JPH0333722A - 液晶素子 - Google Patents

Abstract

(57)【要約】本公報は電子出願前の出願データであるた
め要約のデータは記録されません。

Description

【発明の詳細な説明】 〔産業上の利用分野〕 本発明は液晶表示や液晶−光シヤツター等で用いる液晶
素子、特に強誘電性液晶を用いた液晶素子に関し、更に
詳しくは配向の均一性を著しく向上させ、かつ素子の耐
久性を向上させ、暗状態と明状態のコントラストを向上
させた液晶素子に関する。

〔背景技術〕

強誘電性液晶分子の屈折率異方性を利用して、偏光素子
との組み合わせにより透過光線を制御する型の表示素子
がＮ、Ａ、クラ−・りらにより提案されている（特開昭
５６−１０７２１６号公報、米国特許第４３６７９２４
号明細書等）。この強誘電性液晶は、一般に特定の温度
域において、カイラルスメクチックＣ相（ＳｍＣ木）又
はＨ相（Ｓｍ８本）を有し、バルク状態でらせん配列構
造を生じるカイラルスメクチックＣ又はＨ相の温度下の
液晶を、らせん配列構造の形成を抑制・するのに十分に
小さい距離に設定した一対の基板間隔に配置させて得た
双安定性配向状態において、加えられる電界に応答して
第１の光学的安定状態と第２の光学的安定状態のいずれ
かを取り、かつ電界の印加のないときはその状態を維持
するメモリー特性を有し、また電界の変化に対して高速
応答特性を有し、高速ならびに記憶型の表示素子として
の広い利用が期待されている。

この双安定性配向状態を生じた強誘電性スメクチック液
晶を用いた光学変調素子が製品として前述のメモリー特
性及び高速応答特性を発揮するためには、双安定性配向
状態が安定に均一に存在し、かつ素子としての耐久性に
優れ、明状態と暗状態のコントラスト比が大きいことが
必要であった。

岡田らは、ＵＳＰ４６３９０８９で、コレステリック相
を生じる温度範囲を有する強誘電性スメクチック液晶を
ラビング処理や斜方蒸着処理などによって付与された一
軸性配向処理軸を有する液晶素子に適用することによっ
て、均一な双安定性配向状態の強誘電性スメクチック液
晶素子を実現したことを明らかにしている。

ラビング処理や斜方蒸着処理によって実現した均一な双
安定性配向状態の強誘電性スメクチック液晶素子は、Ｎ
、Ａ、クラークらのものと比較して明状態のメモリー下
での透過光量が小さくなることがあった。

上述の双安定性配向状態の強誘電性スメクチック液晶素
子は、その配向状態が均一であることから、液晶分子が
高い秩序度の配列を生じている。この液晶分子の高い秩
序度の配列状態は、セル外部からの応力、例えば衝撃力
や歪み力に対しては、もろい性質をもっており、かかる
力が印加された時には、液晶分子の配列状態に乱れを生
じ、代表的にはサンデッド・テスクチャーを発生する。

衝撃力によるサンデッド・テクスチャーの発生は、例え
ば坪山らのＵＳＰ４６７４８３９で明らかにされている
。

ところで、本発明者らが実験したところによれば、配向
制御層として用いる高分子有機膜の膜厚が６００Å以上
と十分に厚い場合には広い面積で充分・均一な配向が得
られるが、このように高分子有機膜の膜厚を厚くすると
膜厚が薄い場合に比べ駆動特性が悪くなるという問題点
が生じることがわかっている。また、強誘電性液晶の双
安定性を保持するためには、高分子有機膜の膜厚を２０
０Å以下と薄くすることが必要であるという提案もなさ
れている（特開昭６２−５２５２８号公報）。

したがって、このように駆動特性や双安定性を良好にす
るために配向制御膜である高分子有機膜の膜厚は薄いこ
とが望まれる。

一方、配向制御膜である高分子膜の膜厚を薄くしていく
と配向欠陥が発生し、均一配向が得られないばかりでな
く、配向欠陥からのもどりにより双安定性も悪くなると
いう問題が生じる。

又、本発明者らの実験によれば、第１８図（Ａ）に示す
様に、表示パネルの画面に大きな領域の黒表示部と白表
示部をそれぞれ形成して表示していた後で、全画面を白
表示に切り換えた時に、第１８図（Ｂ）に示す様に、か
かる切り換え前に表示されていた黒表示部に相当する領
域が周囲の白表示部より透過率の低い薄い灰色表示を残
して表示され、表示品位を悪くしていた。特に、この灰
色表示部がかなり長い時間存在しているため、新しい表
示内容に表示画面を切り換えた時に、この新しい表示内
容に対して、切り換え前の古い表示内容が薄い灰色表示
として重なって表示（「前表示内容の焼き付は表示」と
いう）されるために、例えばワープロのオペレータにと
っては非常、に見にくい表示状態となっていた。

〔発明の概要〕

本発明の目的は、前述の問題点、特に前表示内容の焼付
は表示を改善された双安定性配向状態によって解消した
強誘電性スメクチック液晶素子を提供することにある。

本発明は、一軸性配向処理軸が付与された配向制御膜を
下地層を介して少なくとも一方に設けた一対の基板及び
該一対の基板の間に配置された強誘電性スメクチック液
晶を有する液晶素子において、前記強誘電性スメクチッ
ク液晶が強誘電性スメクチック相の温度範囲内で高温側
と低温側とで異−なる双安定性配向状態を生じる強誘電
性スメクチック液晶であって、前記高温側の双安定性配
向状態から降温することによって生じた低温側での双安
定性配向状態の強誘電性スメクチック液晶であるととも
に、前記配向制御膜の膜厚をｄとした時、好ましくは ０＜ｄ≦６００人であり、 前記下地層の平均表面粗さをＳとした時、好ましくは ０≦Ｓ≦１００人 であり、且つ ０≦Ｓ／ｄ　＜　０．７０ の関係を有している液晶素子に第１の特徴を有し、第２
に、一軸性配向処理軸が付与された配向制御膜を下地層
を介して少なくとも一方に設けた一対の基板及び該一対
の基板の間に配置された強誘電性スメクチック液晶を有
する液晶素子のおいて、前記強誘電性スメクチック液晶
が結合した一対のへアビン欠陥及びライトニング欠陥を
発生す゛る傾向の双安定性配向状態の強誘電性スメクチ
ック液晶であって、前記一軸性配向処理軸の方向に従っ
て前でライトニング欠陥、後でヘアピン欠陥を発生する
発生秩序を示す配向状態を有する強誘電性スメチツク液
晶であるとともに、前記配向制御膜の膜厚をｄとした時
、好ましくは Ｏｄｄ≦６００人であり、 前記下地層の平均表面粗さをＳとした時、好ましくは Ｏ≦Ｓ≦１００Ａ であり、且つ Ｏ≦Ｓ／ｄ　＜　０．７０ の関係を有している液晶素子に第２の特徴を有している
。特に、好ましくは前記液晶素子において、一軸性配向
処理軸が前記一対の基板に設けた配向制御膜に平行（又
は略平行；交差角３０６以下）に付与されているととも
に、該平行の一軸性配向処理軸の向きが同一の向きであ
る点にも特徴を有している。

