JPH033258A - 光半導体装置およびその製法ならびにそれに用いる光半導体封止用樹脂組成物 - Google Patents
光半導体装置およびその製法ならびにそれに用いる光半導体封止用樹脂組成物Info
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- JPH033258A JPH033258A JP13692789A JP13692789A JPH033258A JP H033258 A JPH033258 A JP H033258A JP 13692789 A JP13692789 A JP 13692789A JP 13692789 A JP13692789 A JP 13692789A JP H033258 A JPH033258 A JP H033258A
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- epoxy resin
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- optical
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- Encapsulation Of And Coatings For Semiconductor Or Solid State Devices (AREA)
Abstract
(57)【要約】本公報は電子出願前の出願データであるた
め要約のデータは記録されません。
め要約のデータは記録されません。
Description
【発明の詳細な説明】
［産業上の利用分野］
本発明は、光学ムラのない光半導体装置およびその製法
ならびにそれに用いられる光半導体封止用樹脂組成物に
関するものである。
ならびにそれに用いられる光半導体封止用樹脂組成物に
関するものである。
（従来の技術）
従来から、固体撮像素子等の受光素子は、一般にセラミ
ックパッケージによって中空状に封止され装置化されて
いる。しかしながら、上記セラミックパッケージは、構
成材料が比較的高価なものであることと、量産性に劣る
欠点があるため、プラスチックパッケージを用いた樹脂
封止が検討されている。上記プラスチックパッケージを
用いた樹脂封止のなかでも、特に、エポキシ樹脂組成物
を用いた樹脂封止が検討されている。上記エポキシ樹脂
組成物は、エポキシ樹脂、硬化剤、硬化促進剤およびそ
の他の添加剤を加熱しながら溶融混合して得られる。
ックパッケージによって中空状に封止され装置化されて
いる。しかしながら、上記セラミックパッケージは、構
成材料が比較的高価なものであることと、量産性に劣る
欠点があるため、プラスチックパッケージを用いた樹脂
封止が検討されている。上記プラスチックパッケージを
用いた樹脂封止のなかでも、特に、エポキシ樹脂組成物
を用いた樹脂封止が検討されている。上記エポキシ樹脂
組成物は、エポキシ樹脂、硬化剤、硬化促進剤およびそ
の他の添加剤を加熱しながら溶融混合して得られる。
しかしながら、上記方法により得られる光半導体封止用
エポキシ樹脂組成物は、エポキシ樹脂硬化剤および硬化
促進剤の各成分の分散性が不充分であり、均一に混合分
散されていない。そのため、例えば、上記のような光半
導体封止用エポキシ樹脂組成物を用いてトランスファー
成形を行うと、つぎのような問題が生じる。すなわち、
第１図に示すように、カル１内にタブレット状の光半導
体封止用エポキシ樹脂組成物を投入しプランジャー２で
押圧すると、上記光半導体封止用エポキシ樹脂組成物は
矢印に示すように流動しランナー３を通過してキャビテ
ィー４内に流入する。そして、第２図に示すように、光
半導体封土用エポキシ樹脂組成物は矢印のように、ゲー
ト５を通過し、キャビティー４内のフレーム６上に搭載
された固体撮像素子７を樹脂封止する。この樹脂封止に
際して、キャビティー４内で光半導体封止用エポキシ樹
脂組成物を硬化させると、光半導体封止用エポキシ樹脂
組成物の各成分の分散状態が不均一なため、硬化反応の
速い部分と遅い部分が存在し、その硬化反応の速度差に
より、硬化密度の差が生じ、封止樹脂に、樹脂の流れ方
向に沿って延びる縞模様の光学むらが形成されるという
問題が生じる。このような光学むらは、例えば固体撮像
素子７のエリアセンサーを上記のように従来の光半導体
封止用エポキシ樹脂組成物で樹脂封止した場合において
、封止体に強い平行光を当て絞りをＦ−３２まで絞ると
、その↑最像に縞模様となって現れる。
エポキシ樹脂組成物は、エポキシ樹脂硬化剤および硬化
促進剤の各成分の分散性が不充分であり、均一に混合分
散されていない。そのため、例えば、上記のような光半
導体封止用エポキシ樹脂組成物を用いてトランスファー
成形を行うと、つぎのような問題が生じる。すなわち、
第１図に示すように、カル１内にタブレット状の光半導
