JPS6296567A - 半導体封止用エポキシ樹脂組成物 - Google Patents

半導体封止用エポキシ樹脂組成物

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Publication number
JPS6296567A
JPS6296567A JP60236365A JP23636585A JPS6296567A JP S6296567 A JPS6296567 A JP S6296567A JP 60236365 A JP60236365 A JP 60236365A JP 23636585 A JP23636585 A JP 23636585A JP S6296567 A JPS6296567 A JP S6296567A
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JP
Japan
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resin
particle size
semiconductor
fused silica
resin composition
Prior art date
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Withdrawn
Application number
JP60236365A
Other languages
English (en)
Inventor
Tatsuro Iida
達郎 飯田
Hiroyuki Kuroda
黒田 寛之
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Denka Co Ltd
Original Assignee
Denki Kagaku Kogyo KK
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Publication date
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Publication of JPS6296567A publication Critical patent/JPS6296567A/ja
Withdrawn legal-status Critical Current

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    • HELECTRICITY
    • H10SEMICONDUCTOR DEVICES; ELECTRIC SOLID-STATE DEVICES NOT OTHERWISE PROVIDED FOR
    • H10WGENERIC PACKAGES, INTERCONNECTIONS, CONNECTORS OR OTHER CONSTRUCTIONAL DETAILS OF DEVICES COVERED BY CLASS H10
    • H10W74/00Encapsulations, e.g. protective coatings
    • H10W74/40Encapsulations, e.g. protective coatings characterised by their materials
    • H10W74/47Encapsulations, e.g. protective coatings characterised by their materials comprising organic materials, e.g. plastics or resins
    • H10W74/473Encapsulations, e.g. protective coatings characterised by their materials comprising organic materials, e.g. plastics or resins containing a filler

Landscapes

  • Epoxy Resins (AREA)
  • Structures Or Materials For Encapsulating Or Coating Semiconductor Devices Or Solid State Devices (AREA)
  • Compositions Of Macromolecular Compounds (AREA)

