JPH033268A - 赤外線撮像装置及びその製造方法 - Google Patents
赤外線撮像装置及びその製造方法Info
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- JPH033268A JPH033268A JP1138591A JP13859189A JPH033268A JP H033268 A JPH033268 A JP H033268A JP 1138591 A JP1138591 A JP 1138591A JP 13859189 A JP13859189 A JP 13859189A JP H033268 A JPH033268 A JP H033268A
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- H—ELECTRICITY
- H10—SEMICONDUCTOR DEVICES; ELECTRIC SOLID-STATE DEVICES NOT OTHERWISE PROVIDED FOR
- H10F—INORGANIC SEMICONDUCTOR DEVICES SENSITIVE TO INFRARED RADIATION, LIGHT, ELECTROMAGNETIC RADIATION OF SHORTER WAVELENGTH OR CORPUSCULAR RADIATION
- H10F39/00—Integrated devices, or assemblies of multiple devices, comprising at least one element covered by group H10F30/00, e.g. radiation detectors comprising photodiode arrays
- H10F39/10—Integrated devices
- H10F39/12—Image sensors
- H10F39/18—Complementary metal-oxide-semiconductor [CMOS] image sensors; Photodiode array image sensors
- H10F39/184—Infrared image sensors
Landscapes
- Light Receiving Elements (AREA)
- Solid State Image Pick-Up Elements (AREA)
Abstract
(57)【要約】本公報は電子出願前の出願データであるた
め要約のデータは記録されません。
め要約のデータは記録されません。
Description
【発明の詳細な説明】
〔産業上の利用分野〕
この発明は赤外線撮像装置及びその製造方法に関し、特
に大気の窓となっている波長８〜１２μｍ帯の赤外線検
出素子及びその製造方法と、この撮像素子を用いた撮像
装置の構成に関するものである。
に大気の窓となっている波長８〜１２μｍ帯の赤外線検
出素子及びその製造方法と、この撮像素子を用いた撮像
装置の構成に関するものである。
一般に光子１個のエネルギーとその波長との間には以下
のような関係があり、エネルギーバンドギャップＥｇ
（ｅＶ）を有する半導体材料は次式で求められる波長λ
（μｍ）帯の光を惑じることができる。
のような関係があり、エネルギーバンドギャップＥｇ
（ｅＶ）を有する半導体材料は次式で求められる波長λ
（μｍ）帯の光を惑じることができる。
Ｅｇ
従来、波長８〜１２μｍ帯の赤外線を吸収する半導体材
料としては、バンドギャップＥｇがおよそＱ、１ｅＶで
あるＨｇｏ、ｓ Ｃｄ＠４ Ｔ６があった。しかしこの
材料はＨｇが蒸気圧が高い揮発性の物質であるため１０
０℃前後で蒸発してしまい、結晶成長の面でも、又ウェ
ハプロセスの面でも取り扱いが難しく技術の発展が阻害
され、このため、連像素子としては画素数が限られて（
るなど依然としてその製作上の困難性が解消されていな
い点で問題がある。
料としては、バンドギャップＥｇがおよそＱ、１ｅＶで
あるＨｇｏ、ｓ Ｃｄ＠４ Ｔ６があった。しかしこの
材料はＨｇが蒸気圧が高い揮発性の物質であるため１０
０℃前後で蒸発してしまい、結晶成長の面でも、又ウェ
ハプロセスの面でも取り扱いが難しく技術の発展が阻害
され、このため、連像素子としては画素数が限られて（
るなど依然としてその製作上の困難性が解消されていな
い点で問題がある。
これに対して、近年ｍ−ｖ族の化合物半導体であるＧａ
Ａｓ材料を基盤とする材料の研究が進んでいる。そして
、上述のＨｇｃｄＴｓの感度に対抗し得る感度を有する
ものとして、多重量子井戸（Ｍｕｌｔｉ Ｑｕａｎｔｕ
ｍ Ｗｅｌｌ ；以下、ＭＱＷと称す）型の赤外線検出
素子が新しい可能性を拓くものとして期待されている。
Ａｓ材料を基盤とする材料の研究が進んでいる。そして
、上述のＨｇｃｄＴｓの感度に対抗し得る感度を有する
ものとして、多重量子井戸（Ｍｕｌｔｉ Ｑｕａｎｔｕ
ｍ Ｗｅｌｌ ；以下、ＭＱＷと称す）型の赤外線検出
素子が新しい可能性を拓くものとして期待されている。
第８図は例えばアプライド フィジックス レターズ、
５０巻、１６号、１９８７年４月、１０９ ２〜１ ０
９ ４ 頁 （八ｐｐ１． Ｐｈｙｓ、 Ｌｅｔ
ｔ、； ５０巻、１６号、＾ｐｒｉ１１９８７年、
ｐ １０９２−１０９４ ）に示されたＭＱＷ型赤型
線外線検出素子す断面図である。図において、１は半絶
縁性ＣａＡｓ基板、２は半絶縁性ＧａＡｓ基板１上にエ
ピタキシャル成長により１μｍ程度に形成されたｎ”
−ＧａＡｓコンタクト層、３はＡｊｉ！ＧａＡｓ−Ｇａ
ＡｓＭＱＷ構造である。ここで、ＡｊＩＣａＡｓ−Ｇａ
ＡｓＭＱＷ構造３は例えば厚み４０人のＣａＡｓ量子井
戸層３ａが厚み３００人のＡｊ’。、ｓ＋Ｇａｏ、ｂｑ
Ａｓ障壁層３ｂに挟まれた単一の量子井戸が５０ケある
多重量子井戸構造と呼ばれているもので、その全体の厚
みは１．７３μｍである。これはｎ” ＝ＧａＡｓ２上
＆： Ｍ ＯＣＶ Ｄ法、あるいはＭＢＥ法により形成
される。また、４はｎ” −ＧａＡｓコンタクト層、１
２．１４は電極、２１は半絶縁性ＧａＡｓ基板ｌを主面
と４５＠の角度で斜め研磨して形成した赤外線入射窓、
３１は波長８〜１２μｍ帯の赤外線、２７は赤外線検出
素子である。
５０巻、１６号、１９８７年４月、１０９ ２〜１ ０
９ ４ 頁 （八ｐｐ１． Ｐｈｙｓ、 Ｌｅｔ
ｔ、； ５０巻、１６号、＾ｐｒｉ１１９８７年、
ｐ １０９２−１０９４ ）に示されたＭＱＷ型赤型
線外線検出素子す断面図である。図において、１は半絶
縁性ＣａＡｓ基板、２は半絶縁性ＧａＡｓ基板１上にエ
ピタキシャル成長により１μｍ程度に形成されたｎ”
−ＧａＡｓコンタクト層、３はＡｊｉ！ＧａＡｓ−Ｇａ
ＡｓＭＱＷ構造である。ここで、ＡｊＩＣａＡｓ−Ｇａ
ＡｓＭＱＷ構造３は例えば厚み４０人のＣａＡｓ量子井
戸層３ａが厚み３００人のＡｊ’。、ｓ＋Ｇａｏ、ｂｑ
Ａｓ障壁層３ｂに挟まれた単一の量子井戸が５０ケある
多重量子井戸構造と呼ばれているもので、その全体の厚
みは１．７３μｍである。これはｎ” ＝ＧａＡｓ２上
＆： Ｍ ＯＣＶ Ｄ法、あるいはＭＢＥ法により形成
される。また、４はｎ” −ＧａＡｓコンタクト層、１
２．１４は電極、２１は半絶縁性ＧａＡｓ基板ｌを主面
と４５＠の角度で斜め研磨して形成した赤外線入射窓、
３１は波長８〜１２μｍ帯の赤外線、２７は赤外線検出
素子である。
ところで、ｎ＝１の基底状態はＧａＡｓ量子井戸３ａの
中央にピークをもつ電子分布であるのに対し、ｎ＝２の
励起状態はＡｌＧａＡｓ障壁層３ｂとの界面付近にピー
クをもつ電子分布に変化する。従って、光学的遷移によ
り層と垂直な方向に双極子モーメントが生じる。ここで
、電磁波（赤外線）の電界のうち、双極子モーメントと
相互作用するのはこの双極子モーメントと平行な電界成
分のみである。ところが、ＭＱＷ構造３に垂直に入射し
た赤外線の電界は入射方向と垂直な方向。
中央にピークをもつ電子分布であるのに対し、ｎ＝２の
励起状態はＡｌＧａＡｓ障壁層３ｂとの界面付近にピー
クをもつ電子分布に変化する。従って、光学的遷移によ
り層と垂直な方向に双極子モーメントが生じる。ここで
、電磁波（赤外線）の電界のうち、双極子モーメントと
相互作用するのはこの双極子モーメントと平行な電界成
分のみである。ところが、ＭＱＷ構造３に垂直に入射し
た赤外線の電界は入射方向と垂直な方向。
すなわちＭＱＷ層３に対しては平行となり、垂直な電界
成分はないので双極子モーメントと相互作用せず、光の
吸収は生じない。従って、ＭＱＷ層３で入射光の吸収を