体封止用エポキシ樹脂組成物を投入しプランジャー２で
押圧すると、上記光半導体封止用エポキシ樹脂組成物は
矢印に示すように流動しランナー３を通過してキャビテ
ィー４内に流入する。そして、第２図に示すように、光
半導体封土用エポキシ樹脂組成物は矢印のように、ゲー
ト５を通過し、キャビティー４内のフレーム６上に搭載
された固体撮像素子７を樹脂封止する。この樹脂封止に
際して、キャビティー４内で光半導体封止用エポキシ樹
脂組成物を硬化させると、光半導体封止用エポキシ樹脂
組成物の各成分の分散状態が不均一なため、硬化反応の
速い部分と遅い部分が存在し、その硬化反応の速度差に
より、硬化密度の差が生じ、封止樹脂に、樹脂の流れ方
向に沿って延びる縞模様の光学むらが形成されるという
問題が生じる。このような光学むらは、例えば固体撮像
素子７のエリアセンサーを上記のように従来の光半導体
封止用エポキシ樹脂組成物で樹脂封止した場合において
、封止体に強い平行光を当て絞りをＦ−３２まで絞ると
、その↑最像に縞模様となって現れる。
本発明は、このような事情に鑑みなされたもので、硬化
物に光学むらを生じさせることのない光半導体封止用樹
脂組成物およびそれを用いた光半導体装置ならびにその
製法の提供をその目的とする。
物に光学むらを生じさせることのない光半導体封止用樹
脂組成物およびそれを用いた光半導体装置ならびにその
製法の提供をその目的とする。
［問題点を解決するための手段］
上記の目的を達成するため、本発明は、−封止樹脂が、
エポキシ樹脂、硬化剤および硬化促進剤を構成成分とす
るＢステージ状の光半導体封止用エポキシ樹脂組成物で
あって、微粉砕均一混合され、最大粒径３０μｍ以下の
粒子の占める割合が９０重量％以上に設定されている樹
脂組成物の硬化体で構成されている光半導体装置を第１
の要旨とし、エポキシ樹脂、硬化剤および硬化促進剤を
構成成分とするＢステージ状の光半導体封土用エポキシ
樹脂組成物であって、微粉砕均一混合され、最大粒径３
０μｍ以下の粒子の占める割合が９０重量％以上に設定
されている光半導体封止用エボキシ樹脂組成物を第２の
要旨とし、上記光半導体封止用エポキシ樹脂組成物を用
い、冷間成形により打錠タブレット化されている光半導
体封止用エポキシ樹脂組成物を第３の要旨とし、上記光
半導体封止用エポキシ樹脂組成物を用い、トランスファ
ー成形により光半導体素子を封止する光半導体装置の製
法を第４の要旨とし、封止樹脂が、熱硬化性樹脂および
硬化剤を構成成分とするＢステージ状の光半導体封止用
熱硬化性樹脂組成物であって、微粉砕均一混合され、最
大粒径３０μ楯以下の粒子の占める割合が９０重量％以
上に設定されている樹脂組成物の硬化体で構成されてい
る光半導体装置を第５の要旨とし、熱硬化性樹脂および
硬化剤を構成成分とするＢステージ状の光半導体封止用
熱硬化性樹脂組成物であって、微粉砕均一混合され、最
大粒径３０μｍ以下の粒子の占める割合が９０重量％以
上に設定されている光半導体封止用熱硬化性樹脂組成物
を第６の要旨とする。
エポキシ樹脂、硬化剤および硬化促進剤を構成成分とす
るＢステージ状の光半導体封止用エポキシ樹脂組成物で
あって、微粉砕均一混合され、最大粒径３０μｍ以下の
粒子の占める割合が９０重量％以上に設定されている樹
脂組成物の硬化体で構成されている光半導体装置を第１
の要旨とし、エポキシ樹脂、硬化剤および硬化促進剤を
構成成分とするＢステージ状の光半導体封土用エポキシ
樹脂組成物であって、微粉砕均一混合され、最大粒径３
０μｍ以下の粒子の占める割合が９０重量％以上に設定
されている光半導体封止用エボキシ樹脂組成物を第２の
要旨とし、上記光半導体封止用エポキシ樹脂組成物を用
い、冷間成形により打錠タブレット化されている光半導
体封止用エポキシ樹脂組成物を第３の要旨とし、上記光
半導体封止用エポキシ樹脂組成物を用い、トランスファ
ー成形により光半導体素子を封止する光半導体装置の製
法を第４の要旨とし、封止樹脂が、熱硬化性樹脂および
硬化剤を構成成分とするＢステージ状の光半導体封止用
熱硬化性樹脂組成物であって、微粉砕均一混合され、最
大粒径３０μ楯以下の粒子の占める割合が９０重量％以
上に設定されている樹脂組成物の硬化体で構成されてい
る光半導体装置を第５の要旨とし、熱硬化性樹脂および
硬化剤を構成成分とするＢステージ状の光半導体封止用
熱硬化性樹脂組成物であって、微粉砕均一混合され、最
大粒径３０μｍ以下の粒子の占める割合が９０重量％以
上に設定されている光半導体封止用熱硬化性樹脂組成物
を第６の要旨とする。
すなわち、本発明者らは、光学むらを生じない光半導体
封止用エポキシ樹脂組成物を得るため一連の研究を重ね
る過程で、上記組成物自体の粒度が光学むらに影響を与
えるのではないかと着想し、これを中心に研究を重ねた
。その結果、エポキシ樹脂組成物をＢステージ状態（半
硬化状）にして粉砕した従来の封止用エポキシ樹脂組成
