Al2O3로 구성하는 군(群)에서 선택된 재료로 이루어지는 플라즈마 처리장치.
  15. 제11항에 있어서, 상기 온도범위가 300~600℃ 이고, 상기 저항층(3)이 피롤성 보론 질화물, Si3N4, 도전성 불순물의 함유량이 조정된 Al2O3로 구성하는 군에서 선택된 재료로 이루어지는 플라즈마 처리장치.
  16. 제11항에 있어서, 상기 지지면이 반도체 웨이퍼(W)를 지지하기 위한 면을 구비하는 정전척을 가지는 플라즈마 처리장치.
  17. 피처리면으로 되는 주면과 반대측의 이면을 가지는 피처리 기판을, 정전인력으로 흡착유지하는 정전척을 가지는 재치대로 지지하면서, 처리가스의 플라즈마를 사용하여 상기 피처리면을 처리하는 플라즈마 처리 장치로서, (a) 상기 기판을 수납하기 위한 처리실(1)과, (b) 상기 처리실(1)에 상기 처리가스를 공급하기 위한 수단과, (c) 상기 처리실(1)을 배기함과 동시에, 진공상태로 설정하기 위한 수단과, (d) 상기 처리실(1) 내에서 상기 처리가스를 플라즈마화하기 위한 수단과, (e) 상기 처리실(1) 내에 배설된 상기 재치대를 구비하며, 상기 재치대가, 상기 기판을 그 상기 이면을 통하여 지지하기 위한 지지면을 가지는 재치대 본체와, 상기 지지면에 배설되어 서로 절연되는 제1 및 제2전극(32a),(32b)과, 상기 제1전극(32a)에 제1전위를 선택적으로 부여하는 제1전원수단과, 상기 제2전극(32b)에 상기 제1전위와는 다른 제2전위를 선택적으로 부여하는 제2전원수단과, 상기 제1 및 제2전원수단보다도 상기 제1 및 제2전극(32a),(32b)에 가까운 위치에서, 상기 제1 및 제2전극(32a),(32b)을 선택적으로 접속 및 분리하는 스위치 수단과, 상기 제1 및 제2전극(32a),(32b)을 각각 피복하여 서로 연결되고, 상기 기판이 상기 지지면상에 지지된 때, 상기 기판의 상기 이면과 접촉하는 표면을 각각 가지며, 상기 기판을 흡착 유지할 때의 온도범위에서 1×1010Ωㆍ㎝ ~ 1×1012Ωㆍ㎝의 비저항을 가지는 제1 및 제2저항층(3a),(3b)을 구비하며, 여기에서, 상기 제1 및 제2전극(32a),(32b)에 각각 상기 제1 및 제2전위가 부여된 상태에서, 상기 제1전원수단으로부터 상기 기판을 통하여 상기 제2전원수단에 이르는 폐(閉)루우프가 형성되고, 또 상기 제1 및 제2저항층(3a),(3b)의 상기 표면과 상기 기판의 상기 이면과의 사이에 접촉전위차가 생기며, 이것에 의하여 상기 기판이 상기 제1 및 제2저항층(3a),(3b)에 흡착유지되며, 또, 제1 및 제2전극(32a),(32b)에 함께 상기 제1전위가 부여되며, 또 상기 플라즈마를 통하여 상기 기판에 상기 제1전위와는 다른 제3전위가 부여된 상태에서, 상기 제1 및 제2저항층(3a),(3b)의 상기 표면과 상기 기판의 상기 이면과의 사이에 접촉전위차가 생기며, 이것에 의하여 상기 기판이 상기 제1 및 제2저항층(3a),(3b)에 흡착유지되는 것을 특징으로 하는 플라즈마 처리장치.
  18. 제17항에 있어서, 상기 저항층(3a),(3b)의 상기 표면이, 중심선 평균 거칠기가, 0.1~1.5㎛로 되는 표면 거칠기를 가지도록 설정되는 플라즈마 처리장치.
  19. 제18항에 있어서, 상기 온도범위가 -50~120℃ 이고, 상기 저항층(3a),(3b)이 SiC, 도전성 불순물의 함유량이 조정된 Al2O3로 구성하는 군에서 선택된 재료로 이루어지는 플라즈마 처리장치.
  20. 제19항에 있어서, 상기 지지면이 반도체 웨이퍼(W)를 지지하기 위한 면을 구비하는 정전척을 가지는 플라즈마 처리장치.
