JPH0236276Y2 - - Google Patents
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- JPH0236276Y2 JPH0236276Y2 JP1985000950U JP95085U JPH0236276Y2 JP H0236276 Y2 JPH0236276 Y2 JP H0236276Y2 JP 1985000950 U JP1985000950 U JP 1985000950U JP 95085 U JP95085 U JP 95085U JP H0236276 Y2 JPH0236276 Y2 JP H0236276Y2
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- H10P72/04—Apparatus for manufacture or treatment
- H10P72/0441—Apparatus for sealing, encapsulating, glassing, decapsulating or the like
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- C—CHEMISTRY; METALLURGY
- C23—COATING METALLIC MATERIAL; COATING MATERIAL WITH METALLIC MATERIAL; CHEMICAL SURFACE TREATMENT; DIFFUSION TREATMENT OF METALLIC MATERIAL; COATING BY VACUUM EVAPORATION, BY SPUTTERING, BY ION IMPLANTATION OR BY CHEMICAL VAPOUR DEPOSITION, IN GENERAL; INHIBITING CORROSION OF METALLIC MATERIAL OR INCRUSTATION IN GENERAL
- C23C—COATING METALLIC MATERIAL; COATING MATERIAL WITH METALLIC MATERIAL; SURFACE TREATMENT OF METALLIC MATERIAL BY DIFFUSION INTO THE SURFACE, BY CHEMICAL CONVERSION OR SUBSTITUTION; COATING BY VACUUM EVAPORATION, BY SPUTTERING, BY ION IMPLANTATION OR BY CHEMICAL VAPOUR DEPOSITION, IN GENERAL
- C23C16/00—Chemical coating by decomposition of gaseous compounds, without leaving reaction products of surface material in the coating, i.e. chemical vapour deposition [CVD] processes
- C23C16/44—Chemical coating by decomposition of gaseous compounds, without leaving reaction products of surface material in the coating, i.e. chemical vapour deposition [CVD] processes characterised by the method of coating
- C23C16/455—Chemical coating by decomposition of gaseous compounds, without leaving reaction products of surface material in the coating, i.e. chemical vapour deposition [CVD] processes characterised by the method of coating characterised by the method used for introducing gases into reaction chamber or for modifying gas flows in reaction chamber
