JPH033363B2 - - Google Patents
Info
- Publication number
- JPH033363B2 JPH033363B2 JP55151476A JP15147680A JPH033363B2 JP H033363 B2 JPH033363 B2 JP H033363B2 JP 55151476 A JP55151476 A JP 55151476A JP 15147680 A JP15147680 A JP 15147680A JP H033363 B2 JPH033363 B2 JP H033363B2
- Authority
- JP
- Japan
- Prior art keywords
- thin film
- film
- substrate
- conductive terminal
- magnetic alloy
- Prior art date
- Legal status (The legal status is an assumption and is not a legal conclusion. Google has not performed a legal analysis and makes no representation as to the accuracy of the status listed.)
- Expired - Lifetime
Links
Classifications
-
- H—ELECTRICITY
- H01—ELECTRIC ELEMENTS
- H01F—MAGNETS; INDUCTANCES; TRANSFORMERS; SELECTION OF MATERIALS FOR THEIR MAGNETIC PROPERTIES
- H01F41/00—Apparatus or processes specially adapted for manufacturing or assembling magnets, inductances or transformers; Apparatus or processes specially adapted for manufacturing materials characterised by their magnetic properties
- H01F41/14—Apparatus or processes specially adapted for manufacturing or assembling magnets, inductances or transformers; Apparatus or processes specially adapted for manufacturing materials characterised by their magnetic properties for applying magnetic films to substrates
- H01F41/18—Apparatus or processes specially adapted for manufacturing or assembling magnets, inductances or transformers; Apparatus or processes specially adapted for manufacturing materials characterised by their magnetic properties for applying magnetic films to substrates by cathode sputtering
Landscapes
- Engineering & Computer Science (AREA)
- Power Engineering (AREA)
- Manufacturing & Machinery (AREA)
- Thin Magnetic Films (AREA)
- Manufacturing Of Printed Wiring (AREA)
Description
【発明の詳細な説明】
本発明はスパツタリングによる薄膜製造方法に
関するものである。
関するものである。
希土類金属と鉄属金属を主成分とする非晶質磁
性薄膜は、磁気バブルメモリ用材料および熱磁気
記録用材料として注目されている。しかし実用に
供するに当つての問題点は、大面積にわたつて磁
気的性質が一様な膜を製造することが極めて困難
ということである。
性薄膜は、磁気バブルメモリ用材料および熱磁気
記録用材料として注目されている。しかし実用に
供するに当つての問題点は、大面積にわたつて磁
気的性質が一様な膜を製造することが極めて困難
ということである。
