JPH0333085A - ダイヤモンド被覆複合体 - Google Patents
ダイヤモンド被覆複合体Info
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- JPH0333085A JPH0333085A JP1165264A JP16526489A JPH0333085A JP H0333085 A JPH0333085 A JP H0333085A JP 1165264 A JP1165264 A JP 1165264A JP 16526489 A JP16526489 A JP 16526489A JP H0333085 A JPH0333085 A JP H0333085A
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- JP
- Japan
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- diamond
- substrate
- diamond film
- sintered body
- surface smoothness
- Prior art date
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Abstract
(57)【要約】本公報は電子出願前の出願データであるた
め要約のデータは記録されません。
め要約のデータは記録されません。
Description
【発明の詳細な説明】
〔産業上の利用分野〕
本発明は、耐摩耗性の良好な切削工具や、高性能放熱基
板として有用な、ダイヤモンド被覆複合体に関する。
板として有用な、ダイヤモンド被覆複合体に関する。
ダイヤモンドの合成法としては、Ｆｅ、 Ｎｉ。
Ｃｏ等を触媒として黒鉛を５〜７ ＧＰａ 、 １３０
０〜２０００°Ｃの高温高圧で処理する静的超高圧法や
、黒鉛を爆発などの衝撃波により直接ダイヤモンドに転
換する動的超高圧法が知られている。これらのほか比較
的低温低圧で炭素含有ガスを原料として行なう化学蒸着
法が、最近開発され特に注目されている。この化学蒸着
法は、炭素含有ガスと水素との混合ガスを反応槽内に導
入し、熱電子の放射あるいはプラズマにより、炭素含有
ガスと水素との混合ガスを活性状態にし、加熱された基
体上にダイヤモンドを析出させるものである。
０〜２０００°Ｃの高温高圧で処理する静的超高圧法や
、黒鉛を爆発などの衝撃波により直接ダイヤモンドに転
換する動的超高圧法が知られている。これらのほか比較
的低温低圧で炭素含有ガスを原料として行なう化学蒸着
法が、最近開発され特に注目されている。この化学蒸着
法は、炭素含有ガスと水素との混合ガスを反応槽内に導
入し、熱電子の放射あるいはプラズマにより、炭素含有
ガスと水素との混合ガスを活性状態にし、加熱された基
体上にダイヤモンドを析出させるものである。
熱電子の放射を用いた例としては特開昭５８−９１１０
０ 号公報、マイクロ波によるプラズマを用いた例とし
て特開昭５８−１１０４９４号公報などがある。
０ 号公報、マイクロ波によるプラズマを用いた例とし
て特開昭５８−１１０４９４号公報などがある。
ダイヤモンド膜を化学蒸着法により形成する場合、ダイ
ヤモンド単結晶を基体として用いれば、平滑な面をもつ
ダイヤモンド膜を形成させることができるけれども、利
用可能な単結晶ダイヤモンドは、数問角程度であり、し
かも１６００°Ｃ，６ＧＰａ以上の高温高圧処理を必要
とし時間もかかるため高価である。
ヤモンド単結晶を基体として用いれば、平滑な面をもつ
ダイヤモンド膜を形成させることができるけれども、利
用可能な単結晶ダイヤモンドは、数問角程度であり、し
かも１６００°Ｃ，６ＧＰａ以上の高温高圧処理を必要
とし時間もかかるため高価である。
さらにはダイヤモンド膜を切削工具および放熱基板とし
て用いる場合は、基体をそれらの形状に加工しなければ
ならないが、そのように加工するには多大な時間を要す