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US (1) US5460684A (ko)
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Cited By (1)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
KR100834479B1 (ko) * 2005-10-11 2008-06-05 미쓰비시덴키 가부시키가이샤 소자기판의 제조 방법 및 기판 지지장치

Families Citing this family (113)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
US5539609A (en) * 1992-12-02 1996-07-23 Applied Materials, Inc. Electrostatic chuck usable in high density plasma
US5800618A (en) * 1992-11-12 1998-09-01 Ngk Insulators, Ltd. Plasma-generating electrode device, an electrode-embedded article, and a method of manufacturing thereof
JPH07249586A (ja) * 1993-12-22 1995-09-26 Tokyo Electron Ltd 処理装置及びその製造方法並びに被処理体の処理方法
US5885469B1 (en) * 1996-11-05 2000-08-08 Applied Materials Inc Topographical structure of an electrostatic chuck and method of fabricating same
US5801915A (en) * 1994-01-31 1998-09-01 Applied Materials, Inc. Electrostatic chuck having a unidirectionally conducting coupler layer
US5822171A (en) * 1994-02-22 1998-10-13 Applied Materials, Inc. Electrostatic chuck with improved erosion resistance
TW254030B (en) * 1994-03-18 1995-08-11 Anelva Corp Mechanic escape mechanism for substrate
JP2720420B2 (ja) * 1994-04-06 1998-03-04 キヤノン販売株式会社 成膜／エッチング装置
US5730801A (en) * 1994-08-23 1998-03-24 Applied Materials, Inc. Compartnetalized substrate processing chamber
US5595241A (en) * 1994-10-07 1997-01-21 Sony Corporation Wafer heating chuck with dual zone backplane heating and segmented clamping member
EP0871843B1 (en) * 1994-10-17 2003-05-14 Varian Semiconductor Equipment Associates Inc. Mounting member and method for clamping a flat thin conductive workpiece
US5587045A (en) * 1995-04-27 1996-12-24 International Business Machines Corporation Gettering of particles from an electro-negative plasma with insulating chuck
JP3585578B2 (ja) * 1995-05-30 2004-11-04 アネルバ株式会社 プラズマ処理装置
US6042686A (en) * 1995-06-30 2000-03-28 Lam Research Corporation Power segmented electrode
TW286414B (en) * 1995-07-10 1996-09-21 Watkins Johnson Co Electrostatic chuck assembly
TW283250B (en) 1995-07-10 1996-08-11 Watkins Johnson Co Plasma enhanced chemical processing reactor and method
US5847918A (en) * 1995-09-29 1998-12-08 Lam Research Corporation Electrostatic clamping method and apparatus for dielectric workpieces in vacuum processors
US6181555B1 (en) 1995-09-29 2001-01-30 Intel Corporation Cooling system for integrated circuit chips in a portable computer
US5810933A (en) * 1996-02-16 1998-09-22 Novellus Systems, Inc. Wafer cooling device
US5764471A (en) * 1996-05-08 1998-06-09 Applied Materials, Inc. Method and apparatus for balancing an electrostatic force produced by an electrostatic chuck
JP3852980B2 (ja) * 1996-05-21 2006-12-06 キヤノンアネルバ株式会社 薄膜作成方法及びスパッタリング装置
US6001183A (en) * 1996-06-10 1999-12-14 Emcore Corporation Wafer carriers for epitaxial growth processes
US5865938A (en) * 1996-06-25 1999-02-02 Xerox Corporation Wafer chuck for inducing an electrical bias across wafer heterojunctions
US5637189A (en) * 1996-06-25 1997-06-10 Xerox Corporation Dry etch process control using electrically biased stop junctions
US5986873A (en) * 1996-07-01 1999-11-16 Packard Hughes Interconnect Co. Creating surface topography on an electrostatic chuck with a mandrel
US5790365A (en) * 1996-07-31 1998-08-04 Applied Materials, Inc. Method and apparatus for releasing a workpiece from and electrostatic chuck
US5993594A (en) 1996-09-30 1999-11-30 Lam Research Corporation Particle controlling method and apparatus for a plasma processing chamber