〔発明の態様の詳細な説明〕

本発明者らは、配向制御膜の膜厚を薄くしてい、くと配
向欠陥が発生し均一配向が得られないということに関し
、その原因について種々検討した。

その結果、この現象は、液晶の配向が配向制御膜が設け
られている、例えばＩＴＯ電極、誘電体膜、Ｓｌカップ
リング剤層等の下地層の表面粗さの影響を受けるためで
あることが明らかとなった。また、この下地層の表面粗
さが同じでも配向制御膜の膜厚が異なれば配向状態も異
なっていた。そこで、下地層の表面粗さおよび配向制御
膜の膜厚と配向の関係を調べたところ第１７図に示すよ
うな結果が得られた。

同図において、ｄは配向制御膜の膜厚、Ｓはこの配向制
御膜が設けられている下地層の平均表面粗さである。下
地層はＩＴＯ電極、無機あるいは有機の誘電体膜、Ｓｌ
カップリング剤層等のいずれでもよい。第１７図の場合
、下地層はＩＴＯ電極であリ、ＩＴＯ電極の膜厚と表面
粗さは比例関係にある。

平均表面粗さは走査型トンネル顕微鏡（ＳＴＭ。

Ｎａｎｏｓｃｏｐｅ　　ＩＩ、東陽テクニカ社販売）゛
により測定し、標準偏差値を計算した。平均表面粗さが
１００人を超える場合はＩＴＯ電極の膜厚は４０００Å
以上となり、スパッタによる作成ではクラックが発生し
たため検討は行わなかった。

第１７図のグラフにより、０≦Ｓ／ｄ　＜　０．７であ
れば有機高分子膜の膜厚が薄くても配向は良好であるこ
とがわかる。

本発明は以上のような知見に基づいてなされたものであ
る。

〔企明の煕＃義の詳＃ｅｒｔ誂明〕

第１図は本発明の強誘電性液晶セルの１例を模式的に描
いたものである。第１図（Ｂ）は、第１図（Ａ）のセル
で用いた下達の誘電体膜の使用を省略したセルを表わし
ている。

４１１ａとｌｌｂは、それぞれＩｎ２Ｏ３やＩＴＯ（Ｉ
ｎｄｉｕｍＴｉｎ　　０ｘｉｄｅ）等の透明電極１２ａ
と１２ｂで被覆された基板（ガラス板）であり、その上
に２００　Ａ〜３０００λ厚の誘電体膜１３ａと１３ｂ
（ＳｉＯ２膜、ＴｉＯ２膜、Ｔａ　２０５膜など）とポ
リイミドミボリアミド、ポリエステル等で形成した６０
０λ以下の配向制御膜１４ａと１４ｂとがそれぞれ積層
されている。

この際、平行かつ同−向き（第１図でいえばＡ方向）に
なるようラビング処理（矢印方向）した配向処理膜１４
ａと１４ｂが配置されている。基板１１ａとｌｌｂとの
間には、強誘電性スメクチック液晶１５が配置され、基
板１１ａとｌｌｂとの間隔の距離は、強誘電性スメクチ
ック液晶１５のらせん配列構造の形成を抑制するのに十
分に小さい距離（例えば０．１μｍ〜３μｍ）に設定さ
れ、・強誘電性スメクチック液晶１５は双安定性配向状
態を生じている。

上述の十分に小さい距離は、基板１１ａとｌｌｂとの間
に配置したビーズスペーサ１６（シリカビーズ、アルミ
ナビーズ）によって保持される。

このセルには、液晶分子の配向変調を光学的に識別する
ために、２枚の偏光子１７ａ、　　１７ｂがクロスニコ
ルで配置されている。

本発明は、下達の実施例で・明らかにした液晶材料と配
向制御膜を用いることによって、カイラルスメクチック
Ｃ相の温度範囲における高温側と低温側とで生じる双安
定性配向状態が相違し、低温側での双安定性配向状態が
衝撃又は歪みに対して強い安定度を示し、且つ明状態と
暗状態との大きなコントラストを示す。低温側での双安
定性配向状態の強誘電性スメクチック液晶は、ラビング
処理方向（第７図に示す様にプレチルト角θｐｒを生じ
た液晶分子の傾斜方向（矢印方向）の基板面への写影方
向）に従って前でライトニング欠陥、後ろでヘアピン欠
陥を発生する発生秩序を生じる配向状態にあり、これに
対し、高温側ではラビング処理方向に従って前でヘアピ
ン欠陥、後ろでライトニング欠陥を発生する発生秩序を
生じる配向状態を有している。以下、カイラルスメクチ
ックＣ相の温度範囲において、便宜上、上述の高温側で
の配向状態を「Ｃ１配向」と言い、低温側での配向状態
をｒＣ２配向」と言う。ここで、「便宜上」と表現した
のは、後述する様に２つの異なる配向状態が温度のみに
依存していない理由からである。

第２図はＣ１配向の顕微鏡写真（倍率：　ｌｏＸＩＯ倍
）のスケッチ図で、第３図〜第５図はラビング処理方向
に従って前でライトニング欠陥、後ろでヘアピン欠陥を
発生する発生秩序を生じる配向状態と、ラビング処理方
向に従って、前でヘアピン欠陥、後ろでライトニング欠
陥を発生する発生秩序を生じる配向状態との混在状態（
以下「Ｃ１／Ｃ２混在配向」という）を示した顕微鏡写
真（倍率：ｌｏＸＩＯ倍）のスケッチ図で、第６図はＣ
２配向の顕微鏡写真（倍率：１０Ｘ１０倍）のスケッチ
図である。

第２図〜第６図は、何れも消光位（９００クロスニコル
下での最暗位置）での状態である。

又、本発明のセルは、第２図〜第５図に示すＣ１配向ド
メイン２０の占有面積は優勢的にも大きなものである。

この際に用いた液晶材料は、チッソ社製の強誘電性スメ
クチック液晶であるｒＣＳ−１０１４Ｊ　（商品名）を
用い、配向制御膜は量産化学工業社製の脂環式ポリイミ
ド膜形成液である「サンエバー１５０Ｊ（商品名）を用
いた。ラビング処理は、上下基板に互いに平行で、且つ
同一処理方向とし、上下基板の間隔を１．５μｍの距離
に設定した（詳細は下達の実施例１に示す）。このセル
における相転移温度は、下記のとおりであった。