る。
て用いる場合は、基体をそれらの形状に加工しなければ
ならないが、そのように加工するには多大な時間を要す
る。
一方、基体にダイヤモンド単結晶以外の物質として、シ
リコン、モリブデン、炭化タングステンなどを用いた場
合は、形成された膜はいずれの場合も多核発生による多
結晶膜であり、膜表面は、表面平滑度Ｒａ ： ０
．１μｍ−数μｍの凹凸を持つため、切削工具および放
熱基板として用いるには表面の凹凸を加工研磨して平滑
にする必要があった。
リコン、モリブデン、炭化タングステンなどを用いた場
合は、形成された膜はいずれの場合も多核発生による多
結晶膜であり、膜表面は、表面平滑度Ｒａ ： ０
．１μｍ−数μｍの凹凸を持つため、切削工具および放
熱基板として用いるには表面の凹凸を加工研磨して平滑
にする必要があった。
例えば、特開昭６２−２７８１８１号公報は、立方晶窒
化はう素を含有した焼結体からなる基材の表面に０．１
〜４０μｍ厚さのダイヤモンド及び／又はダイヤモンド
状カーボンからなる被覆層を形成させたダイヤモンド被
覆工具部材を開示するが、このダイヤモンド状カーボン
からなるる被覆層は、多核発生により形成されるため平
滑なダイヤモンド膜を形成することができない。
化はう素を含有した焼結体からなる基材の表面に０．１
〜４０μｍ厚さのダイヤモンド及び／又はダイヤモンド
状カーボンからなる被覆層を形成させたダイヤモンド被
覆工具部材を開示するが、このダイヤモンド状カーボン
からなるる被覆層は、多核発生により形成されるため平
滑なダイヤモンド膜を形成することができない。
また、表面を平滑にするため、従来からダイヤモンドは
鋳鉄を用いて機械的に研磨（いわゆるスカイフ研磨）さ
れていたが、この方法は、基体との結合力が弱いダイヤ
モンド膜には不向きであり、なおかつ長時間を要した。
鋳鉄を用いて機械的に研磨（いわゆるスカイフ研磨）さ
れていたが、この方法は、基体との結合力が弱いダイヤ
モンド膜には不向きであり、なおかつ長時間を要した。
さらに最近、熱化学反応を利用したダイヤモンド膜の研
磨方法も提案されてはいるが、研磨に時間がかかり根本
的な問題の解決には至っていない。
磨方法も提案されてはいるが、研磨に時間がかかり根本
的な問題の解決には至っていない。
そこで研磨等の後加工を必要と廿ずして表面平滑なダイ
ヤモンド被覆複合体を提案することが本発明の目的であ
る。
ヤモンド被覆複合体を提案することが本発明の目的であ
る。
すなわち、本発明は、純度９８モル％以上、粒径１０１
！Ｉｌ＋以上、表面平滑度Ｒａ ： ０．０５μｍ以下
の立方晶窒化ほう素焼結体を基体とし、その表面にＲａ
： ０．０５μｍ以下の平滑なダイヤモンド膜を有する
ことを特徴とするダイヤモンド被覆複合体である。
！Ｉｌ＋以上、表面平滑度Ｒａ ： ０．０５μｍ以下
の立方晶窒化ほう素焼結体を基体とし、その表面にＲａ
： ０．０５μｍ以下の平滑なダイヤモンド膜を有する
ことを特徴とするダイヤモンド被覆複合体である。
以下、さらに詳しく本発明を説明する。
ダイヤモンド単結晶上のダイヤモンド膜が、エピタキシ
ャルに成長するのは、基体とダイヤモンド膜が同し物質
であり、格子定数が、−敗しているためである。
ャルに成長するのは、基体とダイヤモンド膜が同し物質
であり、格子定数が、−敗しているためである。
立方晶窒化はう素（以下ｃＢＮと記す）の格子定数は、
０．３６１６２ ｎｍであり、ダイヤモンドの格子定数
０．３５６６７ ｎｍと非常に近い。ｃ Ｂ Ｎ （１
００）面とダイヤモンド（１００）面の格子定数の不整
合度（ミスフィツトファクター）は、Ｌ４％である。
０．３６１６２ ｎｍであり、ダイヤモンドの格子定数
０．３５６６７ ｎｍと非常に近い。ｃ Ｂ Ｎ （１
００）面とダイヤモンド（１００）面の格子定数の不整
合度（ミスフィツトファクター）は、Ｌ４％である。
このように格子不整合が小さいため、ｃＢＮ単結晶上に
はダイヤモンドをヘテロエピタキシャルに成長させるこ
とが可能となる。