物では微粒子化の粒度が不充分であり、これを、最大粒
径が３０μｍ以下の粒子の占める割合が９０重量％（以
下「％」と略す）以上の微粉砕にすると、ここを臨界点
とし、その硬化体に光学むらが殆ど生じな（なることを
見いだし本発明に到達した。
封止用エポキシ樹脂組成物を得るため一連の研究を重ね
る過程で、上記組成物自体の粒度が光学むらに影響を与
えるのではないかと着想し、これを中心に研究を重ねた
。その結果、エポキシ樹脂組成物をＢステージ状態（半
硬化状）にして粉砕した従来の封止用エポキシ樹脂組成
物では微粒子化の粒度が不充分であり、これを、最大粒
径が３０μｍ以下の粒子の占める割合が９０重量％（以
下「％」と略す）以上の微粉砕にすると、ここを臨界点
とし、その硬化体に光学むらが殆ど生じな（なることを
見いだし本発明に到達した。
なお、上記微粉砕均一混合されていて光学むらが生じな
いとは、表面が研磨され研磨表面の表面粗さが１．５μ
ｍ以下の凹凸状差を有し１２０°のわん曲部をもつラン
ナー形状の平板（厚み３．０ ｍｍ、幅５ａ）に仕上げ
られた樹脂硬化物（１５０°Ｃ×６分のトランスファー
成形の後、さらに１５０°Ｃ×３時間硬化させたのち成
形金型のランナ一部から取り出したもの）を１／２イン
チ（１，２７ｃｍ）で３８万画素タイプの固体撮像素子
上に搭載し、光度１０カンデラの強い平行光を直角に当
て、絞り度をＦ−３２まで絞ったときの撮像に縞模様が
生じない状態のことをいう。
いとは、表面が研磨され研磨表面の表面粗さが１．５μ
ｍ以下の凹凸状差を有し１２０°のわん曲部をもつラン
ナー形状の平板（厚み３．０ ｍｍ、幅５ａ）に仕上げ
られた樹脂硬化物（１５０°Ｃ×６分のトランスファー
成形の後、さらに１５０°Ｃ×３時間硬化させたのち成
形金型のランナ一部から取り出したもの）を１／２イン
チ（１，２７ｃｍ）で３８万画素タイプの固体撮像素子
上に搭載し、光度１０カンデラの強い平行光を直角に当
て、絞り度をＦ−３２まで絞ったときの撮像に縞模様が
生じない状態のことをいう。
本発明の光半導体封止用エポキシ樹脂組成物は、エポキ
シ樹脂と硬化剤と硬化促進剤とを用いて得られるもので
あり、シリカ粉末等の充填剤は光の透過を損なうことか
ら使用しない。
シ樹脂と硬化剤と硬化促進剤とを用いて得られるもので
あり、シリカ粉末等の充填剤は光の透過を損なうことか
ら使用しない。
上記エポキシ樹脂としては、従来公知のもので着色の少
ないものであれば特に制限するものではない。例えば、
ビスフェノールＡ型エポキシ樹脂、ビスフェノールＦ型
エポキシ樹脂、フェノールノボラック型エポキシ樹脂、
脂環式エポキシ樹脂トリグリシジルイソシアネート ヒ
ダントインエポキシ等の含複素環エポキシ樹脂、水添加
ビスフェノールＡ型エポキシ樹脂、脂肪族系エポキシ樹
脂、グリシジルエーテル型エポキシ樹脂等があげられ、
単独でもしくは併せて用いられる。
ないものであれば特に制限するものではない。例えば、
ビスフェノールＡ型エポキシ樹脂、ビスフェノールＦ型
エポキシ樹脂、フェノールノボラック型エポキシ樹脂、
脂環式エポキシ樹脂トリグリシジルイソシアネート ヒ
ダントインエポキシ等の含複素環エポキシ樹脂、水添加
ビスフェノールＡ型エポキシ樹脂、脂肪族系エポキシ樹
脂、グリシジルエーテル型エポキシ樹脂等があげられ、
単独でもしくは併せて用いられる。
上記硬化剤としては、硬化時または硬化後に樹脂組成物
の硬化体に着色の少ない酸無水物が好適であるが特に制
限するものでない。例えば、上記酸無水物としては、無
水フタル酸、無水マレイン酸、無水トリメリット酸、無
水パイロメリット酸へキサヒドロ無水フタル酸、テトラ
ヒドロ無水フタル酸、無水メチルナジック酸、無水ナジ
ック酸、無水グルタル酸等があげられ、アミン系硬化側
としては、メタフェニレンジアミン、ジメチルジフェニ
ルメタン、ジアミノジフェニルスルホンｍ−キシレンジ
アミン、テトラエチレンペンタミン、ジエチルアミン、
プロピルアミン等があげられる。さらに、フェノール樹
脂系硬化剤等があげられ、いずれを用いても差し支えな
い。
の硬化体に着色の少ない酸無水物が好適であるが特に制
限するものでない。例えば、上記酸無水物としては、無
水フタル酸、無水マレイン酸、無水トリメリット酸、無
水パイロメリット酸へキサヒドロ無水フタル酸、テトラ
ヒドロ無水フタル酸、無水メチルナジック酸、無水ナジ
ック酸、無水グルタル酸等があげられ、アミン系硬化側
としては、メタフェニレンジアミン、ジメチルジフェニ
ルメタン、ジアミノジフェニルスルホンｍ−キシレンジ
アミン、テトラエチレンペンタミン、ジエチルアミン、
プロピルアミン等があげられる。さらに、フェノール樹
脂系硬化剤等があげられ、いずれを用いても差し支えな
い。
上記硬化促進剤としては、三級アミン、イミダゾール類
、カルボン酸金属塩、リン化合物等があげられる。
、カルボン酸金属塩、リン化合物等があげられる。