生じさせるためには赤外線は層に対して平行あるいは斜
めに入射させる必要がある。しかしながら、ＭＱＷ法３
に対して赤外線を平行に入射させるためには基板１の側
面から入射させなければならず、素子を集積化する際に
障害となり問題があった。この理由のため第８図の素子
では基板１を４５°に研磨して、赤外線入射窓２１より
赤外線３１を斜めより入射させるようにしている。とこ
ろで、空気の屈折率ｎ１が１であるのに対し、半導体の
屈折率ｎ２は４程度と非常に高い、このため、入射窓２
１に対しあらゆる方向から入射した赤外１３１は屈折に
より研摩面に対してほぼ垂直に入射するようになる。従
って、ＭＱＷ層３に対しては４５６で入射することとな
り、入射した光の約半分が層３の双極子モーメントと平
行な電界成分を持つことから、入射した光量の約半分を
吸収するようになる。
成分はないので双極子モーメントと相互作用せず、光の
吸収は生じない。従って、ＭＱＷ層３で入射光の吸収を
生じさせるためには赤外線は層に対して平行あるいは斜
めに入射させる必要がある。しかしながら、ＭＱＷ法３
に対して赤外線を平行に入射させるためには基板１の側
面から入射させなければならず、素子を集積化する際に
障害となり問題があった。この理由のため第８図の素子
では基板１を４５°に研磨して、赤外線入射窓２１より
赤外線３１を斜めより入射させるようにしている。とこ
ろで、空気の屈折率ｎ１が１であるのに対し、半導体の
屈折率ｎ２は４程度と非常に高い、このため、入射窓２
１に対しあらゆる方向から入射した赤外１３１は屈折に
より研摩面に対してほぼ垂直に入射するようになる。従
って、ＭＱＷ層３に対しては４５６で入射することとな
り、入射した光の約半分が層３の双極子モーメントと平
行な電界成分を持つことから、入射した光量の約半分を
吸収するようになる。
次にこのＭＱＷ型赤型線外線検出素子作について説明す
る。
る。
第９図にＡｊＩＣａＡｓ−１ｃａＡｓＭＱＷ構造３のエ
ネルギーバンドダイヤグラムを示す。ここではＭＱＷ構
造３に電界がかかった状態を示している。電子はＧａＡ
ｓ量子井戸３ａ付近に局在し、そのエネルギーは量子化
され、とびとびのエネルギーをもつようになる。そのエ
ネルギーはＣａＡＳ伝導帯の底を基準にして概路次の式
で与えられる。
ネルギーバンドダイヤグラムを示す。ここではＭＱＷ構
造３に電界がかかった状態を示している。電子はＧａＡ
ｓ量子井戸３ａ付近に局在し、そのエネルギーは量子化
され、とびとびのエネルギーをもつようになる。そのエ
ネルギーはＣａＡＳ伝導帯の底を基準にして概路次の式
で与えられる。
ここで、ｎは１，２．３．４．・・・の整数であり、ｈ
はブランクの定数、ｍ＊は有効質量、ＬｗはＧａＡｓ量
子井戸層３ａの厚みである。ｎ゛＝１は基底状態であり
、ｎ＝２の励起準位はＡｊｉＧａＡａ層３ｂの伝導帯と
重なるようにＧａＡｓ量子井戸層の厚みＬｗを選んであ
る。ｎ＝１の状態からｎ＝２の状態への励起エネルギー
ΔＥは約０．１ｅ■である。即ち、波長１０μｍ帯の赤
外線の入射によりｎ＝１からｎ＝２への光学的遷移が生
じ、赤外線が吸収される。励起された電子は電界によっ
てＡｌｌＧａＡｓ−ＧａＡｓＭＱＷ構造３を動けるよう
になり電気伝導に寄与する。第８図の赤外線検出素子は
赤外線吸収によるこの伝導度の変化を利用した光導電型
赤外線検出素子である。
はブランクの定数、ｍ＊は有効質量、ＬｗはＧａＡｓ量
子井戸層３ａの厚みである。ｎ゛＝１は基底状態であり
、ｎ＝２の励起準位はＡｊｉＧａＡａ層３ｂの伝導帯と
重なるようにＧａＡｓ量子井戸層の厚みＬｗを選んであ
る。ｎ＝１の状態からｎ＝２の状態への励起エネルギー
ΔＥは約０．１ｅ■である。即ち、波長１０μｍ帯の赤
外線の入射によりｎ＝１からｎ＝２への光学的遷移が生
じ、赤外線が吸収される。励起された電子は電界によっ
てＡｌｌＧａＡｓ−ＧａＡｓＭＱＷ構造３を動けるよう
になり電気伝導に寄与する。第８図の赤外線検出素子は
赤外線吸収によるこの伝導度の変化を利用した光導電型
赤外線検出素子である。
ここで、第８図の赤外線検出素子の抵抗の変化を検知す
るためのバイアス回路を第１０図に示す。
るためのバイアス回路を第１０図に示す。
上述のように赤外線検出素子２７は光導電型の素子であ
り、光が入射すると結晶の抵抗率が変化する。そこで、
電圧源２９と直列に素子２７の抵抗に比べて充分に高い
抵抗２８を接続して一定の電流を流し、端子ａｏａ、３
０ｂ間の電位の変化を測定することにより赤外線検出素
子に入射した光量を検知することができる。
り、光が入射すると結晶の抵抗率が変化する。そこで、
電圧源２９と直列に素子２７の抵抗に比べて充分に高い
抵抗２８を接続して一定の電流を流し、端子ａｏａ、３
０ｂ間の電位の変化を測定することにより赤外線検出素
子に入射した光量を検知することができる。
〔発明が解決しようとする課題〕
従来のＭＱＷ型赤型線外線検出素子上のように構成され
ているので、光の吸収を生じさせるためには赤外１３１
を基板１を斜めに研磨した赤外線入射窓２１から入射さ
せねばならず、赤外線入射を半導体主面又は裏面から行
なうことができず、たくさんの素子を集積して撮像素子
を構成するには極めて不便である。また、従来の赤外線
検出素子は光導電型素子であるため、検知するためはバ
イアス回路などを必要とし、回路が複雑となり、撮像回
路を構成するには不向きであるという問題点があった。
ているので、光の吸収を生じさせるためには赤外１３１
を基板１を斜めに研磨した赤外線入射窓２１から入射さ
せねばならず、赤外線入射を半導体主面又は裏面から行
なうことができず、たくさんの素子を集積して撮像素子
を構成するには極めて不便である。また、従来の赤外線
検出素子は光導電型素子であるため、検知するためはバ
イアス回路などを必要とし、回路が複雑となり、撮像回
路を構成するには不向きであるという問題点があった。
この発明は上記のような問題点を解消するためになされ
たもので、赤外線入射を半導体主面又は裏面より行なう
ことができるとともに、ｐｉｎ構造の光起電力型素子と
して撮像回路との整合性に優れた赤外線撮像装置及びそ
の製造方法を得ることを目的とする。
たもので、赤外線入射を半導体主面又は裏面より行なう
ことができるとともに、ｐｉｎ構造の光起電力型素子と
して撮像回路との整合性に優れた赤外線撮像装置及びそ
の製造方法を得ることを目的とする。
本発明に係る赤外線撮像装置は、Ａ ｅｘＧ ａ ＋−
ｘＡｓ層にはさまれた複数のＡ １２ Ｇ ａ Ｉ−ｙ
Ａ ”量子井戸層（ｘ＞ｙ）から成る多重量子井戸構
造（以下Ａｊ！ＧａＡｓ−ＭＱＷ構造と呼ぶ）をｉ層と
し、これをはさむｐ−Ａｌｘ Ｇａ、−ｙＡｓＪｉおよ
びｎ Ａ １２ Ｘ Ｇ ａ ｌ−１ｆ Ａ ３層と
で構成される波長が８〜１２μｍ帯の赤外線を検出する
ｐｉｎ型の赤外ｖＡ検出素子を含むものである。
ｘＡｓ層にはさまれた複数のＡ １２ Ｇ ａ Ｉ−ｙ
Ａ ”量子井戸層（ｘ＞ｙ）から成る多重量子井戸構
造（以下Ａｊ！ＧａＡｓ−ＭＱＷ構造と呼ぶ）をｉ層と
し、これをはさむｐ−Ａｌｘ Ｇａ、−ｙＡｓＪｉおよ
びｎ Ａ １２ Ｘ Ｇ ａ ｌ−１ｆ Ａ ３層と
で構成される波長が８〜１２μｍ帯の赤外線を検出する
ｐｉｎ型の赤外ｖＡ検出素子を含むものである。
また、本発明に係る赤外線撮像装置は、波長が８〜１２
μｍ帯の赤外線を検出するＡｌｌＧａＡｓ−ＭＱＷ構造
をｉ層としたｐｉｎダイオードとＧａＡｓＦＥＴのソー
スをｎ型のイオン注入層で結合して集積化したものを一
つの画像ユニットとして含むものである。
μｍ帯の赤外線を検出するＡｌｌＧａＡｓ−ＭＱＷ構造
をｉ層としたｐｉｎダイオードとＧａＡｓＦＥＴのソー
スをｎ型のイオン注入層で結合して集積化したものを一
つの画像ユニットとして含むものである。
また、本発明に係る赤外線撮像装置は、ＧａＡｓ基板表
面に形成した主面とは４５゜±１５６の角度をなしてい
る複数のファセット面上に、波長が８〜１２μｍ帯の赤
外線を検出するＡＪＧａＡｓ−ＭＱＷ構造をｉ層とした
ｐｉｎダイオードを構成し、基板の表面あるいは裏面か
ら赤外線を入射させるようにしたものである。
面に形成した主面とは４５゜±１５６の角度をなしてい
る複数のファセット面上に、波長が８〜１２μｍ帯の赤
外線を検出するＡＪＧａＡｓ−ＭＱＷ構造をｉ層とした
ｐｉｎダイオードを構成し、基板の表面あるいは裏面か
ら赤外線を入射させるようにしたものである。
また、本発明に係る赤外線撮像装置の製造方法は、Ｇａ
Ａｓ （１００）基板表面上に（０１１）方向にのびた
断面が■字形の複数の溝をエツチングして形成し、主面
とは４５″±１５°の角度をなす複数のファセット面上
