JPH0333653B2 - - Google Patents
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- Publication number
- JPH0333653B2 JPH0333653B2 JP62129068A JP12906887A JPH0333653B2 JP H0333653 B2 JPH0333653 B2 JP H0333653B2 JP 62129068 A JP62129068 A JP 62129068A JP 12906887 A JP12906887 A JP 12906887A JP H0333653 B2 JPH0333653 B2 JP H0333653B2
- Authority
- JP
- Japan
- Prior art keywords
- compound
- oxide
- heated
- ybgazn
- decomposes
- Prior art date
- Legal status (The legal status is an assumption and is not a legal conclusion. Google has not performed a legal analysis and makes no representation as to the accuracy of the status listed.)
- Expired - Lifetime
Links
Classifications
-
- C—CHEMISTRY; METALLURGY
- C01—INORGANIC CHEMISTRY
- C01G—COMPOUNDS CONTAINING METALS NOT COVERED BY SUBCLASSES C01D OR C01F
- C01G15/00—Compounds of gallium, indium or thallium
- C01G15/006—Compounds containing gallium, indium or thallium, with or without oxygen or hydrogen, and containing two or more other elements
Landscapes
- Chemical & Material Sciences (AREA)
- Organic Chemistry (AREA)
- Inorganic Chemistry (AREA)
- Catalysts (AREA)
Description
産業上の利用分野
本発明は光機能材料、半導体材料及び触媒材料
として有用な新規化合物であるYbGaZn7θ10で示
される六法晶系の層状構造を有する化合物および
その製造法に関する。 従来技術 従来、（Yb3+Fe3+θ3）oFe2+θ（ｎは整数を示す）
で示される六方晶系の層状構造を有する化合物は
本出願人によつて合成され知られている。 YbFe2θ4、Yb2Fe3θ7、Yb3Fe4θ10及び
Yb4Fe5θ13の六方晶系としての格子定数、Ybθ1.5
層、Feθ1.5層、Fe2θ2.5層の単位格子内における層
数を示すと表−１の通りである。 これらの化合物は酸化鉄（Feθ）１モルに対し
て、YbFeθ3がｎモルの割合で化合していると考
えられる層状構造を持つ化合物である。
として有用な新規化合物であるYbGaZn7θ10で示
される六法晶系の層状構造を有する化合物および
その製造法に関する。 従来技術 従来、（Yb3+Fe3+θ3）oFe2+θ（ｎは整数を示す）
で示される六方晶系の層状構造を有する化合物は
本出願人によつて合成され知られている。 YbFe2θ4、Yb2Fe3θ7、Yb3Fe4θ10及び
Yb4Fe5θ13の六方晶系としての格子定数、Ybθ1.5
層、Feθ1.5層、Fe2θ2.5層の単位格子内における層
数を示すと表−１の通りである。 これらの化合物は酸化鉄（Feθ）１モルに対し
て、YbFeθ3がｎモルの割合で化合していると考
えられる層状構造を持つ化合物である。
【表】
発明の目的
本発明は（YbFeθ3）oFeθの化学式において、ｎ
＝1/7に相当しFe3+の代わりにGa3+をFe2+の代わ
りにZn2+を置きかえて得られる新規な化合物を
提供するにある。 発明の構成 本発明のYbGaZn7θ10で示される化合物は、イ
オン結晶モデルでは、Yb3+（Ga3+Zn2+）
Zn6 2+θ10 2-として記載され、その構造はYbθ1.5層、
（Ga3+Zn2+）θ2.5層およびZnθ層の積層によつて形
成されており、著しい構造異方性を持つているこ
とがその特徴の一つである。Zn2+の1/7はGa3+と
共に（Ga3+、Zn2+）θ2.5層を作り、残りの6/7は
Znθ層を作つている。六方晶系としての格子定数
は次の通りである。 ａ＝3.300±0.001（Å） ｃ＝72.07±0.01（Å） この化合物の面指数（hkl）、面間隔（ｄ（Å））
（dpは実測値、dcは計算値を示す）およびＸ線に
対する相対反射強度（Ｉ％）を示すと表−２の通
りである。 この化合物は光機能材料、半導体材料および触
媒材料等に有用なものである。
＝1/7に相当しFe3+の代わりにGa3+をFe2+の代わ
りにZn2+を置きかえて得られる新規な化合物を
提供するにある。 発明の構成 本発明のYbGaZn7θ10で示される化合物は、イ