８０．５°Ｃ６９，１℃　　　５４℃　　＊　　５１．
４℃　　＊Ｉｓｏ、　−−←Ｃｈ−−←ＳｍＡ　−一◆
ＳｍＣ１−−◆ＳｍＣ１／２■Ｓ。

ｈ 　ｍ　Ａ ；等方相 ；コレステリック相 ；スメクチックＡ相 Ｓｍ＊Ｃ１；カイラルスメクチックＣ相のうちＣ１配向
状態の相 Ｓｍ＊Ｃ１／Ｃ２；カイラルスメクチックＣ相のうちＣ
１／Ｃ２混在配向状態の相 −８ｍ＊Ｃ２；カイラルスメクチックＣ相のうちＣ２配
向状態の相 Ｃｒｙ　　　；結晶相 ｌ５ｏ−Ｃｈ相転移点、Ｃｈ−３ｍＡ相転移点、ＳｍＡ
−８ｍ＊Ｃ１相転移点及びＳｍ＊Ｃ２−Ｃｒｙ、相転移
点はスイス国メトラー社製１’−Ｆ　Ｐ　８００温度制
御装置」（商品名）によって測定した温度で、Ｓｍ＊Ｃ
１−３ｍ＊Ｃ１／Ｃ２相転移点及びＳｍ＊Ｃ１／Ｃ２−
３ｍ＊Ｃ２相転移点は降温下の顕微鏡観察で求めた温度
である。

第２図によれば、Ｃ１配向ドメイン２０の消光位はぐ暗
状態を最暗に設定する９０’　クロスニコルの位置）は
、青色状態であって、青色の明状態２１と青色の暗状態
２２が存在している。第６図によれば、Ｃ２配向ドメイ
ン３０の消光位は黒色状態であって白色の明状態３１と
黒色の暗状態３２が存在している。又、第３図〜第５図
によれば消光位が青色のＣ１配向ドメイン２０と消光位
が黒色のＣ２配向ドメイン３０とが混在している状態を
明らかにしている。

また、Ｃ１配向ドメイン２０．Ｃ２配向ドメイン３０及
びＣ１／Ｃ２混在配向ドメイン４０のそれぞれの状態下
で、５０μｓｅｃ、　　＋３０Ｖのパルスを印加した後
に、消光位での状態を観察したところ、Ｃ１配向ドメイ
ン２０の消光位は青色で、Ｃ２配向ドメイン３０の消光
位は黒色であった。さらに、Ｃ１配向ドメイン２０．　
Ｃ２配向ドメイン３０及びＣ１／Ｃ２屈在配向ドメイン
４０のそれぞれの状態下で、５０μｓｅｃ、　　−３０
Ｖの反転パルスを印加した後に、消光位での状態を観察
したところ、やはりＣ１配向ドメイン２０の消光位は青
色で、Ｃ２配向ドメイン３０の消光位は黒色であった。

以上の実験から、カイラルスメクチックＣ相の温度範囲
において、互いに相違した配向状態のＣ１配向ドメイン
２０とＣ２配向ドメイン３０の相を有し、降温下で０２
配向ドメイン３０が次第に成長し、優勢的にＣ１配向ド
メイン２０を無視できる程大きくなることが判った（シ
ール材周辺部を除いた全ドメインに対して６０％以上の
Ｃ２配向ドメイン３０の占有面積を有している）。又、
下達の実施例で明らかにするが、Ｃ２配向ドメイン３０
をほとんど占める双安定性配向状態の強誘電性スメクチ
ック液晶素・子はＣ１配向ドメイン２０下のもの及び従
来の双安定性配向状態（上下基板に平行で、且つ互いに
反対方向のラビング処理を付与したことによって生じた
配向状態）のものと比較して、外部から衝撃力や歪み力
に対する強い安定度及び明状態と暗状態の大きなコント
ラストを奏することが判明した。

第３図は５１．３℃、第４図は５１．２℃、第５図は５
１、・１℃でのＣ１／Ｃ２混在配向ドメイン４０を示し
ている。第３図〜第５図は、Ｃ１／Ｃ２混在配向ドメイ
ン４０が降温下で次第に０２配向ドメイン３０のドメイ
ンを成長させていく態様を明らかにしている。

第３図〜第５図によれば、Ｃ２配向３０は、降温下で第
２図に示すＣ１配向ドメイン２０と第３図〜第５図に示
すＣ１／Ｃ２混在配向ドメイン４０を通して形成されて
いることが判る。

第７図（Ａ）及び（Ｂ）は、はとんどのドメインが０１
配向ドメインであって、このＣ１配向ドメイン内に生じ
たヘアピン欠陥とライトニング欠陥を模式的に示した平
面図と断面図である。第７図（Ｃ）及び（Ｄ）は、はと
んどのドメインがＣ２配向ドメインであって、この０２
配向ドメイン内に生じたヘアピン欠陥とライトニング欠
陥を模式的に示した平面図と断面図である。

第７図中の７１は、ラビング処理方向Ａの配向処理が付
与された上下配向制御膜１４ａと１４ｂとの間隔に形成
された複数のカイラルスメクチックＣ相下の液晶分子７
２で組織した異なる配向状態の分子層（分子層７１とし
て、Ｃ１配向ドメイン７３を組織する分子層と、Ｃ２配
向ドメイン７４を組織する分子層とを有している）を表
わし、ている。

第７図によれば、Ｃ１配向ドメイン７３を形成する分子
層７１は傾斜しており、上下配向制御膜１４ａと１４ｂ
での隣接付近の傾斜角θえは鋭角となっている。これに
対し、Ｃ２配向ドメイン７４を形成する分子層７１の傾
斜角θ８は、上下とも鈍角となっている。

ヘアピン欠陥７６とライトニング欠陥７５は、Ｃ１配向
ドメイン７３とＣ２配向ドメイン７４との隣接部で発生
し、第７図（Ａ）及び（Ｂ）に示す双安定性配向状態の
Ｃ１配向ドメイン７３内では、ラビング処理方向Ａに従
って前でヘアピン欠陥７６、後ろでライトニング欠陥７
５を発生している。

又、第７図（Ｃ）及び（Ｄ）に示す双安定性配向状態の
０２配向ドメイン７４内では、ラビング処理方向Ａに従
って前でライトニング欠陥７５、後ろでヘアピン欠陥７
６を発生している。

又、第２図に示すＣ１配向ドメイン２０を生じているセ
ルに対して、歪みを印加した時に、その印加部にＣ２配
向ドメインが生じる（すなわち、Ｃ１配向ドメインと０
２配向ドメインとの隣接域を生じ、このため欠陥とライ
トニング欠陥を発生する）。

第８図（Ａ）は、Ｃ１配向下の配向状態における液晶分
子７２と分子層７１の拡大図で、第８図（Ｂ）はＣ１配
向下の配向状態のＣ−ダイレクタ（分子層７１の法線に
対して垂直な仮想面、への分子長軸８０の写影）８１を
表わしている。第９図（Ａ）は、Ｃ２配向下の配向状態
における液晶分子７２と分子層７１の拡大図で、第９図
（Ｂ）はＣ２配向下の配向状態のＣ−ダイレクタを表わ
している。分子層７１内の分子長袖８０は、上配向制御
膜１２ａの界面から下記向制御膜１２ｂの界面までの間
を円錐８２の底面８３（円形）に沿った位置を変化させ
て配列している。