はダイヤモンドをヘテロエピタキシャルに成長させるこ
とが可能となる。
また、ｃＢＮとダイヤモンドの熱膨脹係数は、それぞれ
４．５ｘｌＯ−’に一’および４．３Ｘ１０−ｈＫ−’
（７５０″Ｃ）と非常に近いため、切削工具として用い
た場合は、切削時に生じる熱膨張率の差による界面剥離
や亀裂が発生し難い。
４．５ｘｌＯ−’に一’および４．３Ｘ１０−ｈＫ−’
（７５０″Ｃ）と非常に近いため、切削工具として用い
た場合は、切削時に生じる熱膨張率の差による界面剥離
や亀裂が発生し難い。
本発明においては、純度９８モル％以上、粒径１０μｍ
以上で、表面平滑度Ｒａ ： ０．０５μｍ以下のｃＢ
Ｎ焼結体を基体として用いることにより、平滑な面を持
つダイヤモンド膜の形成が可能となることを見いだした
ものである。
以上で、表面平滑度Ｒａ ： ０．０５μｍ以下のｃＢ
Ｎ焼結体を基体として用いることにより、平滑な面を持
つダイヤモンド膜の形成が可能となることを見いだした
ものである。
（作 用）
ｃＢＮ焼結体の純度が９８モル％未満である場合、粒界
に合成触媒などが残存しており、焼結体の粒子と粒子が
粒界の触媒で分離されて形成されるダイヤモンドの多核
発生の原因となり平滑な面を持つダイヤモンド膜の形成
ができないばかりか、基体ｃＢＮと形成されるダイヤモ
ンド膜との密着性を低下させる。
に合成触媒などが残存しており、焼結体の粒子と粒子が
粒界の触媒で分離されて形成されるダイヤモンドの多核
発生の原因となり平滑な面を持つダイヤモンド膜の形成
ができないばかりか、基体ｃＢＮと形成されるダイヤモ
ンド膜との密着性を低下させる。
基体の大きさが同じ場合、粒径が小さくなると粒界が多
くなり形成するダイヤモンドの多核発生が起きやすくな
るので、本発明では粒径１０μｍ以上と限定した。粒径
１０μｍ未満では平滑な面を持つダイヤモンド膜の形成
ができない。
くなり形成するダイヤモンドの多核発生が起きやすくな
るので、本発明では粒径１０μｍ以上と限定した。粒径
１０μｍ未満では平滑な面を持つダイヤモンド膜の形成
ができない。
さらに、ダイヤモンドは基体ｃＢＮ焼結体表面に成長し
ていくため、ダイヤモンド膜の表面平滑度は、基体表面
平滑度の影響を受け、基体と同程度となる。基体である
ｃＢＮ焼結体の表面平滑度と形成されるダイヤモンド膜
の平滑度の関係を検討した結果、基体の表面平滑度がＲ
ａ ： ０．０５μｍを越えると形成されるダイヤモン
ド膜表面の平滑度が顕著に低下することが見いだされた
ので、基体の表面平滑度をＲａ ： ０．０５μｍ以下
に限定した。
ていくため、ダイヤモンド膜の表面平滑度は、基体表面
平滑度の影響を受け、基体と同程度となる。基体である
ｃＢＮ焼結体の表面平滑度と形成されるダイヤモンド膜
の平滑度の関係を検討した結果、基体の表面平滑度がＲ
ａ ： ０．０５μｍを越えると形成されるダイヤモン
ド膜表面の平滑度が顕著に低下することが見いだされた
ので、基体の表面平滑度をＲａ ： ０．０５μｍ以下
に限定した。
本発明に係るｃＢＮ焼結体を得るには、たとえば、熱分
解窒化はつ素（Ｐ−ＢＮ）板を、三塩化はう素、三臭化
はう素などのほう化物とアンモニアなどの窒素含有ガス
を原料ガスとして化学気相蒸着（ＣＶＤ）法により合成
し、そのＰ−ＢＮにＭｇｚＢＩ’ｈのようなアルカリ土
類金属のはう窒化物を合成触媒とし、熱処理によって拡
散含浸させ、それを高温高圧処理（例えば特開昭６３−
２６０８６５号公報所載）すればよい。
解窒化はつ素（Ｐ−ＢＮ）板を、三塩化はう素、三臭化
はう素などのほう化物とアンモニアなどの窒素含有ガス
を原料ガスとして化学気相蒸着（ＣＶＤ）法により合成
し、そのＰ−ＢＮにＭｇｚＢＩ’ｈのようなアルカリ土
類金属のはう窒化物を合成触媒とし、熱処理によって拡
散含浸させ、それを高温高圧処理（例えば特開昭６３−
２６０８６５号公報所載）すればよい。
こうして得られたｃＢＮ焼結体を切削工具部材あるいは
放熱基板などの目的とする形状に加工し、表面平滑度を
