JPH0333651B2 - - Google Patents
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- Publication number
- JPH0333651B2 JPH0333651B2 JP62129062A JP12906287A JPH0333651B2 JP H0333651 B2 JPH0333651 B2 JP H0333651B2 JP 62129062 A JP62129062 A JP 62129062A JP 12906287 A JP12906287 A JP 12906287A JP H0333651 B2 JPH0333651 B2 JP H0333651B2
- Authority
- JP
- Japan
- Prior art keywords
- compound
- oxide
- heating
- thulium
- metallic
- Prior art date
- Legal status (The legal status is an assumption and is not a legal conclusion. Google has not performed a legal analysis and makes no representation as to the accuracy of the status listed.)
- Expired - Lifetime
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- Catalysts (AREA)
- Recrystallisation Techniques (AREA)
Description
産業上の利用分野
本発明は光機能材料、半導体材料及び触媒材料
として有用な新規化合物であるTmGaZn4θ7で示
される六法晶系の層状構造を有する化合物および
その製造法に関する。 従来技術 従来、（Yb3+Fe3+θ3）oFe2+θ（ｎは整数を示す）
で示される六方晶系の層状構造を有する化合物は
本出願人によつて合成され知られている。 YbFe2θ4、Yb2Fe3θ7、Yb3Fe4θ10及び
Yb4Fe5θ13の六方晶系としての格子定数、Ybθ1.5
層、Feθ1.5層、Fe2θ2.5層の単位格子内における層
数を示すと表−１の通りである。 これらの化合物は酸化鉄（Feθ）１モルに対し
て、YbFeθ3がｎモルの割合で化合していると考
えられる層状構造を持つ化合物である。
として有用な新規化合物であるTmGaZn4θ7で示
される六法晶系の層状構造を有する化合物および
その製造法に関する。 従来技術 従来、（Yb3+Fe3+θ3）oFe2+θ（ｎは整数を示す）
で示される六方晶系の層状構造を有する化合物は
本出願人によつて合成され知られている。 YbFe2θ4、Yb2Fe3θ7、Yb3Fe4θ10及び
Yb4Fe5θ13の六方晶系としての格子定数、Ybθ1.5
層、Feθ1.5層、Fe2θ2.5層の単位格子内における層
数を示すと表−１の通りである。 これらの化合物は酸化鉄（Feθ）１モルに対し
て、YbFeθ3がｎモルの割合で化合していると考
えられる層状構造を持つ化合物である。
【表】
発明の目的
本発明は（YbFeθ3）oFeθの化学式において、ｎ
＝1/4に相当しYb3+の代わりにTm3+をFe3+の代
わりにGa3+を、Fe+2の代わりにZn2+を置きかえ
て得られる新規な化合物を提供するにある。 発明の構成 本発明のTmGaZn4θ7で示される化合物は、イ
オン結晶モデルでは、Tm3+（Ga3+Zn2+）
Zn3 2+θ7 2-として記載され、その構造はTmθ1.5層、
（Ga3+Zn2+）θ2.5層およびZnθ層の積層によつて形
成されており、著しい構造異方性を持つているこ
とがその特徴の一つである。Zn2+の1/4はGa3+と
共に（Ga3+、Zn2+）θ2.5層を作り、残りの3/4は
Znθ層を作つている。六方晶系としての格子定数
は次の通りである。 ａ＝3.331±0.001（Å） ｃ＝32.38±0.01（Å） この化合物の面指数（hkl）、面間隔（ｄ（Å））
（dpは実測値、dcは計算値を示す）およびＸ線に
対する相対反射強度（Ｉ（％））を示すと表−２の
通りである。 この化合物は光機能材料、半導体材料および触
媒材料等に有用なものである。
＝1/4に相当しYb3+の代わりにTm3+をFe3+の代
わりにGa3+を、Fe+2の代わりにZn2+を置きかえ
て得られる新規な化合物を提供するにある。 発明の構成 本発明のTmGaZn4θ7で示される化合物は、イ
オン結晶モデルでは、Tm3+（Ga3+Zn2+）
Zn3 2+θ7 2-として記載され、その構造はTmθ1.5層、
（Ga3+Zn2+）θ2.5層およびZnθ層の積層によつて形
成されており、著しい構造異方性を持つているこ
とがその特徴の一つである。Zn2+の1/4はGa3+と
共に（Ga3+、Zn2+）θ2.5層を作り、残りの3/4は
Znθ層を作つている。六方晶系としての格子定数
