JPH033385A - マスク半導体レーザーの作製方法 - Google Patents
マスク半導体レーザーの作製方法Info
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- JPH033385A JPH033385A JP13780889A JP13780889A JPH033385A JP H033385 A JPH033385 A JP H033385A JP 13780889 A JP13780889 A JP 13780889A JP 13780889 A JP13780889 A JP 13780889A JP H033385 A JPH033385 A JP H033385A
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Abstract
(57)【要約】本公報は電子出願前の出願データであるた
め要約のデータは記録されません。
め要約のデータは記録されません。
Description
【発明の詳細な説明】
［産業上の利用分野］
本発明は、マスク半導体レーザーの作製方法に関する。
［従来の技術］
微小な開口を持つ光源を光情報記録媒体に近接させて情
報の記録・再生を行う技術が、特開昭６２−１８５２５
１号公報、同６２−１８５２６８号公報等に開示されて
いる。また、ＵＳＰ３８６６２３８号明細書には、フィ
ルムに対して情報を記録し、また再生する技術が開示さ
れている。
報の記録・再生を行う技術が、特開昭６２−１８５２５
１号公報、同６２−１８５２６８号公報等に開示されて
いる。また、ＵＳＰ３８６６２３８号明細書には、フィ
ルムに対して情報を記録し、また再生する技術が開示さ
れている。
このような情報の記録・再生に用いる光源としてマスク
半導体レーザーが知られている（上記ＵＳＰ３８６６２
３８号明細書）、マスク半導体レーザーは、半導体レー
ザーの放射端面に遮光性のマスク、即ち半導体レーザー
から放射される光に対して遮光性であるマスクを形成し
、このマスクに設けた光射出部から半導体レーザーの放
射光を取り出し得るようにした光源である。
半導体レーザーが知られている（上記ＵＳＰ３８６６２
３８号明細書）、マスク半導体レーザーは、半導体レー
ザーの放射端面に遮光性のマスク、即ち半導体レーザー
から放射される光に対して遮光性であるマスクを形成し
、このマスクに設けた光射出部から半導体レーザーの放
射光を取り出し得るようにした光源である。
上記光射出部を有するマスクで半導体レーザーの放射光
に対して発光領域を制限することにより、例えば光情報
記録媒体上にシャープなスポットを結像させることが可
能になる。
に対して発光領域を制限することにより、例えば光情報
記録媒体上にシャープなスポットを結像させることが可
能になる。
半導体レーザーの放射端面に設けたマスクに光射出部を
形成する方法としては、マスクを設けられた半導体レー
ザー自体を発振させ、そのパワーによりマスクの一部を
除去する方法が知られている（上記ｕｓＰ３８６６２３
８号明細書）。
形成する方法としては、マスクを設けられた半導体レー
ザー自体を発振させ、そのパワーによりマスクの一部を
除去する方法が知られている（上記ｕｓＰ３８６６２３
８号明細書）。
［発明が解決しようとする課題］
半導体レーザーの発振パワーを利用して光射出部を形成
する方法は簡単ではあるが、光射出部の開口寸法の制御
が困難であり、所望の開口寸法を持った光射出部を実現
するのが難しい。
する方法は簡単ではあるが、光射出部の開口寸法の制御
が困難であり、所望の開口寸法を持った光射出部を実現
するのが難しい。
また、マスクの材質も半導体レーザーの発振パワーによ
り除去できるものに限られるため、材質に対する制限が
厳しく、また−皮形成した光射出部の開口寸法が、光源
として使用しているうちに次第に拡大するという問題が
ある。
り除去できるものに限られるため、材質に対する制限が
厳しく、また−皮形成した光射出部の開口寸法が、光源
として使用しているうちに次第に拡大するという問題が
ある。
本発明は上述した事情に鑑みてなされたものであって、
その目的とするところは、上述した問題を有効に解決し
得る。マスク半導体レーザーの新規な作製方法の提供に
ある。
その目的とするところは、上述した問題を有効に解決し
得る。マスク半導体レーザーの新規な作製方法の提供に
ある。
［課麗を解決するための手段］
以下、本発明を説明する。
本発明はマスク半導体レーザーの作製方法であり、その
特徴とするところは以下の点にある。
特徴とするところは以下の点にある。
即ち、第１段階として半導体レーザーの放射端面に遮光
性のマスク層を形成する。遮光性とは、半導体レーザー
自体の放射光に対して遮光性という意味である。
性のマスク層を形成する。遮光性とは、半導体レーザー
自体の放射光に対して遮光性という意味である。
マスク層は、構造的に単一の層とすることもでき、複数
の層を積層した複合的な層構造とすることもできる。
の層を積層した複合的な層構造とすることもできる。
第２段階としては、上記マスク層に外部から放射光もし
くは放射線を照射することにより、上記マスク層の一部
を除去もしくは透明化し、上記半導体レーザーからの光
を射出させるための光射出部を形成する。
くは放射線を照射することにより、上記マスク層の一部
を除去もしくは透明化し、上記半導体レーザーからの光
を射出させるための光射出部を形成する。
放射光とは、可視光やレーザー光その他の光であり、放
