JPH0333058Y2 - - Google Patents

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JPH0333058Y2
JPH0333058Y2 JP1987098829U JP9882987U JPH0333058Y2 JP H0333058 Y2 JPH0333058 Y2 JP H0333058Y2 JP 1987098829 U JP1987098829 U JP 1987098829U JP 9882987 U JP9882987 U JP 9882987U JP H0333058 Y2 JPH0333058 Y2 JP H0333058Y2
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Description

【考案の詳細な説明】 《産業上の利用分野》 この考案は、半導体基板やガラス基板等の薄板
状基板の表面を処理液蒸気で表面処理するのに用
いられ、例えばフオトレジストの密着性を向上さ
せるために、基板の表面に密着強化液の蒸気を供
給してその表面処理をする装置等に関するもので
ある。
《従来技術》 この種の表面処理装置では被処理基板（以下単
に基板と称する）の表面に処理液を均一に付着さ
せることが肝要であり、そのため従来より例えば
本出願人の提案に係る第３図に示すものが知られ
ている（実開昭61−119341号公報）。
これは上面に基板１を載置してその基板１を所
要温度に加熱する熱処理用プレート２と、プレー
ト２上に載置した基板１を囲つて基板処理室１１
ｂを形成し得るように設けられた蓋体１０と、蓋
体１０内へ臨ませて設けられ処理室１１ｂ内へ処
理液蒸気を供給するノズル１４と、プレート２の
周囲に付設され、当該プレート２の周縁に沿つ
て、吸気スリツト８ａを開口形成した排気用チヤ
ンバー８とを備えて成り、蓋体１０で基板１を囲
つた処理状態では蓋体１０の下端縁とプレート２
の上面との間に処理液蒸気の流通隙間９が形成さ
れるように構成されている。
なお、第３図において符号１６はプレート２上
へ基板１を搬入・搬出する一対の搬送ベルト、１
７は搬送ベルト１６を下降没入させて搬送ベルト
１６からプレート２上へ基板１を載置するための
ベルト没入溝、３は基板１０をプレート２上に密
着保持するための吸着孔であつて図示しない減圧
手段に連管している。１２は蓋体１０内を処理液
蒸気の流入室１１ａと基板処理室１１ｂとに上下
に仕切る整流板、そして１５は断熱カバーであ
る。
従つて、基板処理状態にあつては、ノズル１４
より供給され流入室１１ａに流入した処理液蒸気
は整流板１２に穿設した多数の細孔１３を介して
ほぼ均一に流下し、基板１の表面に接触して、上
記流通隙間９より流出して排気チヤンバー８に吸
入される。
なお、この基板処理状態では基板１の表面での
処理液蒸気の流れに乱れが生じると均一な表面処
理が阻害されることから、上記従来例では排気用
チヤンバー８の吸気スリツト８ａを基板１からあ
る程度遠ざけるとともに、吸気スリツト８ａには
処理液蒸気の他に本装置より外部の室内空気も取
り込んで、吸気スリツト８ａにおける吸気の不均
一や排気チヤンバー８の強制排気による脈流等の
影響を直接受けることがないように構成されてい
る。
《考案が解決しようとする問題点》 上記従来の装置は、処理液蒸気を均一に流下さ
せて供給する点で有用なものであるが、なお以下
の点で改善の余地がある。
上記従来例では、整流板１２を通つて均一に流
下した処理液蒸気は蓋体１０の下端縁とプレート
上面とで形成される蒸気流通隙間９を流通して放
射状に流出するが、この流通隙間９のところでは
流路断面積が狭いため、吸気スリツト８ａにおけ
る排気流の微少な不均一さや排気圧の微少な変動
によつて、この流通隙間９において排気流の乱れ
を生じ、これが原因と思われるが基板１の周縁部
において処理液蒸気との接触に不均一が生じると
いう問題がある。そのため、基板１の周縁部のど
の位置でも確実に処理液蒸気と接触できるように
処理時間を長くしたり、供給する処理液蒸気の量
を多目にするなどの対策がなされている。
《問題点を解決するための手段》 本考案は上記問題点を解決するためになされた