にＭＢＥＪＰＭＯＣＶＤ法によりエピタキシャル成長し
てファセット面上沿って波長が８〜１２μｍ帯の赤外線
を検出するＡｌｌＧａＡｓ−ＭＱＷ構造をｉ層としたｐ
ｉｎ構造を形成してなる赤外線検出素子の製造方法を含
むものである。
Ａｓ （１００）基板表面上に（０１１）方向にのびた
断面が■字形の複数の溝をエツチングして形成し、主面
とは４５″±１５°の角度をなす複数のファセット面上
にＭＢＥＪＰＭＯＣＶＤ法によりエピタキシャル成長し
てファセット面上沿って波長が８〜１２μｍ帯の赤外線
を検出するＡｌｌＧａＡｓ−ＭＱＷ構造をｉ層としたｐ
ｉｎ構造を形成してなる赤外線検出素子の製造方法を含
むものである。
また１本発明に係る赤外線撮像装置は、ＧａＡｓ基板表
面に形成した主面とは４５゜±１５″の角度をなしてい
る複数のファセット面上に、波長が８〜１２μｍ帯の赤
外線を検出するＡＩＧａＡ！ｌ−ＭＱＷ構造をｉ層とし
たｐｉｎダイオードを構成するとともに、ｐｉｎダイオ
ードのｎ層とＧａＡｓＦＥＴのソースをｎ型のイオン注
入層とを結合して集積化したものを一つの画像ユニット
とし、基板の表面または裏面から赤外線を入射させるよ
うにしたものである。
面に形成した主面とは４５゜±１５″の角度をなしてい
る複数のファセット面上に、波長が８〜１２μｍ帯の赤
外線を検出するＡＩＧａＡ！ｌ−ＭＱＷ構造をｉ層とし
たｐｉｎダイオードを構成するとともに、ｐｉｎダイオ
ードのｎ層とＧａＡｓＦＥＴのソースをｎ型のイオン注
入層とを結合して集積化したものを一つの画像ユニット
とし、基板の表面または裏面から赤外線を入射させるよ
うにしたものである。
また、さらに本発明に係る赤外線撮像装置は、波長が８
〜１２μｍ帯の赤外線を検出するＡＩＧａＡｓ−ＭＱＷ
構造を１層としたｐｉｎダイオードとＧａＡｓＦＥＴの
ソースをｎ型のイオン注入層で結合して集積化したもの
を一つの画像ユニットとして形成するとともに、ＧａＡ
ｓ基板の裏面に主面とは４５゜±１５″の角度をなす複
数のファセット面を形成し、裏面斜めより赤外線を入射
させるようにしたものである。
〜１２μｍ帯の赤外線を検出するＡＩＧａＡｓ−ＭＱＷ
構造を１層としたｐｉｎダイオードとＧａＡｓＦＥＴの
ソースをｎ型のイオン注入層で結合して集積化したもの
を一つの画像ユニットとして形成するとともに、ＧａＡ
ｓ基板の裏面に主面とは４５゜±１５″の角度をなす複
数のファセット面を形成し、裏面斜めより赤外線を入射
させるようにしたものである。
この発明の赤外線撮像装置の赤外線検出素子は、ＧａＡ
ｓ半導体基板の主面に形成した主面とは４５゜±１５″
の角度をもつ斜めのファセット面上にＡｊ！ＧａＡｓ−
ＭＱＷ構造の層を設けた構成では、赤外線を主面又は裏
面から垂直に入射させることができるとともに、ＧａＡ
ｓ半導体基板の主面にＡＩＧａＡｓ−ＭＱＷ構造の層を
形成し、かつ基板の裏面に主面とは４５゜±１５°の角
度をなす複数のファセット面を形成した構成では、裏面
斜めより赤外線を入射させることができるようになり、
両構造ともに基板の表面あるいは裏面から赤外線を入射
できるので、素子を集積化して撮像素子を構成するのが
極めて容易となる。又、ＡＩＧａＡｓ−ＭＱＷ構造をｉ
層としたｐｉｎ型の光起電力型の赤外線検出素子とした
ので、半絶縁性ＧａＡｓ基板上に、該検出素子とＧａＡ
ｓ ＦＥＴとをＦＥＴのソースと素子のｎ型のイオン注
入層とを結合して一画素としてモノリシックに集積化す
ることができ、検出素子とＧａＡｓＦＥＴよりなる走査
回路を簡単に構成することができる。
ｓ半導体基板の主面に形成した主面とは４５゜±１５″
の角度をもつ斜めのファセット面上にＡｊ！ＧａＡｓ−
ＭＱＷ構造の層を設けた構成では、赤外線を主面又は裏
面から垂直に入射させることができるとともに、ＧａＡ
ｓ半導体基板の主面にＡＩＧａＡｓ−ＭＱＷ構造の層を
形成し、かつ基板の裏面に主面とは４５゜±１５°の角
度をなす複数のファセット面を形成した構成では、裏面
斜めより赤外線を入射させることができるようになり、
両構造ともに基板の表面あるいは裏面から赤外線を入射
できるので、素子を集積化して撮像素子を構成するのが
極めて容易となる。又、ＡＩＧａＡｓ−ＭＱＷ構造をｉ
層としたｐｉｎ型の光起電力型の赤外線検出素子とした
ので、半絶縁性ＧａＡｓ基板上に、該検出素子とＧａＡ
ｓ ＦＥＴとをＦＥＴのソースと素子のｎ型のイオン注
入層とを結合して一画素としてモノリシックに集積化す
ることができ、検出素子とＧａＡｓＦＥＴよりなる走査
回路を簡単に構成することができる。
また、本発明の赤外線撮像装置の製造方法によれば、Ｇ
ａＡｓ （１００）基板表面上に（０１１）方向にの
びた断面がＶ字形の複数の溝をエツチングにより形成し
、主面とは４５″±１５＠の角度をなす複数のファセッ
ト面上にＭＢＥやＭＯＣＶＤ法によりエピタキシャル成
長してＡＩＧａＡｓ−ＭＱＷＩＩ造を含むｐｉｎ構造を
形成するようにしたので、ファセット面に沿って平行度
のすぐれたＧａＡｓ−ＭＱＷ構造が形成できるとともに
、赤外線を基板の表面あるいは裏面か６入射させること
ができる素子構造を提供できる。
ａＡｓ （１００）基板表面上に（０１１）方向にの
びた断面がＶ字形の複数の溝をエツチングにより形成し
、主面とは４５″±１５＠の角度をなす複数のファセッ
ト面上にＭＢＥやＭＯＣＶＤ法によりエピタキシャル成
長してＡＩＧａＡｓ−ＭＱＷＩＩ造を含むｐｉｎ構造を
形成するようにしたので、ファセット面に沿って平行度
のすぐれたＧａＡｓ−ＭＱＷ構造が形成できるとともに
、赤外線を基板の表面あるいは裏面か６入射させること
ができる素子構造を提供できる。
以下、この発明の一実施例を図について説明する。
第１図（ａ）、 （ｂ）はこの発明の一実施例による赤
外線撮像装置の赤外線検出部を示す断面図である。
外線撮像装置の赤外線検出部を示す断面図である。
第１図（ｂｌにおいて、１は半絶縁性ＧａＡｓ基板、１
０１は半絶縁性ＧａＡｓ基板ｌ上に形成した主面とは４
５°の角度をもった複数の斜めの面（以下、ファセット
面と称す）、２はファセット面ｌＯ１を含むＧａＡｓ基
板１にｎ型不純物をイオン注入して形成したｎ”−Ｇａ
Ａｓ層、３゛はファセット面１０１上にＭＢＥやＭＯＣ
ＶＤなどのエピタキシャル法で形成したＧａＡｓ−Ａｌ
ＧａＡｓ１ｌ子井戸構造を含むｐｉｎ構造部、５はこの
上にさらにエピタキシャル成長させたｐ” −ＧａＡｓ
オーミック層、１５はｐ型オーミック電極、３１は波長
８〜１２μｍ帯の赤外線である。
０１は半絶縁性ＧａＡｓ基板ｌ上に形成した主面とは４
５°の角度をもった複数の斜めの面（以下、ファセット
面と称す）、２はファセット面ｌＯ１を含むＧａＡｓ基
板１にｎ型不純物をイオン注入して形成したｎ”−Ｇａ
Ａｓ層、３゛はファセット面１０１上にＭＢＥやＭＯＣ
ＶＤなどのエピタキシャル法で形成したＧａＡｓ−Ａｌ
ＧａＡｓ１ｌ子井戸構造を含むｐｉｎ構造部、５はこの
上にさらにエピタキシャル成長させたｐ” −ＧａＡｓ
オーミック層、１５はｐ型オーミック電極、３１は波長
８〜１２μｍ帯の赤外線である。
また、第１図（ａ）は第１図中）のｐｉｎ構造部３′を
詳細に示した図であり、３０１はｎ Ａｊ！ｏ、：＋
Ｇａｏ、ｔ ＡｓＪｉ、 ３０３はｐ Ａｌｏ、ｘ Ｇ
ａｏ、ｒＡｓ層、３０２は４０人のＧａＡｓ層と３００
人のＡ ’ ０．３ Ｇ ａ ｏ、ｔ Ａ ｓ層が交互
に５０周期繰り返されたＭＱＷ層である。このような構
造が作製可能であることは第２図に示す実験で明らかと
なった。
詳細に示した図であり、３０１はｎ Ａｊ！ｏ、：＋
Ｇａｏ、ｔ ＡｓＪｉ、 ３０３はｐ Ａｌｏ、ｘ Ｇ
ａｏ、ｒＡｓ層、３０２は４０人のＧａＡｓ層と３００
人のＡ ’ ０．３ Ｇ ａ ｏ、ｔ Ａ ｓ層が交互
に５０周期繰り返されたＭＱＷ層である。このような構
造が作製可能であることは第２図に示す実験で明らかと
なった。
即ち、第２図（ａｌ〜（ｄｉは第１図の赤外線検出部の
製造方法を示す各主要工程の図であり、図において、第
１図と同一符号は同一部分を示し、１ａは半導体基板１
の（１００）主面、２０は窒化シリコンのマスクである
。
製造方法を示す各主要工程の図であり、図において、第
１図と同一符号は同一部分を示し、１ａは半導体基板１
の（１００）主面、２０は窒化シリコンのマスクである
。
まず、第２図（ａ）に示すように、半絶縁性ＧａＡｓ基
板１の（１００）主面ｌａ上にＣＶＤ法により窒化シリ
コンを０．２μｍ程度堆積し、この膜を写真製版、プラ
ズマエツチングし、（０１１）方向に１０μｍ幅のスト
ライプ状に窓開けされたエツチングマスク２０を形成す
る。
板１の（１００）主面ｌａ上にＣＶＤ法により窒化シリ