尚、第８図（Ｂ）及び第９図（Ｂ）のそれぞれの左図と
右図とは、それぞれ正（又は負）極性パルスと負（又は
正）極性パルス印加後の配向状態である。

第１Ｏ図は、上下配向制御膜１４ａと１４ｂに平行であ
るが、互いにラビング処理方向Ａを反対方向とした時に
生じた配向状態を表わしている。第１０図（Ａ）に示す
配向状態は、カイラルスメクチックＣ相下の液晶分子７
２と複数の液晶分子７２で組織した異なる配向状態の分
子層７１を有している。第１Ｏ図（Ａ）に示す配向状態
では、上記開制御膜１４ａに付与したラビング処理の方
向Ａを基準にして、図中右側の分子層７１Ｒはその隣接
付近で鋭角θＸに傾斜し、図中左側の分子層７１Ｌはそ
の隣接付近で鈍角θＹに傾斜している。下記開制御膜１
４ｂに付与したラビング処理の方向Ａを基準とした時は
、分子層７１Ｒはその隣接付近で鈍角θＹに傾斜し、分
子層７１Ｌはその隣接付近で鋭角θＸに傾斜している。

すなわち、分子層７１Ｒと７１Ｌは、ともに上下で分子
層の傾斜角が鋭角θＸと鈍角θＹとなっている。この配
向状態のＣ−ダイレクタを第１０図（Ｂ）と（Ｃ）に示
す。第１０図（Ｂ）は、分子層７１ＬのＣ−ダイレクタ
８１を示し、それぞれの左図と右図とは、それぞれ正（
又は負）極性パルスと負（又は正）極性パルス印加後の
配向状態に対応している。又、第１０図（Ｃ）は、分子
層７１ＲのＣ−ダイレクタ８１を示し、それぞれ左図と
右図とは上述と同様のパルス印加後の配向状態に対応し
ている。

第７図に示すＣ１配向ドメイン７３と０２配向ドメイン
７４とでの分子層７１の傾斜角は、Ｃ１配向ドメイン７
３の場合で、上下とも鋭角θ□であって、Ｃ２配向ドメ
イン７４の場合で、上下とも鈍角θＢである。

又、Ｃ１配向ドメイン７３に対応するＣ−ダイレクタの
配向状態（第８図（Ｂ）に示す）と０２配向ドメイン７
４に対応するＣ−ダイレクタの配向状態（第９図（Ｂ）
に示す）とは、互いに非対称であるのに対し、第１Ｏ図
（Ａ）に示す分子層７１Ｒと７１Ｌとに対応するそれぞ
れのＣ−ダイレクタの配向状態は、第１０図（Ｂ）と（
Ｃ）とで、互いに光学的に等価で、その配列で対称とな
っている。

第１１図はＣ１配向ドメインとＣ２配向ドメインとが混
在した顕微鏡写真（倍率：１０Ｘ５倍）のスケッチであ
る。

第１１図に示す配向状態では、Ｃ１配向ドメイン７３と
Ｃ２配向ドメイン７４とが混在し、それぞれの隣接域に
ライトニング欠陥７５とヘアピン欠陥７３が発生してい
る。第１１図から判るとおり、Ｃ２配向ドメイン７４が
Ｃ１配向ドメイン７３によって囲まれて発生した時には
、ラビング処理方向Ａに沿ってＣ１配向ドメイン７３か
ら０２配向ドメイン７４に変化していると、ライトニン
グ欠陥７５を発生し、さらにラビング処理方向Ａに沿っ
てＣ２配向ドメイン７４から０１配向ドメイン７３に変
化していると、ヘアピン欠陥７３が発生する。

本発明は、前述の第２図〜第６図で明らかにした様に、
液晶材料と配向制御膜を適性に選択すると降温過程でＣ
２配向ドメイン７４をセル内のほとんどの面積（シール
材周辺部を除いた全ドメインに対して６０％以上、好ま
しくは８０％以上の占有面積）に亘って生じさせること
ができる。本発明の好ましい具体例では、Ｃ１配向ドメ
イン７３をセル周辺部（例えばセルをシーリングする時
に使用するシール材の近傍）域に生じさせ、セル周辺部
の内側にＣ２配向ドメイン７３を形成することができる
。

第１２図はビーズスペーサが存在している時の顕微鏡写
真（倍率：２０Ｘ１０倍）のスケッチ図である。

第１２図は、ヘアピン欠陥７６を境にして生じたＣ１配
向ドメイン７３内とＣ２配向ドメイン７４内とに、それ
ぞれビーズスペーサ（平均粒径１．５μｍのアルミナビ
ーズやシリカビーズ）の存在が原因となって発生したヘ
アピン欠陥１２１とライトニング欠陥１２２（結合した
一対を形成）とを明らかにしている。第１２図から判る
とおり、Ｃ１配向ドメイン７３内ではラビング処理方向
Ａに沿ってヘアピン欠陥１２１がライトニング欠陥１２
２の前で発生する発生秩序をもっている。又、その逆に
Ｃ２配向ドメイン７４内では、ラビング処理方向Ａに沿
ってライトニング欠陥１２２がヘアピン欠陥１２１の前
で発生する発生秩序をもっている。

第１３図は別のＣ１配向とＣ２配向の顕微鏡写真（倍率
：２０Ｘ１０倍）である。

第１３図は、ライトニング欠陥７５を境にして生じたＣ
１配向ドメイン７３とＣ２配向ドメイン７４を明らかに
している。第１３図によれば、上述の第１２図に示す結
合した一対のヘアピン欠陥１２２とライトニング欠陥１
２２とが同様の発生秩序を以って発生していることが判
る。

第１４図は別のＣ１配向とＣ２配向の顕微鏡写真（倍率
、２０ＸＩＯ倍）である。

第１４図は、Ｃ１配向ドメイン７３に対して歪みを加え
た時に発生したＣ２配向ドメイン７４を示している。こ
の際に生じたヘアピン欠陥１４１は、ラビング処理方向
Ａに沿ってライトニング欠陥１４２の前で発生している
ことが判る。

第１２図は、第１１図に示す領域Ｉの拡大図で、第１３
図は第１１図に示す領域■の拡大図である。尚、第１２
図のベースとなった顕微鏡観察時では、全面が暗状態に
スイッチされており、９００　クロスニコルを消光位に
設定した。又、第１２図〜第１４図のベースとなった顕
微鏡観察時では、何れも全面を暗状態にスイッチした後
に、９００　クロスニコルを消光位から若干ずらしたた
めに、全体が黒味がかっていた。

又、本発明のセルでは、ヘアピン欠陥は、通常数μｍ幅
で発生し、ライトニング欠陥は１μｍ以下の線幅でジグ
ザグ状に発生している。

又、本発明者らの実験によれば、第１４図に示す様にＣ
１配向ドメイン７３に対して歪みを印加すると、Ｃ１配
向ドメイン７３内にＣ２配向ドメイン７４を生じ、この
Ｃ２配向ドメイン７４は長期間に亘って安定に存在して
いた。これに対し、Ｃ２配向ドメイン７４に対して歪み
を印加した場合では、Ｃ２配向ドメイン７４内にＣ１配
向ドメイン７３を生じたが、このＣ１配向ドメイン７３
は即座に消滅してしまうことが判った。この点から見て
、Ｃ２配向ドメイン７４の方がＣ１配向ドメイン７３よ
り安定に存在し、又、外部から衝撃を受けても、即座に
もとの配向状態に戻る復帰力を持っていることが判った
。これに対して、Ｃ１配向ドメイン７３は外部から衝撃
に対してもろい性質をもっていることが判った。又、第
１１図によれば、Ｃ２配向ドメイン７４の消光位での透
過光量は、Ｃ１配向ドメイン７３の消光位での透過光量
に較べて非常に小さい値であることが判った。