JPH10284360A (ja) 1997-04-02 1998-10-23 Hitachi Ltd 基板温度制御装置及び方法
JP3160229B2 (ja) * 1997-06-06 2001-04-25 日本エー・エス・エム株式会社 プラズマｃｖｄ装置用サセプタ及びその製造方法
US6359264B1 (en) * 1998-03-11 2002-03-19 Applied Materials, Inc. Thermal cycling module
JP3171161B2 (ja) * 1998-03-20 2001-05-28 日本電気株式会社 プラズマエッチング方法及びプラズマエッチング装置
US6129808A (en) 1998-03-31 2000-10-10 Lam Research Corporation Low contamination high density plasma etch chambers and methods for making the same
US6464843B1 (en) 1998-03-31 2002-10-15 Lam Research Corporation Contamination controlling method and apparatus for a plasma processing chamber
US5969934A (en) * 1998-04-10 1999-10-19 Varian Semiconductor Equipment Associats, Inc. Electrostatic wafer clamp having low particulate contamination of wafers
US6033482A (en) 1998-04-10 2000-03-07 Applied Materials, Inc. Method for igniting a plasma in a plasma processing chamber
US6104596A (en) * 1998-04-21 2000-08-15 Applied Materials, Inc. Apparatus for retaining a subtrate in a semiconductor wafer processing system and a method of fabricating same
US6080272A (en) * 1998-05-08 2000-06-27 Micron Technology, Inc. Method and apparatus for plasma etching a wafer
US6106682A (en) 1998-05-22 2000-08-22 Cvc Products, Inc. Thin-film processing electromagnet for low-skew magnetic orientation
US6042707A (en) * 1998-05-22 2000-03-28 Cvc Products, Inc. Multiple-coil electromagnet for magnetically orienting thin films
JP2000049216A (ja) * 1998-07-28 2000-02-18 Mitsubishi Electric Corp プラズマ処理装置および当該装置で用いられる静電チャック吸着方法
KR100271773B1 (ko) * 1998-10-01 2001-02-01 윤종용 건식식각장치용 배기일렉트로드 및 이를 포함하는 반도체장치제조용 건식식각장치의 공정챔버
WO2000045427A1 (en) * 1999-01-29 2000-08-03 Tokyo Electron Limited Method and apparatus for plasma processing
JP4236329B2 (ja) * 1999-04-15 2009-03-11 日本碍子株式会社 プラズマ処理装置
US6490146B2 (en) 1999-05-07 2002-12-03 Applied Materials Inc. Electrostatic chuck bonded to base with a bond layer and method
US6310755B1 (en) 1999-05-07 2001-10-30 Applied Materials, Inc. Electrostatic chuck having gas cavity and method
US6462928B1 (en) 1999-05-07 2002-10-08 Applied Materials, Inc. Electrostatic chuck having improved electrical connector and method
JP3805134B2 (ja) * 1999-05-25 2006-08-02 東陶機器株式会社 絶縁性基板吸着用静電チャック
US6368410B1 (en) * 1999-06-28 2002-04-09 General Electric Company Semiconductor processing article
CN1207939C (zh) * 1999-09-29 2005-06-22 东京电子株式会社 多区电阻加热器
US6740853B1 (en) 1999-09-29 2004-05-25 Tokyo Electron Limited Multi-zone resistance heater
US6538873B1 (en) 1999-11-02 2003-03-25 Varian Semiconductor Equipment Associates, Inc. Active electrostatic seal and electrostatic vacuum pump
US6362946B1 (en) 1999-11-02 2002-03-26 Varian Semiconductor Equipment Associates, Inc. Electrostatic wafer clamp having electrostatic seal for retaining gas
US6673198B1 (en) * 1999-12-22 2004-01-06 Lam Research Corporation Semiconductor processing equipment having improved process drift control
KR100560643B1 (ko) * 2000-01-18 2006-03-16 삼성전자주식회사 반도체 제조 공정에서 사용되는 정전척
US6638359B2 (en) * 2000-01-31 2003-10-28 Canon Kabushiki Kaisha Deposited film forming apparatus and deposited film forming method
JP3990867B2 (ja) * 2000-01-31 2007-10-17 キヤノン株式会社 堆積膜形成装置および堆積膜形成方法
JP4240728B2 (ja) * 2000-02-09 2009-03-18 株式会社東芝 ３次元軸流タービン段落
US6494958B1 (en) * 2000-06-29 2002-12-17 Applied Materials Inc. Plasma chamber support with coupled electrode
US6890861B1 (en) * 2000-06-30 2005-05-10 Lam Research Corporation Semiconductor processing equipment having improved particle performance
US6506254B1 (en) 2000-06-30 2003-01-14 Lam Research Corporation Semiconductor processing equipment having improved particle performance