非晶質ガドリニウム−コバルト（GdCo）磁性
薄膜を例にとつてみると、一様なGdCo合金から
スパツタリング法によりガラス基板上にGdCo薄
膜を形成した場合、中心に比べ周辺の方ほどCo
のGdに対する組成比が見かけ上大きくなるよう
な性質が現れて来る。すなわち、磁気的性質が中
心と周辺とでは異つたものとなる。以下実施例に
ついて説明する。
薄膜を例にとつてみると、一様なGdCo合金から
スパツタリング法によりガラス基板上にGdCo薄
膜を形成した場合、中心に比べ周辺の方ほどCo
のGdに対する組成比が見かけ上大きくなるよう
な性質が現れて来る。すなわち、磁気的性質が中
心と周辺とでは異つたものとなる。以下実施例に
ついて説明する。
直径60mmのGdCo合金ターゲツト、ターゲツト
と基板間の距離40mm、Arガス圧8.0×10-2Torr、
電圧1000Vの条件で、通常のスパツタリング法に
よつて、ガラス基板上に薄膜を形成した場合、そ
の薄膜のヒステリシスループをレーザ光によりカ
ー効果を利用して画いてみる。
と基板間の距離40mm、Arガス圧8.0×10-2Torr、
電圧1000Vの条件で、通常のスパツタリング法に
よつて、ガラス基板上に薄膜を形成した場合、そ
の薄膜のヒステリシスループをレーザ光によりカ
ー効果を利用して画いてみる。
第１図はその測定法の概略を示すものである。
ここで１はガラス基板、２はGdCo薄膜で、基板
面と直角の断面を示してある。また、薄膜２の厚
さは拡大してある。薄膜２は薄膜面に直角方向の
磁化をもつており、上向きの矢印はCoの磁化方
向を、下向きの矢印はGdの磁化方向を示してい
る。勿論この矢印は本来微視的なものであるが説
明上拡大して画いてある。レーザ光発生装置３に
より発生したレーザ光４はポラライザ５により直
線偏光となり、ハーフミラー６により反射された
光７は薄膜２の表面に垂直に入射し薄膜２の表面
で反射されるが、この反射光はカー効果により偏
光面が回転し、次にハーフミラー６を通過しアナ
ライザ８を通じ検知器９に入ると、カー効果によ
る回転角θが測定される。カー効果にはCoの磁
化のみが寄与しているので、カー効果による回転
角が判れば、薄膜中のCoによる磁化の強さと向
きを知ることができる。なお、外部磁界Ｈは基板
に垂直な方向にかける。
ここで１はガラス基板、２はGdCo薄膜で、基板
面と直角の断面を示してある。また、薄膜２の厚
さは拡大してある。薄膜２は薄膜面に直角方向の
磁化をもつており、上向きの矢印はCoの磁化方
向を、下向きの矢印はGdの磁化方向を示してい
る。勿論この矢印は本来微視的なものであるが説
明上拡大して画いてある。レーザ光発生装置３に
より発生したレーザ光４はポラライザ５により直
線偏光となり、ハーフミラー６により反射された
光７は薄膜２の表面に垂直に入射し薄膜２の表面
で反射されるが、この反射光はカー効果により偏
光面が回転し、次にハーフミラー６を通過しアナ
ライザ８を通じ検知器９に入ると、カー効果によ
る回転角θが測定される。カー効果にはCoの磁
化のみが寄与しているので、カー効果による回転
角が判れば、薄膜中のCoによる磁化の強さと向
きを知ることができる。なお、外部磁界Ｈは基板
に垂直な方向にかける。
第２図は、上述の如く、従来の方法で製造した
GdCo薄膜のカー効果によるヒステリシス・ルー
プを、薄膜の中心からの距離ｌが０、５、10、
15、20mmの各々の場合につき測定結果に基き画い
たもので、横軸は磁界の強さＨ、縦軸はカー回転
角θを示してある。図において、ｌ＝０mmの場合
の曲線が右上りなのに対し、ｌ＝５mm以上の曲線
が左上りとなつていることは、ｌ＝０mmとｌ＝５
mmとの間にある位置において、Gdによる磁化と
Coによる磁化とが打消し合つている、すなわち
その位置の両側において、Gdによる磁化とCoに
よる磁化の大きさが逆転することを示す。
GdCo薄膜のカー効果によるヒステリシス・ルー
プを、薄膜の中心からの距離ｌが０、５、10、
15、20mmの各々の場合につき測定結果に基き画い
たもので、横軸は磁界の強さＨ、縦軸はカー回転
角θを示してある。図において、ｌ＝０mmの場合
の曲線が右上りなのに対し、ｌ＝５mm以上の曲線
が左上りとなつていることは、ｌ＝０mmとｌ＝５
mmとの間にある位置において、Gdによる磁化と
Coによる磁化とが打消し合つている、すなわち
その位置の両側において、Gdによる磁化とCoに
よる磁化の大きさが逆転することを示す。
第２図の如く、ヒステリシス・ループの形が、
薄膜中心からの位置により異ることの原因とし
て、「実際にCoのGdに対する組成比が大きくな
つているためである」という報告（R.J.
Kobliska，R.Ruf and J.Cuomo：AIP Conf.