本発明は、ライトニング欠陥部が、ラビング処理や斜方
蒸着処理などの一軸性配向処理の方向に沿って、ヘアピ
ン欠陥のうしろに発生するＣ２配向ドメインをセル内の
ほとんどの領域内に生じさせる様に制御することができ
る。本発明で用いる強誘電性スメクチック液晶としては
、特に制限されるものではないが、本発明者らの実験に
よれば、配向制御膜との間に相関作用があり、強誘電性
スメクチック液晶と配向制御膜との好適な組合わせとし
て選択することによって用いられる。特に、本発明の好
ましい具体例では、降温過程においてコレステリック相
とスメクチックＡ相を生じる温度範囲をもつカイラルス
メクチックＣ液晶を用いることができる。

本発明の具体例ではラビング処理や斜方蒸着処理の方向
に従ってヘアピン欠陥部がライトニング欠陥部の前で発
生する発生秩序性をもつＣ１配向状態を生じる温度範囲
がライトニング欠陥部がヘアピン欠陥部の前で発生する
発生秩序性をもつＣ２配向状態を生じる温度範囲の１７
５倍以下、好ましくは１／１０倍以下、特にｌ／２０倍
以下となっているのがよい。又、降温下でかかるＣ１配
向状態を生じる温度の下限が３０℃以上、４０℃以上で
あるのがよい。

第１５図は、強誘電性液晶の動作説明のために、セルの
例を模式的に描いたものである。１５１Ａと１５１Ｂは
Ｉｎ２Ｏ２，５ｎ０２あるいはＩＴＯ等の薄膜からなる
透明電極で被覆された基板（ガラス板）であり、その間
に液晶分子層１５２がガラス面に垂直になるよう配向し
た３ｍ０本（カイラルスメクチックＣ）相又はＳｍＨ＊
（カイラルスメクチックＨ）相の液晶が封入されている
。太線で示した線１５３が液晶分子を表わしており、こ
の液晶分子１５３はその分子に直交した方向に双極子モ
ーメント（Ｐ上）１５４を有している。基板１５１Ａと
１５１Ｂ上の電極間に一定の閾値以上の電圧を印加する
と、液晶分子１５３のらせん構造がほどけ、双極子モー
メント（Ｐ上）１５４がすべて電界方向に向くよう、液
晶分子１５３は配向方向を変えることができる。液晶分
子１５３は、細長い形状を有しており、その長軸方向と
短軸方向で屈折率異方性を示し、従って例えばガラス面
の上下に互いにクロスニコルの偏光子を置けば、電圧印
加極性によって光学特性が変わる液晶光学変調素子とな
ることは容易に理解される。

本発明の液晶素子で用いる双安定性配向状態の表面安定
型強誘電性液晶セルは、その厚さを充分に薄く（例えば
、０．１μｍ〜３μｍ）することができる。このように
液晶層が薄くなるにしたがい、第１６図に示すように電
界を印加していない状態でも液晶分子のらせん構造がほ
どけ、非らせん構造となり、その双極子モーメントＰま
たはＰ′　は上向き・（１６４Ａ）又は下向き（１６４
Ｂ）のどちらかの状態をとる。このようなセルに、第１
６図に示す如く一定の閾値以上の極性の異なる算法Ｅａ
又はＥｂを電圧印加手段１６１Ａと１６１Ｂにより付与
すると、双極子モーメントは、電界Ｅａ又はＥｂの電界
ベクトルに対応して上向き１６４Ａ又は下向き１６４Ｂ
と向きを変え、それに応じて液晶分子は、第１の安定状
態１６３Ａあるいは第２の安定状態１６３Ｂの何れか一
方に配向する。

この強誘電性液晶セルによって得られる効果は、この第
１に、応答速度が極めて速いことであり、第２に液晶分
子の配向が双安定性を有することである。

第２の点を、例えば第１６図によって更に説明すると、
電界Ｅａを印加すると液晶分子は第１の安定状態１６３
Ａに配向するが、この状態は電界を切っても安定である
。又、逆向きの電界Ｅｂを印加すると、液晶分子は第２
の安定状態１６３ｂに配向してその分子の向きを変える
が、やはり電界を切ってもこの状態に留っている。又、
与える電界Ｅａが一定の閾値を越えない限、それぞれの
配向状態にやはり維持されている。

以下、本発明を実施例に従って説明する。

宜１Ｌ例」２ 以下のようにして第１図（Ｂ）に示す構成を有する強誘
電性液晶素子を作成した。まず、スパッタリングにより
、上基板１１ａおよび下基板１１ｂ上にそ、れぞれ配向
制御膜１４ａ、　　１４ｂの下地層となる透明電極１２
ａ、　１２ｂを生成した。この透明電極１２ａ。

１２ｂはＩＴＯ電極とし、その膜厚は８００人とした。

ＩＴＯ電極１２ａ、１２ｂの平均表面粗さＳは、走査型
トンネル顕微鏡（ＳＴＭ、Ｎａｎｏｓｃｏｐｅ　　ＩＩ
、東陽テクニカ社販売）により測定し、その標準偏差値
Ｓを計算したところ、５＝３６．３人であった。

このＩＴＯ電極１２ａ、　　１２ｂ上に配向制御膜１４
ａ。

１４ｂとして膜厚ｄ＝１００人のポリイミド樹脂を設け
た。このポリイミド膜は、脂環式系ポリイミド膜形成液
である８産化学工業社製の「サンエバー１５０Ｊ　（商
品名）のＮ−メチルピロリドン／ｎ−ブチルセロソルブ
＝３７１　（重量比）の３％溶液を回転数２００Ｏｒｐ
ｍのスピナーで３０秒間塗布した後、約１時間、２５０
℃で加熱焼成することによって形成した。続いて、この
ポリイミド塗膜にアセテート触毛布による一方向のラビ
ング処理を行った。その後、イソプロピルアルコールで
ガラス板を洗浄し、１２０℃で２０分の乾燥処理を施し
た。その後、平均粒径約１．５μｍのアルミナビーズを
一方のガラス板上に散布した後、それぞれのラビング処
理軸が互いに平行で、且つその処理方向が同一方向とな
る様に、２枚のガラス板を重ね合わせてセルを作成した
（この際、上下のＩＴＯ電極が互いに交差する様に配置
した）。この場合、Ｓ／ｄ＝０．３６３となる。

