JPS61240434A - 磁性薄膜の製造方法 - Google Patents
磁性薄膜の製造方法Info
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- JPS61240434A JPS61240434A JP8293685A JP8293685A JPS61240434A JP S61240434 A JPS61240434 A JP S61240434A JP 8293685 A JP8293685 A JP 8293685A JP 8293685 A JP8293685 A JP 8293685A JP S61240434 A JPS61240434 A JP S61240434A
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Landscapes
- Manufacturing Of Magnetic Record Carriers (AREA)
- Physical Vapour Deposition (AREA)
Abstract
(57)【要約】本公報は電子出願前の出願データであるた
め要約のデータは記録されません。
め要約のデータは記録されません。
Description
【発明の詳細な説明】
〔産業上の利用分野〕
本発明は、スパ９夕法でａ性材料を薄膜化する製造方法
に関し、！ＩＣ磁気特性の改良可能な製造方法に関する
ものである。
に関し、！ＩＣ磁気特性の改良可能な製造方法に関する
ものである。
従来のスバヤタ法で膜を堆積させ、優れた磁性薄！ｌｌ
Ｉを得る諸条件は、スバヴタ前の初期真空度。
Ｉを得る諸条件は、スバヴタ前の初期真空度。
スバダタ時の基板温度、パワー等が主なものであるが、
・これらの諸条件の中で現在１問題となるものけ基板温
度である。この基板温度は摂氏数百度までもっていかな
いと良質な嘆は得られない。
・これらの諸条件の中で現在１問題となるものけ基板温
度である。この基板温度は摂氏数百度までもっていかな
いと良質な嘆は得られない。
〔発明が解決しようとする問題点及び目的〕しかし、前
述の従来技術では、得られる磁性薄膜を磁気へ９ド等に
応用する場合、基板温度が高すぎて、他の素材にひず入
、応力がかかつ友り、製造プロセスも制約されるばかり
か、基板冷却等の時間もロス時間となるという問題点を
有する。
述の従来技術では、得られる磁性薄膜を磁気へ９ド等に
応用する場合、基板温度が高すぎて、他の素材にひず入
、応力がかかつ友り、製造プロセスも制約されるばかり
か、基板冷却等の時間もロス時間となるという問題点を
有する。
そこで本発明はこの様な問題点を解決するものでその目
的とするところは、磁性薄膜として磁気特性の優れｔ薄
膜が容易に製造可能なばかりか、コスト的にも有利な方
法を提供するところにある。
的とするところは、磁性薄膜として磁気特性の優れｔ薄
膜が容易に製造可能なばかりか、コスト的にも有利な方
法を提供するところにある。
本発明は磁性薄膜の製造方法に於て、基板にあらかじめ
導体層を設け、その導体Ｎに直流の負電圧を印加しなが
ら磁性薄膜？堆積させることｋより容易に磁性薄膜の磁
気特性を改良したものである。
導体層を設け、その導体Ｎに直流の負電圧を印加しなが
ら磁性薄膜？堆積させることｋより容易に磁性薄膜の磁
気特性を改良したものである。
本発明の磁性薄膜の製造方法は、コバルト系合金、二９
ケルー鉄合金、センダスト系合金をスパッタ法で薄膜化
する磁性薄膜の製造方法に於て、前記磁性薄膜を堆積す
る前にあらかじめ基板面に導体層を設け、その導体層に
直流の負電圧を印加しながら磁性薄膜を堆積させること
１に特徴とする磁性薄膜の製造方法。
ケルー鉄合金、センダスト系合金をスパッタ法で薄膜化
する磁性薄膜の製造方法に於て、前記磁性薄膜を堆積す
る前にあらかじめ基板面に導体層を設け、その導体層に
直流の負電圧を印加しながら磁性薄膜を堆積させること
１に特徴とする磁性薄膜の製造方法。
本発明の作用を述べれば、磁性膜をスパッタ法で基板面
に堆積する際、基板に負電圧を印加させておくことによ
り０２ガス等が膜中忙とりこまれないばかりか、逆スパ
ツタ現象も生じる定め結晶構造上不良な膜が除去され磁
気特性の優れ几模ｈｔ ：１＠られる。更に基板面には
熱電子ｈＺ発生するｔめミクロ的には外部から熱を加え
友のと同様の効果を示す。
に堆積する際、基板に負電圧を印加させておくことによ
り０２ガス等が膜中忙とりこまれないばかりか、逆スパ
ツタ現象も生じる定め結晶構造上不良な膜が除去され磁
気特性の優れ几模ｈｔ ：１＠られる。更に基板面には
熱電子ｈＺ発生するｔめミクロ的には外部から熱を加え
友のと同様の効果を示す。
実施例１
以下、本発明について、実施例に基づき詳細に説明する