Abstract

(57)【要約】本公報は電子出願前の出願データであるた
め要約のデータは記録されません。

Description

【発明の詳細な説明】 (産業上の利用分野) 本発明は半導体などの電子部品の封止材料として用いら
れる樹脂組成物に関するものである。
(従来の技術) 従来、半導体素子をトランスファー成形により樹脂封止
する方法においては、無機材料からなる素子と樹脂との
間の熱膨張係数の差が大きいため、成形時もしくは成形
後に急激な温度変化を受けると樹脂封止円部にひずみを
生じて大きな応力が発生しやすいという問題があった。
とくにエポキシ樹脂組成物では通常150〜190℃の
高温で成形を行なうため成形後常温まで放冷させる間に
半導体素子に較べて熱膨張係数の大きい樹脂が相対的に
熱収縮し、結果としてこの樹脂に取り込まれた素子が応
力ひずみを受ける。このような応力ひずみは半導体素子
に損傷を与え、割れやクラックなどの不良品の発生の原
因となるものであった。
ところで半導体封土用のエポキシ樹脂組成物では一般の
成形材料と同様に価格低減やチキソトロピー性の附与に
よる成形作業性の向上などの目的で適宜の無機質充填剤
を含有させている。シリカ粉末はその代表的なものであ
り、この粉末は優れた成形作業性とともに半導体素子に
対して悪影響を与える不純物が少ないという点で現在も
つとも賞月されている。
一般に樹脂組成物中に無機質充填剤を添加すると成形樹
脂の熱膨張係数がその添加量に比例して小さくなること
が知られている。この観点からエポキシ樹脂組成物中へ
のシリカ粉末の添加は成形樹脂と半導体素子との間の熱
膨張係数の差を小さくし前述した応力ひずみの低下およ
びこれに伴なう半導体素子の損傷防止に好結果をもたら
すものと期待される。
(発明が解決しようとする問題点) しかしながら、シリカ粉末を添加した樹脂組成物を用い
ると、トランスファー成形時の金型の摩耗が速いこと、
デート詰りを生じや寸いこと、また半導体表面やワイヤ
ーに損傷を生じやすい等の欠点があった。
本発明は、上記の欠点に鑑みてなされたものであり、成
形時もしくは成形後の急激な温度変化により生じる内部
応力ひずみを低下させ、かつ、成形時における金型摩耗
や半導体表面、ワイヤー等への損傷を抑制することによ
り封止材の信頼性を向上させた、半導体封止用樹脂組成
物を提供することを目的とするものである。
(問題を解決するための手段) 本発明者らは上記問題点について鋭意検討の結果、まず
、シリカ粉末の代りに溶融シリカ球状体を用いることに
より、トランスファー成形時の金型の摩耗が防げること
、さらに、溶融シリカ球状体の最大粒径を20μm以下
にすることにより半導体表面やワイヤーの損傷がなくな
り、また、溶融シリカ球状体の比表面積が3 m” /
 g以下のものを用いることにより組成物の流動性が良
好になることを見い出し本発明を完成させるに到った。
すなわち本発明は、最大粒径が20μm以下で比表面積
が3 m” / &以下である溶融シリカ球状体を含有
したことを特徴とする半導体封止用樹脂組成物である。
以下さらに本発明について説明する。
一般に半導体封止用樹脂組成物は樹脂および充填剤より
成り、これに、硬化剤、硬化促進剤、離型剤、難燃剤、
処理剤、顔料などを混合する場合が多い。本発明におけ
る樹脂はエポキシ樹脂、シリコーン樹脂、ポリエステル
樹脂等のことをいう。
一方、本発明において使用される充填剤としては最大粒
径が20μm以下で比表面積が3 m2/ 、9以下の
溶融球状シリカであることが必要である。
最大粒径が20mより大きいと応力ひずみを低下させる
ことができず、又、比表面積が3F7!2′/yより太
きいと樹脂組成物の粘性が高くなるので、好ましくない
。なお、最大粒径は、レーデ−回折式沈降法により、ま
た、比表面積は、窒素吸着法(BET法)により測定さ
れる。
本発明における充填剤を製造する方法としては種々ある
が一例をあげると高純度の珪石、珪砂、水晶等、あるい
は、ハロゲン化珪素化合物から熱分解等により得られる
粉末を溶融塊状化したものを、磨砕又は粉砕によって2
0μm以下の粒径に水中で十分く攪拌・分散し、湿式分
級して整粒しても良い。
次に本発明における充填剤の配合割合は全量の40〜9
0重量%であることが好ましい。40重i%未満では応
力ひずみを低下させることができず、90重fk%を超
えると組成物の流動性が悪化し、成形作業性が悪くなる
本発明による樹脂組成物を得るには通常の方法で行なえ
ば良く前記の各成分をロール、ニーダ−、バンバリーミ
キサ−等で混練することにより得られる。
(実施例) 次に本発明を実施例により更に詳しく説明する。
実施例1〜6、比較例1〜4 エポキシ樹脂、硬化剤および充填剤を第1表に示す割合
で配合し、さらに各側とも硬化促進剤を0.5%、カル
ナバワックス肌5%を配合した。これを60〜100°
Cに加熱したミキシングロールで5〜10分混練した後
、冷却粉砕して組成物のペレットを得た。
このペレットを500x500x400朋の金型に充填
し成形圧カフ0に9/cIrL2、成形温度16「cの
条件にてトランスファー成形を行ない、その成形物の各
種物性を測定した。その結果を表Iに示す。
実施例及び比較例で用いた材料及び物性の測定法を次に
示す。
(発明の効果) 本発明の半導体封止用樹脂組成物は成形性が良く、また
、半導体表面やワイヤーに損傷を与えるような力が作用
せす、さらに、これを用いて封止した半導体が使用中に
不良忙なる率が低いといつ効果がある。

Claims (1)

  1. 【特許請求の範囲】 1、最大粒径が20μm以下で、かつ比表面積が3m^
    2/g以下である溶融シリカ球状体を含有したことを特
    徴とする半導体封止用樹脂組成物。 2、溶融シリカ球状体の含有量が樹脂組成物全量の40
    〜90重量%であることを特徴とする特許請求の範囲第
    1項記載の半導体封止用樹脂組成物。
JP60236365A 1985-10-24 1985-10-24 半導体封止用エポキシ樹脂組成物 Withdrawn JPS6296567A (ja)

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