JPS62160424A - 強誘電性液晶素子 - Google Patents
強誘電性液晶素子Info
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- JPS62160424A JPS62160424A JP66686A JP66686A JPS62160424A JP S62160424 A JPS62160424 A JP S62160424A JP 66686 A JP66686 A JP 66686A JP 66686 A JP66686 A JP 66686A JP S62160424 A JPS62160424 A JP S62160424A
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- Japan
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- liquid crystal
- ferroelectric liquid
- crystal element
- film
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Abstract
(57)【要約】本公報は電子出願前の出願データであるた
め要約のデータは記録されません。
め要約のデータは記録されません。
Description
【発明の詳細な説明】
［産業上の利用分野］
本発明は液晶表示素子や液晶−光シヤツター等に用いら
れる液晶素子に関ル、さらに詳しくは、強誘電性液晶を
用いた液晶素子のセル基板上の電極構成に関するもので
ある。
れる液晶素子に関ル、さらに詳しくは、強誘電性液晶を
用いた液晶素子のセル基板上の電極構成に関するもので
ある。
［開示の概要〕
本明細書及び図面は、強誘電性液晶を用いた液晶素子に
おいて、ストライプの長手方向に沿って導電体膜を電気
的に接続したストライプ形状の透明電極の、隣合う電極
間に絶縁体で形成した平坦化膜を配置することによって
、基板面の段差をなくすことができ、この結果液晶を均
一なモノドメイン配向とし、強誘電性液晶素子の適正な
駆動特性が得られるようにしたものである。
おいて、ストライプの長手方向に沿って導電体膜を電気
的に接続したストライプ形状の透明電極の、隣合う電極
間に絶縁体で形成した平坦化膜を配置することによって
、基板面の段差をなくすことができ、この結果液晶を均
一なモノドメイン配向とし、強誘電性液晶素子の適正な
駆動特性が得られるようにしたものである。
［従来の技術］
近年、強誘電性液晶を用いた液晶素子は、その高速応答
性とメモリー性から、高精細大型ディスプレイへの応用
が考えられている。このようなディスプレイ装置の電極
構成としては、ストライプ状に形成された走査電極群と
信号電極群とを平面的に交差させ、その交差部を画素と
するいわゆる単純マトリクス方式が一般に用いられてい
る。
性とメモリー性から、高精細大型ディスプレイへの応用
が考えられている。このようなディスプレイ装置の電極
構成としては、ストライプ状に形成された走査電極群と
信号電極群とを平面的に交差させ、その交差部を画素と
するいわゆる単純マトリクス方式が一般に用いられてい
る。
この単純マトリクス方式による液晶素子は、高精細化す
ると電極の幅が狭くなり、電極１ライン当りの抵抗値が
高くなってしまう、このため、１ライン中においても電
圧値にバラつきが生じ、駆動に必要な適正電圧が各画素
に印加されないという問題点があった。そこで、ストラ
イプ状透明電極上の一端に沿って金属などの導電体で形
成した補助導電線を設ける方法が考えられている。この
方法によれば、電極ｌライン当たりの抵抗値は下がり、
電圧のバラつきをなくすことができる。
ると電極の幅が狭くなり、電極１ライン当りの抵抗値が
高くなってしまう、このため、１ライン中においても電
圧値にバラつきが生じ、駆動に必要な適正電圧が各画素
に印加されないという問題点があった。そこで、ストラ
イプ状透明電極上の一端に沿って金属などの導電体で形
