JPH0332754B2 - - Google Patents
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- Publication number
- JPH0332754B2 JPH0332754B2 JP57048550A JP4855082A JPH0332754B2 JP H0332754 B2 JPH0332754 B2 JP H0332754B2 JP 57048550 A JP57048550 A JP 57048550A JP 4855082 A JP4855082 A JP 4855082A JP H0332754 B2 JPH0332754 B2 JP H0332754B2
- Authority
- JP
- Japan
- Prior art keywords
- phototransistor
- light emitting
- output
- led
- responsiveness
- Prior art date
- Legal status (The legal status is an assumption and is not a legal conclusion. Google has not performed a legal analysis and makes no representation as to the accuracy of the status listed.)
- Expired - Lifetime
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-
- G—PHYSICS
- G01—MEASURING; TESTING
- G01R—MEASURING ELECTRIC VARIABLES; MEASURING MAGNETIC VARIABLES
- G01R31/00—Arrangements for testing electric properties; Arrangements for locating electric faults; Arrangements for electrical testing characterised by what is being tested not provided for elsewhere
- G01R31/26—Testing of individual semiconductor devices
- G01R31/2607—Circuits therefor
- G01R31/2608—Circuits therefor for testing bipolar transistors
Landscapes
- Engineering & Computer Science (AREA)
- Microelectronics & Electronic Packaging (AREA)
- Physics & Mathematics (AREA)
- General Physics & Mathematics (AREA)
- Light Receiving Elements (AREA)
- Photo Coupler, Interrupter, Optical-To-Optical Conversion Devices (AREA)
- Testing Of Individual Semiconductor Devices (AREA)
- Photometry And Measurement Of Optical Pulse Characteristics (AREA)
- Testing Or Measuring Of Semiconductors Or The Like (AREA)
Description
〔発明の技術分野〕
本発明はフオトトランジスタの応答性管理装置
に関する。 〔発明の技術的背景とその問題点〕 通常フオトトランジスタの応答性はその構造
上、一般の小信号トランジスタに比べてかなり遅
い。光による非接触高速物体または高速回転検出
等ではこの応答性が重要となり、その対策を考え
なければならない。従来の応答性管理方法を第１
図に示す。矩形パルス源PGによりLED（発光ダ
イオード）１に、第２図のCH１に示すようなパ
ルス電流を流す。その時LED１に流れるピーク
電流IFPは、 IFP＝VP1／RE ……(1) で示される。ここでVP1はシンクロスコープで観
測されるCH１のピーク電圧、REはLED１と接地
間抵抗である。発光源となるLEDの応答性は非
常に早いので、LEDの電流をオン／オフさせる
ことは、光遮蔽物体がLED−フオトトランジス
タ間に出入するのと同一モードとなる。 次に光の入射と同時に、フオトトランジスタ２
の光電流ICが流れ、エミツタの電位はVP2（Ｒ＝L
×IC）まで上り、光が消える（IF＝０）と雰Ｖま