- C23C16/45563—Gas nozzles
- C23C16/45565—Shower nozzles
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- C—CHEMISTRY; METALLURGY
- C23—COATING METALLIC MATERIAL; COATING MATERIAL WITH METALLIC MATERIAL; CHEMICAL SURFACE TREATMENT; DIFFUSION TREATMENT OF METALLIC MATERIAL; COATING BY VACUUM EVAPORATION, BY SPUTTERING, BY ION IMPLANTATION OR BY CHEMICAL VAPOUR DEPOSITION, IN GENERAL; INHIBITING CORROSION OF METALLIC MATERIAL OR INCRUSTATION IN GENERAL
- C23C—COATING METALLIC MATERIAL; COATING MATERIAL WITH METALLIC MATERIAL; SURFACE TREATMENT OF METALLIC MATERIAL BY DIFFUSION INTO THE SURFACE, BY CHEMICAL CONVERSION OR SUBSTITUTION; COATING BY VACUUM EVAPORATION, BY SPUTTERING, BY ION IMPLANTATION OR BY CHEMICAL VAPOUR DEPOSITION, IN GENERAL
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- H—ELECTRICITY
- H10—SEMICONDUCTOR DEVICES; ELECTRIC SOLID-STATE DEVICES NOT OTHERWISE PROVIDED FOR
- H10W—GENERIC PACKAGES, INTERCONNECTIONS, CONNECTORS OR OTHER CONSTRUCTIONAL DETAILS OF DEVICES COVERED BY CLASS H10
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- H10W74/01—Manufacture or treatment
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Description
【考案の詳細な説明】
(産業上の利用分野)
本考案は、半導体基板等の薄板状基板表面を、
蒸気状の表面処理剤にて表面処理するための装置
に関する。
蒸気状の表面処理剤にて表面処理するための装置
に関する。
より詳しくは、フオトレジストの密着性を向上
させるため、基板の表面を、有機クロルシラン、
ヘキサメチルジシラザン等の密着強化剤で表面処
理するための装置に関する。
させるため、基板の表面を、有機クロルシラン、
ヘキサメチルジシラザン等の密着強化剤で表面処
理するための装置に関する。
(従来技術)
二酸化シリコン基板の如き酸化物表面のフオト
レジストの密着不良を防ぎ、もつて、エツチング
時における酸化物のアンダーカツテングを防ぐに
は、例えば、特公昭47−26043号公報に記載され
ているように、ヘキサアルキルジシラザンを含む
密着強化剤を用いて、酸化物表面を処理すること
が行われるが、その際、基板表面への密着強化剤
は、噴霧回転式方法により、あるいは密着強化剤
の溶液中に基板を浸漬することにより、または、
気化した密着強化剤の雰囲気中に基板を置くこと
等によつて、供給される。
レジストの密着不良を防ぎ、もつて、エツチング
時における酸化物のアンダーカツテングを防ぐに
は、例えば、特公昭47−26043号公報に記載され
ているように、ヘキサアルキルジシラザンを含む
密着強化剤を用いて、酸化物表面を処理すること
が行われるが、その際、基板表面への密着強化剤
は、噴霧回転式方法により、あるいは密着強化剤
の溶液中に基板を浸漬することにより、または、