このセル内にチッソ■社製の強誘電性スメクチック液晶
であるｒＣＳ−１０１４Ｊ　（商品名）を等吉相下で真
空注入してから、等吉相から０．５℃／ｈで３０℃まで
徐冷することによって配向させることができた。

ｒＣＳ−１０１４Ｊを用いた本実施例のセルでの相変化
は、下記のとおりであった。

８０．５℃　　６９．１℃　　　５４℃　　＊　　５１
．４８Ｃ＊Ｉｓｏ、　−−←Ｃｈ　−−−３ｍＡ　−ｍ
−−８ｍＣ１−−◆ＳｍＣ１，／Ｃ２、このセルは、温
度が約５０℃〜−２０℃でＣ２配向ドメインが安定に存
在し、しかも欠陥のない良好な配向に基づく双安定性を
示した。

以後の実験は２５℃の温度で行った。

上述の液晶セルを一対の９０°　クロスニコル偏光子の
間に挟み込んでから、第１９図に示す駆動波形によるマ
ルチブレクシング駆動によって、第１８図（Ａ）に示す
様に、表示パネル１８１に黒表示部１８３の周囲を白表
示部１８１とした表示内容で表示した後、全画面を白表
示に切り換える様に表示制御を行ったところ、ｔｌｌｌ
ａ図（Ｂ）に示す様な前表示内容の焼付は表示部１８５
はなく、全画面が均一な白表示となっており、良好な表
示品位が保たれていた。

尚、この時の駆動条件及び表示パネルは、下記のとおり
であった。

使用した駆動波形：第１９図 走査線数　　　　：１１２０本 データ線数　　　、　１２８０本 走査選択期間　　：１５０μｓｅｃ 電圧Ｖ、、Ｖ２　：２０ボルト 電圧Ｖ３．Ｖ４　：ｆＯポルト 黒表示部１８３を表示するための 走査線数　：３２０本 データ線数：５５０本 免駈」肚」 族１に示した配向制御膜及び液晶材料を用いた他は実施
例１と同様にしてセルを得た。

それぞれに対して実施例１と同様の試験を行ったところ
、同様に全画面に対して白表示切り換えを行った後に、
前表示内容の焼付は表示は発生しなかった。

表　　　１ 巳比 「サンエバー１５０Ｊ　（商品名） −８産化学工業社製 ｒｓＥ４１１０Ｊ　（商品名） 一同社製脂環式系ポリイミド ４　　　ｒｓＥ４１１０Ｊ ３ 罠施五 液ＪＬＩＬ社 ｒＣＳ−１０１１Ｊ　（商品名） −チツソ社製ＦＬＣ ｒＣＳ−１０１４」（商品名） 一チッソ社製ＦＬＣ ｒＣＳ−１０１１Ｊ ５　　　ＤＩＧ−ＩＪ　（商品名）　　　　　　　　ｒ
ＣＳ　−１０１４Ｊ−日本合成ゴム社製脂環式系 ポリイミド ６ｒＬＰ−６４Ｊ（商品名）　　　　　　　ｒＣＳ−１
０１４Ｊ−東し社製芳香族系 ポリイミド （表中のｒＦＬＣＪは強誘電性スメクチック液晶を意味
する） 次に、本実施例セルの相転移温度を測定したところ、下
記表２のとおりであった。

表 （表中の単位は℃） ９１　　７８　　　５５　　　５２　　　　　　５０　
　　０以下８０．５　　６９．１　　　５４　　　　５
２　　　　　　　５１　　　　−２０９１　　７８　　
　５５　　　５３　　　　　　５１　　　０以下８０．
５　　６９．１　　　５４　　　　５２　　　　　　　
５１　　　　−２０８０．５　　６９．ｉ　　　　５４
　　　　５３　　　　　　　５１　　　　−２０表２に
よれば、Ｓｍ’Ｃ１／Ｃ２相転移点およびＳｍ＊Ｃ１／
Ｃ２−３ｍ＊Ｃ２相転移点は、セル固有の値を示し、セ
ル毎で相違して現われることが判る。

友施１ユ 実施例１のセルに代えてＩＴＯ電極１２ａ、　１２ｂの
膜厚を２６５０人とし、配向゛制御膜１４ａ、１４ｂで
あるポリイミド樹脂を６００人とした以外は実施例１と
同様の方法でセルを作成し、実施例１と同様に液晶を注
入して実施例７の液晶素子を作成した。

このときＩＴＯ電極１２ａ、１２ｂの平均表面粗さＳは
＝７２．１人であり、Ｓ／ｄ＝０．１２０となった。

また、この液晶素子について室温での配向状態を観察し
たところ、実施例１のセルと同様に欠陥のない良好な配
向が観察された。

・次に、このセルを実施例１と同様の方法で表示駆動を
行なったところ、全画面に対して白表示切り換えを行な
った後で、前表示内容の焼付は表示は確認されなかった
。

え艶４む」 実施例１のセルに代えて、配向制御膜１４ａ、　　１４
ｂの膜をそれぞれ２００人（実施例８）と６００人（実
施例９）とした外は、実施例１と同様の方法でセルを作
成し、その後で、実施例１と同様の表示駆動を行なった
ところ、同様の結果が得られた。この際（７）Ｓ／ｄは
実施例１ｃ’ｏ、１８１．実施例９テ０．０６ｔ’あっ
た。

塞遣」ＬＵヒ二Ｕ２ 実施例７のセルに代えた、配向制御膜１４ａ、　１４ｂ
の膜をそれぞれ２００人（実施例１０）と５００人（実
施例１１）とした外は、実施例７と同様の方法でセルを
作成し、その後で、実施例１と同様の表示駆動を行なっ
たところ、同様の結果が得られた。この際のＳ／ｄは実
施例１０で０．３６３、実施例１１で０．１４４であっ
た。

見見」し」 実施例１のセルに代えてＩＴＯ電極！２ａ、　１２ｂの
膜厚を２５５０人とした外は、実施例１と同様の方法で
セルを作成し、実施例１と同様に液晶を注入して液晶素
子を作成した。この時のＩＴＯ電極１２ａ、　１２ｂの
平均表面粗さＳは５＝６８．２人であり、Ｓ／ｄ　＝０
．６８２　（ｄ＝１０ＯＡ）となった。

次に、このセルを実施例１と同様の方法で表示駆動を行
なったところ、全画面に対して白表示切り換えを行なっ
た後で、前表示内容の焼付は表示は確認されなかった。

及釦しυ 実施例１のセルに代えてＩＴＯｉ極１２ａ、　　１２ｂ
の膜厚を２２５ＯＡとした外は、実施例工と同様の方法
でセルを作成し、実施例１と同様に液晶を注入して液晶
素子を作成した。この時のＩＴ○電極１２ａ、　１２ｂ
の平均表面粗さＳは５＝６２．３人であり、Ｓ／ｄ　＝
０．６２３　（ｄ＝１００人）となった。