で落ちる。CH１とCH２をシンクロスコープに
入れると、第２図ａ，ｂのような波形が得られ、
波形が“VP2×0.9”に上昇するまでの時間tON、
波形が“VP2×0.1”に下降するまでの時間tOFFが
目視により読みとられる。 しかしながらこのような測定では、目視誤差が
大きい欠点がある。他の測定方法としては、前記
CH１，CH２の波形を精密な測定器に入力して
測定しているが、この場合非常に高価となる欠点
がある。 〔発明の目的〕 そこで本発明の目的とするところは、構成の簡
単化をはかることにより、比較的精密にしかも簡
易にフオトトランジスタの応答性が測定できるフ
オトトランジスタの応答性管理装置を提供しよう
とするものである。 〔発明の概要〕 上記本発明の目的を達成するために、単安定素
子で応答性の基準となる時間を定め、比較手段で
その基準値と応答波形を比較し、その結果に応じ
て双安定素子をいずれか一方に安定させて、フオ
トトランジスタの応答性を管理しようとするもの
である。 〔発明の実施例〕 以下図面を参照して本発明の一実施例を説明す
る。第３図は同実施例の回路構成図であるが、第
１図と対応する個所には同一符号を付して説明を
省略し、特徴とする点の説明を行なう。スタート
信号が供給される端子１１は単安定マルチバイブ
レータ１２の入力端に接続され、この単安定マル
チ１２の出力端はLED１のアノードに接続され
る。LED１と抵抗RE間のノード１３はスイツチ
１４の共通端子側に接続され、tON側端子１４1は
単安定マルチ１５の入力端に接続され、スイツチ
１４のtOFF側端子１４2はインバータ１６を介して
単安定マルチ１５の入力端に接続される。単安定
マルチ１５の出力端２２はインバータ１７を介し
てその出力端２５は双安定素子としてのフリツプ
フロツプ１８のクロツク入力端CPに接続される。 フオトトランジスタ２のエミツタと抵抗RL間
のノード１９はコンパレータ２０の一入力端とな
り、このコンパレータ２０の他の入力端には、基
準電圧Vrefを与える電圧源２１が接続される。コ
ンパレータ２０の出力端２３はフリツプフロツプ
１８のデータ入力端Ｄに接続され、フリツプフロ
ツプ１８のデータＱの出力端２４にデータを得
る。 第４図、第５図は第３図の動作を示すタイミン
グ波形図であり、以下この図をも適宜参照して第
３図の動作説明を行なう。まず端子１１へのスタ
ート信号の立ち上がりの時間ｔ＝t1で、単安定マ
ルチ１２がパルス幅PW1（＝t2−t1）の単一矩形パ
ルスを出力し、これをLED１のアノードに印加
する。LED１のカソードは抵抗REを介して接地
されているため、LED１のカソードには、第４
図の端子１３で示される矩形パルスが得られる。
この時LED１には、前記(1)式で示される矩形パ
ルス電流が流れ、該LED１が発光する。 tONの測定管理 LED１のカソードは、スイツチ１４のtON測定
側端子１４1を介してもう一つの単安定マルチ１
５に接続されており、これはLED出力の立ち上
がりｔ＝t1で動作し、単安定マルチ１５の出力
は、第４図で端子２２の波形として示されるよう
にパルス幅PW2（＝t3−t1）の単一矩形波となる。
これをインバータ１７を通してフリツプフロツプ
１８のCP端子に入れる。 一方、フオトトランジスタ２のエミツタは抵抗
RLを介して接地されており、光入力時間ｔ＝t1か
ら少し遅れて電流ICが流れ、エミツタ電位は第４
図の端子１９の波形で示される如く、VP2まで上
昇する。そしてフオトトランジスタのエミツタ電
位は、光の消失（ｔ＝t2）後ゆつくり接地レベル
（雰ボルト）まで下がる。今コンパレータ２０の
比較基準電位Vrefを Vref＝VP2×0.9 ……(2) と設定しておくと、ｔ＝t4でコンパレータ２０の
出力は反転して“Ｈ”（高）レベル状態となる。
コンパレータ２０の出力端２３はフリツプフロツ
プ１８のＤ端子に接続されており、ｔ≧t4では
“Ｈ”状態である。
に関する。 〔発明の技術的背景とその問題点〕 通常フオトトランジスタの応答性はその構造
上、一般の小信号トランジスタに比べてかなり遅
い。光による非接触高速物体または高速回転検出
等ではこの応答性が重要となり、その対策を考え
なければならない。従来の応答性管理方法を第１
図に示す。矩形パルス源PGによりLED（発光ダ
イオード）１に、第２図のCH１に示すようなパ
ルス電流を流す。その時LED１に流れるピーク
電流IFPは、 IFP＝VP1／RE ……(1) で示される。ここでVP1はシンクロスコープで観
測されるCH１のピーク電圧、REはLED１と接地
間抵抗である。発光源となるLEDの応答性は非
常に早いので、LEDの電流をオン／オフさせる
ことは、光遮蔽物体がLED−フオトトランジス
タ間に出入するのと同一モードとなる。 次に光の入射と同時に、フオトトランジスタ２
の光電流ICが流れ、エミツタの電位はVP2（Ｒ＝L