コンを０．２μｍ程度堆積し、この膜を写真製版、プラ
ズマエツチングし、（０１１）方向に１０μｍ幅のスト
ライプ状に窓開けされたエツチングマスク２０を形成す
る。
次に’Ｍ２図（ｂ）に示ｔようにＨｚ ＳＯａ ：
Ｈｚ Ｏｘ：Ｈ２０＝５：１：１の硫酸系のエツチング
液でＧａＡｓ基板１をエツチングするとＶ字状の溝が形
成される。溝の側面は（１１１〕Ａ面となり、（１００
）主面と側面のなす角はおよそ５４．７”となる。
Ｈｚ Ｏｘ：Ｈ２０＝５：１：１の硫酸系のエツチング
液でＧａＡｓ基板１をエツチングするとＶ字状の溝が形
成される。溝の側面は（１１１〕Ａ面となり、（１００
）主面と側面のなす角はおよそ５４．７”となる。
次に第２図（Ｃ１に示すように残りのＳｔ、Ｎ４膜を除
去し、結晶成長装置の中に入れる。実際の成長の前の加
熱で溝の形状は変化し、（１００）主面となす角が４５
″±１５°の平らな側面が形成される。
去し、結晶成長装置の中に入れる。実際の成長の前の加
熱で溝の形状は変化し、（１００）主面となす角が４５
″±１５°の平らな側面が形成される。
この上に第２図（ｄｌに示すように、ＭＯＣＶＤ（Ｍｅ
ｔａｌ−Ｏｒｇａｎｉｃ ＣＶＤ）の典型的な成長条件
、例えば気体原料にトリメチルＧａ （ＴＭＧ）、ア
ルシン（ＡｓＨ＝）、トリメチルＡＩ （ＴＭＡｊりを
用い、０．１気圧、７５０℃で、順次ｎ −Ａ ｌ ０
゜３ Ｇａ６．７ Ａｓ層３０１．４０人のＧａＡｓ層
と３００人のＡ ｆ ６．ｘ Ｇ ａ １１．？ Ａ
５層を交互に５０周期繰り返して形成したＭＱＷ構造の
１ｉ３０２゜及びｐ−ＡｌＧ、３ Ｇａｏ、ｙＡｓ層３
０３を成長させ、基板１の面に沿った形で、即ち、（１
００）主面と溝の側面の（１１１） Ａ面上の成長速度
が同一となるように各層を形成する。この方法ではＭＱ
Ｗ構造３０２のように極めて薄い層を含むの場合でも異
常成長が生じることなく、各層は平行度良く形成される
。
ｔａｌ−Ｏｒｇａｎｉｃ ＣＶＤ）の典型的な成長条件
、例えば気体原料にトリメチルＧａ （ＴＭＧ）、ア
ルシン（ＡｓＨ＝）、トリメチルＡＩ （ＴＭＡｊりを
用い、０．１気圧、７５０℃で、順次ｎ −Ａ ｌ ０
゜３ Ｇａ６．７ Ａｓ層３０１．４０人のＧａＡｓ層
と３００人のＡ ｆ ６．ｘ Ｇ ａ １１．？ Ａ
５層を交互に５０周期繰り返して形成したＭＱＷ構造の
１ｉ３０２゜及びｐ−ＡｌＧ、３ Ｇａｏ、ｙＡｓ層３
０３を成長させ、基板１の面に沿った形で、即ち、（１
００）主面と溝の側面の（１１１） Ａ面上の成長速度
が同一となるように各層を形成する。この方法ではＭＱ
Ｗ構造３０２のように極めて薄い層を含むの場合でも異
常成長が生じることなく、各層は平行度良く形成される
。
なお、上記の各層の成長にはＭ Ｂ Ｅ （Ｍｏｌｅｃ
ｕｌａｒＢｅａｍ Ｅｐｔｔａｘｙ）法を用いてもよく
、この場合には例えば、基板の加熱温度６００°Ｃで１
０−１０ＴｏｒｒＡｓ／Ｃａ＝１０の条件で形成すると
上記ＭＯＣＶＤ法と同様に平行度の良い層が形成される
。
ｕｌａｒＢｅａｍ Ｅｐｔｔａｘｙ）法を用いてもよく
、この場合には例えば、基板の加熱温度６００°Ｃで１
０−１０ＴｏｒｒＡｓ／Ｃａ＝１０の条件で形成すると
上記ＭＯＣＶＤ法と同様に平行度の良い層が形成される
。
次に動作について説明する。
第３図は本発明によるｐｉｎ光起電力形赤外線検出素子
のバンドダイヤグラムを示す。赤外線入射によって量子
井戸のｎ−１の基底状態にある電子はｎ＝２の連続的な
励起状態に光学的遷移が生じ、励起された電子はＭＱＷ
層３０２から成るｉ層にかけられた電界によってｎ −
Ａ ＩＱ ａ Ａ ９層３０１の方向に移動する。この
ことによりｐｉｎダイオードに光起電力が生じ、光電流
が流れる。
のバンドダイヤグラムを示す。赤外線入射によって量子
井戸のｎ−１の基底状態にある電子はｎ＝２の連続的な
励起状態に光学的遷移が生じ、励起された電子はＭＱＷ
層３０２から成るｉ層にかけられた電界によってｎ −
Ａ ＩＱ ａ Ａ ９層３０１の方向に移動する。この
ことによりｐｉｎダイオードに光起電力が生じ、光電流
が流れる。
このようにｐｉｎダイオードをＧａＡｓ基板１の主面と
は４５゜±１５°の角度をなすファセット面上に平行度
よく形成するようにしたので、赤外線入射を半導体主面
又は裏面より行なうことができるようなる。また、赤外
線検出素子をｐｉｎ構造の光起電力型素子としたので、
赤外線撮像回路との整合性を図ることができる。
は４５゜±１５°の角度をなすファセット面上に平行度
よく形成するようにしたので、赤外線入射を半導体主面
又は裏面より行なうことができるようなる。また、赤外
線検出素子をｐｉｎ構造の光起電力型素子としたので、
赤外線撮像回路との整合性を図ることができる。
次に上記ｐｉｎ構造の光起電力素子を用いた赤外線↑最
像装置の構成を第４図に示す。図において、２１は水平
シフトレジスタ、２２は垂直シフトレジスタ、２３は電
池、２４は信号出力端子、２５は一画素、４０はｐｉｎ
フォトダイオード、５０はＧａＡｓＭＥＳ電界効果トラ
ンジスタである。
像装置の構成を第４図に示す。図において、２１は水平
シフトレジスタ、２２は垂直シフトレジスタ、２３は電
池、２４は信号出力端子、２５は一画素、４０はｐｉｎ
フォトダイオード、５０はＧａＡｓＭＥＳ電界効果トラ
ンジスタである。
１画素２５は１つのｐｉｎフォトダイオード４０と１つ
のＧａＡｓＭＥＳＦＥＴ５０で構成され、赤外線入射に
より発生したキャリアをｐｉｎダイオード４０に蓄積し
、ＧａＡｓＦＥＴ５０をスイッチングトランジスタとし
て各画素の情報を順次読み取ることで赤外線画像が得ら
れる。
のＧａＡｓＭＥＳＦＥＴ５０で構成され、赤外線入射に
より発生したキャリアをｐｉｎダイオード４０に蓄積し
、ＧａＡｓＦＥＴ５０をスイッチングトランジスタとし
て各画素の情報を順次読み取ることで赤外線画像が得ら
れる。
次に、このｐｉｎフォトダイオード４０とＧａＡｓＭＥ
ＳＦＥＴ５０とを集積した一画素の構成例を第５図に示
す。図において、１は半絶縁性ＧａＡｓ基板、２はｎ型
イオン注入層、３゛はＭＱＷ層を含むｐｉｎダイオード
部、５はｐ−ＧａＡｓ層、１５はｐ型電橋、８はショッ
トキ接触型のゲート電橋、９はオーミック性のドレイン
電極、１１は反射防止膜、３１は赤外線である。
ＳＦＥＴ５０とを集積した一画素の構成例を第５図に示
す。図において、１は半絶縁性ＧａＡｓ基板、２はｎ型
イオン注入層、３゛はＭＱＷ層を含むｐｉｎダイオード
部、５はｐ−ＧａＡｓ層、１５はｐ型電橋、８はショッ
トキ接触型のゲート電橋、９はオーミック性のドレイン
電極、１１は反射防止膜、３１は赤外線である。
この製造方法は、まず、第６図＋ａｌに示すようにＱ、
５ｍｍの厚さを有する半絶縁性ＧａＡｓ基板１の（１０
０）主面上のうち、ｐｉｎフォトダイオード４０の形成
部分に上述の第２図（ａ）、 （ｂ）で示した方法で（
１１１〕Ａ面を側面とする７字型の溝を形成する。その
後、基板全面にＳｉイオンを注入することにより０．２
μｍのｎ型の活性層２を形成し、ＧａＡｓ ＦＥＴ５０
形成部の所定の部分に例えばタングステンシリサイド（
ＷＳｉ）等の高融点金属、あるいはＡｌｘＧａ、Ａｕ／
Ｍｏ等の金属を０．５μｍ程度蒸着し、ショットキー接
合型のゲート電極８を形成する。
５ｍｍの厚さを有する半絶縁性ＧａＡｓ基板１の（１０
０）主面上のうち、ｐｉｎフォトダイオード４０の形成
部分に上述の第２図（ａ）、 （ｂ）で示した方法で（
１１１〕Ａ面を側面とする７字型の溝を形成する。その
後、基板全面にＳｉイオンを注入することにより０．２
μｍのｎ型の活性層２を形成し、ＧａＡｓ ＦＥＴ５０
形成部の所定の部分に例えばタングステンシリサイド（
ＷＳｉ）等の高融点金属、あるいはＡｌｘＧａ、Ａｕ／
Ｍｏ等の金属を０．５μｍ程度蒸着し、ショットキー接
合型のゲート電極８を形成する。
次にゲート電極８の側壁にサイドウオールとしてｓ ｉ
ｏｘ等の絶縁膜を形成し、さらにゲート電極８とサイド
ウオールをマスクとしてＳｔイオンを基板全面に注入し
てｎ型イオン注入層２を形成し、その後、サイドウオー
ルを除去し、ｐｉｎフォトダイオード形成部４０を残す
基板の表面を覆うように絶縁膜２６を形成する。
ｏｘ等の絶縁膜を形成し、さらにゲート電極８とサイド
ウオールをマスクとしてＳｔイオンを基板全面に注入し
てｎ型イオン注入層２を形成し、その後、サイドウオー
ルを除去し、ｐｉｎフォトダイオード形成部４０を残す
基板の表面を覆うように絶縁膜２６を形成する。
そして、上述の第２図（ｄｌに示した方法と同様に、Ｍ
ＯＣＶＤ法あるいはＭＢＥ法によりＶ字型の溝に順次、
ｎ−ＡＪ２＠、３Ｇａｏ、ｔ ＡＳ層３０１．４０人の