なお、本発明の光半導体封止用エポキシ樹脂組成物には
、上記各成分以外に必要に応じて着色防止剤、変性剤、
劣化防止剤、離型剤等の従来公知の添加剤が用いられる
。
、上記各成分以外に必要に応じて着色防止剤、変性剤、
劣化防止剤、離型剤等の従来公知の添加剤が用いられる
。
上記着色防止剤としては、フェノール系化合物アミン系
化合物、有機硫黄系化合物、ホスフイン系化合物等従来
公知のものがあげられる。
化合物、有機硫黄系化合物、ホスフイン系化合物等従来
公知のものがあげられる。
本発明の光半導体封止用エポキシ樹脂組成物は、例えば
つぎのようにして製造することができる。すなわち、ま
ず、上記各成分原料を混合してＢステージ状（半硬化状
）の光半導体封止用、エポキシ樹脂組成物を作製する。
つぎのようにして製造することができる。すなわち、ま
ず、上記各成分原料を混合してＢステージ状（半硬化状
）の光半導体封止用、エポキシ樹脂組成物を作製する。
上記各成分原料の混合法としては、一般に、溶融混合法
が用いられる。
が用いられる。
このとき、必要に応じて低温反応を施してもよい。つぎ
に、上記Ｂステージ状の光半導体封止用エポキシ樹脂組
成物を微粉砕し、必要に応じて打錠することにより光半
導体封止用エポキシ樹脂組成物を製造することができる
。なお、上記打錠方法としては、特に限定するものでは
ないが、例えば冷間成形により一般的に３００〜６００
０ ｋｇ／ｃｄ、好ましくは１０００〜２０００ ｋｇ
／ｃ４の条件で行う方法があげられる。このように、微
粉砕された光半導体封止用エポキシ樹脂組成物を打錠し
タブレット化してもその硬化物には光学むらはほとんど
生じない。
に、上記Ｂステージ状の光半導体封止用エポキシ樹脂組
成物を微粉砕し、必要に応じて打錠することにより光半
導体封止用エポキシ樹脂組成物を製造することができる
。なお、上記打錠方法としては、特に限定するものでは
ないが、例えば冷間成形により一般的に３００〜６００
０ ｋｇ／ｃｄ、好ましくは１０００〜２０００ ｋｇ
／ｃ４の条件で行う方法があげられる。このように、微
粉砕された光半導体封止用エポキシ樹脂組成物を打錠し
タブレット化してもその硬化物には光学むらはほとんど
生じない。
また、上記微粉砕方法としては、下記に示す粉砕粒度の
ものが得られる方法であるならば特に限定するものでは
なく、例えばジェットミル粉砕方法等があげられる。そ
して、上記方法により微粉砕することで、上記光半導体
封止用エポキシ樹脂組成物は、最大粒径３０μｍ以下の
ものを９０％以上含有する必要がある。好ましくは最大
粒径２０μ…以下のものを９０％以上、さらに好ましく
は最大粒径１０μｍ以下のものを９０％以上、そして特
に好ましくは最大粒径１．０μｍ以下のものを９０％以
上含有することである。ちなみに、本発明において、エ
ポキシ樹脂組成物を粉砕して最大粒径３０μｌ以下のも
のが少なくとも９０％を占める場合、残余は３０〜１０
０μ閘の粒径のものである。
ものが得られる方法であるならば特に限定するものでは
なく、例えばジェットミル粉砕方法等があげられる。そ
して、上記方法により微粉砕することで、上記光半導体
封止用エポキシ樹脂組成物は、最大粒径３０μｍ以下の
ものを９０％以上含有する必要がある。好ましくは最大
粒径２０μ…以下のものを９０％以上、さらに好ましく
は最大粒径１０μｍ以下のものを９０％以上、そして特
に好ましくは最大粒径１．０μｍ以下のものを９０％以
上含有することである。ちなみに、本発明において、エ
ポキシ樹脂組成物を粉砕して最大粒径３０μｌ以下のも
のが少なくとも９０％を占める場合、残余は３０〜１０
０μ閘の粒径のものである。
なお、上記打錠工程および微粉砕の作業を行う際には、
微粉砕することにより上記光半導体封止用エポキシ樹脂
組成物が吸湿し易くなっており、吸湿した場合エポキシ
樹脂組成物の硬化物のガラス転移温度の低下という不都
合を招くため、乾燥気流中等の水分の少ない環境下で行
うことが好ましい。
微粉砕することにより上記光半導体封止用エポキシ樹脂
組成物が吸湿し易くなっており、吸湿した場合エポキシ
樹脂組成物の硬化物のガラス転移温度の低下という不都
合を招くため、乾燥気流中等の水分の少ない環境下で行
うことが好ましい。
上記のような方法によって得られる光半導体封止用エポ
キシ樹脂組成物は、上記の構成を採用した結果、その硬
化体に硬化むらが生じない。なお、このような光半導体
封止用エポキシ樹脂組成物は、受光素子等の光半導体素
子の樹脂封止に用いられるため、光学的観点から透明の
ものが好ましい。この場合の「透明」とは、光半導体封
止用エポキシ樹脂組成物の硬化物が４００ｎｍにおける
透過率が９８％以上のものをいう。
キシ樹脂組成物は、上記の構成を採用した結果、その硬
化体に硬化むらが生じない。なお、このような光半導体
封止用エポキシ樹脂組成物は、受光素子等の光半導体素
子の樹脂封止に用いられるため、光学的観点から透明の