US6544895B1 (en) * 2000-08-17 2003-04-08 Micron Technology, Inc. Methods for use of pulsed voltage in a plasma reactor
US6485572B1 (en) * 2000-08-28 2002-11-26 Micron Technology, Inc. Use of pulsed grounding source in a plasma reactor
TWI272689B (en) * 2001-02-16 2007-02-01 Tokyo Electron Ltd Method and apparatus for transferring heat from a substrate to a chuck
WO2002067481A1 (en) * 2001-02-20 2002-08-29 University Of Maryland, Baltimore County Widely tunable and integrated optical system and method
US7161121B1 (en) * 2001-04-30 2007-01-09 Lam Research Corporation Electrostatic chuck having radial temperature control capability
WO2002089531A1 (en) * 2001-04-30 2002-11-07 Lam Research, Corporation Method and apparatus for controlling the spatial temperature distribution across the surface of a workpiece support
US20050211385A1 (en) * 2001-04-30 2005-09-29 Lam Research Corporation, A Delaware Corporation Method and apparatus for controlling spatial temperature distribution
JP2003060012A (ja) * 2001-08-08 2003-02-28 Asm Japan Kk 半導体処理用反応チャンバ
JP2003060019A (ja) * 2001-08-13 2003-02-28 Hitachi Ltd ウエハステージ
US6538872B1 (en) 2001-11-05 2003-03-25 Applied Materials, Inc. Electrostatic chuck having heater and method
JP4040284B2 (ja) * 2001-11-08 2008-01-30 住友大阪セメント株式会社 プラズマ発生用電極内蔵型サセプタ及びその製造方法
TW591714B (en) * 2002-02-20 2004-06-11 Radiiontech Co Ltd Cleaning apparatus using atmospheric pressure plasma
KR100511854B1 (ko) * 2002-06-18 2005-09-02 아네르바 가부시키가이샤 정전 흡착 장치
US7255775B2 (en) * 2002-06-28 2007-08-14 Toshiba Ceramics Co., Ltd. Semiconductor wafer treatment member
US20040066601A1 (en) * 2002-10-04 2004-04-08 Varian Semiconductor Equipment Associates, Inc. Electrode configuration for retaining cooling gas on electrostatic wafer clamp
TWI327336B (en) * 2003-01-13 2010-07-11 Oc Oerlikon Balzers Ag Arrangement for processing a substrate
US7103482B2 (en) * 2003-02-03 2006-09-05 Qcept Technologies, Inc. Inspection system and apparatus
US6957154B2 (en) * 2003-02-03 2005-10-18 Qcept Technologies, Inc. Semiconductor wafer inspection system
US7308367B2 (en) * 2003-02-03 2007-12-11 Qcept Technologies, Inc. Wafer inspection system
US7107158B2 (en) * 2003-02-03 2006-09-12 Qcept Technologies, Inc. Inspection system and apparatus
US20050042881A1 (en) * 2003-05-12 2005-02-24 Tokyo Electron Limited Processing apparatus
US7152476B2 (en) * 2003-07-25 2006-12-26 Qcept Technologies, Inc. Measurement of motions of rotating shafts using non-vibrating contact potential difference sensor
US7129731B2 (en) * 2003-09-02 2006-10-31 Thermal Corp. Heat pipe with chilled liquid condenser system for burn-in testing
US20050067146A1 (en) * 2003-09-02 2005-03-31 Thayer John Gilbert Two phase cooling system method for burn-in testing
US7013956B2 (en) * 2003-09-02 2006-03-21 Thermal Corp. Heat pipe evaporator with porous valve
JP4421874B2 (ja) * 2003-10-31 2010-02-24 東京エレクトロン株式会社 プラズマ処理装置及びプラズマ処理方法
US7697260B2 (en) * 2004-03-31 2010-04-13 Applied Materials, Inc. Detachable electrostatic chuck
US20060144337A1 (en) * 2005-01-06 2006-07-06 Hsien-Che Teng Heater for heating a wafer and method for preventing contamination of the heater
JP2007043042A (ja) * 2005-07-07 2007-02-15 Sumitomo Electric Ind Ltd ウェハ保持体およびその製造方法、ならびにそれを搭載したウェハプローバ及び半導体加熱装置
JP5094002B2 (ja) * 2005-09-06 2012-12-12 ルネサスエレクトロニクス株式会社 プラズマ処理装置およびその異常放電抑止方法
KR100783569B1 (ko) * 2005-12-29 2007-12-10 코리아세미텍 주식회사 캡 형 정전척
US8226769B2 (en) 2006-04-27 2012-07-24 Applied Materials, Inc. Substrate support with electrostatic chuck having dual temperature zones
US9275887B2 (en) * 2006-07-20 2016-03-01 Applied Materials, Inc. Substrate processing with rapid temperature gradient control