オン結晶モデルでは、Yb3+（Ga3+Zn2+）
Zn6 2+θ10 2-として記載され、その構造はYbθ1.5層、
（Ga3+Zn2+）θ2.5層およびZnθ層の積層によつて形
成されており、著しい構造異方性を持つているこ
とがその特徴の一つである。Zn2+の1/7はGa3+と
共に（Ga3+、Zn2+）θ2.5層を作り、残りの6/7は
Znθ層を作つている。六方晶系としての格子定数
は次の通りである。 ａ＝3.300±0.001（Å） ｃ＝72.07±0.01（Å） この化合物の面指数（hkl）、面間隔（ｄ（Å））
（dpは実測値、dcは計算値を示す）およびＸ線に
対する相対反射強度（Ｉ％）を示すと表−２の通
りである。 この化合物は光機能材料、半導体材料および触
媒材料等に有用なものである。
【表】
【表】
この化合物は次の方法によつて製造し得られ
る。 金属イツテルビウムあるいは酸化イツテルビウ
ムもしくは加熱により酸化イツテルビウムに分解
される化合物と、金属ガリウムあるいは酸化ガリ
ウムもしくは加熱により酸化ガリウムに分解され
る化合物と、金属亜鉛あるいは酸化亜鉛もしくは
加熱により酸化亜鉛に分解される化合物と、Yb、
GaおよびZnの割合が原子比で１対１対７の割合
で混合し、該混合物を600℃以上の温度で、大気
中、酸化性雰囲気中あるいはYbおよびGaが各々
３価イオン状態、Znが２価イオン状態より還元
されない還元雰囲気中で加熱することによつて製
造し得られる。 本発明に用いる出発物質は市販のものをそのま
ま使用してもよいが、化学反応を速やかに進行さ
せるためには粒径が小さい方がよく、特に10μｍ
以下であることが好ましい。 また、光機能材料、半導体材料として用いる場
合には不純物の混入をきらうので、純度の高いこ
とが好ましい。出発物質が加熱により金属酸化物
を得る化合物としては、それぞれの金属の水酸化
物、炭酸塩、硝酸塩等が挙げられる。 原料はそのまま、あるいはアルコール類、アセ
トン等と共に充分に混合する。 原料の混合割合は、Yb、Ga、及びZnの割合が
原子比で１対１対７の割合であることが必要であ
る。これをはずすと目的とする化合物の単一相を
得ることができない。 この混合物を大気中、酸化性雰囲気中あるいは
YbおよびGaが各々３価イオン状態、Znが各々２
価イオン状態から還元されない還元雰囲気中で
600℃以上で加熱する。加熱時間は数時間もしく
はそれ以上である。加熱の際の昇温速度には制約
はない。加熱終了後急冷するか、あるいは大気中
に急激に引き出せばよい。 得られたYbGaZn7θ10化合物の粉末は無色であ
り、粉末Ｘ線回折法によつて結晶構造を有するこ
とが分かつた。その結晶構造は層状構造であり、
Ybθ1.5層、（Ga、Zn）θ2.5層、およびZnθ層の積重
ねによつて形成されていることが分かつた。 実施例 純度99.99％以上の酸化イツテルビウム
（Yb2θ3）粉末、純度99.9％以上の酸化ガリウム
（Ga2θ3）粉末、試薬特級の酸化亜鉛（Znθ）粉末
をモル比で１対１対14の割合に秤量し、めのう乳
鉢内でエタノールを加えて、約30分間混合し、平
均粒径数μｍの微粉末混合物を得た。該混合物を
白金管内に封入し、1450℃に設定された管状シリ
コニツト炉内に入れ、４日間加熱し、その後、試
料を炉外にとりだし室温まで急速に冷却した。 得られた試料は、YbGaZn7θ10単一相であり、
粉末Ｘ線回折法によつて面指数（hkl）、面間隔
（dp）および相対反射強度を測定したその結果は
表−２の通りであつた。 六方晶系としての格子定数は ａ＝3.300±0.001（Å） ｃ＝72.07±0.01（Å） であつた。 上記の格子定数および表−２の面指数（hkl）
より算出した面間隔（dc（Å））は、実測の面間隔
（do（Å））と極めてよく一致していた。 発明の効果 本発明は光機能材料、半導体材料及び触媒とし
て有用な新規化合物を提供する。
る。 金属イツテルビウムあるいは酸化イツテルビウ
ムもしくは加熱により酸化イツテルビウムに分解
される化合物と、金属ガリウムあるいは酸化ガリ
ウムもしくは加熱により酸化ガリウムに分解され
る化合物と、金属亜鉛あるいは酸化亜鉛もしくは
加熱により酸化亜鉛に分解される化合物と、Yb、
GaおよびZnの割合が原子比で１対１対７の割合
で混合し、該混合物を600℃以上の温度で、大気
中、酸化性雰囲気中あるいはYbおよびGaが各々
３価イオン状態、Znが２価イオン状態より還元
されない還元雰囲気中で加熱することによつて製
造し得られる。 本発明に用いる出発物質は市販のものをそのま
ま使用してもよいが、化学反応を速やかに進行さ
せるためには粒径が小さい方がよく、特に10μｍ
以下であることが好ましい。 また、光機能材料、半導体材料として用いる場
合には不純物の混入をきらうので、純度の高いこ
とが好ましい。出発物質が加熱により金属酸化物
を得る化合物としては、それぞれの金属の水酸化
物、炭酸塩、硝酸塩等が挙げられる。 原料はそのまま、あるいはアルコール類、アセ
トン等と共に充分に混合する。 原料の混合割合は、Yb、Ga、及びZnの割合が
原子比で１対１対７の割合であることが必要であ
る。これをはずすと目的とする化合物の単一相を
得ることができない。 この混合物を大気中、酸化性雰囲気中あるいは
YbおよびGaが各々３価イオン状態、Znが各々２
価イオン状態から還元されない還元雰囲気中で