成した補助導電線を設ける方法が考えられている。この
方法によれば、電極ｌライン当たりの抵抗値は下がり、
電圧のバラつきをなくすことができる。
［発明が解決しようとする問題点］
現在、強誘電性液晶のうちで最も実用性が高いと考えら
れているのは、カイラルスメクティックＣ相（Ｓａｃ・
）、１相（Ｓｍ１つ、Ｇ相（Ｓ＋ｅＧつやＨ相（Ｓ層Ｈ
・）を持つものである。この液晶相は、液晶を保持する
基板に段差があると配向欠陥を生じやすく、均一なモノ
ドメインが得られない、すなわち前述した方法により透
明電極の一端部に、金属などの導電体で形成した補助導
電線を設けると、基板上に段差が生じ、強誘電性液晶を
用いた場合、均一なモノドメインとならず、適正な駆動
特性が得られないという欠点があった。
れているのは、カイラルスメクティックＣ相（Ｓａｃ・
）、１相（Ｓｍ１つ、Ｇ相（Ｓ＋ｅＧつやＨ相（Ｓ層Ｈ
・）を持つものである。この液晶相は、液晶を保持する
基板に段差があると配向欠陥を生じやすく、均一なモノ
ドメインが得られない、すなわち前述した方法により透
明電極の一端部に、金属などの導電体で形成した補助導
電線を設けると、基板上に段差が生じ、強誘電性液晶を
用いた場合、均一なモノドメインとならず、適正な駆動
特性が得られないという欠点があった。
本発明は前述した従来技術の欠点を除去し、適正な駆動
特性を得ることのできる強誘電性液晶素子を提供するこ
とを目的とするものである。
特性を得ることのできる強誘電性液晶素子を提供するこ
とを目的とするものである。
［問題点を解決するための手段］
本発明は、一対の基板と、該一対の基板にそれぞれ形成
したストライプ形状の透明電極と、前記一対の基板間に
配置した強誘電性液晶とを有する強誘電性液晶素子にお
いて、前記一対の基板のうち少なくとも一方の基板上に
形成したストライプ形状の透明電極が該ストライプ形状
の長手方向に沿って電気的に接続した導電体膜が配置さ
れているとともに、隣合うストライプ形状の透明電極間
に絶縁体で形成した平坦化膜を有していることを特徴と
する強誘電性液晶素子である。
したストライプ形状の透明電極と、前記一対の基板間に
配置した強誘電性液晶とを有する強誘電性液晶素子にお
いて、前記一対の基板のうち少なくとも一方の基板上に
形成したストライプ形状の透明電極が該ストライプ形状
の長手方向に沿って電気的に接続した導電体膜が配置さ
れているとともに、隣合うストライプ形状の透明電極間
に絶縁体で形成した平坦化膜を有していることを特徴と
する強誘電性液晶素子である。
本発明における補助導電線としては、アルミニウム、ク
ロム、銀等の金属膜を用いることができ、ストライプ形
状の透明電極の長手方向に沿って電気的に接続させて配
線することができる。
ロム、銀等の金属膜を用いることができ、ストライプ形
状の透明電極の長手方向に沿って電気的に接続させて配
線することができる。
本発明における隣合うストライプ形状の透明電極間に配
置する平坦化膜としては、例えばポリビニルアルコール
、ポリイミド、発光性ポリイミドあるいは５ｉ０２等の
絶縁体を用いることができる。
置する平坦化膜としては、例えばポリビニルアルコール
、ポリイミド、発光性ポリイミドあるいは５ｉ０２等の
絶縁体を用いることができる。
また、本発明における強誘電性液晶としては、少なくと
も２つの安定状態をもつカイラルスメクティック液晶、
好ましくは双安定性力イラルスメクティック液晶を用い
ることができる。
も２つの安定状態をもつカイラルスメクティック液晶、
好ましくは双安定性力イラルスメクティック液晶を用い
ることができる。
［作 用］
平坦化膜は、最大段差と実質的に等しい膜厚で形成され
ているため、最大段差が透明電極である場合、隣合うス
トライプ形状の透明電極間の段差はなくなり配向面は平
坦となる。このように、液晶分子の接する配向面を平坦
とすることにより、均一なモノドメイン配向を得ること
ができ・る。
ているため、最大段差が透明電極である場合、隣合うス
トライプ形状の透明電極間の段差はなくなり配向面は平