×IC）まで上り、光が消える（IF＝０）と雰Ｖま
で落ちる。CH１とCH２をシンクロスコープに
入れると、第２図ａ，ｂのような波形が得られ、
波形が“VP2×0.9”に上昇するまでの時間tON、
波形が“VP2×0.1”に下降するまでの時間tOFFが
目視により読みとられる。 しかしながらこのような測定では、目視誤差が
大きい欠点がある。他の測定方法としては、前記
CH１，CH２の波形を精密な測定器に入力して
測定しているが、この場合非常に高価となる欠点
がある。 〔発明の目的〕 そこで本発明の目的とするところは、構成の簡
単化をはかることにより、比較的精密にしかも簡
易にフオトトランジスタの応答性が測定できるフ
オトトランジスタの応答性管理装置を提供しよう
とするものである。 〔発明の概要〕 上記本発明の目的を達成するために、単安定素
子で応答性の基準となる時間を定め、比較手段で
その基準値と応答波形を比較し、その結果に応じ
て双安定素子をいずれか一方に安定させて、フオ
トトランジスタの応答性を管理しようとするもの
である。 〔発明の実施例〕 以下図面を参照して本発明の一実施例を説明す
る。第３図は同実施例の回路構成図であるが、第
１図と対応する個所には同一符号を付して説明を
省略し、特徴とする点の説明を行なう。スタート
信号が供給される端子１１は単安定マルチバイブ
レータ１２の入力端に接続され、この単安定マル
チ１２の出力端はLED１のアノードに接続され
る。LED１と抵抗RE間のノード１３はスイツチ
１４の共通端子側に接続され、tON側端子１４1は
単安定マルチ１５の入力端に接続され、スイツチ
１４のtOFF側端子１４2はインバータ１６を介して
単安定マルチ１５の入力端に接続される。単安定
マルチ１５の出力端２２はインバータ１７を介し
てその出力端２５は双安定素子としてのフリツプ
フロツプ１８のクロツク入力端CPに接続される。 フオトトランジスタ２のエミツタと抵抗RL間
のノード１９はコンパレータ２０の一入力端とな
り、このコンパレータ２０の他の入力端には、基
準電圧Vrefを与える電圧源２１が接続される。コ
ンパレータ２０の出力端２３はフリツプフロツプ
１８のデータ入力端Ｄに接続され、フリツプフロ
ツプ１８のデータＱの出力端２４にデータを得
る。 第４図、第５図は第３図の動作を示すタイミン
グ波形図であり、以下この図をも適宜参照して第
３図の動作説明を行なう。まず端子１１へのスタ
ート信号の立ち上がりの時間ｔ＝t1で、単安定マ
ルチ１２がパルス幅PW1（＝t2−t1）の単一矩形パ
ルスを出力し、これをLED１のアノードに印加
する。LED１のカソードは抵抗REを介して接地
されているため、LED１のカソードには、第４
図の端子１３で示される矩形パルスが得られる。
この時LED１には、前記(1)式で示される矩形パ
ルス電流が流れ、該LED１が発光する。 tONの測定管理 LED１のカソードは、スイツチ１４のtON測定
側端子１４1を介してもう一つの単安定マルチ１
５に接続されており、これはLED出力の立ち上
がりｔ＝t1で動作し、単安定マルチ１５の出力
は、第４図で端子２２の波形として示されるよう
にパルス幅PW2（＝t3−t1）の単一矩形波となる。
これをインバータ１７を通してフリツプフロツプ
１８のCP端子に入れる。 一方、フオトトランジスタ２のエミツタは抵抗
RLを介して接地されており、光入力時間ｔ＝t1か
ら少し遅れて電流ICが流れ、エミツタ電位は第４
図の端子１９の波形で示される如く、VP2まで上
昇する。そしてフオトトランジスタのエミツタ電
位は、光の消失（ｔ＝t2）後ゆつくり接地レベル
（雰ボルト）まで下がる。今コンパレータ２０の
比較基準電位Vrefを Vref＝VP2×0.9 ……(2) と設定しておくと、ｔ＝t4でコンパレータ２０の
出力は反転して“Ｈ”（高）レベル状態となる。
コンパレータ２０の出力端２３はフリツプフロツ
プ１８のＤ端子に接続されており、ｔ≧t4では
“Ｈ”状態である。
以上説明した如く本発明によれば、単安定マル
チバイブレータ、コンパレータ、フリツプフロツ
プで構成できるから、従来の目視方法に頼らず比
較的精密に、しかも簡易かつ迅速にフオトトラン
ジスタの応答性の測定管理が行なえる。また本発
明によれば、立上り応答tONの測定管理と、立下
り応答tOFFの両測定管理が、切換手段（スイツチ
１４、インバータ１６の部分に相当）を使用する
だけで、ともに共通の装置を用いて行なえる等の
利点を有したフオトトランジスタの応答性管理装
置が提供できるものである。
チバイブレータ、コンパレータ、フリツプフロツ
プで構成できるから、従来の目視方法に頼らず比
較的精密に、しかも簡易かつ迅速にフオトトラン
ジスタの応答性の測定管理が行なえる。また本発
明によれば、立上り応答tONの測定管理と、立下
り応答tOFFの両測定管理が、切換手段（スイツチ