ものが好ましい。この場合の「透明」とは、光半導体封
止用エポキシ樹脂組成物の硬化物が４００ｎｍにおける
透過率が９８％以上のものをいう。
このような光半導体封止用エポキシ樹脂組成物を用いて
の受光素子等の光半導体素子の封止は、通常のトランス
ファー成形により行うことができる。
の受光素子等の光半導体素子の封止は、通常のトランス
ファー成形により行うことができる。
このようにして得られる光半導体装置は、例えば、第３
図に示すように、ボンディングパット１１上に接着剤１
２を介して受光素子である固体逼像素子１３を搭載し、
その上部に透明接着剤を用いてカラーフィルター１５を
接着し、これらを、光半導体封止用エポキシ樹脂組成物
１６で樹脂封止して構成されている。なお、上記カラー
フィルター１５はカラー画像を得るために設けられるも
のであり、モノクロームでは不用である。図において、
１７はガラス板、１８はボンディングワイヤー １９は
リードフレームである。
図に示すように、ボンディングパット１１上に接着剤１
２を介して受光素子である固体逼像素子１３を搭載し、
その上部に透明接着剤を用いてカラーフィルター１５を
接着し、これらを、光半導体封止用エポキシ樹脂組成物
１６で樹脂封止して構成されている。なお、上記カラー
フィルター１５はカラー画像を得るために設けられるも
のであり、モノクロームでは不用である。図において、
１７はガラス板、１８はボンディングワイヤー １９は
リードフレームである。
この光半導体装置は、本発明の光半導体封止用エポキシ
樹脂組成物で樹脂封止されているため、封止樹脂１６に
光学むらが生じない。したがって、これを作動させ得ら
れた画像には、光学、むらによる縞模様がみられない。
樹脂組成物で樹脂封止されているため、封止樹脂１６に
光学むらが生じない。したがって、これを作動させ得ら
れた画像には、光学、むらによる縞模様がみられない。
ちなみに、カラーフィルター１５上の封止樹脂の厚み２
を通常の０．５〜２工に設定して得られた光半導体装置
を用いた場合、光学むらは生じなかった。
を通常の０．５〜２工に設定して得られた光半導体装置
を用いた場合、光学むらは生じなかった。
以上のように、本発明の光半導体封止用エポキシ樹脂組
成物は、本発明者らが光学むらを生じない臨界点として
見いだした値（最大粒径３０μｍ以下の粒子が９０％以
上を占める）を満足させるように微粉砕されているため
、それを例えばトランスファー成形で硬化させる場合に
、従来のような硬化むらを殆ど生じない。したがって、
上記光半導体封止用エポキシ樹脂組成物は、特にコンパ
クトディスク（ＣＤ）の受光素子封止材料あるいは固体
撮像素子であるラインセンサー エリアセンサーの封止
材料に好適に用いることができる。
成物は、本発明者らが光学むらを生じない臨界点として
見いだした値（最大粒径３０μｍ以下の粒子が９０％以
上を占める）を満足させるように微粉砕されているため
、それを例えばトランスファー成形で硬化させる場合に
、従来のような硬化むらを殆ど生じない。したがって、
上記光半導体封止用エポキシ樹脂組成物は、特にコンパ
クトディスク（ＣＤ）の受光素子封止材料あるいは固体
撮像素子であるラインセンサー エリアセンサーの封止
材料に好適に用いることができる。
そして、このような光半導体封止用エポキシ樹脂組成物
を用い、例えば固体撮像素子等の受光素子を樹脂封止し
てなる光半導体装置は、形成画像に、樹脂の光学むらに
起因する縞模様が現れることのない高性能品であり、樹
脂封止品でありながら、セラミックパッケージ品と同等
かそれ以上の性能を発揮する。
を用い、例えば固体撮像素子等の受光素子を樹脂封止し
てなる光半導体装置は、形成画像に、樹脂の光学むらに
起因する縞模様が現れることのない高性能品であり、樹
脂封止品でありながら、セラミックパッケージ品と同等
かそれ以上の性能を発揮する。
なお、上記説明において、熱硬化性樹脂としてエポキシ
樹脂を代表例に説明しているが、特にエポキシ樹脂に制
限するものではなく、他の熱硬化性樹脂を用い、これに
硬化剤を加え必須成分とするものを用いても同様の効果
が得られる。
樹脂を代表例に説明しているが、特にエポキシ樹脂に制
限するものではなく、他の熱硬化性樹脂を用い、これに
硬化剤を加え必須成分とするものを用いても同様の効果
が得られる。
つぎに、実施例について比較例と併せて説明する。
下記の表に示す各原料を同表に示す割合で加熱溶解し混
合した後、低温で硬化反応を進行させることにより、温
度１５０°Ｃにおけるゲル化時間３０秒のＢステージ状
の光半導体封止用エポキシ樹脂組成物を作製した。つぎ
に、このＢステージ状の光半導体封止用エポキシ樹脂組
成物を表に示す粒度に粉砕することより目的とする光半
導体封止用エポキシ樹脂組成物を得た。なお、上記粉砕
方法としては、実施例１〜９についてはジェットミル粉
砕を行い、比較例１〜７についてはボールミル粉砕を行