Pnoc.No.24（1974）570）もあるが、本発明者は、
薄膜の中心部より周辺部に近づくほど、実際の酸
素の量が増えていることが主な原因であると考え
ている。すなわち、Gd原子の方がCo原子に比べ
て酸素と結び付き易く、酸素と結合した（酸化さ
れた）Gd原子は比磁性となるため、Gdが酸素と
結合した部分では磁気的にはCoの組成が増大し
たことになるので、周辺ほどCoの影響が強く現
われてくると考えられる。酸素が薄膜内に入り込
む原因としては、放電容器内に残留している酸素
によるもの、また、放電容器内の部品に吸着して
いた酸素が放電による容器の温度上昇により放出
されること等によるものとみられる。
薄膜中心からの位置により異ることの原因とし
て、「実際にCoのGdに対する組成比が大きくな
つているためである」という報告（R.J.
Kobliska，R.Ruf and J.Cuomo：AIP Conf.
Pnoc.No.24（1974）570）もあるが、本発明者は、
薄膜の中心部より周辺部に近づくほど、実際の酸
素の量が増えていることが主な原因であると考え
ている。すなわち、Gd原子の方がCo原子に比べ
て酸素と結び付き易く、酸素と結合した（酸化さ
れた）Gd原子は比磁性となるため、Gdが酸素と
結合した部分では磁気的にはCoの組成が増大し
たことになるので、周辺ほどCoの影響が強く現
われてくると考えられる。酸素が薄膜内に入り込
む原因としては、放電容器内に残留している酸素
によるもの、また、放電容器内の部品に吸着して
いた酸素が放電による容器の温度上昇により放出
されること等によるものとみられる。
上述のことから、薄膜内の酸素量を均一にする
ことが、薄膜の磁化特性を均一にする最適な手段
と考えられる。従来、たとえば厚みが均一な薄膜
を作製する方法としては、基板面と直角な回転軸
を中心に基板を回転し、その中心軸を移動する方
法とか、大面積のターゲツトを用いる方法が考慮
されているが、いずれも装置が大型となり高価な
ものとなる。
ことが、薄膜の磁化特性を均一にする最適な手段
と考えられる。従来、たとえば厚みが均一な薄膜
を作製する方法としては、基板面と直角な回転軸
を中心に基板を回転し、その中心軸を移動する方
法とか、大面積のターゲツトを用いる方法が考慮
されているが、いずれも装置が大型となり高価な
ものとなる。
本発明の目的は、上述の点に鑑み、薄膜の酸素
量を均一化することにより磁気的性質の均一性を
高めるようにした薄膜製造方法を提供することに
ある。
量を均一化することにより磁気的性質の均一性を
高めるようにした薄膜製造方法を提供することに
ある。
以下、図面を参照して本発明を詳細に説明す
る。第４図は本発明スパツタリングによる薄膜製
造方法を実施する薄膜製造装置の構成の一例を示
す。図において、１１は同筒形のステンレス製真
空容器、１２は陰極、１３は基板ホルダで、真空
容器１１は、リング状の絶縁物１４を介して陰極
１２と気密に接続しており、また、真空容器１１
はリング状絶縁物１５を介して基板ホルダ１３と
気密に接続している。ターゲツト１６は陰極に固
着し、ガラス基板１７は、基板とめ金具１８，１
８′により、導電性端子膜１９を介し、あるいは
直接、基板ホルダ１３に固着されている。21は陽
陰極間電圧電源で、ステンレス容器１１を陽極と
し陰極１２との間に高周波が重畳された直流高電
圧を印加する。陽極となる容器１１は接地されて
おり、基板ホルダ１３には陽極電圧に対しバイア
ス電圧がバイアス電源２２により引火される。な
お、符号２０，２０′で示す矢印はそれぞれ陰極
１２および基板ホルダ１３用の冷却水の流れを示
す。
る。第４図は本発明スパツタリングによる薄膜製
造方法を実施する薄膜製造装置の構成の一例を示
す。図において、１１は同筒形のステンレス製真
空容器、１２は陰極、１３は基板ホルダで、真空
容器１１は、リング状の絶縁物１４を介して陰極
１２と気密に接続しており、また、真空容器１１
はリング状絶縁物１５を介して基板ホルダ１３と
気密に接続している。ターゲツト１６は陰極に固
着し、ガラス基板１７は、基板とめ金具１８，１
８′により、導電性端子膜１９を介し、あるいは
直接、基板ホルダ１３に固着されている。21は陽
陰極間電圧電源で、ステンレス容器１１を陽極と
し陰極１２との間に高周波が重畳された直流高電
圧を印加する。陽極となる容器１１は接地されて
おり、基板ホルダ１３には陽極電圧に対しバイア