600℃以上で加熱する。加熱時間は数時間もしく
はそれ以上である。加熱の際の昇温速度には制約
はない。加熱終了後急冷するか、あるいは大気中
に急激に引き出せばよい。 得られたYbGaZn7θ10化合物の粉末は無色であ
り、粉末Ｘ線回折法によつて結晶構造を有するこ
とが分かつた。その結晶構造は層状構造であり、
Ybθ1.5層、（Ga、Zn）θ2.5層、およびZnθ層の積重
ねによつて形成されていることが分かつた。 実施例 純度99.99％以上の酸化イツテルビウム
（Yb2θ3）粉末、純度99.9％以上の酸化ガリウム
（Ga2θ3）粉末、試薬特級の酸化亜鉛（Znθ）粉末
をモル比で１対１対14の割合に秤量し、めのう乳
鉢内でエタノールを加えて、約30分間混合し、平
均粒径数μｍの微粉末混合物を得た。該混合物を
白金管内に封入し、1450℃に設定された管状シリ
コニツト炉内に入れ、４日間加熱し、その後、試
料を炉外にとりだし室温まで急速に冷却した。 得られた試料は、YbGaZn7θ10単一相であり、
粉末Ｘ線回折法によつて面指数（hkl）、面間隔
（dp）および相対反射強度を測定したその結果は
表−２の通りであつた。 六方晶系としての格子定数は ａ＝3.300±0.001（Å） ｃ＝72.07±0.01（Å） であつた。 上記の格子定数および表−２の面指数（hkl）
より算出した面間隔（dc（Å））は、実測の面間隔
（do（Å））と極めてよく一致していた。 発明の効果 本発明は光機能材料、半導体材料及び触媒とし
て有用な新規化合物を提供する。
Claims (1)
- 【特許請求の範囲】 １ YbGaZn7θ10で示される六方晶系の層状構造
を有する化合物。 ２ 金属イツテルビウムあるいは酸化イツテルビ
ウムもしくは加熱により酸化イツテルビウムに分
解される化合物と、金属ガリウムあるいは酸化ガ
リウムもしくは加熱により酸化ガリウムに分解さ
れる化合物と、金属亜鉛あるいは酸化亜鉛もしく
は加熱により酸化亜鉛に分解される化合物と、
Yb、GaおよびZnの割合が原子比で１対１対７の
割合で混合し、該混合物を600℃以上の温度で大
気中、酸化性雰囲気中あるいはYbおよびGaが
各々３価イオン状態、Znが２価イオン状態より
還元されない還元雰囲気中で加熱することを特徴
とするYbGaZn7θ10で示される六方晶系の層状構
造を有する化合物の製造法。
Priority Applications (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP12906887A JPS63295426A (ja) | 1987-05-26 | 1987-05-26 | ＹｂＧａＺｎ↓７Ｏ↓１↓０で示される六方晶系の層状構造を有する化合物およびその製造法 |
Applications Claiming Priority (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP12906887A JPS63295426A (ja) | 1987-05-26 | 1987-05-26 | ＹｂＧａＺｎ↓７Ｏ↓１↓０で示される六方晶系の層状構造を有する化合物およびその製造法 |
Publications (2)
| Publication Number | Publication Date |
|---|---|
| JPS63295426A JPS63295426A (ja) | 1988-12-01 |
| JPH0333653B2 true JPH0333653B2 (ja) | 1991-05-17 |
Family
ID=15000289
Family Applications (1)
| Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
|---|---|---|---|
| JP12906887A Granted JPS63295426A (ja) | 1987-05-26 | 1987-05-26 | ＹｂＧａＺｎ↓７Ｏ↓１↓０で示される六方晶系の層状構造を有する化合物およびその製造法 |
Country Status (1)
| Country | Link |
|---|---|
| JP (1) | JPS63295426A (ja) |
Family Cites Families (1)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| JPS606895A (ja) * | 1983-06-24 | 1985-01-14 | 株式会社東芝 | 原子炉格納容器 |
-
1987
- 1987-05-26 JP JP12906887A patent/JPS63295426A/ja active Granted
Also Published As
| Publication number | Publication date |
|---|---|
| JPS63295426A (ja) | 1988-12-01 |
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Legal Events
| Date | Code | Title | Description |
|---|---|---|---|
| EXPY | Cancellation because of completion of term |