った。
合した後、低温で硬化反応を進行させることにより、温
度１５０°Ｃにおけるゲル化時間３０秒のＢステージ状
の光半導体封止用エポキシ樹脂組成物を作製した。つぎ
に、このＢステージ状の光半導体封止用エポキシ樹脂組
成物を表に示す粒度に粉砕することより目的とする光半
導体封止用エポキシ樹脂組成物を得た。なお、上記粉砕
方法としては、実施例１〜９についてはジェットミル粉
砕を行い、比較例１〜７についてはボールミル粉砕を行
った。
（以下余白）
［実施例１〜９、比較例１〜７］
つぎに、実施例１で得られた粉末状の光半導体封止用エ
ポキシ樹脂組成物を用いて、実際に固体撮像素子である
エリアセンサーをダイレクトモールドして得られたもの
を用いてカメラを組み立てそれに強い平行光を当てカメ
ラの絞りをＦ−３２まで絞ったときの画像をデイスプレ
ィ画面に写した。その結果、画像には光学むらは認めら
れなかった。また、実施例２〜８で得られた粉末状の光
半導体封止用エポキシ樹脂組成物についても上記と同様
にして画像を得た。その結果、上記と同様画像には光学
むらは認められなかった。このときの固体撮像素子上の
封止樹脂の厚みは１ ｍ＋ｎであり、この厚みを２皿に
しても同様の結果が得られた。つぎに、比較例１で得ら
れた粉末状の光半導体封止用エポキシ樹脂組成物を用い
て上記と同様の操作を行い得られた画像をデイスプレィ
画面に写した。その結果、光学むらが認められ、また比
較例２〜７についても同様の結果が得られた。上記光学
むらの有無を表に光学むらＡとして併せて示した。
ポキシ樹脂組成物を用いて、実際に固体撮像素子である
エリアセンサーをダイレクトモールドして得られたもの
を用いてカメラを組み立てそれに強い平行光を当てカメ
ラの絞りをＦ−３２まで絞ったときの画像をデイスプレ
ィ画面に写した。その結果、画像には光学むらは認めら
れなかった。また、実施例２〜８で得られた粉末状の光
半導体封止用エポキシ樹脂組成物についても上記と同様
にして画像を得た。その結果、上記と同様画像には光学
むらは認められなかった。このときの固体撮像素子上の
封止樹脂の厚みは１ ｍ＋ｎであり、この厚みを２皿に
しても同様の結果が得られた。つぎに、比較例１で得ら
れた粉末状の光半導体封止用エポキシ樹脂組成物を用い
て上記と同様の操作を行い得られた画像をデイスプレィ
画面に写した。その結果、光学むらが認められ、また比
較例２〜７についても同様の結果が得られた。上記光学
むらの有無を表に光学むらＡとして併せて示した。
また、実施例および比較例で得られた光半導体封止用エ
ポキシ樹脂組成物を用いて、１５０°Ｃ×６分のトラン
スファー成形の後、さらに１５０°Ｃ×３時間硬化させ
たのち表面が研磨され研磨表面の表面粗さが１．５μｍ
以下の凹凸状差を有し１２０°のわん曲部をもつランナ
ー形状の平板（厚み３．０ｍｍ、幅５陥）を作製した。
ポキシ樹脂組成物を用いて、１５０°Ｃ×６分のトラン
スファー成形の後、さらに１５０°Ｃ×３時間硬化させ
たのち表面が研磨され研磨表面の表面粗さが１．５μｍ
以下の凹凸状差を有し１２０°のわん曲部をもつランナ
ー形状の平板（厚み３．０ｍｍ、幅５陥）を作製した。
このランナーをカメラに組み込まれた１／２インチで３
８万画素クイブの固体撮像素子であるエリアセンサー封
止体上に載置し、光度１０カンデラの強い平行光を直角
に当て、絞り度をＦ−３２まで絞ったときの撮像の縞模
様の有無を判定した。上記光学むらの有無を表に光学む
らＢとして併せて示した。その結果、例えば実施例９品
には光学むらは認められなかった。そして、実施例１品
にはわずかに光学むらが認められた。また、実施例２〜
８品においても実施例１品と同様にわずかに光学むらが
認められた。このように、実施例１〜８品について光学
むらＢによる評価ではわずかに光学むらが認められたが
、光学むらＡによる評価では光学むらは認められなかっ
たことから、実施例１〜８の光半導体封止用エポキシ樹
脂組成物を用い゛ζ固体撮像素子であるエリアセンサー
をダイレクトモールドしても実質上問題はない。また、
比較例１品における光学むらＢの評価では、その撮像に
光学むらが認められ、比較例２〜７品においても同様に
光学むらが認められた。
８万画素クイブの固体撮像素子であるエリアセンサー封
止体上に載置し、光度１０カンデラの強い平行光を直角
に当て、絞り度をＦ−３２まで絞ったときの撮像の縞模
様の有無を判定した。上記光学むらの有無を表に光学む
らＢとして併せて示した。その結果、例えば実施例９品
には光学むらは認められなかった。そして、実施例１品
にはわずかに光学むらが認められた。また、実施例２〜
８品においても実施例１品と同様にわずかに光学むらが
認められた。このように、実施例１〜８品について光学
むらＢによる評価ではわずかに光学むらが認められたが
、光学むらＡによる評価では光学むらは認められなかっ
たことから、実施例１〜８の光半導体封止用エポキシ樹