Ｒａ ： ０．０５μｍ以下に加工研磨して基体とする
。
放熱基板などの目的とする形状に加工し、表面平滑度を
Ｒａ ： ０．０５μｍ以下に加工研磨して基体とする
。
本発明のダイヤモンド被覆複合体を製造するには、上記
ｃＢＮ焼結体基体を反応層内に設置し、メタン、プロパ
ン、アセチレン、メタノール、エタノールなどの炭素含
有ガスと水素との混合ガスを反応槽内に導入し、タング
ステンなどのフィラメントからの熱電子の放射あるいは
マイクロ波や高周波プラズマにより、炭素含有ガスと水
素との混合ガスを活性状態にし、工００〜ｔｏｏｏ℃に
加熱されたｃＢＮ焼結焼結体上体上イヤモンドを析出さ
せる。析出するダイヤモンド膜は、表面平滑度がＲａ
： ０．０５μｍ以下の平滑な面であるため、そのまま
切削工具部材あるいは放熱基板として使用することがで
きる。
ｃＢＮ焼結体基体を反応層内に設置し、メタン、プロパ
ン、アセチレン、メタノール、エタノールなどの炭素含
有ガスと水素との混合ガスを反応槽内に導入し、タング
ステンなどのフィラメントからの熱電子の放射あるいは
マイクロ波や高周波プラズマにより、炭素含有ガスと水
素との混合ガスを活性状態にし、工００〜ｔｏｏｏ℃に
加熱されたｃＢＮ焼結焼結体上体上イヤモンドを析出さ
せる。析出するダイヤモンド膜は、表面平滑度がＲａ
： ０．０５μｍ以下の平滑な面であるため、そのまま
切削工具部材あるいは放熱基板として使用することがで
きる。
以下、実施例および比較例をあげて本発明を更に詳しく
説明する。
説明する。
実１津０−
三塩化はう素とアンモニアを原料ガスとし温度１９００
°Ｃ１圧力２００ Ｐａ 、蒸着速度１１００ｔｔ／ｈ
ｒの条件でＣＶＤを行いＰ−ＢＮ板を得、それをＭｇＪ
ｚ粉末中に埋め、Ｎ２気流中１２００°Ｃで８時間保持
し、０．５モル％のＭｇＪＮｌを拡散含浸させた。これ
をベルト型高圧発生装置内で、１．６００″Ｃ１５，８
ＧＰａで３０分間高温高圧処理を行い焼結体を得た。
°Ｃ１圧力２００ Ｐａ 、蒸着速度１１００ｔｔ／ｈ
ｒの条件でＣＶＤを行いＰ−ＢＮ板を得、それをＭｇＪ
ｚ粉末中に埋め、Ｎ２気流中１２００°Ｃで８時間保持
し、０．５モル％のＭｇＪＮｌを拡散含浸させた。これ
をベルト型高圧発生装置内で、１．６００″Ｃ１５，８
ＧＰａで３０分間高温高圧処理を行い焼結体を得た。
この焼結体についてＸｖＡ回折法により生成相の同定を
おこなったところｃＢＮ焼結体であることが確かめられ
た。また、反射電子顕微鏡観察および不純物分析により
、粒径５０μｍ、純度９９．３モル％であることが確か
められた。
おこなったところｃＢＮ焼結体であることが確かめられ
た。また、反射電子顕微鏡観察および不純物分析により
、粒径５０μｍ、純度９９．３モル％であることが確か
められた。
このｃＢＮ焼結体を５ｍｍ角Ｘ０．５ｍｍに切断し、表
面平滑度をＲａ ： ０．０３０μｍにラッピング研磨
した。
面平滑度をＲａ ： ０．０３０μｍにラッピング研磨
した。
、上記ｃＢＮ焼結体を基体として、マイクロ波プラズマ
ＣＶＤ装置内でダイヤモンド膜を底膜した。
ＣＶＤ装置内でダイヤモンド膜を底膜した。
メタンおよび水素を原料ガスとして全流量を２００ｃｍ
’／ｍｉｎ （標準状態；０°Ｃ−１気圧：以下ｒ Ｓ
ＣＣＭ Ｊで示す）、メタン分圧６７ Ｐａ 、水素メ
タン分圧比を５９とし、マイクロ波発振機から２．４５
ＧＩｌｚのマイクロ波を４００Ｗで発振させ導波管で反
応室へ導き、基体のまわりにプラズマを発生させ基体温
度を８５０°Ｃに保った。５時間後基体全体に厚さ５μ
ｍの平滑なダイヤモンド膜が形成された。形成されたダ
イヤモンド膜の表面平滑度は、Ｒａ ： ０．０３５μ
ｍであった。
’／ｍｉｎ （標準状態；０°Ｃ−１気圧：以下ｒ Ｓ
ＣＣＭ Ｊで示す）、メタン分圧６７ Ｐａ 、水素メ
タン分圧比を５９とし、マイクロ波発振機から２．４５
ＧＩｌｚのマイクロ波を４００Ｗで発振させ導波管で反
応室へ導き、基体のまわりにプラズマを発生させ基体温
度を８５０°Ｃに保った。５時間後基体全体に厚さ５μ