気化した密着強化剤の雰囲気中に基板を置くこと
等によつて、供給される。
また、特開昭57−31151号公報に記載のように、
有機クロルシランまたはヘキサメチルジシラザン
等の表面改良剤の蒸気浴装置に、多数の半導体基
板を連続して、通過させる装置も知られている。
有機クロルシランまたはヘキサメチルジシラザン
等の表面改良剤の蒸気浴装置に、多数の半導体基
板を連続して、通過させる装置も知られている。
さらに、添付図面の第3図に示すように、プレ
ート2の上に載置した基板1の周域に、表面処理
剤蒸気供給管4を備える蓋体3をもつて、密閉チ
ヤンバー6を形成し、この密閉チヤンバー6内に
表面処理剤を供給する装置も公知である。3′は
パツキンである。
ート2の上に載置した基板1の周域に、表面処理
剤蒸気供給管4を備える蓋体3をもつて、密閉チ
ヤンバー6を形成し、この密閉チヤンバー6内に
表面処理剤を供給する装置も公知である。3′は
パツキンである。
なお、本出願人も、第3図に類似する「乾燥処
理装置」を、実願昭58−198947号(実開昭60−
109324号)として出願している。
理装置」を、実願昭58−198947号(実開昭60−
109324号)として出願している。
(本考案が解決しようとする問題点)
第3図のような従来の装置において、プレート
2には、図示しない加熱手段、又は冷却手段、及
び測温体が内蔵され、かつ真空吸着孔5が、穿設
されている。
2には、図示しない加熱手段、又は冷却手段、及
び測温体が内蔵され、かつ真空吸着孔5が、穿設
されている。
プレート2の上に基板1を載置し、これを真空
吸着して、プレート2の表面に密着させながら、
表面処理剤の蒸気を密閉チヤンバー6内に供給し
て、基板1の表面を処理するのであるが、表面処
理剤蒸気供給管4より密閉チヤンバー6内に供給
された表面処理剤蒸気が、均一に基板1の表面に
付着しないという問題があつた。
吸着して、プレート2の表面に密着させながら、
表面処理剤の蒸気を密閉チヤンバー6内に供給し
て、基板1の表面を処理するのであるが、表面処
理剤蒸気供給管4より密閉チヤンバー6内に供給
された表面処理剤蒸気が、均一に基板1の表面に
付着しないという問題があつた。
また、上部蓋体3がプレート2に全周接触して
いると、接触部から熱伝導が起こり、基板1上で
温度の不均一を生じる欠点もあつた。
いると、接触部から熱伝導が起こり、基板1上で
温度の不均一を生じる欠点もあつた。
さらに、第3図の従来装置においては、蓋体3
の左側面より表面処理剤をチヤンバー6内に供給
し、蓋体3の右側面より排出することもできる
が、基板1の表面に、均一に表面処理剤を付着さ
せることは、不可能もしくは至難である。
の左側面より表面処理剤をチヤンバー6内に供給
し、蓋体3の右側面より排出することもできる
が、基板1の表面に、均一に表面処理剤を付着さ
せることは、不可能もしくは至難である。
(問題点を解決するための手段)
本考案は、第3図のような従来の装置の改良に
関し、表面処理剤供給口を具備する蓋体の下端縁
全周を、プレートに密着させることなく、近接さ
せるか、又は少なくとも1点で点接触させること
により、蓋体の下端縁とプレート間を開放したチ
ヤンバーを形成し、かつ蓋体の適宜な位置より供
給した表面処理剤蒸気を、蓋体の下端縁とプレー
ト間の開口部より、表面処理剤蒸気が流出し得る
ようにしている。
関し、表面処理剤供給口を具備する蓋体の下端縁
全周を、プレートに密着させることなく、近接さ
せるか、又は少なくとも1点で点接触させること
により、蓋体の下端縁とプレート間を開放したチ
ヤンバーを形成し、かつ蓋体の適宜な位置より供
給した表面処理剤蒸気を、蓋体の下端縁とプレー
ト間の開口部より、表面処理剤蒸気が流出し得る
ようにしている。
また、プレートの周側面には排気チヤンバーを
付設し、前記蓋体とプレート間の隙間より流出し
た表面処理剤蒸気を、排気チヤンバーより排出で
きるようにしている。
付設し、前記蓋体とプレート間の隙間より流出し
た表面処理剤蒸気を、排気チヤンバーより排出で
きるようにしている。
なお、プレート周側面に付設された排気チヤン
バーは、蓋体とプレートとで形成した処理チヤン
バーからの表面処理剤蒸気のみではなく、装置を
据付けた室内空気をも排気できるようにし、排気
チヤンバーの強制排気が、処理チヤンバー内に、
直接作用しないように構成されている。