ス電圧がバイアス電源２２により引火される。な
お、符号２０，２０′で示す矢印はそれぞれ陰極
１２および基板ホルダ１３用の冷却水の流れを示
す。
ターゲツト１６は直径60mmの平板で、GdCo合
金である。ターゲツト１６と基板１７の間隔は40
mm、Arガス圧力は8.0×10-2Torr、陽陰極間電圧
は1.0kV、陽極電流は100ｍＡ、バイアス電圧は
−100V。導電性端子膜１９としては、上記のス
パツタリング装置にセツテイングする前に、予め
蒸着法によりガラス基板１７の一部にアルミニウ
ムAlを被着した膜を用いる。
金である。ターゲツト１６と基板１７の間隔は40
mm、Arガス圧力は8.0×10-2Torr、陽陰極間電圧
は1.0kV、陽極電流は100ｍＡ、バイアス電圧は
−100V。導電性端子膜１９としては、上記のス
パツタリング装置にセツテイングする前に、予め
蒸着法によりガラス基板１７の一部にアルミニウ
ムAlを被着した膜を用いる。
ガラス基板１７の表面に、上述のスパツタリン
グ装置で作製したGdCo薄膜を、カー効果を利用
して測定し、得たヒステリシス特性を第５図に示
す。ここでｌは中心からの距離である。この第５
図の特性は、従来の方法で製造したGdCo薄膜に
対する第２図示の特性に、対応するもので、両者
を比較すれば判るように、本発明の方法によるも
のはGdCo薄膜全面で角形特性となり、磁気的一
様性もかなり改善されている。
グ装置で作製したGdCo薄膜を、カー効果を利用
して測定し、得たヒステリシス特性を第５図に示
す。ここでｌは中心からの距離である。この第５
図の特性は、従来の方法で製造したGdCo薄膜に
対する第２図示の特性に、対応するもので、両者
を比較すれば判るように、本発明の方法によるも
のはGdCo薄膜全面で角形特性となり、磁気的一
様性もかなり改善されている。
GdCo薄膜内の酸素量を測定した結果を第６図
に示す。第３図と比較すれば、本発明の製造方法
により、酸素量の一様性が改善されたことが明ら
かとなる。
に示す。第３図と比較すれば、本発明の製造方法
により、酸素量の一様性が改善されたことが明ら
かとなる。
以上で、本発明による薄膜製造方法の優れてい
ることは明らかとなつたが、その原因を検討して
みると次の如くである。すなわち、ガラス基板上
にGdCo薄膜が形成され始めた段階で、その非常
に薄い膜の電位が、予め基板表面に蒸着されてい
るアルミニウムの導電性端子膜１９を介して基板
ホルダ１３の電位となり、陽極電極に対し−
100Vのバイアス電圧が一様に印加されることと
なるためである。また、GdCo薄膜に負のバイア
ス電圧を加えることにより酸素量の分布が一様と
なる原因としては、Arイオンの一部２３′（第４
図）が、負のバイアス電圧により、成長しつつあ
るGdCo膜に衝突して、その衝突の際に酸素ある
いはGdの酸化物を選択的にスパツタするという
ことが考えられる。
ることは明らかとなつたが、その原因を検討して
みると次の如くである。すなわち、ガラス基板上
にGdCo薄膜が形成され始めた段階で、その非常
に薄い膜の電位が、予め基板表面に蒸着されてい
るアルミニウムの導電性端子膜１９を介して基板
ホルダ１３の電位となり、陽極電極に対し−
100Vのバイアス電圧が一様に印加されることと
なるためである。また、GdCo薄膜に負のバイア
ス電圧を加えることにより酸素量の分布が一様と
なる原因としては、Arイオンの一部２３′（第４
図）が、負のバイアス電圧により、成長しつつあ
るGdCo膜に衝突して、その衝突の際に酸素ある
いはGdの酸化物を選択的にスパツタするという
ことが考えられる。
従来も薄膜面に垂直な磁気異方性を増大させる
ために、基板に負のバイアス電圧を印加する方法
は行われているが、その場合における基板はSiの
如き導電性の物質であり、本発明の対象であるガ
ラス基板の如き絶縁性基板に対しては磁性の一様
なものは得られなかつた。
ために、基板に負のバイアス電圧を印加する方法
は行われているが、その場合における基板はSiの
如き導電性の物質であり、本発明の対象であるガ
ラス基板の如き絶縁性基板に対しては磁性の一様
なものは得られなかつた。
本発明の一実施例として説明した第４図示の導
電性端子膜１９を変形して、第７図に示すよう
に、テーパをつけた導電端子膜７９をガラス基板
７７に蒸着または固着してもよく、あるいはまた
第８図Ａ，Ｂに示すように、基板８７の基板止め