ｍの平滑なダイヤモンド膜が形成された。形成されたダ
イヤモンド膜の表面平滑度は、Ｒａ ： ０．０３５μ
ｍであった。
尖施■斐
実施例１と同様の方法で作製したｃＢＮ焼結体の基体表
面に、熱電子法によりダイヤモンド膜を形成させた。
面に、熱電子法によりダイヤモンド膜を形成させた。
すなわち、メタン及び水素を原料ガスとして全流量を２
００５ＣＣＭ 、メタン分圧６７ Ｐａ 、水素メタン
分圧比を５９とし、熱電子放射用フィラメント温度を２
０００°Ｃ１基体の温度を８５０°Ｃにたもった。
００５ＣＣＭ 、メタン分圧６７ Ｐａ 、水素メタン
分圧比を５９とし、熱電子放射用フィラメント温度を２
０００°Ｃ１基体の温度を８５０°Ｃにたもった。
５時間後基体全面に厚さ５μｍの平滑なダイヤモンド膜
が形成された。
が形成された。
形成されたダイヤモンド膜の表面平滑度は、Ｒａ ：
０．０４０ ｔｔｔａであった。
０．０４０ ｔｔｔａであった。
実益奥主
実施例１と同様の方法で作製したｃＢＮ焼結体の基体表
面にマイクロ波プラズマＣＶＤ装置内でダイヤモンド膜
を形成させた。
面にマイクロ波プラズマＣＶＤ装置内でダイヤモンド膜
を形成させた。
すなわち、メタンおよび水素を原料ガスとして全流量を
２００ ＳＣＣＭ 、メタン分圧６７ Ｐａ 、水素メ
タン分圧比を５９とし、マイクロ波発振機から２．４５
ＧＨｚのマイクロ波を４００Ｗで発振させ導波管で反
応室へ導き、基体のまわりにプラズマを発生させ基体温
度を９５０°Ｃに保った。５時間後基体全面に厚さ５μ
ｍの平滑なダイヤモンド膜が形成された。
２００ ＳＣＣＭ 、メタン分圧６７ Ｐａ 、水素メ
タン分圧比を５９とし、マイクロ波発振機から２．４５
ＧＨｚのマイクロ波を４００Ｗで発振させ導波管で反
応室へ導き、基体のまわりにプラズマを発生させ基体温
度を９５０°Ｃに保った。５時間後基体全面に厚さ５μ
ｍの平滑なダイヤモンド膜が形成された。
形威されたダイヤモンド膜の表面平滑度は、Ｒａ： ０
．０４０ｔＩｍであった。
．０４０ｔＩｍであった。
北較班工
炭化タングステンを５ｍｍ角Ｘ ０．５ｍｍ、表面平滑
度Ｒａ ： ０．０３５μｍに加工して基体としたこと
以外は実施例１と同様にしてダイヤモンド膜の形成を行
なった。
度Ｒａ ： ０．０３５μｍに加工して基体としたこと
以外は実施例１と同様にしてダイヤモンド膜の形成を行
なった。
その結果、５時間後には基体全面に厚さ５μｍのダイヤ
モンド膜が形威され、その表面平滑度は、Ｒａ ： ０
．５５μｍであった。
モンド膜が形威され、その表面平滑度は、Ｒａ ： ０
．５５μｍであった。
止較明呈
シリコン単結晶を５ ｎ＋ｍ角Ｘ ０．５＋ａａ＋、表
面平滑度Ｒａ ： ０．０３０μｍに加工して基体とし
たこと以外は実施例１と同様にしてダイヤモンド膜の形
成を行なった。
面平滑度Ｒａ ： ０．０３０μｍに加工して基体とし
たこと以外は実施例１と同様にしてダイヤモンド膜の形
成を行なった。
その結果、５時間後には基体全面に厚さ５μｍのダイヤ
モンド膜が形威され、その表面平滑度はＲａ ： ０．
５２ｔｔｍであった。
モンド膜が形威され、その表面平滑度はＲａ ： ０．
５２ｔｔｍであった。
此（石組よ
表面平滑度がＲａ ： ０．０７０ ｔｔｍであるｃＢ
Ｎ焼結体を基体したこと以外は実施例１と同様にしてダ
イヤモンド膜の形成を行なった。その結果、５時間後に
は基体全面に厚さ５μｍのダイヤモンド膜が形成され、
その表面平滑度はＲａ ： Ｏ，Ｉ５１ｚｍであった。
Ｎ焼結体を基体したこと以外は実施例１と同様にしてダ
イヤモンド膜の形成を行なった。その結果、５時間後に
は基体全面に厚さ５μｍのダイヤモンド膜が形成され、
その表面平滑度はＲａ ： Ｏ，Ｉ５１ｚｍであった。
且（和糺生
実施例１と同様にしてＭｇｉ ＢＨ３を拡散含浸させた
Ｐ−ＢＮ板を得、それをベルト型高圧発生装置内で、１
．４００℃、４．５ ＧＰａで３０分間高温高圧処理を
行って、粒径５μｍ、純度９９．３モル％のｃＢＮ焼結