坦となる。このように、液晶分子の接する配向面を平坦
とすることにより、均一なモノドメイン配向を得ること
ができ・る。
〔実施例］
本発明の基本構成を第１図及び第２図と共に説明する。
第１図は本発明による強誘電液晶素子の基板を平面的に
見た図、第２図はこの基板を組み合せて作製した素子の
断面図である。
見た図、第２図はこの基板を組み合せて作製した素子の
断面図である。
第１図及び第２図において、ｌａとｌｂはガラスやプラ
スチック等の基板、２ａ及び２ｂはＩＴＯ（Ｉｎｄｉｕ
＋５−Ｔｉｎ−０ｘｉｄｅ）等で形成したストライプ状
透明電極で、互いに交差させて配置されている。３はア
ルミニウム、クロム、銀等の金属膜によって形成した低
抵抗の補助導電線、４は例えばポリビニルアルコール、
ポリイミド、感光性ポリイミドあるいは５ｉ０２等の絶
縁膜で形成した平坦化膜、５は強誘電性液晶、６はポリ
イミド、ポリビニルアルコール、ポリアミド等で形成し
た被膜にラビング処理などの一軸性配向処理を施して得
た配向制御膜である。
スチック等の基板、２ａ及び２ｂはＩＴＯ（Ｉｎｄｉｕ
＋５−Ｔｉｎ−０ｘｉｄｅ）等で形成したストライプ状
透明電極で、互いに交差させて配置されている。３はア
ルミニウム、クロム、銀等の金属膜によって形成した低
抵抗の補助導電線、４は例えばポリビニルアルコール、
ポリイミド、感光性ポリイミドあるいは５ｉ０２等の絶
縁膜で形成した平坦化膜、５は強誘電性液晶、６はポリ
イミド、ポリビニルアルコール、ポリアミド等で形成し
た被膜にラビング処理などの一軸性配向処理を施して得
た配向制御膜である。
次に、本発明の実施例をさらに具体的に説明する。
実施例１
ガラス基板１上の全面に、ＥＢ蒸着法によりＩＴＯを膜
厚１０００Ａで形成した。このＩＴＯＩｌｉによって、
２５０ ｇｔａピッチが幅２２０ ｇｒａのストライプ
状電極２を形成するため、ＩＴＯ膜上にフォトレジスト
剤を５００ＯＡ塗布し、所望のパターニング露光後、エ
ツチングを行い″ストライプ状の透明電極２を形成した
。この時点では電極上には５０００Ａのレジスト剤が残
されている０次に、その上層にＥＢ蒸着法によりアルミ
ニウムを１００ＯＡ蒸着し、さらにエツチング液によっ
てレジスト剤をリフトオフして補助導電線３を形成した
０以上の工程により、透明電極２と補助導電線３との段
差はなくなる。
厚１０００Ａで形成した。このＩＴＯＩｌｉによって、
２５０ ｇｔａピッチが幅２２０ ｇｒａのストライプ
状電極２を形成するため、ＩＴＯ膜上にフォトレジスト
剤を５００ＯＡ塗布し、所望のパターニング露光後、エ
ツチングを行い″ストライプ状の透明電極２を形成した
。この時点では電極上には５０００Ａのレジスト剤が残
されている０次に、その上層にＥＢ蒸着法によりアルミ
ニウムを１００ＯＡ蒸着し、さらにエツチング液によっ
てレジスト剤をリフトオフして補助導電線３を形成した
０以上の工程により、透明電極２と補助導電線３との段
差はなくなる。
次に、隣り合う電極間の導通をなくすため、第２図に示
すように電極間に絶縁体からなる平坦化膜４を形成した
。まず゛、基板ｌを再びフォトレジスト法によりパター
ニングし、補助導電３９３の一部を除去した。続いて各
電極上にレジスト剤が残されている状態でＳ ｉ０２を
蒸着し、再びレジスト剤をリフトオフした０以上の工程
によって、透明電極２、補助導電線３及び平坦化［ｉ４
の膜厚の差はなくなり、基板上は平坦となる。この基板
の上層にスピナー塗布により液晶配向性のポリイミド被
膜を５０ＯＡ形成した後、ラビング処理して、配向制御
膜６とした。
すように電極間に絶縁体からなる平坦化膜４を形成した
。まず゛、基板ｌを再びフォトレジスト法によりパター
ニングし、補助導電３９３の一部を除去した。続いて各
電極上にレジスト剤が残されている状態でＳ ｉ０２を
蒸着し、再びレジスト剤をリフトオフした０以上の工程
によって、透明電極２、補助導電線３及び平坦化［ｉ４
の膜厚の差はなくなり、基板上は平坦となる。この基板
の上層にスピナー塗布により液晶配向性のポリイミド被