金具８８，８８′の先端を薄くした導電性端子膜
とすることもできる。
電性端子膜１９を変形して、第７図に示すよう
に、テーパをつけた導電端子膜７９をガラス基板
７７に蒸着または固着してもよく、あるいはまた
第８図Ａ，Ｂに示すように、基板８７の基板止め
金具８８，８８′の先端を薄くした導電性端子膜
とすることもできる。
次にGdCo膜の如きフエリ磁性体に使用されて
いる「補償温度」を用いて、本発明の説明を行
う。GdCo非晶質磁性薄膜において補償温度と
は、Gdによる磁化とCoによる磁化とが打消し合
つて、みかけ上磁化が零となる温度をいう。第９
図は、GdCo薄膜につき、Gdが酸素と結合してい
ない場合（Coは酸素と結合しにくい）、温度Ｔと
磁化Ｍとの関係を示した曲線図で、曲線９１は
Coに対するもの、曲線９２はGdに対するもので
ある。図においてTcはキユリー温度を示す。温
度T1において、Coのプラス方向の磁化とGdのマ
イナス方向の磁化が相等しいので、特性曲線９
１，９２に対してはT1が補償温度である。Gdは
酸素と結合するとその分だけ磁化が低下するの
で、Gdのある部分が酸素と結合した場合には、
Gdに対する曲線は破線の曲線９２′の如くなる。
従つて、上述の如き曲線９１と曲線９２′の
GdCo薄膜においては補償温度は第９図のT2とな
る。
いる「補償温度」を用いて、本発明の説明を行
う。GdCo非晶質磁性薄膜において補償温度と
は、Gdによる磁化とCoによる磁化とが打消し合
つて、みかけ上磁化が零となる温度をいう。第９
図は、GdCo薄膜につき、Gdが酸素と結合してい
ない場合（Coは酸素と結合しにくい）、温度Ｔと
磁化Ｍとの関係を示した曲線図で、曲線９１は
Coに対するもの、曲線９２はGdに対するもので
ある。図においてTcはキユリー温度を示す。温
度T1において、Coのプラス方向の磁化とGdのマ
イナス方向の磁化が相等しいので、特性曲線９
１，９２に対してはT1が補償温度である。Gdは
酸素と結合するとその分だけ磁化が低下するの
で、Gdのある部分が酸素と結合した場合には、
Gdに対する曲線は破線の曲線９２′の如くなる。
従つて、上述の如き曲線９１と曲線９２′の
GdCo薄膜においては補償温度は第９図のT2とな
る。
従来のスパツタリング方法によりガラス基板上
に形成されたGdCo磁性薄膜においては、中心の
部分に比べ周辺の部分の方がCoのGdに対する組
成比が大で、また酸素の量は測定の結果第３図示
の如く中心部分より周辺部分の方が多い。いいか
えれば、従来のGdCo磁性薄膜では補償温度が中
心部に比べ周辺部ほど低いことになる。また、第
２図において、ｌ＝０mmの位置のカーブが右上り
で、ｌ＝５mmの位置のカーブが左上りであること
は、ｌ＝０mmの位置における補償温度が室温（試
験時の温度）より高く、ｌ＝５mmの位置における
補償温度は室温より低いことを示している。本発
明のスパツタリング方法によりガラス基板上に作
製されたGdCo磁性薄膜においては、中心からの
距離の大小による補償温度の著しい変化は認めら
れない。
に形成されたGdCo磁性薄膜においては、中心の
部分に比べ周辺の部分の方がCoのGdに対する組
成比が大で、また酸素の量は測定の結果第３図示
の如く中心部分より周辺部分の方が多い。いいか
えれば、従来のGdCo磁性薄膜では補償温度が中
心部に比べ周辺部ほど低いことになる。また、第
２図において、ｌ＝０mmの位置のカーブが右上り
で、ｌ＝５mmの位置のカーブが左上りであること
は、ｌ＝０mmの位置における補償温度が室温（試
験時の温度）より高く、ｌ＝５mmの位置における
補償温度は室温より低いことを示している。本発
明のスパツタリング方法によりガラス基板上に作
製されたGdCo磁性薄膜においては、中心からの
距離の大小による補償温度の著しい変化は認めら
れない。
以上述べたところから明らかなように、本発明
薄膜製造方法によれば、容易に薄膜内の酸素量を
均一にすることができ、大面積にわたり磁気的特
性をほぼ一様にすることができる。
薄膜製造方法によれば、容易に薄膜内の酸素量を
均一にすることができ、大面積にわたり磁気的特
性をほぼ一様にすることができる。
本発明は、GdCo磁性薄膜に限らず、他の希土
類・鉄属金属を主成分とする非晶質磁性薄膜、例
えば、GdFe、TbFe、GdCoMo、GdCoCu、
GdTbFe等の製造にも適用することができる。さ