は次の通りである。 ａ＝3.331±0.001（Å） ｃ＝32.38±0.01（Å） この化合物の面指数（hkl）、面間隔（ｄ（Å））
（dpは実測値、dcは計算値を示す）およびＸ線に
対する相対反射強度（Ｉ（％））を示すと表−２の
通りである。 この化合物は光機能材料、半導体材料および触
媒材料等に有用なものである。
【表】
【表】
この化合物は次の方法によつて製造し得られ
る。 金属ツリウムあるいは酸化ツリウムもしくは加
熱により酸化ツリウムに分解される化合物と、金
属ガリウムあるいは酸化ガリウムもしくは加熱に
より酸化ガリウムに分解される化合物と、金属亜
鉛あるいは酸化亜鉛もしくは加熱により酸化亜鉛
に分解される化合物と、Tm、GaおよびZnの割
合が原子比で１対１対４の割合で混合し、該混合
物を600℃以上の温度で、大気中、酸化性雰囲気
中あるいはTmおよびGaが各々３価イオン状態、
Znが２価イオン状態より還元されない還元雰囲
気中で加熱することによつて製造し得られる。 本発明に用いる出発物質は市販のものをそのま
ま使用してもよいが、化学反応を速やかに進行さ
せるためには粒径が小さい方がよく、特に10μｍ
以下であることが好ましい。 また、光機能材料、半導体材料として用いる場
合には不純物の混入をきらうので、純度の高いこ
とが好ましい。出発物質が加熱により金属酸化物
を得る化合物としては、それぞれの金属の水酸化
物、炭酸塩、硝酸塩等が挙げられる。 原料はそのまま、あるいはアルコール類、アセ
トン等と共に充分に混合する。 原料の混合割合は、Tm、Ga、及びZnの割合
が原子比で１対１対４の割合であることが必要で
ある。これをはずすと目的とする化合物の単一相
を得ることができない。 この混合物を大気中、酸化性雰囲気中あるいは
TmおよびGaが各々３価イオン状態、Znが各々
２価イオン状態から還元されない還元雰囲気中で
600℃以上で加熱する。加熱時間は数時間もしく
はそれ以上である。加熱の際の昇温速度には制約
はない。加熱終了後急冷するか、あるいは大気中
に急激に引き出せばよい。 得られたTmGaZn4θ7化合物の粉末は無色であ
り、粉末Ｘ線回折法によつて結晶構造を有するこ
とが分かつた。その結晶構造は層状構造であり、
Tmθ1.5層、（Ga、Zn）θ2.5層、およびZnθ層の積
重ねによつて形成されていることが分かつた。 実施例 純度99.99％以上の酸化ツリウム（Tm2θ3）粉
末、純度99.9％以上の酸化ガリウム（Ga2θ3）粉
末、試薬特級の酸化亜鉛（Znθ）粉末をモル比で
１対１対８の割合に秤量し、めのう乳鉢内でエタ
ノールを加えて、約30分間混合し、平均粒径数μ
ｍの微粉末混合物を得た。該混合物を白金管内に
封入し、1450℃に設定された管状シリコニツト炉
内に入れ、４日間加熱し、その後、試料を炉外に
とりだし室温まで急速に冷却した。 得られた試料は、TmGaZn4θ7単一相であり、
粉末Ｘ線回折法によつて面指数（hkl）、面間隔
（dp）および相対反射強度（％）を測定した。
その結果は表−２の通りであつた。 六方晶系としての格子定数は ａ＝3.331±0.001（Å） ｃ＝32.38±0.01（Å） であつた。 上記の格子定数および表−２の面指数（hkl）
より算出した面間隔（dc（Å））は、実測の面間隔
（do（Å））と極めてよく一致していた。 発明の効果 本発明は光機能材料、半導体材料及び触媒とし
て有用な新規化合物を提供する。
る。 金属ツリウムあるいは酸化ツリウムもしくは加
熱により酸化ツリウムに分解される化合物と、金
属ガリウムあるいは酸化ガリウムもしくは加熱に
より酸化ガリウムに分解される化合物と、金属亜
鉛あるいは酸化亜鉛もしくは加熱により酸化亜鉛
に分解される化合物と、Tm、GaおよびZnの割
合が原子比で１対１対４の割合で混合し、該混合
物を600℃以上の温度で、大気中、酸化性雰囲気
中あるいはTmおよびGaが各々３価イオン状態、
Znが２価イオン状態より還元されない還元雰囲
気中で加熱することによつて製造し得られる。 本発明に用いる出発物質は市販のものをそのま
ま使用してもよいが、化学反応を速やかに進行さ
せるためには粒径が小さい方がよく、特に10μｍ
以下であることが好ましい。 また、光機能材料、半導体材料として用いる場
合には不純物の混入をきらうので、純度の高いこ
とが好ましい。出発物質が加熱により金属酸化物
を得る化合物としては、それぞれの金属の水酸化
物、炭酸塩、硝酸塩等が挙げられる。 原料はそのまま、あるいはアルコール類、アセ
トン等と共に充分に混合する。 原料の混合割合は、Tm、Ga、及びZnの割合
が原子比で１対１対４の割合であることが必要で
ある。これをはずすと目的とする化合物の単一相
を得ることができない。 この混合物を大気中、酸化性雰囲気中あるいは
TmおよびGaが各々３価イオン状態、Znが各々
２価イオン状態から還元されない還元雰囲気中で
600℃以上で加熱する。加熱時間は数時間もしく
はそれ以上である。加熱の際の昇温速度には制約
はない。加熱終了後急冷するか、あるいは大気中
に急激に引き出せばよい。 得られたTmGaZn4θ7化合物の粉末は無色であ