膜を５０ＯＡ形成した後、ラビング処理して、配向制御
膜６とした。
次に、この２枚の両基板の電極が互に平面的に直交し、
かつラビング方向が互いに平行となるようにセル組みし
た。なお、液晶層厚はビーズ状のアルミナスペーサーを
用い、均一に１．θＩＬｍの厚さに保った。このように
して作製された液晶セルに、以下に示す３次分からなる
強誘電性液晶を封入した。
かつラビング方向が互いに平行となるようにセル組みし
た。なお、液晶層厚はビーズ状のアルミナスペーサーを
用い、均一に１．θＩＬｍの厚さに保った。このように
して作製された液晶セルに、以下に示す３次分からなる
強誘電性液晶を封入した。
偏光顕微鏡による相観察から、上記３次分混合液晶のＳ
ａｃ・相の温度範囲は４〜３５℃であった。この３次分
混合液晶を前記液晶セルに封入、封止後、等吉相まで昇
温し、０．５℃ハで徐冷することにより、配向処理を行
った。液晶セルを顕微鏡で観察すると配向欠陥の非常に
少ないモノドメインが得られた。また、液晶はこのセル
厚で、第一と第二の安定状態を持つ双安定性を示した。
ａｃ・相の温度範囲は４〜３５℃であった。この３次分
混合液晶を前記液晶セルに封入、封止後、等吉相まで昇
温し、０．５℃ハで徐冷することにより、配向処理を行
った。液晶セルを顕微鏡で観察すると配向欠陥の非常に
少ないモノドメインが得られた。また、液晶はこのセル
厚で、第一と第二の安定状態を持つ双安定性を示した。
さらに、このセルの基板端から導線を引き出し、各画素
にパルス電圧印加して前記二状態の反転を行ったところ
、ｌ■ｓｅｃで±１８Ｖの電圧で反転できた。
にパルス電圧印加して前記二状態の反転を行ったところ
、ｌ■ｓｅｃで±１８Ｖの電圧で反転できた。
このように、各画素は一定電圧で一様に反転し、１ライ
ン中での電圧のばらつきが実用上ないことが確認された
。
ン中での電圧のばらつきが実用上ないことが確認された
。
実施例２
液晶材料として以下に示すＤＯＢＡＭＢＣＨ３
を封入し、それ以外はすべて前記実施例１と同様の実験
を行ったところ、十分均一なモノドメイン配向を得るこ
とができた。また１反転に必要な駆動電圧はｌ■５ｅＣ
で±１６ｖであり、前記実施例１と同様に良好な駆動特
性が得られた。
を行ったところ、十分均一なモノドメイン配向を得るこ
とができた。また１反転に必要な駆動電圧はｌ■５ｅＣ
で±１６ｖであり、前記実施例１と同様に良好な駆動特
性が得られた。
比較例
液晶セルの基板を次のように構成した。すなわち、ガラ
ス基板１上に透明電極２を形成し、この透明電極上の一
端に補助導電線３を形成した。前記実施例で用いた５ｉ
０２からなる平坦化膜４は構成から除き、電極上に配向
制御膜６を形成して、ラビング処理した。この比較例は
従来例に相当するものであり、このような構成にすると
基板面の段差が顕著となり、段差部分から液晶の配向欠
陥が起こりやすくなる。この比較例では、上記基板から
セルを作製し、前記した３成分混合液晶を封入した。こ
のセルを用いて前記実施例と同様な実験な行ったことろ
、段差からジグザグの配向欠陥が走り、この欠陥から双
安定性が崩れ１反転後、すぐに元の安定状態に戻ること
が観察された。
ス基板１上に透明電極２を形成し、この透明電極上の一
端に補助導電線３を形成した。前記実施例で用いた５ｉ
０２からなる平坦化膜４は構成から除き、電極上に配向
制御膜６を形成して、ラビング処理した。この比較例は
従来例に相当するものであり、このような構成にすると
基板面の段差が顕著となり、段差部分から液晶の配向欠
陥が起こりやすくなる。この比較例では、上記基板から
セルを作製し、前記した３成分混合液晶を封入した。こ
のセルを用いて前記実施例と同様な実験な行ったことろ
、段差からジグザグの配向欠陥が走り、この欠陥から双
安定性が崩れ１反転後、すぐに元の安定状態に戻ること
が観察された。
第３図は、本発明の強誘電性液晶素子の別の態様を表わ
している。第３図の素子では、補助導電線３とストライ
プ状透明電極２ｂとの電気的接続を確実なものとするた