バーは、蓋体とプレートとで形成した処理チヤン
バーからの表面処理剤蒸気のみではなく、装置を
据付けた室内空気をも排気できるようにし、排気
チヤンバーの強制排気が、処理チヤンバー内に、
直接作用しないように構成されている。
また、蓋体内部には整流板が配設され、表面処
理剤蒸気が、プレート表面に載置された基板表面
に均一に供給されるように構成されている。
理剤蒸気が、プレート表面に載置された基板表面
に均一に供給されるように構成されている。
蓋体内部に供給された表面処理剤蒸気は、蓋体
とプレート間の隙間より、放射状に、かつ層流状
に排出されるため、基板の表面には、均一な層流
が形成され、均一な表面処理ができる。
とプレート間の隙間より、放射状に、かつ層流状
に排出されるため、基板の表面には、均一な層流
が形成され、均一な表面処理ができる。
(実施例)
第1図は、本考案に係る表面処理装置の実施例
を示す縦断面図であり、第2図は、同じく一部を
破断した平面図を示す。
を示す縦断面図であり、第2図は、同じく一部を
破断した平面図を示す。
プレート2に内蔵した図示しない加熱手段、又
は冷却手段には、測温体が付設されている。
は冷却手段には、測温体が付設されている。
真空吸着孔5が穿設されたプレート2の表面に
は、基板搬送用の1対の無端ベルト9,9′が出
没可能なように、1対の平行溝10が切設されて
おり、 無端ベルト9,9′には、平行溝10の中に没
入したり、プレート2の上へ上昇できるように、
図示しない水平走行手段、及び上下昇降手段が連
結されている。
は、基板搬送用の1対の無端ベルト9,9′が出
没可能なように、1対の平行溝10が切設されて
おり、 無端ベルト9,9′には、平行溝10の中に没
入したり、プレート2の上へ上昇できるように、
図示しない水平走行手段、及び上下昇降手段が連
結されている。
したがって、無端ベルト9,9′上に載置され
た基板1は、この無端ベルト9,9′上を水平に
搬送され、プレート2上に載置される。
た基板1は、この無端ベルト9,9′上を水平に
搬送され、プレート2上に載置される。
プレート2の周側面には、例えば角筒からなる
枠状の排気チヤンバー8が付設され、排気チヤン
バー8の所要部には、図示を省略した強制排気ダ
クトが接続されている。また、排気チヤンバー8
の上部には、スリツト8′が設けられ、このスリ
ツト8′より、プレート2の上方から流出してく
る表面処理剤蒸気及び室内の空気が、チヤンバー
8内に吸引され、排気ダクトを介して室外へ排出
される。
枠状の排気チヤンバー8が付設され、排気チヤン
バー8の所要部には、図示を省略した強制排気ダ
クトが接続されている。また、排気チヤンバー8
の上部には、スリツト8′が設けられ、このスリ
ツト8′より、プレート2の上方から流出してく
る表面処理剤蒸気及び室内の空気が、チヤンバー
8内に吸引され、排気ダクトを介して室外へ排出
される。
排気チヤンバー8にも、平行溝10と同形状
で、かつそれに続く平行溝11が切設されてお
り、無端ベルト9,9′の出没に支障のないよう
にしてある。
で、かつそれに続く平行溝11が切設されてお
り、無端ベルト9,9′の出没に支障のないよう
にしてある。
また、プレート2の上に載置された基板1の上
方で、かつ基板1の周域には、その下端が開放す
る処理チヤンバーを形成する蓋体3が、第1図の
2点鎖線の位置と実線の位置の間を、適宜の昇降
手段で上下移動できるようにして設けられてお
り、 下降した蓋体3の下端縁と、プレート2の上面
間の距離は、例えば0.5mm程度としてある。
方で、かつ基板1の周域には、その下端が開放す
る処理チヤンバーを形成する蓋体3が、第1図の
2点鎖線の位置と実線の位置の間を、適宜の昇降
手段で上下移動できるようにして設けられてお
り、 下降した蓋体3の下端縁と、プレート2の上面
間の距離は、例えば0.5mm程度としてある。
なお、図示はしていないが、蓋体3の下端縁
に、例えば1点、好ましくは3点の点接触できる
スペーサーを突設させて、プレート上面との間に
隙間を、すべて、同じ高さにすることもできる。
に、例えば1点、好ましくは3点の点接触できる
スペーサーを突設させて、プレート上面との間に
隙間を、すべて、同じ高さにすることもできる。
蓋体3の上部ほぼ中央には、表面処理剤蒸気供
給口4が付設され、かつ蓋体3内には、多数の細