脂組成物を用い゛ζ固体撮像素子であるエリアセンサー
をダイレクトモールドしても実質上問題はない。また、
比較例１品における光学むらＢの評価では、その撮像に
光学むらが認められ、比較例２〜７品においても同様に
光学むらが認められた。
これらの結果から、実施例品を用いてモールドされた光
半導体装置は優れた性能を有しているのがわかる。
半導体装置は優れた性能を有しているのがわかる。
第１図は従来の光半導体封止用エポキシ樹脂組成物を用
いてトランスファー成形する際の樹脂組成物の流動状態
図、第２図はその要部の樹脂組成物の流動状態図、第３
図は本発明の光半導体封止用エポキシ樹脂組成物で樹脂
封止された光半導体装置の樅断面図である。 １６・・・光半導体封止用エポキシ樹脂組成物特許比Ｉ
頭人 日東電工株式会社
いてトランスファー成形する際の樹脂組成物の流動状態
図、第２図はその要部の樹脂組成物の流動状態図、第３
図は本発明の光半導体封止用エポキシ樹脂組成物で樹脂
封止された光半導体装置の樅断面図である。 １６・・・光半導体封止用エポキシ樹脂組成物特許比Ｉ
頭人 日東電工株式会社
Claims (9)
- （１）封止樹脂が、エポキシ樹脂、硬化剤および硬化促
進剤を構成成分とするＢステージ状の光半導体封止用エ
ポキシ樹脂組成物であつて、微粉砕均一混合され、最大
粒径３０μｍ以下の粒子の占める割合が９０重量％以上
に設定されている樹脂組成物の硬化体で構成されている
ことを特徴とする光半導体装置。 - （２）エポキシ樹脂、硬化剤および硬化促進剤を構成成
分とするＢステージ状の光半導体封止用エポキシ樹脂組
成物であつて、微粉砕均一混合され、最大粒径３０μｍ
以下の粒子の占める割合が９０重量％以上に設定されて
いることを特徴とする光半導体封止用エポキシ樹脂組成
物。 - （３）微粉砕することにより得られる光半導体封止用エ
ポキシ樹脂組成物が、最大粒径２０μｍ以下の粒子の占
める割合が９０重量％以上に設定されている請求項（２
）記載の光半導体封止用エポキシ樹脂組成物。 - （４）微粉砕することにより得られる光半導体封止用エ
ポキシ樹脂組成物が、最大粒径１０μｍ以下の粒子の占
める割合が９０重量％以上に設定されている請求項（２
）記載の光半導体封止用エポキシ樹脂組成物。 - （５）微粉砕することにより得られる光半導体封止用エ
ポキシ樹脂組成物が、最大粒径１．０μｍ以下の粒子の
占める割合が９０重量％以上に設定されている請求項（
２）記載の光半導体封止用エポキシ樹脂組成物。 - （６）請求項（２）ないし（５）のいずれかに記載の光
半導体封止用エポキシ樹脂組成物を用い、冷間成形によ
り打錠タブレット化されていることを特徴する光半導体
封止用エポキシ樹脂組成物。 - （７）請求項（２）ないし（６）のいずれかに記載の光
半導体封止用エポキシ樹脂組成物を用い、トランスファ
ー成形により光半導体素子を封止することを特徴とする
光半導体装置の製法。 - （８）封止樹脂が、熱硬化性樹脂および硬化剤を構成成
分とするＢステージ状の光半導体封止用熱硬化性樹脂組
成物であつて、微粉砕均一混合され、最大粒径３０μｍ
以下の粒子の占める割合が９０重量％以上に設定されて
いる樹脂組成物の硬化体で構成されていることを特徴と
する光半導体装置。 - （９）熱硬化性樹脂および硬化剤を構成成分とするＢス
テージ状の光半導体封止用熱硬化性樹脂組成物であつて
、微粉砕均一混合され、最大粒径３０μｍ以下の粒子の
占める割合が９０重量％以上に設定されていることを特
徴とする光半導体封止用熱硬化性樹脂組成物。
Priority Applications (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP13692789A JP2656350B2 (ja) | 1989-05-30 | 1989-05-30 | 光半導体装置およびその製法ならびにそれに用いる光半導体封止用樹脂組成物 |
Applications Claiming Priority (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP13692789A JP2656350B2 (ja) | 1989-05-30 | 1989-05-30 | 光半導体装置およびその製法ならびにそれに用いる光半導体封止用樹脂組成物 |
Publications (2)
| Publication Number | Publication Date |
|---|---|
| JPH033258A true JPH033258A (ja) | 1991-01-09 |
| JP2656350B2 JP2656350B2 (ja) | 1997-09-24 |
Family
ID=15186819
Family Applications (1)
| Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