ＧａＡｓ層と３００人のＡｌｏ、ｘ Ｇａｏ、ｑＡｓ層
を交互に５０周期繰り返して形成したＭＱＷ構造の層３
０２．及びｐ Ａｌｏ、ｘ Ｇａｏ、ｒ ＡＳ層３０
３からなるｐｉｎ構造部３゛とｐ” −ＧａＡｓ層５を
順次平行度よく成長させ、基板１の面に沿った形で各層
を形成する。
ＯＣＶＤ法あるいはＭＢＥ法によりＶ字型の溝に順次、
ｎ−ＡＪ２＠、３Ｇａｏ、ｔ ＡＳ層３０１．４０人の
ＧａＡｓ層と３００人のＡｌｏ、ｘ Ｇａｏ、ｑＡｓ層
を交互に５０周期繰り返して形成したＭＱＷ構造の層３
０２．及びｐ Ａｌｏ、ｘ Ｇａｏ、ｒ ＡＳ層３０
３からなるｐｉｎ構造部３゛とｐ” −ＧａＡｓ層５を
順次平行度よく成長させ、基板１の面に沿った形で各層
を形成する。
次に、絶縁膜２６を除去したのち、ｐ” −ＧａＡｓ層
５上に例えば、Ａ ｕ ／ Ｔ ｉよりなるｐ型電橋１
５を形成するとともに、ＧａＡｓＦＥＴ形成部５０のｎ
型活性層２上の所定の部分に例えば、Ａ ｕ （５０
００人）／Ａ ｕ −Ｇ ｅ （１０００人）／Ｎ
ｉ （２００人）からなるドレイン電極９を形成し、そ
の後アニルを施すことによりオーミック性の電極とする
。
５上に例えば、Ａ ｕ ／ Ｔ ｉよりなるｐ型電橋１
５を形成するとともに、ＧａＡｓＦＥＴ形成部５０のｎ
型活性層２上の所定の部分に例えば、Ａ ｕ （５０
００人）／Ａ ｕ −Ｇ ｅ （１０００人）／Ｎ
ｉ （２００人）からなるドレイン電極９を形成し、そ
の後アニルを施すことによりオーミック性の電極とする
。
そして、基板１の裏面にその屈折率をｎとした場合、λ
／ ４ ｎの膜厚を有する、即ち最小の反射率を有する
Ｚｎ５ｅなどからなる反射防止膜１１を形成する。
／ ４ ｎの膜厚を有する、即ち最小の反射率を有する
Ｚｎ５ｅなどからなる反射防止膜１１を形成する。
このような構成では、ｐｉｎダイオード４０のｎ” −
ＧａＡｓｌｌｉがＧａＡｓＦＥＴ５０のソースにｎ型イ
オン注入層で結ばれている構造をとなっているので、ソ
ース電極は不要である。
ＧａＡｓｌｌｉがＧａＡｓＦＥＴ５０のソースにｎ型イ
オン注入層で結ばれている構造をとなっているので、ソ
ース電極は不要である。
なお、このように集積化された一画素を第４図に示した
回路構成で動作させ、赤外線撮像装置として使用する場
合、ｐｉｎフォトダイオードに逆バイアスをかけて低温
動作をさせているが、長時間の使用によりＭＱＷ層３０
２の電子がなくなると光の吸収が起こらなくなり、ｐｉ
ｎ型光起電力素子は動作しなくなる。しかし、この問題
は第４図に示した電池２３を動作時と逆方向に接続し、
ｐｉｎフォトダイオードを順バイアスとして、周期的に
初期化を行なうことで解消されるので問題はない。また
、この初期化の方法は他にもあり、ｐｉｎフォトダイオ
ードにレーザ光等の光を照射し、価電子帯から導電帯に
電子を供給す′るようにしてもよい。
回路構成で動作させ、赤外線撮像装置として使用する場
合、ｐｉｎフォトダイオードに逆バイアスをかけて低温
動作をさせているが、長時間の使用によりＭＱＷ層３０
２の電子がなくなると光の吸収が起こらなくなり、ｐｉ
ｎ型光起電力素子は動作しなくなる。しかし、この問題
は第４図に示した電池２３を動作時と逆方向に接続し、
ｐｉｎフォトダイオードを順バイアスとして、周期的に
初期化を行なうことで解消されるので問題はない。また
、この初期化の方法は他にもあり、ｐｉｎフォトダイオ
ードにレーザ光等の光を照射し、価電子帯から導電帯に
電子を供給す′るようにしてもよい。
このような上記実施例では、半絶縁性ＧａＡｓ基板１上
にＭＱＷ層３０２を１層とするｐｉｎフォトダイオード
を選択的にエピタキシャル成長させて形成するとともに
、ＧａＡｓＦＥＴを形成し、これを赤外線撮像装置を構
成する一画素としたので、赤外線検出素子と駆動回路を
ＧａＡｓ基板１上にモノリシックに集積化することがで
きるようになり、画素数を多くできるとともに解像度の
良い赤外線撮像装置を形成できる。
にＭＱＷ層３０２を１層とするｐｉｎフォトダイオード
を選択的にエピタキシャル成長させて形成するとともに
、ＧａＡｓＦＥＴを形成し、これを赤外線撮像装置を構
成する一画素としたので、赤外線検出素子と駆動回路を
ＧａＡｓ基板１上にモノリシックに集積化することがで
きるようになり、画素数を多くできるとともに解像度の
良い赤外線撮像装置を形成できる。
また、上記実施例ではｐｉｎダイオード４０をＧａＡｓ
基板１の主面とは４５６±１５６の角度をなすファセッ
ト面上に形成した場合について説明したが、これは本発
明の他の実施例として第７図に示すように基板裏面に４
５″±１５″の角度をなすファセット面１０１を形成し
、赤外線３１を斜めより入射させるようにした赤外線撮
像装置であってもよく、この場合においても上記実施例
と同様にＭＱＷ層３０２には光は４５度の角度で入射す
るようになるので、光の吸収が有効に生じ、上記実施例
と同様の効果を奏する。
基板１の主面とは４５６±１５６の角度をなすファセッ
ト面上に形成した場合について説明したが、これは本発
明の他の実施例として第７図に示すように基板裏面に４
５″±１５″の角度をなすファセット面１０１を形成し
、赤外線３１を斜めより入射させるようにした赤外線撮
像装置であってもよく、この場合においても上記実施例
と同様にＭＱＷ層３０２には光は４５度の角度で入射す
るようになるので、光の吸収が有効に生じ、上記実施例
と同様の効果を奏する。
なお、上記実施例はｔＵ−Ｖ族化合物半導体として、Ａ
Ｉ Ｇ ａ Ａ ｓ ／ Ｇ ａ Ａ ｓ系をものを
用いて説明を行ったが、これはＩｎＧａＡｓＰ／ＩｎＰ
系のもの、またはＩ ｎ Ｇ ａ Ａ Ｉ Ａ ｓ ／
Ｉ ｎ Ｐ系のもの等、他のｍ−ｖ族化合物半導体を
用いるようにしてもよく、この場合においても上記実施
例と同様の効果を奏する。
Ｉ Ｇ ａ Ａ ｓ ／ Ｇ ａ Ａ ｓ系をものを
用いて説明を行ったが、これはＩｎＧａＡｓＰ／ＩｎＰ
系のもの、またはＩ ｎ Ｇ ａ Ａ Ｉ Ａ ｓ ／
Ｉ ｎ Ｐ系のもの等、他のｍ−ｖ族化合物半導体を
用いるようにしてもよく、この場合においても上記実施
例と同様の効果を奏する。
〔発明の効果］
以上のように、この発明によれば、赤外線イ★出部分は
半絶縁性ＧａＡｓ基板の主面に主面とは４５度±１５″
の句境を持つ断面がＶ字型のファセット面を多数形成し
、その面上にＡｊ２ＧａＡｓＭＱＷ構造を形成した構成
としたので、赤外線を基板の表面あるいは裏面から垂直
に入射させることができるようになり、多数の素子を集
積化して↑層像素子を形成するのが極めて容易となる。
半絶縁性ＧａＡｓ基板の主面に主面とは４５度±１５″
の句境を持つ断面がＶ字型のファセット面を多数形成し
、その面上にＡｊ２ＧａＡｓＭＱＷ構造を形成した構成
としたので、赤外線を基板の表面あるいは裏面から垂直
に入射させることができるようになり、多数の素子を集
積化して↑層像素子を形成するのが極めて容易となる。
また、この発明によれば、半絶縁性ＧａＡｓ基板表面に
ＡＩＧａＡｓ−ＭＱＷ構造の層を形成し、かつ基板の裏
面に主面とは４５゜±１５°の角・度をなす複数のファ
セット面を形成するようにしたので、裏面斜めより赤外
線を入射させることができるようになり、上記の構成と
同様に素子を集積化して撮像素子を構成するのが容易と
なる効果がある。
ＡＩＧａＡｓ−ＭＱＷ構造の層を形成し、かつ基板の裏
面に主面とは４５゜±１５°の角・度をなす複数のファ
セット面を形成するようにしたので、裏面斜めより赤外
線を入射させることができるようになり、上記の構成と
同様に素子を集積化して撮像素子を構成するのが容易と
なる効果がある。
また、この発明の赤外線撮像装置の製造方法によれば、
ＧａＡｓ （１００）基板表面上に（０１１）方向にの
びた断面が■字形の複数の溝をエツチングにより形成し
、主面とは４５゜±１５″の角度をなす複数のファセッ
ト面を設け、この面上に沿ってＭＢＥやＭＯＣＶＤ法に
よりエピタキシャル成長してＡＩＧａＡｓ−ＭＱＷ構造
を含むｐｉｎ構造を形成するようにしたので、平行度の
高いＭＱＷ層を精度よく形成できるとともに赤外線を基
板に対して垂直に入射させることができる赤外線検出素
子の構造を提供できる効果がある。また、この発明によ
れば、ＧａＡｓ基板上にＭＱＷ構造を１層としたｐｉｎ
フォトダイオードと、該ｐｉｎフォトダイオードのｎ層
をそのソース領域とするＧａＡｓＦＥＴとを形成し、こ
れを赤外線撮像装置を構成する一画素としたので赤外線
検出素子と駆動回路をＧａＡｓ上にモノリシックに集積
化することができ、画素数が多く、解像度の良い８〜１
０μｍ帯の赤外線撮像装置を安価に得られる効果がある