孔7′を穿設した整流板7が固設されている。
給口4が付設され、かつ蓋体3内には、多数の細
孔7′を穿設した整流板7が固設されている。
蓋体3に対する表面処理剤蒸気供給用導管12
の所要位置には、図示しない自動弁が設けられて
おり、適宜この自動弁を開閉して、表面処理剤蒸
気を供給できるようにしてある。
の所要位置には、図示しない自動弁が設けられて
おり、適宜この自動弁を開閉して、表面処理剤蒸
気を供給できるようにしてある。
蓋体3の外部には、蓋体3を覆う断熱カバー1
3を、第1図のように吊設するのが好ましい。
3を、第1図のように吊設するのが好ましい。
次に、第1図及び第2図に示す実施例の動作を
説明する。
説明する。
まず、無端ベルト9,9′によりプレート2の
上方に搬送されてきた基板1を、ベルト9,9′
を平行溝10,10の中に没入させることによつ
て、プレート2の表面に載置する。
上方に搬送されてきた基板1を、ベルト9,9′
を平行溝10,10の中に没入させることによつ
て、プレート2の表面に載置する。
次いで、真空吸着孔5よりの吸着作用によつ
て、基板1をプレート2に密着させ、プレート2
に内蔵した図示しない加熱又は冷却手段によつ
て、基板1を、所要の温度に加熱または冷却す
る。
て、基板1をプレート2に密着させ、プレート2
に内蔵した図示しない加熱又は冷却手段によつ
て、基板1を、所要の温度に加熱または冷却す
る。
次に蓋体3を、第1図の2点鎖線の位置より下
降させ、蓋体3の下端縁を、プレート2の上面に
近接させ、これと同時に、表面処理剤蒸気を供給
管4より供給し、蓋体3内の整流板7の細孔7′
より表面処理剤蒸気を流下させて、基板1の表面
に接触させる。
降させ、蓋体3の下端縁を、プレート2の上面に
近接させ、これと同時に、表面処理剤蒸気を供給
管4より供給し、蓋体3内の整流板7の細孔7′
より表面処理剤蒸気を流下させて、基板1の表面
に接触させる。
この時、表面処理剤の蒸気は、それ自身の圧力
によつて、蓋体3とプレート2の上面との隙間よ
り、蓋体3内の処理チヤンバーの外部へ流出し、
プレート2の周囲に付設された排気チヤンバー8
のスリツト8′より、室内の空気とともに吸引さ
れて、室外等に排出される。
によつて、蓋体3とプレート2の上面との隙間よ
り、蓋体3内の処理チヤンバーの外部へ流出し、
プレート2の周囲に付設された排気チヤンバー8
のスリツト8′より、室内の空気とともに吸引さ
れて、室外等に排出される。
所定時間に亘つて基板1の表面処理をした後、
表面処理剤の供給を停止し、蓋体3を上昇させる
とともに、無端ベルト9,9′を平行溝10,1
0より上昇させ、あらかじめ真空吸着を解除した
基板1を、プレート2より分離させて、水平搬出
する。
表面処理剤の供給を停止し、蓋体3を上昇させる
とともに、無端ベルト9,9′を平行溝10,1
0より上昇させ、あらかじめ真空吸着を解除した
基板1を、プレート2より分離させて、水平搬出
する。
しかる後、次の基板を処理チヤンバー内に搬入
し、前記したと同じ要領で、1枚毎に、連続的に
表面処理を行うことができる。
し、前記したと同じ要領で、1枚毎に、連続的に
表面処理を行うことができる。
蓋体3が上昇した時も、排気チヤンバー8から
の排気は継続しているため、処理チヤンバー内の
気体が室内に漏れ出ることはない。
の排気は継続しているため、処理チヤンバー内の
気体が室内に漏れ出ることはない。
表面処理剤としては、有機クロルシラン又は、
ヘキサメチルジシラジン等の密着強化剤のみでは
なく、所要の温度条件で所要の気体、又は蒸気を
均一に接触させて、均一な表面処理を行うことが
できるものであれば、上記以外のものも使用しう
ることは云うまでもない。
ヘキサメチルジシラジン等の密着強化剤のみでは
なく、所要の温度条件で所要の気体、又は蒸気を
均一に接触させて、均一な表面処理を行うことが
できるものであれば、上記以外のものも使用しう
ることは云うまでもない。
前記した実施例では、蓋体3は円筒形である
が、例えば多角筒でもよい。またプレート2も、
基板1とほぼ相似の円形としてもよく、それに伴
なつて排気チヤンバー8を環状としてもよいこと
は勿論である。
が、例えば多角筒でもよい。またプレート2も、
基板1とほぼ相似の円形としてもよく、それに伴
なつて排気チヤンバー8を環状としてもよいこと
は勿論である。
(効果)
(1) 蓋体内部に供給された表面処理剤蒸気は、蓋