らに、非晶質磁性薄膜に限らず、含有酸素量がそ
の特性に影響を及ぼし、絶縁体でない薄膜をスパ
ツタリング法により製造する場合、例えば、非晶
質シリコン膜等にも適用することができる。
類・鉄属金属を主成分とする非晶質磁性薄膜、例
えば、GdFe、TbFe、GdCoMo、GdCoCu、
GdTbFe等の製造にも適用することができる。さ
らに、非晶質磁性薄膜に限らず、含有酸素量がそ
の特性に影響を及ぼし、絶縁体でない薄膜をスパ
ツタリング法により製造する場合、例えば、非晶
質シリコン膜等にも適用することができる。
第１図はカー効果による磁性薄膜のヒステリシ
ス特性を測定する装置を示す構成図、第２図は従
来方法で製造したGdCo薄膜のカー効果によるヒ
ステリシス特性を示す特性曲線図、第３図は従来
の方法で製造したGdCo薄膜内の酸素量を示す特
性曲線図、第４図は本発明薄膜製造方法を用いた
スパツタリング装置の一実施例を示す構成図、第
５図は本発明の方法により製造したGdCo薄膜の
カー効果によるヒステリシス特性を示す特性曲線
図、第６図は本発明の方法により製造したGdCo
薄膜内の酸素量を示す特性曲線図、第７図は厚み
にテーパーを付した導電性端子膜を示す断面図、
第８図Ａ，Ｂはそれぞれ導電性端子膜を兼用した
基板とめ金具を示す断面図、第９図はGdCo薄膜
の補償温度の説明図である。 １，１７，７７，８７……ガラス基板、２……
GdCo薄膜、４……レーザ光、５……ポラライ
ザ、６……ハーフ・ミラー、８……アナライザ、
１１……ステンレス真空容器（陽極）、１２……
陰極、１３……基板ホルダ、１４，１５……絶縁
物、１６……ターゲツト、１８，１８′……基板
止め金具、１９……導電性端子膜、２０，２０′
……冷却水流、２１……陽陰極間電圧電源、２２
……バイアス電圧電源、２３，２３′……Arイオ
ン、２４……スパツタ蒸発物、７９……導電性端
子膜、８８，８８′……基板止め金具。
ス特性を測定する装置を示す構成図、第２図は従
来方法で製造したGdCo薄膜のカー効果によるヒ
ステリシス特性を示す特性曲線図、第３図は従来
の方法で製造したGdCo薄膜内の酸素量を示す特
性曲線図、第４図は本発明薄膜製造方法を用いた
スパツタリング装置の一実施例を示す構成図、第
５図は本発明の方法により製造したGdCo薄膜の
カー効果によるヒステリシス特性を示す特性曲線
図、第６図は本発明の方法により製造したGdCo
薄膜内の酸素量を示す特性曲線図、第７図は厚み
にテーパーを付した導電性端子膜を示す断面図、
第８図Ａ，Ｂはそれぞれ導電性端子膜を兼用した
基板とめ金具を示す断面図、第９図はGdCo薄膜
の補償温度の説明図である。 １，１７，７７，８７……ガラス基板、２……
GdCo薄膜、４……レーザ光、５……ポラライ
ザ、６……ハーフ・ミラー、８……アナライザ、
１１……ステンレス真空容器（陽極）、１２……
陰極、１３……基板ホルダ、１４，１５……絶縁
物、１６……ターゲツト、１８，１８′……基板
止め金具、１９……導電性端子膜、２０，２０′
……冷却水流、２１……陽陰極間電圧電源、２２
……バイアス電圧電源、２３，２３′……Arイオ
ン、２４……スパツタ蒸発物、７９……導電性端
子膜、８８，８８′……基板止め金具。
Claims (1)
- 【特許請求の範囲】 １ 薄膜を構成すべき元素を含むターゲツトを不
活性ガスのイオンによつてスパツタして絶縁性基
板上に磁性合金薄膜を堆積成長させる方法におい
て、前記絶縁性基板上に導電性端子を設け、前記
スパツタリングを行つている間、常に前記導電性
端子を介して前記磁性合金薄膜に陽極に対して負
の電圧を印加し、前記不活性ガスのイオンの一部
によつて、成長中に磁性合金薄膜に取込まれた酸
素をスパツタせしめ該磁性合金薄膜中の酸素濃度
を一様にすることを特徴とする薄膜製造方法。 ２ 特許請求の範囲第１項記載の薄膜製造方法に
おいて、前記負のバイアス電圧の値を陽陰極間電
圧のほぼ10分の１とし、前記絶縁性基板表面の少
なくとも１箇所に導電性端子膜を予め被着し、前
記バイアス電圧を該導電性端子膜に印加すること
を特徴とする薄膜製造方法。 ３ 特許請求の範囲第２項記載の薄膜製造方法に
おいて、前記導電性端子膜にテーパをつけたこと
を特徴とする薄膜製造方法。 ４ 特許請求の範囲第１項記載の薄膜製造方法に
おいて、前記負のバイアス電圧の値を陽陰極間電
圧値のほぼ10分の１とし、前記絶縁性基板を前記