１４、インバータ１６の部分に相当）を使用する
だけで、ともに共通の装置を用いて行なえる等の
利点を有したフオトトランジスタの応答性管理装
置が提供できるものである。
第１図は従来のフオトトランジスタの応答性管
理装置を示す回路図、第２図は同回路の作用を示
す信号波形図、第３図は本発明の一実施例を示す
回路図、第４図、第５図は同回路の作用を示す信
号波形図である。 １……LED、２……フオトトランジスタ、１
２，１５……単安定マルチバイブレータ、１４…
…スイツチ、１６，１７……インバータ、１８…
…フリツプフロツプ、２０……コンパレータ、２
１……基準電圧源。
理装置を示す回路図、第２図は同回路の作用を示
す信号波形図、第３図は本発明の一実施例を示す
回路図、第４図、第５図は同回路の作用を示す信
号波形図である。 １……LED、２……フオトトランジスタ、１
２，１５……単安定マルチバイブレータ、１４…
…スイツチ、１６，１７……インバータ、１８…
…フリツプフロツプ、２０……コンパレータ、２
１……基準電圧源。
Claims (1)
- 【特許請求の範囲】 １ 第１の単安定素子と、該素子からの通電によ
り発光する発光手段と、該手段の発光を受けるフ
オトトランジスタと、前記第１の単安定素子から
前記発光手段への通電開始によりこの通電で得ら
れる出力信号の正転信号・反転信号の切換手段
と、この切換手段の信号出力側に設けられ、前記
発光手段に通電が開始されてその通電レベルが一
方の状態のとき設定時間一方の状態に安定する第
２の単安定素子と、前記フオトトランジスタの出
力電圧と基準電圧とを比較する比較手段と、前記
第２の単安定素子の出力レベル変化で設定時間経
過したことが検出されると前記比較手段の出力信
号レベルに応じて出力レベルがきまる双安定子と
具備したことを特徴とするフオトトランジスタの
応答性管理装置。 ２ 前記発光手段はLED（発光ダイオード）であ
る特許請求の範囲第１項に記載のフオトトランジ
スタの応答性管理装置。
Priority Applications (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP57048550A JPS58166273A (ja) | 1982-03-26 | 1982-03-26 | フオトトランジスタの応答性管理装置 |
Applications Claiming Priority (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP57048550A JPS58166273A (ja) | 1982-03-26 | 1982-03-26 | フオトトランジスタの応答性管理装置 |
Publications (2)
| Publication Number | Publication Date |
|---|---|
| JPS58166273A JPS58166273A (ja) | 1983-10-01 |
| JPH0332754B2 true JPH0332754B2 (ja) | 1991-05-14 |
Family
ID=12806476
Family Applications (1)
| Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
|---|---|---|---|
| JP57048550A Granted JPS58166273A (ja) | 1982-03-26 | 1982-03-26 | フオトトランジスタの応答性管理装置 |
Country Status (1)
| Country | Link |
|---|---|
| JP (1) | JPS58166273A (ja) |
Family Cites Families (2)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| JPS5396680A (en) * | 1977-02-02 | 1978-08-24 | Mitsubishi Electric Corp | Photo element measuring instrument |
| JPS56153873U (ja) * | 1980-04-17 | 1981-11-17 |
-
1982
- 1982-03-26 JP JP57048550A patent/JPS58166273A/ja active Granted
Also Published As
| Publication number | Publication date |
|---|---|
| JPS58166273A (ja) | 1983-10-01 |
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