体とプレート間の隙間より、放射状に、かつ層
流状に排出されるため、基板の表面には、均一
な層流が形成され、均一な表面処理ができる。
体とプレート間の隙間より、放射状に、かつ層
流状に排出されるため、基板の表面には、均一
な層流が形成され、均一な表面処理ができる。
(2) 被処理基板表面に接触する表面処理剤の蒸気
は、整流板により、ほぼ均一な層流となるか
ら、従来のものに比して、均一な表面処理を行
うことができる。
は、整流板により、ほぼ均一な層流となるか
ら、従来のものに比して、均一な表面処理を行
うことができる。
(3) 蓋体とプレートとが密着しないため、または
蓋体とプレートとが、少なくとも1個の点接触
であることから、蓋体を通じてのプレートから
の熱伝導がほとんどない。
蓋体とプレートとが、少なくとも1個の点接触
であることから、蓋体を通じてのプレートから
の熱伝導がほとんどない。
(4) 蓋体の外部を覆う断熱カバーを吊設すること
により、従来に比べて、より放熱量が少なくな
り、熱効率が向上し、温度制御がより正確にな
る。
により、従来に比べて、より放熱量が少なくな
り、熱効率が向上し、温度制御がより正確にな
る。
(5) プレートから蓋体への熱伝導が、全くまたは
ほとんどないため、従来に比べて、プレートの
熱分布が極めて均一となり、所定温度条件での
表面処理を、均一に行うことができる。
ほとんどないため、従来に比べて、プレートの
熱分布が極めて均一となり、所定温度条件での
表面処理を、均一に行うことができる。
(6) プレート周囲に排気チヤンバーが付設されて
いるため、表面処理剤蒸気が室内に漏れでるこ
とがなく、好都合である。
いるため、表面処理剤蒸気が室内に漏れでるこ
とがなく、好都合である。
第1図は、本考案の一実施例を示す縦断面図、
第2図は、同じく、一部を破断して示す平面図、
第3図は、従来の表面処理装置の例を概念的に示
す縦断面図である。 1……基板、2……プレート、3……蓋体、
3′……パツキン、4……表面処理剤蒸気供給管、
5……真空吸着孔、6……密閉チヤンバー、7…
…整流板、7′……細孔、8……排気チヤンバー、
8′……スリツト、9,9′……無端ベルト、1
0,11……平行溝、12……導管、13……断
熱カバー。
第2図は、同じく、一部を破断して示す平面図、
第3図は、従来の表面処理装置の例を概念的に示
す縦断面図である。 1……基板、2……プレート、3……蓋体、
3′……パツキン、4……表面処理剤蒸気供給管、
5……真空吸着孔、6……密閉チヤンバー、7…
…整流板、7′……細孔、8……排気チヤンバー、
8′……スリツト、9,9′……無端ベルト、1
0,11……平行溝、12……導管、13……断
熱カバー。
Claims (1)
- 【実用新案登録請求の範囲】 (1) その上面に被処理基板を保持して、被処理基
板を加熱又は冷却するプレートと、 該プレートに近接させるか、又は点接触させ
ることにより、プレート上の前記被処理基板の
上部全域に処理空間を形成し、かつ表面処理剤
導入孔を備える蓋体と、 該蓋体の表面処理剤導入孔の下方に配設され
た、多数の細孔を有する整流板とを備え、 前記蓋体を上下動可能に覆う断熱カバーの端
縁と近接して、前記プレートの周側面に、排気
用チヤンバーを設けてなる表面処理装置。 (2) 蓋体が、昇降手段を備える実用新案登録請求
の範囲第(1)項に記載の表面処理装置。 (3) プレートが、真空吸着孔を備えるものである
実用新案登録請求の範囲第(1)項又は第(2)項に記
載の表面処理装置。 (4) プレートの表面に、被処理基板搬送用ベルト
が出没できる1対の平行溝を備える実用新案登
録請求の範囲第(1)項ないし第3項のいずれかに
記載の表面処理装置。
Priority Applications (3)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP1985000950U JPH0236276Y2 (ja) | 1985-01-10 | 1985-01-10 | |
| US06/810,425 US4693211A (en) | 1985-01-10 | 1985-12-18 | Surface treatment apparatus |
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