。
ＧａＡｓ （１００）基板表面上に（０１１）方向にの
びた断面が■字形の複数の溝をエツチングにより形成し
、主面とは４５゜±１５″の角度をなす複数のファセッ
ト面を設け、この面上に沿ってＭＢＥやＭＯＣＶＤ法に
よりエピタキシャル成長してＡＩＧａＡｓ−ＭＱＷ構造
を含むｐｉｎ構造を形成するようにしたので、平行度の
高いＭＱＷ層を精度よく形成できるとともに赤外線を基
板に対して垂直に入射させることができる赤外線検出素
子の構造を提供できる効果がある。また、この発明によ
れば、ＧａＡｓ基板上にＭＱＷ構造を１層としたｐｉｎ
フォトダイオードと、該ｐｉｎフォトダイオードのｎ層
をそのソース領域とするＧａＡｓＦＥＴとを形成し、こ
れを赤外線撮像装置を構成する一画素としたので赤外線
検出素子と駆動回路をＧａＡｓ上にモノリシックに集積
化することができ、画素数が多く、解像度の良い８〜１
０μｍ帯の赤外線撮像装置を安価に得られる効果がある
。
第１図は本発明の一実施例による赤外線撮像装置の光起
電力型赤外線検出素子の断面図、第２図（ａｌ〜（ｄ）
は第１図の素子の製作に要する結晶成長プロセスの各主
要工程を示す図、第３図は本発明の一実施例による赤外
線撮像装置のｐｉｎ型光起電力素子の動作原理を説明す
るバンドダイヤグラムを示す図、第４図は本発明の一実
施例による赤外線撮像装置の回路構成を示す図、第５図
は本発明の一実施例による赤外線撮像装置のｐｉｎダイ
オードとＧａＡｓＦＥＴを集積化した一画素の構成を示
す図、第６図（ａ）〜［ｄ）は第５図のｐｉｎダイオー
ドとＧａＡｓＦＥＴを集積化した一画素の製造方法を示
す各主要工程を示す図、第７図は本発明の他の実施例に
よる赤外線撮像装置の一画素の構成を示す図、第８図は
従来の多重量子井戸を用いた光導電型赤外線検出素子の
断面図、第９図は従来の赤外線検出素子の動作原理を説
明するバンドダイヤグラムを示す図、第１０図は従来の
赤外線検出素子を用いて撮像回路を構成した時の簡単な
°回路図である。 図中、１は半絶縁性ＧａＡｓ基板、１ａはＧａＡｓの（
ｌ ＯＯ）主面、２゛ ２はｎ型イオン注入層、１０１
はファセット面、３′はｐｉｎダイオード部、３０１は
ｎ−Ａｊ！ＧａＡｓ層、３０２はＭＱＷＪｌ！、３ａは
ＧａＡｓ量子井戸層、３ｂはＡｊ！ＧａＡｓ障壁層、３
０３はｐ−Ａｊ！ＧａＡｓ層、５はｐ”−Ｃ；ａＡｓ層
、８はゲート電橋、９はドレイン電極、１１は反射防止
膜、１５はｐ型オーミック電橋、２０は窒化シリコン膜
、２１は水平シフトレジスタ、２２は垂直シフトレジス
タ、２３は電池、２４は信号出力端子、２５は一画素、
２６は絶縁膜、３１は赤外線、４０はｐｉｎフォトダイ
オード、５０はＧａＡｓ電界効果トランジスタである。 なお図中同一符号は同−又は相当部分を示す。
電力型赤外線検出素子の断面図、第２図（ａｌ〜（ｄ）
は第１図の素子の製作に要する結晶成長プロセスの各主
要工程を示す図、第３図は本発明の一実施例による赤外
線撮像装置のｐｉｎ型光起電力素子の動作原理を説明す
るバンドダイヤグラムを示す図、第４図は本発明の一実
施例による赤外線撮像装置の回路構成を示す図、第５図
は本発明の一実施例による赤外線撮像装置のｐｉｎダイ
オードとＧａＡｓＦＥＴを集積化した一画素の構成を示
す図、第６図（ａ）〜［ｄ）は第５図のｐｉｎダイオー
ドとＧａＡｓＦＥＴを集積化した一画素の製造方法を示
す各主要工程を示す図、第７図は本発明の他の実施例に
よる赤外線撮像装置の一画素の構成を示す図、第８図は
従来の多重量子井戸を用いた光導電型赤外線検出素子の
断面図、第９図は従来の赤外線検出素子の動作原理を説
明するバンドダイヤグラムを示す図、第１０図は従来の
赤外線検出素子を用いて撮像回路を構成した時の簡単な
°回路図である。 図中、１は半絶縁性ＧａＡｓ基板、１ａはＧａＡｓの（
ｌ ＯＯ）主面、２゛ ２はｎ型イオン注入層、１０１
はファセット面、３′はｐｉｎダイオード部、３０１は
ｎ−Ａｊ！ＧａＡｓ層、３０２はＭＱＷＪｌ！、３ａは
ＧａＡｓ量子井戸層、３ｂはＡｊ！ＧａＡｓ障壁層、３
０３はｐ−Ａｊ！ＧａＡｓ層、５はｐ”−Ｃ；ａＡｓ層
、８はゲート電橋、９はドレイン電極、１１は反射防止
膜、１５はｐ型オーミック電橋、２０は窒化シリコン膜
、２１は水平シフトレジスタ、２２は垂直シフトレジス
タ、２３は電池、２４は信号出力端子、２５は一画素、
２６は絶縁膜、３１は赤外線、４０はｐｉｎフォトダイ
オード、５０はＧａＡｓ電界効果トランジスタである。 なお図中同一符号は同−又は相当部分を示す。
Claims (6)
- （１）波長が８〜１２μｍ帯の赤外線を検出するｐｉｎ
型構造の赤外線検出素子を含む赤外線撮像装置において
、 上記ｐｉｎ型構造を、 Ａｌ＿ｘＧａ＿１＿−＿ｘＡｓ層に挟まれた複数のＡｌ
＿ｙＧａ＿１＿−＿ｙＡｓ量子井戸層（但し、ｘ＞ｙ）
からなる上記ｉ層としての多重量子井戸層と、 該ｉ層を挟むように設けたｐ型Ａｌ＿ｘＧａ＿１＿−＿
ｘＡｓ層およびｎ型Ａｌ＿ｘＧａ＿１＿−＿ｘＡｓ層と
から構成したことを特徴とする赤外線撮像装置。 - （２）波長が８〜１２μｍ帯の赤外線を検出する複数の
画像ユニットを含む赤外線撮像装置において、 上記複数の画像ユニットの個々の画像ユニットを、ｐｉ
ｎ型構造の赤外線検出素子と、該素子のｎ層をそのソー
ス領域として同一基板上に形成した、上記素子に蓄積さ
れた電荷を転送するＧａＡｓ電界効果トランジスタとか
ら構成するとともに、上記ｐｉｎ型構造を、 Ａｌ＿ｘＧａ＿１＿−＿ｘＡｓ層に挟まれた複数のＡｌ
＿ｙＧａ＿１＿−＿ｙＡｓ量子井戸層（但し、ｘ＞ｙ）
からなる上記ｉ層としての多重量子井戸層と、 該ｉ層を挟むように設けたｐ型Ａｌ＿ｘＧａ＿１＿−＿
ｘＡｓ層およびｎ型Ａｌ＿ｘＧａ＿１＿−＿ｘＡｓ層と
から構成したことを特徴とする赤外線撮像装置。 - （３）基板上に構成した、波長が８〜１２μｍ帯の赤外
線を検出する赤外線検出素子を有する赤外線撮像装置に
おいて、 上記赤外線検出素子を、 上記基板の表面に該表面と４５゜±１５゜の角度をなす
複数のファセット面を形成し、該ファセット面に沿って
ｐｉｎ型構造を配置してなるものとし、 該ｐｉｎ型構造を、 Ａｌ＿ｘＧａ＿１＿−＿ｘＡｓ層に挟まれた複数のＡｌ
＿ｙＧａ＿１＿−＿ｙＡｓ量子井戸層（但し、ｘ＞ｙ）
からな る上記ｉ層としての多重量子井戸層と、 該ｉ層を挟むように設けたｐ型Ａｌ＿ｘＧａ＿１＿−＿
ｘＡｓ層およびｎ型Ａｌ＿ｘＧａ＿１＿−＿ｘＡｓ層と
から構成し、 上記基板の表面または裏面から赤外線を入射させるよう
にしたことを特徴とする赤外線撮像装置。 - （４）半絶縁性ＧａＡｓ基板上に、波長が８〜１２μｍ
帯の赤外線を検出するｐｉｎ型構造を配置してなる赤外
線検出素子の製造工程を含む赤外線撮像装置の製造方法
において、 上記赤外線検出素子の製造工程は、 エッチングにより上記基板の（１００）主面上に〔０１
＠１＠〕方向にのびた、上記主面とは４５゜±１５゜の
角度をなすＶ字形の断面を有し、そのファセット面を〔
１１１〕Ａ面とする複数の溝を形成する工程と、 上記複数のファセット面上に、ＭＯＣＶＤ法、あるいは
ＭＢＥ法により、ｎ型Ａｌ＿ｘＧａ＿１＿−＿ｘＡｓ層
、Ａｌ＿ｘＧａ＿１＿−＿ｘＡｓ層に挟まれた複数のＡ
ｌ＿ｙＧａ＿１＿−＿ｙＡｓ量子井戸層（但し、ｘ＞ｙ
）からなる上記ｉ層としての多重量子井戸層、及びｐ型
Ａｌ＿ｘＧａ＿１＿−＿ｘＡｓ層を順次平行度よくエピ
タキシャル成長させ、上記ｐｉｎ型構造を形成する工程
とからなることを特徴とする赤外線撮像装置の製造方法
。 - （５）波長が８〜１２μｍ帯の赤外線を検出する複数の
画素ユニットを含む赤外線撮像装置において、 上記複数の画素ユニットの個々の画像ユニットを、その
表面に該表面と４５゜±１５゜の角度をなす複数のファ
セット面を有する半絶縁性ＧａＡｓ基板上に、該ファセ
ット面に沿ってｐｉｎ型構造を形成してなる赤外線検出
素子と、該素子のｎ層をそのソース領域として同一基板
上に形成され、上記素子に蓄積された電荷を転送するＧ
ａＡｓ電界効果トランジスタとから構成するとともに、
上記ｐｉｎ型構造を、 Ａｌ＿ｘＧａ＿１＿−＿ｘＡｓ層に挟まれた複数のＡｌ
＿ｙＧａ＿１＿−＿ｙＡｓ量子井戸層（但し、ｘ＞ｙ）
からなる上記ｉ層としての多重量子井戸層と、 該ｉ層を挟むように設けたｐ型Ａｌ＿ｘＧａ＿１＿−＿
ｘＡｓ層およびｎ型Ａｌ＿ｘＧａ＿１＿−＿ｘＡｓ層と
から構成し、 さらに上記基板の表面あるいは裏面から赤外線を入射さ
せるようにしたことを特徴とする赤外線撮像装置。 - （６）波長が８〜１２μｍ帯の赤外線を検出する複数の
画素ユニットを含む赤外線撮像装置において、 上記複数の画素ユニットの個々の画像ユニットを、半絶