。第１図は本発明の実施例を工１１Ｊｌ［Ｋ示す図であ
る。第１図−（Ａ）−２の基板上に第１図−（劾−２の
導体層であるクロムを蒸着法により５００ス堆積する。
。第１図は本発明の実施例を工１１Ｊｌ［Ｋ示す図であ
る。第１図−（Ａ）−２の基板上に第１図−（劾−２の
導体層であるクロムを蒸着法により５００ス堆積する。
次にスパッタ偏置に基板をセートシ基板表面の導体層に
−１００７の直流電圧を印加しながら、スーパーマロイ
の膜を導体層上に堆積させる。第１図−（Ｂｌ−５ガス
パーマロイを堆積させた図である。この時のスパッタ時
の温度は１５０ｓ穆度であり九。これにより得られ几膜
の保磁力は０．１０ｇ、透磁率は２０００と良好なもの
であった。従来のスパッタ法で作製したスーパーマロイ
膜の基板温度と磁気特性の関係をＮ２図に示す。
−１００７の直流電圧を印加しながら、スーパーマロイ
の膜を導体層上に堆積させる。第１図−（Ｂｌ−５ガス
パーマロイを堆積させた図である。この時のスパッタ時
の温度は１５０ｓ穆度であり九。これにより得られ几膜
の保磁力は０．１０ｇ、透磁率は２０００と良好なもの
であった。従来のスパッタ法で作製したスーパーマロイ
膜の基板温度と磁気特性の関係をＮ２図に示す。
実施例２
実施例１と同様の方法により導体層を設け、直流負電圧
を印加しながらスーパーマロイｍｔｘバッタし比。この
時の導体層にはチタンである。直流負電圧の印加量と磁
気特性の関係をＩ！５図に）。
を印加しながらスーパーマロイｍｔｘバッタし比。この
時の導体層にはチタンである。直流負電圧の印加量と磁
気特性の関係をＩ！５図に）。
（６） Ｋ示す。
実施例３
実施例１と同様の方法によりクロム導体層を設け、直流
負電圧を印加しながらセンダスト膜をスパッタした。こ
の時の基板に印加しｔ負電圧と磁気特性の関係をｌｉＪ
図ｆＬ）、（ｂ）に示す。
負電圧を印加しながらセンダスト膜をスパッタした。こ
の時の基板に印加しｔ負電圧と磁気特性の関係をｌｉＪ
図ｆＬ）、（ｂ）に示す。
実施例４
実施例１と同様の方法によりクロム導体層を設け、直流
負電圧を印加しながらＣｏ −ＺデーＮｂ膜をスパッタ
し友。この時に印加し、比電圧は−５０７の時６％最も
良好な値を示し、保磁力で０．０５０ｓ、透磁率４５０
０という結果であり几。
負電圧を印加しながらＣｏ −ＺデーＮｂ膜をスパッタ
し友。この時に印加し、比電圧は−５０７の時６％最も
良好な値を示し、保磁力で０．０５０ｓ、透磁率４５０
０という結果であり几。
以上述べたように発明によれば磁性薄膜をスパッタ法で
堆積する前に導体層を設け、前記導体層に直流負電圧を
印加しなめζら磁性薄膜をスパッタすることにより、磁
気特性が優れ、かつ容易で低コストという効果？有する
。
堆積する前に導体層を設け、前記導体層に直流負電圧を
印加しなめζら磁性薄膜をスパッタすることにより、磁
気特性が優れ、かつ容易で低コストという効果？有する
。
第１図（Ａ）、 （Ｂ）は本発明の磁性薄膜の製造方法
の工程断面図。 第２＠は従来法で作製し几、基板温度と磁気特性の関係
図。 Ｉ！３図ｂ）、（６）Ｆｉ実施例２で作製し几スーパー
マーイ膜の磁気特性と印加しｔ負電圧の関係図。 第４図（ロ））、（６）は実施例３で作製したセンダス
ト膜の磁気特性と印加しｔ負電圧の関係図。 １・・・・・・導体層 ２・・・・・・基板 ３・・・・・・磁性薄膜 以 上
の工程断面図。 第２＠は従来法で作製し几、基板温度と磁気特性の関係
図。 Ｉ！３図ｂ）、（６）Ｆｉ実施例２で作製し几スーパー
マーイ膜の磁気特性と印加しｔ負電圧の関係図。 第４図（ロ））、（６）は実施例３で作製したセンダス
ト膜の磁気特性と印加しｔ負電圧の関係図。 １・・・・・・導体層 ２・・・・・・基板 ３・・・・・・磁性薄膜 以 上
Claims (1)
- （１）（ａ）コバルト系合金、ニッケル−鉄合金、セン
ダスト系合金をスパッタ法で薄膜化する磁性薄膜の製造
方法に於て、 （ｂ）磁性薄膜を堆積する前に、あらかじめ導体層を設
けること、 （ｃ）前記導体層に直流の負電圧を印加しながら磁性薄
膜を堆積することを特徴とする磁性薄膜の製造方法。
Priority Applications (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP8293685A JPS61240434A (ja) | 1985-04-18 | 1985-04-18 | 磁性薄膜の製造方法 |
Applications Claiming Priority (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP8293685A JPS61240434A (ja) | 1985-04-18 | 1985-04-18 | 磁性薄膜の製造方法 |