次に、このセルを実施例１と同様の方法で表示駆動を行
なったところ、全画面に対して白表示切り換えを行なっ
た後で、前表示内容の焼付は表示は確認されなかった。

及艶叱Ｈ 実施例１のセルに代えてＩＴＯ電極１２ａ、　　１２ｂ
の膜厚を２１００人とした外は、実施例１と同様の方法
でセルを成し、実施例１と同様に液晶を注入して液晶素
子を作成した。この時のＩＴＯ電極１２ａ、　　１２ｂ
の平均表面粗さＳは５＝５４．５人であり、Ｓ／ｄ　＝
０．５４５　（ｄ＝１００人）となった。

次に、このセルを実施例１と同様の方法で表示駆動を行
なったところ、全画面に対して白表示切り換えを行なっ
た後で、前表示内容の焼付は表示は確認されなかった。

毘駈運■ 実施例１のセルに代えてＩＴＯ電極１２ａ、　　１２ｂ
の膜厚を１４５０人とした外は、実施例１と同様の方法
でセルを作成し、実施例１と同様に液晶を注入して液晶
素子を作成した。この時のＩＴＯ電極１２ａ、　１２ｂ
の平均表面粗さＳはＳ　＝　５０．６人であり、Ｓ／ｄ
　＝０．５０６　（ｄ＝１００人）となった。

次に、このセルを実施例１と同様の方法で表示駆動を行
なったところ、全画面に対して白表示切り換えを行なっ
た後で、前表示内容の焼付は表示は確認されなかった。

塩１し殴ユ 実施例１のセルに代えてＩＴＯ電極１２ａ、　　１２ｂ
の膜厚を２６５ＯＡとした以外は実施例１と同様の方法
でセルを作成し、実施例１と同様に液晶を注入して比較
例の液晶素子を作成した。このときＩＴＯ電極１２ａ、
　　１２ｂの平均表面粗さＳは５＝７２．１人であり、
Ｓ／ｄ＝０．７２１　（ｄ＝１００人）となった。

また、この液晶素子について室温での配向状態を観察し
たところ、欠陥が多く良好な配向状態は得られなかった
。

次に、実施例１と同様の方法で表示駆動を行なったとこ
ろ、第１８図（Ａ）に示す表示内容を表示した後、全画
面に対して白表示の切り換えを行なったところ第１８図
（Ｂ）に示す様に「表示切り換え後の日表示部」１８４
の内に、古い表示内容が「表示切り換え後の前表示内容
の焼付は表示部」１８５とへしてうすい灰色で表示され
、数時間経過した後であっても、そのうすい灰色表示が
消去されずに残って表示されていた。

ＬＬ４肚」 実施例７のセルに代えて、配向制御膜１４ａ、　１４ｂ
の膜をそれぞれ９０人（比較例２）と８０人（比較例３
）とした外は、実施例７と同様の方法でセルを作成し、
その後で、実施例１と同様の表示駆動を行なったところ
、比較例１と同様の結果が得られた。

この際のＳ／ｄは比較例２で０．８０１、比較例３で０
．９１２であった。

友藍１」二１ 実施例１２のセルに代えて、配向制御膜１４ａ、　１４
ｂの膜をそれぞれ９０人（比較例４）と８０人（比較例
５）とした外は、実施例１２と同様の方法でセルを作成
し、その後で、実施例１と同様の表示駆動を行なったと
ころ、比較例１と同様の結果が得られた。

この際のＳ／ｄは比較例４で０．７５８、比較例５で０
．８５３であった。

Ｌ較１」 実施例１３のセルに代えて、配向制御膜１４ａ、　１４
ｂの膜を８０人（比較例６）とした外は、実施例１３と
同様の方法でセルを作成し、その後で、実施例１と同様
の表示駆動を行なったところ、比較例１と同様の結果が
得られた。この際のＳ／ｄは０．７７９であった。

次ｌｕ生エニュユ 表３に示した配向制御膜及び液晶材料を用いた他は実施
例１と全く同様にしてセルを作成した。

表　　　　３ □藍徊」【毀還− ７ｒＳＰ−７１０Ｊ　（商品名） −東し社製芳香族系ポリイミド ８　　　　ｒＳＰ−７１０Ｊ ０ 「Ｘ−４１９Ｂ」（商品名） 一日東電工社製ポリイミド 「Ｘ−４１９ＢＪ 液１Ｌ且− ｒＣＳ−１０１７Ｊ　（商品名） 一チッソ社製ＦＬＣ ｒＣＳ−１０１８Ｊ　（商品名） 一チッソ社製ＦＬＣ ｒＣＳ−１０１７Ｊ ｒＣＳ−１０１８４ １ 「Ｘ−４１９ＢＪ ｒＣＳ−１０１４Ｊ 次に、本比較例セルの相転移温度を測定したところ、下
記表４のとおりであった。

表 （表中の単位は℃） ９　　　　６６．４　　６２．５５２．８１０　　　　
７４．５　　７１．７　　　５８（ＳｍＣ２の発現なし
） （ＳｍＣ２の発現なし） 表４から判るとおり、比較例セルは何れもＳｍ＊Ｃ２を
生じる温度範囲をもっていなかった。

次に、これらの比較例７〜１１のセルに対して、実施例
１と同様の表示駆動を行なったところ、全画面に対して
白表示の切り換えを行なった後で、前表示内容の焼付は
表示が確認された。

〔発明の効果〕

以上、詳述した様に、本発明は実際の表示駆動の時に問
題となっていた前表示内容の焼付は表示を解消すること
ができた。かかる前表示内容の焼付は表示の解消は、改
善された双安定性配向状態に強く依存していることが判
明したが、本発明では、かかる改善された双安定性配向
状態は、０≦Ｓ／ｄ＜０．７０とした時に、Ｃ１配向か
らＣ２配向への降温による配向変化がスムーズに実現さ
れることに依存していることが判明し、本発明に到達し
たもので、かかる実現による効果＝すなわち、表示品位
の高い表示を可能とした＝は、極めて顕著なものである
。

【図面の簡単な説明】

第１図（Ａ）及び（Ｂ）は、本発明の液晶素子の断面図
である。第２図〜第６図は、強誘電性液晶配向状態の温
度依存性を示す顕微鏡写真のスケッチ図である。第７図
（Ａ）は、Ｃ１配向ドメインとＣ２配向ドメインを模式
的に示す平面図で、第７図（Ｂ）は、その断面図である
。第７図（Ｃ）は、別のＣ１配向ドメインとＣ２配向ド
メインを模式的に示す平面図で、第７図（Ｄ）はその断
面図である。第８図（Ａ）は、Ｃ１配向の模式図で、第
８図（Ｂ）はそのＣ−ダイレクタを示す写影図である。 第９図（Ａ）は、Ｃ２配向の模式図で、第９図（Ｂ）は
そのＣ−ダイレクタを示す写影図である。第１０図（Ａ
）は、従来の配向状態を示す模式図で、第１０図（・Ｂ
）及び（Ｃ）はそのＣ−ダイレクタを示す写影図である
。 第１１図〜第１４図は、Ｃ１配向ドメインと０２配向ド
メインを示す顕微鏡写真のスケッチ図である。第１５図
は、強誘電性液晶素子の動作を模式的に示す斜視図であ
る。第１６図は、本発明で用いた双安定性配向状態の表
面安定型強誘電性液晶素子の動作を模式的に示す斜視図
である。第１７図は、下地層の平均表面粗さおよび高分
子有機膜の膜厚と配向の関係を示すグラフである。第１
８図（Ａ）及び（Ｂ）は表示パネルの平面図である。第
１９図は、本発明で用いた駆動波形例の波形図である。 （１０）Ｃ？ω倍 第７図 第６図 第７２図 第／ｌＩ−図 第７５図 第　７６　図 繁４祇惰８

