JPH0332632B2 - - Google Patents

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Publication number
JPH0332632B2
JPH0332632B2 JP1294384A JP1294384A JPH0332632B2 JP H0332632 B2 JPH0332632 B2 JP H0332632B2 JP 1294384 A JP1294384 A JP 1294384A JP 1294384 A JP1294384 A JP 1294384A JP H0332632 B2 JPH0332632 B2 JP H0332632B2
Authority
JP
Japan
Prior art keywords
gas
valve
etching
strainer
trap
Prior art date
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Expired
Application number
JP1294384A
Other languages
English (en)
Other versions
JPS60159178A (ja
Inventor
Yoshihiko Nio
Current Assignee (The listed assignees may be inaccurate. Google has not performed a legal analysis and makes no representation or warranty as to the accuracy of the list.)
NEC Corp
Original Assignee
Nippon Electric Co Ltd
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Filing date
Publication date
Application filed by Nippon Electric Co Ltd filed Critical Nippon Electric Co Ltd
Priority to JP1294384A priority Critical patent/JPS60159178A/ja
Publication of JPS60159178A publication Critical patent/JPS60159178A/ja
Publication of JPH0332632B2 publication Critical patent/JPH0332632B2/ja
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  • ing And Chemical Polishing (AREA)

Description

【発明の詳細な説明】 〔発明の属する技術分野〕 本発明は、ドライエツチング装置に関し、特に
排気処理法に関するものである。
〔従来技術〕
従来、ドライエツチング装置の排気処理法にお
いて、フツ素を主成分として含有する反応性ガス
を用いた場合、特に注意を払わなくても、排気配
管のつまり、あるいはポンプの早期劣化といつた
反応生成物によるトラブルは問題にならなかつ
た。
しかしながら、塩素を主成分として含有する反
応性ガスをエツチングガスとして、Al等をエツ
チングすることが近年一般化してきた。この場
合、主としてポンプの保護という観点から液体窒
素で冷却する反応生成物捕集システムとして、い
わゆるコールドトラツプ(cold trap)を排気系
のロータリポンプ前段部にもうけ、反応生成物及
びエツチング反応室で消費され尽されなかつた剰
余のエツチングガスを捕集するのが普通である。
しかしながら、このような方法によつて、反応
生成物及び剰余のエツチングガスを捕集する場
合、システムが複雑になり、真空もれを起こす部
分が増える。又、このトラツプ部分自体が液化し
たエツチングガスで充填されたことになり、はな
はだしく危険である。さらに、コールドトラツプ
の温度のわずかな変動等で捕集された液化ガス成
分の反応室への逆流が発生し、エツチング条件の
狂いが生じ、結果として被エツチング製品を不良
にしてしまうことになる。以下図面を用いて説明
する。
第1図は、従来のドライエツチング装置の構成
図である。エツチングガス導入口1から導入され
た反応性エツチングガスは、エツチング室2にお
いてグロー放電下でエツチングガスとして消費さ
れ、同時に反応によつて生じた反応生成物を含む
剰余のエツチングガスはバルブ3を通り、メカニ
カルブースタポンプ4、バルブ5を通過後、コー
ルドトラツプ9において液体窒素温度付近(〜80
〓)で凝縮し、捕集される。液体窒素は注入口1
1より注入される。捕集されないガス成分及び適
切なセンサーが無いためもあるが、コールドトラ
ツプ9が満杯になつても検知不能なことによつ
て、オーバーフローした前記ガスはバルブ10を
通りロータリーポンプ14のオイル中で、一部捕
集され外部へ排出される。即ち、実用段階におい
ては、コールドトラツプ9においてロータリーポ
ンプ保護のための機能が失われている場合がほと
んどである。又、コールドトラツプ9(以下トラ
ツプ9と略す)に充満した液化ガス成分を追い出
す場合にはバルブ5及びバルブ10を閉じた後バ
ルブ8を開け、トラツプ9を昇温し、バルブ8を
通じて気化成分を排出する。次いでバルブ6を開
き、パージガス導入口7より不活性ガスを導入し
トラツプ9の内部をパージする。続いてトラツプ
9を分解し、装置外部でエレメントを洗浄する。
以上の如き、手順は複雑であるが、それにも増し
てバルブ8はエツチングの反応生成物等によりつ
まりやすく、この場合、トラツプ9を昇温すると
捕集された液化ガスの気化に供う、急激かつ大き
な圧力の増加によりトラツプ9のシール部分、あ
るいはバルブ5,6,8,10のシール部等から
危険なガスが吹き出すことになり非常に危険であ
る。又、前述の吹きだしが生じない場合、最悪の
状態を想定すると、トラツプ9の爆発の危険性す
らあり得る。このように、従来の装置は、製品を
安定にエツチングするという目的においても、安
全性から見ても重大な欠点がある。
〔発明の目的〕
本発明の目的は、上記欠点を除去し、安定で安
全なドライエツチングを実行できるドライエツチ
ング装置を提供することにある。
〔発明の構成〕
本発明は塩素又は、塩素及びフツ素を主成分と
して含有する反応性ガスをエツチングガスとして
用いるドライエツチング装置であつて、排気系前
段に乾式のストレーナーを設置したことを特徴と
するドライエツチング装置である。
〔実施例の説明〕
以下に、本発明の一実施例を図により説明す
る。
ドライエツチング装置の排気部分においては、
系の一部に他の部分に比して温度の低い部分、い
わゆるコールドスポツトを生じさせるのは望まし
くなく、排出されてくるガス成分をできるだけ気
化したままで真空外まで排出するのが、装置の安
定性から見て重要である。
そこで第2図において、本発明はドライエツチ
ング装置の排気系に乾式のストレーナー16を設
置したものである。これにより排気系に真空外か
らガス導入するバルブは不活性ガスパージ用のバ
ルブ6のみとなる。エツチング反応室2からの排
気はバルブ3を通り、メカニカルブースターポン
プ4を経由して乾式ストレーナー16に至る。乾
式ストレーナー16では主として反応生成物中の
固型成分をロータリーポンプ14の前段で取り去
る。従つてバルブ10以降固型物ができる可能性
があるのは、ポンプ14のケーシング中、大気に
なる部分以降である。これを防止するため、ガス
導入口13よりバルブ12を経て不活性ガスをロ
ータリーポンプ14内のケーシング中に吹き込
み、ポンプ14中での固型反応生成物の出現を防
止している。このため、オイルフイルタシステム
15及びロータリーポンプ14ともにオーバーホ
ール及びメインテナンス期間が長くなり、安定に
稼動する。又従来法のような前述のコールドスポ
ツトに起因する危険性も回避できる。長期間使用
後ストレーナー16のメンテナンスが必要な場
合、まず、バルブ5を閉めストレーナー16の内
部をロータリーポンプ14によつて排気し、次い
でバルブ6を開きガス導入口7より不活性ガスを
導入してストレーナー16の内部をパージする。
その後、バルブ10を閉じストレーナー16を分
解する。
第3図は第2図のストレーナー16の断面図で
ある。第3図において、ケーシング17の側部に
ガス導入口17aが設けられ、その上部に排気口
17bが設けられ、ケーシング17内に筒状のス
テンレスメツシユ18が設置され、その内側に多
孔板からなる円筒19が設置されている。ガスは
ガス導入口17aからケーシング17に入りステ
ンレスメツシユ18を経由して細孔を有する円筒
19を経て排気口17bからロータリーポンプ側
へ排出される。ケーシング17、メツシユ18及
び円筒19は全て耐腐食性の高いステンレスステ
イールを素材とする。メンテナンスを要する場合
は第3図において下部のネジ20をはずして底板
21を取払うことにより、メツシユ18及び円筒
19をケーシング17から容易に抜き取る。22
はシール材である。
上記実施例においては、メカニカルブースタポ
ンプとロータリーポンプについて説明したが、メ
カニカルブースタポンプのかわりにターボモレキ
ユラポンプを設ける場合も同様に実施できること
は勿論である。
〔発明の効果〕
以上、詳細に説明したように、本発明によれ
ば、装置の排気系にコールドスポツトを生じさせ
ることがなく、排気されたガスを気化したままで
排出するようにしたので、コールドスポツトによ
る危険性を回避でき、装置の安定性、保守性等を
大きく向上できる効果を有するものである。
【図面の簡単な説明】
第1図は従来のコールドトラツプを有するドラ
イエツチング装置の構成図、第2図は本発明の一
実施例を示すドライエツチング装置の構成図、第
3図は乾式ストレーナーの構造断面図である。 1……エツチングガス導入口、2……エツチン
グ室、3,5,6,12……バルブ、4……メカ
ニカルブースタポンプ、7,13……不活性ガス
導入口、9……コールドトラツプ、11……液体
窒素注入口、14……ロータリーポンプ、15…
…オイルフイルタシステム、16……乾式ストレ
ーナー、17……ストレーナーケーシング、18
……メツシユ、19……円筒。