Publications (1)
| Publication Number | Publication Date |
|---|---|
| JPS61240434A true JPS61240434A (ja) | 1986-10-25 |
Family
ID=13788110
Family Applications (1)
| Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
|---|---|---|---|
| JP8293685A Pending JPS61240434A (ja) | 1985-04-18 | 1985-04-18 | 磁性薄膜の製造方法 |
Country Status (1)
| Country | Link |
|---|---|
| JP (1) | JPS61240434A (ja) |
Cited By (2)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| JPH01279742A (ja) * | 1988-04-30 | 1989-11-10 | Sharp Corp | センダスト薄膜の成膜方法 |
| US5945190A (en) * | 1997-02-17 | 1999-08-31 | Fujitsu Limited | Magnetic recording medium and magnetic disk device |
Citations (4)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| JPS5567928A (en) * | 1978-11-13 | 1980-05-22 | Fujitsu Ltd | Forming method for closely contacted layer of thin-film magnetic head |
| JPS5775412A (en) * | 1980-10-30 | 1982-05-12 | Nippon Hoso Kyokai <Nhk> | Manufacture of thin film |
| JPS57181447A (en) * | 1981-05-01 | 1982-11-08 | Olympus Optical Co Ltd | Photomagnetic recording medium |
| JPS5956717A (ja) * | 1982-09-27 | 1984-04-02 | Hitachi Ltd | 磁気ヘツド用パ−マロイ薄膜の製造方法 |
-
1985
- 1985-04-18 JP JP8293685A patent/JPS61240434A/ja active Pending
Patent Citations (4)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| JPS5567928A (en) * | 1978-11-13 | 1980-05-22 | Fujitsu Ltd | Forming method for closely contacted layer of thin-film magnetic head |
| JPS5775412A (en) * | 1980-10-30 | 1982-05-12 | Nippon Hoso Kyokai <Nhk> | Manufacture of thin film |
| JPS57181447A (en) * | 1981-05-01 | 1982-11-08 | Olympus Optical Co Ltd | Photomagnetic recording medium |
| JPS5956717A (ja) * | 1982-09-27 | 1984-04-02 | Hitachi Ltd | 磁気ヘツド用パ−マロイ薄膜の製造方法 |
Cited By (2)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| JPH01279742A (ja) * | 1988-04-30 | 1989-11-10 | Sharp Corp | センダスト薄膜の成膜方法 |
| US5945190A (en) * | 1997-02-17 | 1999-08-31 | Fujitsu Limited | Magnetic recording medium and magnetic disk device |
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