Claims (30)

【特許請求の範囲】
1. （１）一軸性配向処理軸が付与された配向制御膜を下地
   層を介して少なくとも一方に設けた一対の基板及び該一
   対の基板の間に配置された強誘電性スメクチツク液晶を
   有する液晶素子において、前記強誘電性スメクチツク液
   晶が強誘電性スメクチツク相の温度範囲内で高温側と低
   温側とで異なる双安定性配向状態を生じる強誘電性スメ
   クチツク液晶であって、前記高温側の双安定性配向状態
   から降温することによって生じた低温側での双安定性配
   向状態の強誘電性スメクチツク液晶であるとともに、前
   記配向制御膜の膜厚をｄとし、前記下地層の平均表面粗
   さをＳとした時 ０≦Ｓ／ｄ＜０．７０ の関係を有している液晶素子。
2. （２）前記低温側での配向状態が降温下で３０℃以上の
   温度で発現する配向状態である請求項１の液晶素子。
3. （３）前記低温側での配向状態が降温下で４０℃以上の
   温度で発現する配向状態である請求項１の液晶素子。
4. （４）前記強誘電性スメクチツク相がカイラルスメクチ
   ツクＣ相である請求項１の液晶素子。
5. （５）前記配向制御膜がポリイミド膜、ポリアミド膜又
   はポリエステル膜で形成された膜である請求項１の液晶
   素子。
6. （６）前記配向制御膜がポリイミド膜で形成された膜で
   ある請求項１の液晶素子。
7. （７）前記配向制御膜が硅素酸化物の斜方蒸着によって
   形成された膜である請求項１の液晶素子。
8. （８）前記下地層が硅素酸化物、チタン酸化物又はタン
   タル酸化物を含有した膜である請求項１の液晶素子。
9. （９）一軸性配向処理軸が前記一対の基板に設けた配向
   制御膜に平行に付与されているとともに、該平行の一軸
   性配向処理軸の向きが同一の向きで　ある請求項１の液
   晶素子。
10. （１０）前記配向制御膜の膜厚ｄが６００Å以下である
    請求項１の液晶素子。
11. （１１）前記下地層の平均表面粗さＳが１００Å以下で
    ある請求項１の液晶素子。
12. （１２）一軸性配向処理軸が付与された配向制御膜を下
    地層を介して少なくとも一方に設けた一対の基板及び該
    一対の基板の間に配置された強誘電性スメクチツク液晶
    を有する液晶素子において、前記強誘電性スメクチツク
    液晶が結合した一対のヘアピン欠陥及びライトニング欠
    陥を発生する傾向の双安定性配向状態の強誘電性スメク
    チツク液晶であって、前記一軸性配向処理軸の方向に従
    って前でライトニング欠陥、後ろでヘアピン欠陥を発生
    する発生秩序を示す配向状態を有する強誘電性スメチツ
    ク液晶であるとともに、前記配向制御膜の膜厚をｄとし
    前記下地層の平均表面粗さをＳとした時、 ０≦Ｓ／ｄ＜０．７０ の関係を有している液晶素子。
13. （１３）前記配向制御膜がポリイミド膜、ポリアミド膜
    又はポリエステル膜で形成された膜である請求項１２の
    液晶素子。
14. （１４）前記配向制御膜がポリイミド膜で形成された膜
    である請求項１２の液晶素子。
15. （１５）前記配向制御膜が硅素酸化物の斜方蒸着によっ
    て形成された膜である請求項１２の液晶素子。
16. （１６）前記下地層が硅素酸化物、チタン酸化物又はタ
    ルタル酸化物を含有した膜である請求項１２の液晶素子
    。
17. （１７）一軸性配向処理軸が前記一対の基板に設けた配
    向制御膜に平行に付与されているとともに、該平行の一
    軸性配向処理軸の向きが同一の向きである請求項１２の
    液晶素子。
18. （１８）前記発生秩序を示す配向状態のドメイン占有面
    積が他の発生秩序を示す配向状態のドメインを無視でき
    る大きさを有している請求項１２の液晶素子。
19. （１９）前記発生秩序を示す配向状態のドメインが他の
    発生秩序を示す配向状態のドメインを無視できる大きさ
    まで降温下で成長させることによって生じた占有面積を
    有している請求項１２の液晶素子。
20. （２０）前記降温下で、前記他の発生秩序を示す配向状
    態のドメインが無視できない大きさの占有面積を生じる
    温度範囲が、該ドメインを無視できる大きさの占有面積
    を生じる温度範囲に対して１／５以下の温度範囲である
    請求項１９の液晶素子。
21. （２１）前記降温下で、前記他の発生秩序を示す配向状
    態のドメインが無視できない大きさの占有面積を生じる
    温度範囲が、該ドメインを無視できる大きさの占有面積
    を生じる温度範囲に対して１／１０以下の温度範囲であ
    る請求項１９の液晶素子。
22. （２２）前記降温下で、前記他の発生秩序を示す配向状
    態のドメインが無視できない大きさの占有面積を生じる
    温度範囲が、該ドメインを無視できる大きさの占有面積
    を生じる温度範囲に対して１／２０以下の温度範囲であ
    る請求項１９の液晶素子。
23. （２３）前記降温下で、前記他の発生秩序を示す配向状
    態のドメインが無視できない大きさの占有面積を生じる
    下限温度が３０℃以上である請求項１９の液晶素子。
24. （２４）前記降温下で、前記他の発生秩序を示す配向状
    態のドメインが無視できない大きさの占有面積を生じる
    下限温度が４０℃以上である請求項１９の液晶素子。
25. （２５）前記他の発生秩序を示す配向状態のドメインが
    シール材の近傍域に生じ、前記発生秩序を示す配向状態
    のドメインがその近傍域より内側に生じている請求項１
    ８の液晶素子。
26. （２６）前記他の発生秩序が一軸性配向処理軸の方向に
    従って前でライトニング欠陥を、後でヘアピン欠陥を発
    生する秩序である請求項１８の液晶素子。
27. （２７）前記発生秩序を示す配向状態のドメインの消光
    位における２つの状態が光学的に等価である請求項１２
    の液晶素子。
28. （２８）前記強誘電性スメクチツク液晶がカイラルスメ
    クチツクＣ相である請求項１２の液晶素子。
29. （２９）前記配向制御膜の膜厚ｄが６００Å以下である
    請求項１２の液晶素子。
30. （３０）前記下地層の平均表面粗さＳが１００Å以下で
    ある請求項１２の液晶素子。