縁性ＧａＡｓ基板の表面にｐｉｎ型構造を形成してなる
赤外線検出素子と、該素子のｎ層をそのソース領域とし
て同一基板上に形成され、上記素子に蓄積された電荷を
転送するＧａＡｓ電界効果トランジスタとから構成する
とともに、上記ｐｉｎ型構造を、 Ａｌ＿ｘＧａ＿１＿−＿ｘＡｓ層に挟まれた複数のＡｌ
＿ｙＧａ＿１＿−＿ｙＡｓ量子井戸層（但し、ｘ＞ｙ）
からなる上記ｉ層としての多重量子井戸層と、 該ｉ層を挟むように設けたｐ型Ａｌ＿ｘＧａ＿１＿−＿
ｘＡｓ層およびｎ型Ａｌ＿ｘＧａ＿１＿−＿ｘＡｓ層と
から構成し、 さらに上記基板の裏面に主面とは４５゜±１５゜の角度
をなす複数のファセット面を設け、 上記基板の裏面に斜めより赤外線を入射させるようにし
たことを特徴とするとする赤外線撮像装置。
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|---|---|---|---|
| JP1138591A JPH081949B2 (ja) | 1989-05-30 | 1989-05-30 | 赤外線撮像装置及びその製造方法 |
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| US07/716,937 US5120664A (en) | 1989-05-30 | 1991-06-18 | Method of making an infrared imaging device |
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|---|---|---|---|
| JP1138591A JPH081949B2 (ja) | 1989-05-30 | 1989-05-30 | 赤外線撮像装置及びその製造方法 |
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| Publication Number | Publication Date |
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| JPH081949B2 JPH081949B2 (ja) | 1996-01-10 |
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ID=15225679
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Cited By (4)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| JPH0575158A (ja) * | 1991-09-12 | 1993-03-26 | Nec Corp | 固体撮像装置 |
| JPH08236801A (ja) * | 1995-01-18 | 1996-09-13 | Korea Advanced Inst Of Sci Technol | 多重量子ウェル垂直入射赤外線検知素子およびその製造方法 |
| JP2000315807A (ja) * | 1999-03-31 | 2000-11-14 | Fr Telecom | プレーナ・ヘテロ構造の製造方法 |
| JP2007511747A (ja) * | 2003-10-03 | 2007-05-10 | ハネウェル・インターナショナル・インコーポレーテッド | プレーナ熱アレイ |
Families Citing this family (30)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| JPH081949B2 (ja) * | 1989-05-30 | 1996-01-10 | 三菱電機株式会社 | 赤外線撮像装置及びその製造方法 |
| KR920009898B1 (ko) * | 1989-12-30 | 1992-11-05 | 재단법인 한국전자통신연구소 | 수신용 광전집적회로 및 그 제조방법 |
| JP3154418B2 (ja) * | 1990-06-21 | 2001-04-09 | キヤノン株式会社 | 半導体光増幅装置、光通信システム、双方向光通信システム、光通信ネットワーク、及び集積型光ノード |
| JP2838318B2 (ja) * | 1990-11-30 | 1998-12-16 | 株式会社半導体エネルギー研究所 | 感光装置及びその作製方法 |
| US5367177A (en) * | 1991-07-17 | 1994-11-22 | The United States Of America As Represented By The Secretary Of The Air Force | Wavelength selective heterojunction field effect transistor |
| US5500522A (en) * | 1991-09-30 | 1996-03-19 | Luminis Pty. Limited | Gallium arsenide MESFET imager |
| US5288649A (en) * | 1991-09-30 | 1994-02-22 | Texas Instruments Incorporated | Method for forming uncooled infrared detector |
| US5789760A (en) * | 1992-05-08 | 1998-08-04 | The Furukawa Electric Co., Ltd. | Multiquantum barrier Schottky junction device |
| JPH0653538A (ja) * | 1992-07-28 | 1994-02-25 | Toshiba Corp | 半導体受光素子 |
| GB2282261A (en) * | 1992-09-17 | 1995-03-29 | Mitsubishi Electric Corp | Infrared detector array and production method therefor |
| US5293261A (en) * | 1992-12-31 | 1994-03-08 | The United States Of America As Represented By The Secretary Of The Navy | Device for low electric-field induced switching of Langmuir-Blodgett ferroelecric liquid crystal polymer films |
| US5386128A (en) * | 1994-01-21 | 1995-01-31 | The United States Of America As Represented By The Administrator Of The National Aeronautics And Space Administration | Monolithic in-based III-V compound semiconductor focal plane array cell with single stage CCD output |
| US5539206A (en) * | 1995-04-20 | 1996-07-23 | Loral Vought Systems Corporation | Enhanced quantum well infrared photodetector |
| US5536680A (en) * | 1995-05-08 | 1996-07-16 | Texas Instruments Incorporated | Self-aligned bump bond infrared focal plane array architecture |
| US5818051A (en) * | 1996-04-04 | 1998-10-06 | Raytheon Ti Systems, Inc. | Multiple color infrared detector |
| GB2314674B (en) * | 1996-06-27 | 1998-09-16 | Toshiba Cambridge Res Center | Optically operable semiconductor device |