もので、前記従来の表面処理装置を以下のように
改良したものである。
即ち、蓋体の外周を囲む位置に処理液蒸気のオ
ーバーフロー筒を設置し、オーバーフロー筒はそ
の下端がプレートの上面に当接するとともに、そ
の上端が被処理基板の上面よりも高く位置するよ
うに構成したことを特徴とするものである。
《作用》 本考案では蓋体の外周を囲む位置に、オーバー
フロー筒が設置されており、これにより、蒸気流
通隙間から流出する処理液蒸気はオーバーフロー
筒で堰き止められ、オーバーフロー筒の上端より
溢れ出る。
従つて、基板処理室内は処理液蒸気で充満され
ており、基板の周縁部でも処理液蒸気の流れが乱
れたりして、その濃度が一部希薄になることもな
く、基板表面の全面に亘つて処理液が均一に付着
する。なお処理液蒸気はオーバーフローするのに
足りる分だけ供給すればよく、また蒸気流通隙間
を殊更微調するまでもない。
《実施例》 以下、本考案に係る実施例装置を図面に基づい
て説明する。
第１図は表面処理装置の概要を示す縦断面図、
第２図はその表面処理装置の一部を破断して示す
平面図である。
この表面処理装置は、上面に基板１を密着保持
してその基板１を所要の温度に加熱する熱処理用
プレート２と、プレート２上に基板１を搬入・搬
出する左右一対のアーム式搬送装置６ａ，６ｂ
と、プレート２を貫通して昇降可能に設けられた
基板受渡装置７と、プレート２の周囲に付設され
た排気用ダクト８と、プレート２上に載置した基
板１を囲うようにして昇降可能に設けられた蓋体
１０と、蓋体１０内に処理液蒸気の吐出口を臨ま
せて設けられた処理液蒸気供給用ノズル１４と、
蓋体１０にその上から被せるように設けられた断
熱カバー１５とを備えて成る。
プレート２には基板１を密着保持する吸着孔３
が形成され、かつ、図示しない加熱・冷却手段及
び検温素子が内蔵されており、基板１を所要の設
定温度に高精度で保温維持するように構成されて
いる。
プレート２の周囲には排気用チヤンバー８が付
設され、処理液蒸気等をその上面に切設した吸気
スリツト８ａより吸入して図示しない排気路を介
して室外に排出するように構成されている。
蓋体１０は上述したように図示しない昇降手段
によつて昇降可能に設けられており、基板１の搬
入・搬出に際しては第１図の仮想線で示す位置ま
で上昇させ、基板１の表面処理に際しては同図の
実線で示す位置まで下降させるように構成されて
いる。
また、蓋体１０内には従来例と同様、内部空間
１１を処理液蒸気の流入室１１ａと基板処理室１
１ｂとに上下に仕切る整流板１２が設けられてお
り、流入室１１ａに流入した処理液蒸気は整流板
１２に穿設した多数の細孔１３を介してほぼ均一
に流下し、基板１の表面に接触して処理液を付着
させるようになつている。
以下、本考案の特徴となる構造について説明す
る。
蓋体１０には、その外周に通気用隙間４を形成
するように処理液蒸気のオーバーフロー筒５が外
嵌され、支持具２０で支持されており、基板１を
蓋体１０で囲つた基板処理状態ではオーバーフロ
ー筒５の下端がプレート２の上面と当接し、その
上端は基板１の上面よりも十分高く位置するとと
もに、蓋体１０の周縁下端面とプレート２の上面
との間に例えば、0.5mm程度の蒸気流通隙間９が
形成されるように構成されている。
次に、本実施例装置の動作を説明する。
まず、一方のアーム式搬送装置６ａによりプレ
ート２の上方に搬送されてきた基板１を、基板受
渡装置７のピン７ａを上昇させることによつて３
本のピンで受け取り、次いでピン７ａを下降させ
ることによつて、基板１をプレート２の上面に載
置する。
次に、吸着孔３を真空引きして基板１をプレー
ト２に密着させ、基板１を所要の温度に加熱す
る。
次いで、蓋体１０を第１図の仮想線の位置より
実線の位置まで下降させ、蓋体１０に外嵌固定し
たオーバーフロー筒５の下端をプレート２の上面
に当接させる。この状態では蓋体１０の下端縁と
プレート２の上面との間に蒸気流通隙間９が形成
されている。これと同時に処理液蒸気をノズル１
４より供給し、蓋体１０内の整流板１２の細孔１
３より処理液蒸気を流下させて基板１の表面に接
触させる。
この時、処理液蒸気は、それ自身の圧力によつ
て蒸気流通隙間９より流出するが、オーバーフロ
ー筒５によつて堰き止められているので、蓋体１