基板ホルダに固着する基板止め金具のうち少なく
とも１個の先端を薄くすることにより、前記導電
性薄膜が形成される面と接触するようにし、前記
基板止め金具を介して前記バイアス電圧を印加す
ることを特徴とする薄膜製造方法。 ５ 特許請求の範囲第１項記載の薄膜製造方法に
おいて、前記磁性合金が希土類−遷移金属磁性合
金であることを特徴とする薄膜製造方法。
Priority Applications (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP15147680A JPS5775412A (en) | 1980-10-30 | 1980-10-30 | Manufacture of thin film |
Applications Claiming Priority (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP15147680A JPS5775412A (en) | 1980-10-30 | 1980-10-30 | Manufacture of thin film |
Publications (2)
| Publication Number | Publication Date |
|---|---|
| JPS5775412A JPS5775412A (en) | 1982-05-12 |
| JPH033363B2 true JPH033363B2 (ja) | 1991-01-18 |
Family
ID=15519339
Family Applications (1)
| Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
|---|---|---|---|
| JP15147680A Granted JPS5775412A (en) | 1980-10-30 | 1980-10-30 | Manufacture of thin film |
Country Status (1)
| Country | Link |
|---|---|
| JP (1) | JPS5775412A (ja) |
Families Citing this family (3)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| JPS5941821A (ja) * | 1982-09-02 | 1984-03-08 | Nippon Hoso Kyokai <Nhk> | 光磁気記録用非晶質磁性多層膜の製造方法 |
| EP0125536A3 (en) * | 1983-05-11 | 1986-06-25 | MOVID Information Technology, Inc. | Thermo-magnetic recording materials supporting small stable domains |
| JPS61240434A (ja) * | 1985-04-18 | 1986-10-25 | Seiko Epson Corp | 磁性薄膜の製造方法 |
Family Cites Families (2)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| JPS5163492A (en) * | 1974-11-29 | 1976-06-01 | Kokusai Denshin Denwa Co Ltd | Jiseiusumakuno seizohoho |
| JPS5175677A (en) * | 1974-12-27 | 1976-06-30 | Inoue Japax Res | Ion supatsuta pureiteingusochi |
-
1980
- 1980-10-30 JP JP15147680A patent/JPS5775412A/ja active Granted
Also Published As
| Publication number | Publication date |
|---|---|
| JPS5775412A (en) | 1982-05-12 |
Similar Documents
| Publication | Publication Date | Title |
|---|---|---|