体を製造した。
Ｐ−ＢＮ板を得、それをベルト型高圧発生装置内で、１
．４００℃、４．５ ＧＰａで３０分間高温高圧処理を
行って、粒径５μｍ、純度９９．３モル％のｃＢＮ焼結
体を製造した。
それを５１１１Ｉｌ角Ｘ０．５＋ｎｎ＋ 、表面平滑度
Ｒａ ： ０．０５μｍに加工して基体とした。
Ｒａ ： ０．０５μｍに加工して基体とした。
この基体を用いたこと以外は実施例１と同様にしてダイ
ヤモンド膜の形成を行なったところ、５時間後には基体
全面に厚さ５μｍのダイヤモンド膜が形威されたがｃＢ
Ｎ焼結体の粒径が小さすぎるためダイヤモンド膜の表面
平滑度はＲａ ： ０．１０μｍであった。
ヤモンド膜の形成を行なったところ、５時間後には基体
全面に厚さ５μｍのダイヤモンド膜が形威されたがｃＢ
Ｎ焼結体の粒径が小さすぎるためダイヤモンド膜の表面
平滑度はＲａ ： ０．１０μｍであった。
此１ｕ糺ｉ
実施例１において触媒の含浸時間を変えて２．５モル％
のＭｇｚ ＢＮｓを拡散含浸させたＰ−ＢＮ板を得た後
、それを実施例１と同じ条件で高温高圧処理を行ったと
ころ、粒径４５μｍ、純度９６．５モル％のｃＢＮ焼結
体が得られた。
のＭｇｚ ＢＮｓを拡散含浸させたＰ−ＢＮ板を得た後
、それを実施例１と同じ条件で高温高圧処理を行ったと
ころ、粒径４５μｍ、純度９６．５モル％のｃＢＮ焼結
体が得られた。
これを５ｎＩＩＩＩ角Ｘ０．５ｍｍ、表面平滑度Ｒａ
： ０．０４０μｍに加工して基体とし、以下、実施例
１と同様にしてダイヤモンド膜の形成を行なったところ
、５時間後には基体全面に厚さ５μｍのダイヤモンド膜
が形威されたが、ｃＢＮ焼結体の純度が低かったのでダ
イヤモンドの表面平滑度はＲａ ： ０．１０μｍであ
った。
： ０．０４０μｍに加工して基体とし、以下、実施例
１と同様にしてダイヤモンド膜の形成を行なったところ
、５時間後には基体全面に厚さ５μｍのダイヤモンド膜
が形威されたが、ｃＢＮ焼結体の純度が低かったのでダ
イヤモンドの表面平滑度はＲａ ： ０．１０μｍであ
った。
尖施班土
上記実施例１．２の本発明品および比較例１の比較品を
用いて、被削材８０％ Ａｆ−２０％Ｓｉを、切削速度
３５０ＩＩＩ／ｌｌ１ｎ、切込み０．５ｍｍ 、送り速
度０．１ｍｍ／ｒｅｖ 、切削時間１０ ｍｉｎの条件
で切削試験を試みた。
用いて、被削材８０％ Ａｆ−２０％Ｓｉを、切削速度
３５０ＩＩＩ／ｌｌ１ｎ、切込み０．５ｍｍ 、送り速
度０．１ｍｍ／ｒｅｖ 、切削時間１０ ｍｉｎの条件
で切削試験を試みた。
比較品は、被覆層の剥離を伴う微小チッピングを起こし
ていたのに対し、本発明品は正常摩耗であった。また、
比較品で切削した被削材の表面平滑度は、Ｒａ ： ０
．５５μｍであったのに対し、本発明品でも切削した被
削材の表面平滑度は０．０５μｍであった。
ていたのに対し、本発明品は正常摩耗であった。また、
比較品で切削した被削材の表面平滑度は、Ｒａ ： ０
．５５μｍであったのに対し、本発明品でも切削した被
削材の表面平滑度は０．０５μｍであった。
実施明工
上記実施例３の本発明品にイオンビームスペンタ法によ
り第１層Ｎｉ、第２層Ａｕのメタライズ層を形威し放熱
基板として使用した。
り第１層Ｎｉ、第２層Ａｕのメタライズ層を形威し放熱
基板として使用した。
５０ ｍＷ半導体レーザを１０００時間作動させた後、
レーザ出力の劣化は認められなかった。一方、比較例２
．３，４．５は後加工なしには放熱基板として用いるこ
とができなかった。
レーザ出力の劣化は認められなかった。一方、比較例２
．３，４．５は後加工なしには放熱基板として用いるこ
とができなかった。
本発明は、ｃＢＮ焼結体を基体とする平滑なダイヤモン
ド膜を有する被覆複合体であって後加工を要しないため
製造時間は著しく短縮されるにも拘らず、基体とダイヤ
モンド膜の密着性が強固であるという効果がある。本発
明は、切削工具あるいは高熱伝導率の放熱基板としての
利用が期待できる。
ド膜を有する被覆複合体であって後加工を要しないため