めに、補助導電線３がストライプ状透明電極２ｂの一部
の面で積層部を形成し、そこで接続するように配線され
ている。このため、前述の第２図の素子に較べ段差が大
きくなって、配向欠陥が発生しやすくなっている。
している。第３図の素子では、補助導電線３とストライ
プ状透明電極２ｂとの電気的接続を確実なものとするた
めに、補助導電線３がストライプ状透明電極２ｂの一部
の面で積層部を形成し、そこで接続するように配線され
ている。このため、前述の第２図の素子に較べ段差が大
きくなって、配向欠陥が発生しやすくなっている。
そこで、本発明は、透明電極２ｂの上に補助導電＆ａ３
が積層形成されたことによる最大段差Ａと実質的に等し
い膜厚で平坦化層４を形成することによって、基板ｌｂ
面内における段差を解消することができる。
が積層形成されたことによる最大段差Ａと実質的に等し
い膜厚で平坦化層４を形成することによって、基板ｌｂ
面内における段差を解消することができる。
［発明の効果］
以上説明したように、本発明によれば補助導電線による
基板上の段差をなくシ、均一なモノドメイン配向とする
ことができ、強誘電性液晶を用いた場合でも適正な駆動
特性を得ることができる。
基板上の段差をなくシ、均一なモノドメイン配向とする
ことができ、強誘電性液晶を用いた場合でも適正な駆動
特性を得ることができる。
【図面の簡単な説明】
第１図は本発明の基本構成を示す基板平面図、第２図は
この基板により作製された素子の断面図、第３図は本発
明の別の強誘電性液晶素子の態様を表わす断面図である
。 ｌ・・・基板、２・・・ストライプ状透明電極、３・・
・補助導電線、４・・・平坦化層、５・・・強誘電性液
晶、６・・・配向制御膜。 運４及の平面起 素子の防面囮 第２図 素子の断面口 第３図
この基板により作製された素子の断面図、第３図は本発
明の別の強誘電性液晶素子の態様を表わす断面図である
。 ｌ・・・基板、２・・・ストライプ状透明電極、３・・
・補助導電線、４・・・平坦化層、５・・・強誘電性液
晶、６・・・配向制御膜。 運４及の平面起 素子の防面囮 第２図 素子の断面口 第３図
Claims (7)
- （１）一対の基板と、該一対の基板にそれぞれ形成した
ストライプ形状の透明電極と、前記一対の基板間に配置
した強誘電性液晶とを有する強誘電性液晶素子において
、前記一対の基板のうち少なくとも一方の基板上に形成
したストライプ形状の透明電極が該ストライプ形状の長
手方向に沿って電気的に接続した導電体膜が配置されて
いるとともに、隣合うストライプ形状の透明電極間に絶
縁体で形成した平坦化膜を有していることを特徴とする
強誘電性液晶素子。 - （２）前記導電体膜が金属膜である特許請求の範囲第１
項記載の強誘電性液晶素子。 - （３）前記平坦化膜の膜厚が前記基板面内に存在する最
大段差と実質的に等しい膜厚である特許請求の範囲第１
項記載の強誘電性液晶素子。 - （４）前記平坦化膜の膜厚が、最大段差となっている前
記透明電極の膜厚と実質的に等しい膜厚である特許請求
の範囲第１項記載の強誘電性液晶素子。 - （５）前記平坦化膜の膜厚が最大段差となっている前記
導電体膜と透明電極との積層部での膜厚と実質的に等し
い膜厚である特許請求の範囲第１項記載の強誘電性液晶
素子。 - （６）前記強誘電性液晶が少なくとも２つの安定状態を
もつカイラルスメクティック液晶である特許請求の範囲
第１項記載の強誘電性液晶素子。 - （７）前記強誘電性液晶が双安定性カイラルスメクティ
ック液晶である特許請求の範囲第１項記載の強誘電性液
晶素子。
Priority Applications (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP66686A JPS62160424A (ja) | 1986-01-08 | 1986-01-08 | 強誘電性液晶素子 |
Applications Claiming Priority (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP66686A JPS62160424A (ja) | 1986-01-08 | 1986-01-08 | 強誘電性液晶素子 |