US20080073032A1 (en) * 2006-08-10 2008-03-27 Akira Koshiishi Stage for plasma processing apparatus, and plasma processing apparatus
US7589950B2 (en) * 2006-10-13 2009-09-15 Applied Materials, Inc. Detachable electrostatic chuck having sealing assembly
KR100867191B1 (ko) * 2006-11-02 2008-11-06 주식회사 유진테크 기판처리장치 및 기판처리방법
US7659734B2 (en) * 2007-03-07 2010-02-09 Qcept Technologies, Inc. Semiconductor inspection system and apparatus utilizing a non-vibrating contact potential difference sensor and controlled illumination
US9147588B2 (en) * 2007-03-09 2015-09-29 Tel Nexx, Inc. Substrate processing pallet with cooling
US7900526B2 (en) * 2007-11-30 2011-03-08 Qcept Technologies, Inc. Defect classification utilizing data from a non-vibrating contact potential difference sensor
JP5223377B2 (ja) * 2008-02-29 2013-06-26 東京エレクトロン株式会社 プラズマ処理装置用の電極、プラズマ処理装置及びプラズマ処理方法
US7752000B2 (en) * 2008-05-02 2010-07-06 Qcept Technologies, Inc. Calibration of non-vibrating contact potential difference measurements to detect surface variations that are perpendicular to the direction of sensor motion
US20100071614A1 (en) * 2008-09-22 2010-03-25 Momentive Performance Materials, Inc. Fluid distribution apparatus and method of forming the same
JP5502879B2 (ja) * 2009-09-29 2014-05-28 株式会社東芝 基板処理装置
TWI502617B (zh) 2010-07-21 2015-10-01 應用材料股份有限公司 用於調整電偏斜的方法、電漿處理裝置與襯管組件
US8888086B2 (en) * 2011-05-11 2014-11-18 Sematech, Inc. Apparatus with surface protector to inhibit contamination
US10388493B2 (en) * 2011-09-16 2019-08-20 Lam Research Corporation Component of a substrate support assembly producing localized magnetic fields
US9869392B2 (en) 2011-10-20 2018-01-16 Lam Research Corporation Edge seal for lower electrode assembly
US9859142B2 (en) 2011-10-20 2018-01-02 Lam Research Corporation Edge seal for lower electrode assembly
US10586686B2 (en) 2011-11-22 2020-03-10 Law Research Corporation Peripheral RF feed and symmetric RF return for symmetric RF delivery
US9881772B2 (en) * 2012-03-28 2018-01-30 Lam Research Corporation Multi-radiofrequency impedance control for plasma uniformity tuning
US9232626B2 (en) 2013-11-04 2016-01-05 Kla-Tencor Corporation Wafer grounding using localized plasma source
US10090211B2 (en) 2013-12-26 2018-10-02 Lam Research Corporation Edge seal for lower electrode assembly
JP6723660B2 (ja) * 2017-03-24 2020-07-15 住友重機械イオンテクノロジー株式会社 ウェハ保持装置及びウェハ着脱方法

Family Cites Families (9)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
JPS6372877A (ja) * 1986-09-12 1988-04-02 Tokuda Seisakusho Ltd 真空処理装置
JPS63238288A (ja) * 1987-03-27 1988-10-04 Fujitsu Ltd ドライエツチング方法
JPH0478133A (ja) * 1990-07-20 1992-03-12 Tokyo Electron Ltd プラズマ処理装置
US5234527A (en) * 1990-07-20 1993-08-10 Tokyo Electron Limited Liquid level detecting device and a processing apparatus
JPH06103683B2 (ja) * 1990-08-07 1994-12-14 株式会社東芝 静電吸着方法
JPH04196528A (ja) * 1990-11-28 1992-07-16 Toshiba Corp マグネトロンエッチング装置
JPH04207026A (ja) * 1990-11-30 1992-07-29 Toshiba Corp プラズマ処理装置
EP0493089B1 (en) * 1990-12-25 1998-09-16 Ngk Insulators, Ltd. Wafer heating apparatus and method for producing the same
US5275683A (en) * 1991-10-24 1994-01-04 Tokyo Electron Limited Mount for supporting substrates and plasma processing apparatus using the same

Cited By (1)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
KR100834479B1 (ko) * 2005-10-11 2008-06-05 미쓰비시덴키 가부시키가이샤 소자기판의 제조 방법 및 기판 지지장치

Also Published As

Publication number Publication date
US5460684A (en) 1995-10-24
KR940016390A (ko) 1994-07-23

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