製造時間は著しく短縮されるにも拘らず、基体とダイヤ
モンド膜の密着性が強固であるという効果がある。本発
明は、切削工具あるいは高熱伝導率の放熱基板としての
利用が期待できる。
Claims (1)
- １．純度９８モル％以上、粒径１０μｍ以上、表面平滑
度Ｒａ：０．０５μｍ以下の立方晶窒化ほう素焼結体を
基体とし、その表面にＲａ：０．０５μｍ以下の平滑な
ダイヤモンド膜を有することを特徴とするダイヤモンド
被覆複合体。
Priority Applications (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP1165264A JPH0333085A (ja) | 1989-06-29 | 1989-06-29 | ダイヤモンド被覆複合体 |
Applications Claiming Priority (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP1165264A JPH0333085A (ja) | 1989-06-29 | 1989-06-29 | ダイヤモンド被覆複合体 |
Publications (1)
| Publication Number | Publication Date |
|---|---|
| JPH0333085A true JPH0333085A (ja) | 1991-02-13 |
Family
ID=15809028
Family Applications (1)
| Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
|---|---|---|---|
| JP1165264A Pending JPH0333085A (ja) | 1989-06-29 | 1989-06-29 | ダイヤモンド被覆複合体 |
Country Status (1)
| Country | Link |
|---|---|
| JP (1) | JPH0333085A (ja) |
Cited By (2)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| WO2001066492A1 (en) * | 2000-03-08 | 2001-09-13 | Sumitomo Electric Industries, Ltd. | Coated sinter of cubic-system boron nitride |
| JP2001322884A (ja) * | 2000-03-08 | 2001-11-20 | Sumitomo Electric Ind Ltd | 被覆立方晶窒化ホウ素焼結体 |
-
1989
- 1989-06-29 JP JP1165264A patent/JPH0333085A/ja active Pending
Cited By (3)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| WO2001066492A1 (en) * | 2000-03-08 | 2001-09-13 | Sumitomo Electric Industries, Ltd. | Coated sinter of cubic-system boron nitride |
| JP2001322884A (ja) * | 2000-03-08 | 2001-11-20 | Sumitomo Electric Ind Ltd | 被覆立方晶窒化ホウ素焼結体 |
| US6716544B2 (en) | 2000-03-08 | 2004-04-06 | Sumitomo Electric Industries, Ltd. | Coated sinter of cubic-system boron nitride |
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