り、粉末Ｘ線回折法によつて結晶構造を有するこ
とが分かつた。その結晶構造は層状構造であり、
Tmθ1.5層、（Ga、Zn）θ2.5層、およびZnθ層の積
重ねによつて形成されていることが分かつた。 実施例 純度99.99％以上の酸化ツリウム（Tm2θ3）粉
末、純度99.9％以上の酸化ガリウム（Ga2θ3）粉
末、試薬特級の酸化亜鉛（Znθ）粉末をモル比で
１対１対８の割合に秤量し、めのう乳鉢内でエタ
ノールを加えて、約30分間混合し、平均粒径数μ
ｍの微粉末混合物を得た。該混合物を白金管内に
封入し、1450℃に設定された管状シリコニツト炉
内に入れ、４日間加熱し、その後、試料を炉外に
とりだし室温まで急速に冷却した。 得られた試料は、TmGaZn4θ7単一相であり、
粉末Ｘ線回折法によつて面指数（hkl）、面間隔
（dp）および相対反射強度（％）を測定した。
その結果は表−２の通りであつた。 六方晶系としての格子定数は ａ＝3.331±0.001（Å） ｃ＝32.38±0.01（Å） であつた。 上記の格子定数および表−２の面指数（hkl）
より算出した面間隔（dc（Å））は、実測の面間隔
（do（Å））と極めてよく一致していた。 発明の効果 本発明は光機能材料、半導体材料及び触媒とし
て有用な新規化合物を提供する。
Claims (1)
- 【特許請求の範囲】 １ TmGaZn4θ7で示される六方晶系の層状構造
を有する化合物。 ２ 金属ツリウムあるいは酸化ツリウムもしくは
加熱により酸化ツリウムに分解される化合物と、
金属ガリウムあるいは酸化ガリウムもしくは加熱
により酸化ガリウムに分解される化合物と、金属
亜鉛あるいは酸化亜鉛もしくは加熱により酸化亜
鉛に分解される化合物と、Tm、GaおよびZnの
割合が原子比で１対１対４の割合で混合し、該混
合物を600℃以上の温度で大気中、酸化性雰囲気
中あるいはTmおよびGaが各々３価イオン状態、
Znが２価イオン状態より還元されない還元雰囲
気中で加熱することを特徴とするTmGaZn4θ7で
示される六方晶系の層状構造を有する化合物の製
造法。
Priority Applications (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP12906287A JPS63295424A (ja) | 1987-05-26 | 1987-05-26 | ＴｍＧａＺｎ↓４Ｏ↓７で示される六方晶系の層状構造を有する化合物およびその製造法 |
Applications Claiming Priority (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP12906287A JPS63295424A (ja) | 1987-05-26 | 1987-05-26 | ＴｍＧａＺｎ↓４Ｏ↓７で示される六方晶系の層状構造を有する化合物およびその製造法 |
Publications (2)
| Publication Number | Publication Date |
|---|---|
| JPS63295424A JPS63295424A (ja) | 1988-12-01 |
| JPH0333651B2 true JPH0333651B2 (ja) | 1991-05-17 |
Family
ID=15000144
Family Applications (1)
| Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
|---|---|---|---|
| JP12906287A Granted JPS63295424A (ja) | 1987-05-26 | 1987-05-26 | ＴｍＧａＺｎ↓４Ｏ↓７で示される六方晶系の層状構造を有する化合物およびその製造法 |
Country Status (1)
| Country | Link |
|---|---|
| JP (1) | JPS63295424A (ja) |
Family Cites Families (1)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| JPS606894A (ja) * | 1983-06-24 | 1985-01-14 | 株式会社東芝 | 核燃料集合体 |
-
1987
- 1987-05-26 JP JP12906287A patent/JPS63295424A/ja active Granted
Also Published As
| Publication number | Publication date |
|---|---|
| JPS63295424A (ja) | 1988-12-01 |
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Legal Events
| Date | Code | Title | Description |
|---|---|---|---|
| EXPY | Cancellation because of completion of term |