| Esho et al. | Growth induced anisotropy in sputtered GdCo films | |
| Yasugi et al. | Cross‐sectional structures and depth profiles in bias sputtered GdCo films | |
| EP0135322B2 (en) | An optical magnetic recording member | |
| Mauri et al. | Magnetism in very thin films of permalloy measured by spin polarized cascade electrons | |
| US4857415A (en) | Method of producing single crystalline magnetic film having bi-axial anisotropy | |
| JPH033363B2 (ja) | ||
| US4399013A (en) | Method of producing a magnetic recording medium | |
| Heitmann et al. | Amorphous rare earth-transition metal films for magneto-optical storage | |
| Sakurai et al. | Preparation and properties of RE-TM amorphous films | |
| US5006395A (en) | Iron carbide thin film magnetic recording medium | |
| JP2673807B2 (ja) | 光磁気記録媒体の製造方法 | |
| Brunsch et al. | Evaporated amorphous GdCo-films with perpendicular anisotrophy by controlled oxygen contamination | |
| JPH0673197B2 (ja) | 光磁気記録媒体とその製造方法 | |
| Kobliska et al. | Uniformity of amorphous bubble films | |
| Stobiecki et al. | The influence of strong bias voltage on the electrical and magnetic properties of the amorphous Gd-Co films | |
| Klahn et al. | Oxidation kinetics and morphology of dc magnetron sputtered and evaporated amorphous GdTbFe films | |
| Li et al. | Magnetic properties of DC magnetron sputtered CoCr thin films | |
| JPS60231924A (ja) | 薄膜型磁気記録媒体の製造方法 | |
| Takagi et al. | Magnetooptical Properties of MnBi Films Prepared by lonized-Cluster Beam Deposition Technique | |
| JP2611976B2 (ja) | 光磁気記録膜の製造方法 | |
| Ohkoshi | Annealing effect on microstructure and magnetic properties in Fe‐Cr sputtered films | |
| Win et al. | Rotatable anisotropy in radio frequency diode sputtered iron thin films | |
| JPS61253654A (ja) | 光熱磁気記録媒体の製造方法 | |
| Flur | On the magnetic properties of sputtered NIFe films | |
| Suran et al. | Induced and surface anisotropies in amorphous YCo 3 films |