| US5770475A (en) * | 1996-09-23 | 1998-06-23 | Electronics And Telecommunications Research Institute | Crystal growth method for compound semiconductor |
| US6023637A (en) * | 1997-03-31 | 2000-02-08 | Liu; Zhong Qi | Method and apparatus for thermal radiation imaging |
| US6054718A (en) * | 1998-03-31 | 2000-04-25 | Lockheed Martin Corporation | Quantum well infrared photocathode having negative electron affinity surface |
| EP1181724A1 (en) * | 1998-11-20 | 2002-02-27 | California Institute Of Technology | Wavelength-insensitive radiation coupling for multi-quantum well sensor based on intersubband absorption |
| EP1778078A2 (en) * | 2004-07-20 | 2007-05-02 | Allergan, Inc. | Thermographic assessment of clostridial toxin applications |
| US20070258900A1 (en) * | 2004-07-20 | 2007-11-08 | Joseph Francis | Blood Flow Assessment of Clostridial Toxin Applications |
| DE102006043400A1 (de) * | 2006-09-15 | 2008-03-27 | Osram Opto Semiconductors Gmbh | Optoelektronischer Halbleiterchip |
| JP5394791B2 (ja) | 2009-03-27 | 2014-01-22 | 浜松ホトニクス株式会社 | 裏面入射型固体撮像素子 |
| JP5427531B2 (ja) * | 2009-09-29 | 2014-02-26 | 三菱重工業株式会社 | 光検出素子、光検出装置及び赤外線検出素子、赤外線検出装置 |
| US9450001B2 (en) * | 2009-12-03 | 2016-09-20 | Technion Research & Development Foundation Limited | Method and system for detecting light and designing a light detector |
| US10205037B2 (en) * | 2017-06-09 | 2019-02-12 | Taiwan Semiconductor Manufacturing Company Ltd. | Photodiode device and manufacturing method thereof |
| US10515989B2 (en) * | 2017-08-30 | 2019-12-24 | Taiwan Semiconductor Manufacturing Co., Ltd. | Device comprising photodiode and method of making the same |
| CN108766973B (zh) * | 2018-05-31 | 2020-09-08 | 广州锋尚电器有限公司 | 增强型cmos传感器发光二极管单元结构 |
| US20230147897A1 (en) * | 2021-11-09 | 2023-05-11 | Innocare Optoelectronics Corporation | Detection device |
Family Cites Families (9)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| JPS59127879A (ja) * | 1983-01-12 | 1984-07-23 | Semiconductor Energy Lab Co Ltd | 光電変換装置およびその作製方法 |
| FR2583577B1 (fr) * | 1985-06-18 | 1987-08-07 | Thomson Csf | Procede de realisation d'un dispositif photodetecteur semi-conducteur a avalanche et dispositif ainsi realise |
| JPH0728047B2 (ja) * | 1986-02-17 | 1995-03-29 | 日本電気株式会社 | 光トランジスタ |
| JPS6377168A (ja) * | 1986-09-19 | 1988-04-07 | Nec Corp | 複合光双安定素子 |
| JPS63158882A (ja) * | 1986-12-22 | 1988-07-01 | Nec Corp | 半導体光メモリ |
| US4894526A (en) * | 1987-01-15 | 1990-01-16 | American Telephone And Telegraph Company, At&T Bell Laboratories | Infrared-radiation detector device |
| JPH0752778B2 (ja) * | 1987-09-14 | 1995-06-05 | 三洋電機株式会社 | 光起電力装置 |
| JPH081949B2 (ja) * | 1989-05-30 | 1996-01-10 | 三菱電機株式会社 | 赤外線撮像装置及びその製造方法 |
| US5026148A (en) * | 1989-12-26 | 1991-06-25 | Hughes Aircraft Company | High efficiency multiple quantum well structure and operating method |
-
1989
- 1989-05-30 JP JP1138591A patent/JPH081949B2/ja not_active Expired - Lifetime
-
1990
- 1990-02-23 US US07/483,653 patent/US5034794A/en not_active Expired - Lifetime
-
1991
- 1991-06-18 US US07/716,937 patent/US5120664A/en not_active Expired - Lifetime
Cited By (4)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| JPH0575158A (ja) * | 1991-09-12 | 1993-03-26 | Nec Corp | 固体撮像装置 |
| JPH08236801A (ja) * | 1995-01-18 | 1996-09-13 | Korea Advanced Inst Of Sci Technol | 多重量子ウェル垂直入射赤外線検知素子およびその製造方法 |
| JP2000315807A (ja) * | 1999-03-31 | 2000-11-14 | Fr Telecom | プレーナ・ヘテロ構造の製造方法 |
| JP2007511747A (ja) * | 2003-10-03 | 2007-05-10 | ハネウェル・インターナショナル・インコーポレーテッド | プレーナ熱アレイ |
Also Published As
| Publication number | Publication date |
|---|---|
| JPH081949B2 (ja) | 1996-01-10 |
| US5120664A (en) | 1992-06-09 |
| US5034794A (en) | 1991-07-23 |
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