０の外周壁とオーバーフロー筒５とによつて形成
された通気用隙間４を迂回してオーバーフロー筒
５の上端より溢れ出る。なおオーバーフロー筒５
の上端は基板１の上面より十分高く位置してお
り、基板処理室１１ｂ内は、処理液蒸気で充満さ
れ、基板１の全面に亘つて処理液が均一に付着す
る。
オーバーフロー筒５よりオーバーフローした処
理液蒸気はプレート２の周囲に設けられた排気用
チヤンバー８の吸気スリツト８ａより、本装置外
の室内の空気とともに吸引されて、室外等へ排出
される。
所定時間に亘つて基板１の表面処理をした後、
処理液蒸気の供給を停止し、蓋体１０を上昇させ
るとともに、あらかじめ真空引きを解除した基板
１をピン７ａで持ち上げ、他方のアーム搬送装置
６ｂにより後方へ水平搬出する。
しかる後、次の基板をプレート上に搬入し、同
じ要領で一枚づつ、順次に表面処理を行なう。
なお、表面処理剤としては、例えばフオトレジ
ストの密着性を向上させるための有機クロルシラ
ン、又はヘキサメチルジシラザン等の他、所要の
温度条件で基板の表面にその蒸気・気体等を均一
に接触させ得るものであれば何でもよい。
上記実施例ではオーバーフロー筒を蓋体に固定
したものについて例示したが、これに限るもので
はない。また、蓋体１０を平面視で円形のものと
したが、例えば多角形でもよく、プレート２も基
板１と同様の円形にしてもよい。それに伴つて排
気チヤンバー８を環状にしてもよい。
さらに、上記実施例ではアーム式の基板搬送装
置６ａ，６ｂを有するものについて例示したが、
従来装置と同様のベルト式搬送装置１６を有する
ものでもよい。
《考案の効果》 本考案によれば前記のように構成され作用する
ことから次のような効果を奏する。
(イ) 蓋体の下端縁とプレート上面との蒸気流通隙
間から流出する処理液蒸気はオーバーフロー筒
によつて堰き止められ、基板処理室内は処理液
蒸気が充満するので、従来例のように基板の周
縁部で処理液の付着が不足気味になることはな
い。これにより基板表面の均一な処理をするこ
とができる。また長い時間を要さなくても確実
に均一な処理をすることができる。
(ロ) また、処理液蒸気はオーバーフロー筒からオ
ーバーフローするに足りるだけ供給すればよい
ので、全体として処理剤の消費量が少くて済
む。
(ハ) さらに、蓋体の下端縁とプレート上面との蒸
気流通隙間の調整もラフでよいので、調節が容
易となる。
【図面の簡単な説明】
第１図は本考案に係る表面処理装置の概要を示
す縦断面図、第２図はその装置の一部を破断して
示す平面図、第３図は従来装置の縦断面図であ
る。 １……被処理基板、２……熱処理用プレート、
４……通気用隙間、５……オーバーフロー筒、８
……排気用チヤンバー、８ａ……吸気スリツト、
９……蒸気流通隙間、１０……蓋体、１１ｂ……
基板処理室、１４……処理液供給ノズル。

Claims (1)

  1. 【実用新案登録請求の範囲】 上面に被処理基板を載置するプレートと、プレ
    ート上の被処理基板を囲つて基板処理室を形成す
    るように設けられた蓋体と、蓋体内に処理液蒸気
    を供給する手段と、プレートの周縁部に吸気スリ
    ツトを有する排気用チヤンバとを具備して成り、
    蓋体の下端縁とプレートの上面との間に所要の蒸
    気流通隙間を形成するように構成した基板の表面
    処理装置において、 蓋体の外周を囲む位置に処理液蒸気のオーバー
    フロー筒を設置し、オーバーフロー筒はその下端
    がプレートの上面に当接するとともに、その上端
    が被処理基板の上面よりも高く位置するように構
    成したことを特徴とする基板の表面処理装置。
JP1987098829U 1987-06-26 1987-06-26 Expired JPH0333058Y2 (ja)

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US07/211,773 US4870923A (en) 1987-06-26 1988-06-27 Apparatus for treating the surfaces of wafers

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