Publications (1)
| Publication Number | Publication Date |
|---|---|
| JPS62160424A true JPS62160424A (ja) | 1987-07-16 |
Family
ID=11480061
Family Applications (1)
| Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
|---|---|---|---|
| JP66686A Pending JPS62160424A (ja) | 1986-01-08 | 1986-01-08 | 強誘電性液晶素子 |
Country Status (1)
| Country | Link |
|---|---|
| JP (1) | JPS62160424A (ja) |
Cited By (5)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| JPH02168232A (ja) * | 1988-12-22 | 1990-06-28 | Canon Inc | カイラルスメクチック液晶素子 |
| JPH02250211A (ja) * | 1989-03-23 | 1990-10-08 | Matsushita Electric Ind Co Ltd | 透明導電膜配線回路基板 |
| JPH0333722A (ja) * | 1989-06-29 | 1991-02-14 | Canon Inc | 液晶素子 |
| US5132816A (en) * | 1989-02-02 | 1992-07-21 | Sharp Kabushiki Kaisha | Ferroelectric liquid crystal device and method of manufacturing the same |
| WO2011111650A1 (ja) * | 2010-03-09 | 2011-09-15 | 太陽誘電株式会社 | 導体構造、透明デバイス及び電子機器 |
-
1986
- 1986-01-08 JP JP66686A patent/JPS62160424A/ja active Pending
Cited By (7)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| JPH02168232A (ja) * | 1988-12-22 | 1990-06-28 | Canon Inc | カイラルスメクチック液晶素子 |
| US5132816A (en) * | 1989-02-02 | 1992-07-21 | Sharp Kabushiki Kaisha | Ferroelectric liquid crystal device and method of manufacturing the same |
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| WO2011111650A1 (ja) * | 2010-03-09 | 2011-09-15 | 太陽誘電株式会社 | 導体構造、透明デバイス及び電子機器 |
| JP5503729B2 (ja) * | 2010-03-09 | 2014-05-28 | 太陽誘電株式会社 | 導体構造、透明デバイス及び電子機器 |
| US8889998B2 (en) | 2010-03-09 | 2014-11-18 | Taiyo Yuden Co., Ltd. | Conductor structure, transparent device, and electronic device |
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