|---|---|---|---|
| JP13692789A Expired - Lifetime JP2656350B2 (ja) | 1989-05-30 | 1989-05-30 | 光半導体装置およびその製法ならびにそれに用いる光半導体封止用樹脂組成物 |
Country Status (1)
| Country | Link |
|---|---|
| JP (1) | JP2656350B2 (ja) |
Cited By (5)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| WO1999008321A1 (en) * | 1997-08-07 | 1999-02-18 | Matsushita Electric Works, Ltd. | Epoxy resin sealing material for molding semiconductor chip and method for manufacturing the same |
| CN1095892C (zh) * | 1997-10-02 | 2002-12-11 | 重机株式会社 | 针送式缝纫机 |
| JP2011009394A (ja) * | 2009-06-25 | 2011-01-13 | Nitto Denko Corp | 光半導体封止用樹脂タブレットの製法およびそれによって得られる光半導体封止用樹脂タブレット、並びにそれを用いた光半導体装置 |
| US8859341B2 (en) | 2008-09-05 | 2014-10-14 | Kabushiki Kaisha Toshiba | Manufacturing method of semiconductor device |
| JP2021163782A (ja) * | 2020-03-30 | 2021-10-11 | 日東電工株式会社 | 光半導体封止用樹脂成形物およびその製造方法 |
Families Citing this family (1)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| JP5627619B2 (ja) * | 2012-02-28 | 2014-11-19 | Ｔｏｗａ株式会社 | 樹脂封止装置及び樹脂封止体の製造方法 |
-
1989
- 1989-05-30 JP JP13692789A patent/JP2656350B2/ja not_active Expired - Lifetime
Cited By (6)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| WO1999008321A1 (en) * | 1997-08-07 | 1999-02-18 | Matsushita Electric Works, Ltd. | Epoxy resin sealing material for molding semiconductor chip and method for manufacturing the same |
| US6120716A (en) * | 1997-08-07 | 2000-09-19 | Matsushita Electric Works, Ltd. | Epoxy resin sealing material for molding semiconductor chip and method for manufacturing the same |
| CN1095892C (zh) * | 1997-10-02 | 2002-12-11 | 重机株式会社 | 针送式缝纫机 |
| US8859341B2 (en) | 2008-09-05 | 2014-10-14 | Kabushiki Kaisha Toshiba | Manufacturing method of semiconductor device |
| JP2011009394A (ja) * | 2009-06-25 | 2011-01-13 | Nitto Denko Corp | 光半導体封止用樹脂タブレットの製法およびそれによって得られる光半導体封止用樹脂タブレット、並びにそれを用いた光半導体装置 |
| JP2021163782A (ja) * | 2020-03-30 | 2021-10-11 | 日東電工株式会社 | 光半導体封止用樹脂成形物およびその製造方法 |
Also Published As
| Publication number | Publication date |
|---|---|
| JP2656350B2 (ja) | 1997-09-24 |
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