Claims (1)

    【特許請求の範囲】
  1. 1 塩素又は塩素及びフツ素を主成分として含有
    する反応性ガスをエツチングガスとして用いるド
    ライエツチング装置において、排気系の前段に乾
    式のストレーナーを設置したことを特徴とするド
    ライエツチング装置。
JP1294384A 1984-01-27 1984-01-27 ドライエツチング装置 Granted JPS60159178A (ja)

Priority Applications (1)

Application Number Priority Date Filing Date Title
JP1294384A JPS60159178A (ja) 1984-01-27 1984-01-27 ドライエツチング装置

Applications Claiming Priority (1)

Application Number Priority Date Filing Date Title
JP1294384A JPS60159178A (ja) 1984-01-27 1984-01-27 ドライエツチング装置

Publications (2)

Publication Number Publication Date
JPS60159178A JPS60159178A (ja) 1985-08-20
JPH0332632B2 true JPH0332632B2 (ja) 1991-05-14

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JP1294384A Granted JPS60159178A (ja) 1984-01-27 1984-01-27 ドライエツチング装置

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* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
JP2574816Y2 (ja) * 1990-07-09 1998-06-18 三菱電機株式会社 排ガス除害装置
CN104480468A (zh) * 2014-12-31 2015-04-01 深圳市华星光电技术有限公司 干式蚀刻机及用于捕集气体中磁性颗粒的捕集装置

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JPS60159178A (ja) 1985-08-20

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