射線とは電子ビームやイオンビームである。
射線とは電子ビームやイオンビームである。
また「マスク層に外部から放射光もしくは放射線を照射
することにより、マスク層の一部を除去する」とは、放
射光や放射線の作用によりマスク層の一部を直接的に除
去する場合の他、放射光・放射線の作用によりマスク層
の一部を変質させ、この変質部を含むマスク層部分を物
理的もしくは化学的な方法で除去する場合をも含む。
することにより、マスク層の一部を除去する」とは、放
射光や放射線の作用によりマスク層の一部を直接的に除
去する場合の他、放射光・放射線の作用によりマスク層
の一部を変質させ、この変質部を含むマスク層部分を物
理的もしくは化学的な方法で除去する場合をも含む。
また「透明化」も、放射光や放射線の作用によリマスク
層の一部を直接的に透明化する場合の他、放射光・放射
線の作用によりマスク層の一部を変質させ、この変質部
を化学的な方法で透明化する場合も含む。
層の一部を直接的に透明化する場合の他、放射光・放射
線の作用によりマスク層の一部を変質させ、この変質部
を化学的な方法で透明化する場合も含む。
〔作 用１
このように本発明の方法では、半導体レーザーの放射端
面に形成されたマスク層に、外部から照射される放射光
もしくは放射線の作用により光射出部を形成する。
面に形成されたマスク層に、外部から照射される放射光
もしくは放射線の作用により光射出部を形成する。
［実施例コ
以下、図面を参照しながら具体的な実施例に即して説明
する。
する。
実施例１
第１図に於いて、符号１はファプリーペロー型の半導体
レーザーを示す、この半導体レーザー１としては、 Ｇ
ａＡｓ、ＧａＡｌＡｓ、ＩｎＰ、ＡＩＧａＩｎＰその他
のダブルへテロ型レーザーを使用できる。
レーザーを示す、この半導体レーザー１としては、 Ｇ
ａＡｓ、ＧａＡｌＡｓ、ＩｎＰ、ＡＩＧａＩｎＰその他
のダブルへテロ型レーザーを使用できる。
第１図（Ａ）は、半導体レーザー１の放射端面に、透明
誘電体膜２と遮光膜３を積層形成した状態を示す、透明
誘電体膜２は、例えばＳｉＯ，ＳｉＯ，、Ｓｉ、Ｎ。
誘電体膜２と遮光膜３を積層形成した状態を示す、透明
誘電体膜２は、例えばＳｉＯ，ＳｉＯ，、Ｓｉ、Ｎ。
ＪｇＦ、等を真空蒸着、スパッタリング、ＣＶＤ等で成
膜すれば良い、また遮光膜３は、半導体レーザーこの射
出パワーに対して強い材料、即ち半導体レーザーの射出
パワーにより透過率の変化や変形、蒸発などの生じない
材料、例えばＴｉ、ＡＩ、Ｎｉ、ＡＵ等の金属や丁１合
金、Ｎｉ合金を好適に用いて成膜することができる。
膜すれば良い、また遮光膜３は、半導体レーザーこの射
出パワーに対して強い材料、即ち半導体レーザーの射出
パワーにより透過率の変化や変形、蒸発などの生じない
材料、例えばＴｉ、ＡＩ、Ｎｉ、ＡＵ等の金属や丁１合
金、Ｎｉ合金を好適に用いて成膜することができる。
第１ ＠ （Ｂ）は、遮光膜３の上にさらにフォトレジ
スト層４を設けた状態を示す、ここまでの段階が前述し
た第１段階であり、半導体レーザー１の放射端面上に積
層形成された、透明誘電体膜２と遮光膜３とフォトレジ
スト層４とが、マスク層を構成している。
スト層４を設けた状態を示す、ここまでの段階が前述し
た第１段階であり、半導体レーザー１の放射端面上に積
層形成された、透明誘電体膜２と遮光膜３とフォトレジ
スト層４とが、マスク層を構成している。
次に、第１図（Ｃ）に示すように、パターンマスク５を
、フォトレジスト層４上に密着させる。パターンマスク
５は光射出部の開口形状を型取った開ロバターン５Ａを
有し、この開ロバターン５Ａは、図示されない位置合わ
せ用マークを用いて半導体レーザー１の発光部の位置と
位置合わせされる。
、フォトレジスト層４上に密着させる。パターンマスク
５は光射出部の開口形状を型取った開ロバターン５Ａを
有し、この開ロバターン５Ａは、図示されない位置合わ
せ用マークを用いて半導体レーザー１の発光部の位置と
位置合わせされる。
開ロバターン５Ａの形状は、円形状、矩形形状等光射出
部の開口形状として求められる所望の形状に設定される
。
部の開口形状として求められる所望の形状に設定される
。
この状態に於いて、パターンマスク５を介して光（青〜
紫外光）を照射すると、フォトレジスト層５が開ロバタ
ーン５Ａの形状に露光される。
紫外光）を照射すると、フォトレジスト層５が開ロバタ
ーン５Ａの形状に露光される。
露光後、現像を行うと第１図（Ｄ）に示すように、露光
したフォトレジスト層部分が取り除かれて、微小孔４Ａ
が形成される。
したフォトレジスト層部分が取り除かれて、微小孔４Ａ
が形成される。
この状態に於いて、遮光膜３に対して湿式エツチングあ
るいはガスを用いたドライエツチングを行うと、フォト
レジスト４の微小孔４人に応じて遮光膜３がエツチング
され、光射出部３Ａが形成される（第１図（Ｅ））。
るいはガスを用いたドライエツチングを行うと、フォト
レジスト４の微小孔４人に応じて遮光膜３がエツチング
され、光射出部３Ａが形成される（第１図（Ｅ））。
最後に、フォトレジスト４をア七トン等の有機溶剤によ
り除去すると、第１図（Ｆ）に示すようにマスク半導体
レーザーが得られる。このマスク半導体レーザーの光射
出部３Ａの形状は、パターンマスク５に於ける開ロバタ
ーン５Ａの形状に従っている。
り除去すると、第１図（Ｆ）に示すようにマスク半導体
レーザーが得られる。このマスク半導体レーザーの光射
出部３Ａの形状は、パターンマスク５に於ける開ロバタ
ーン５Ａの形状に従っている。
上の説明から明らかなように、「マスク層に外部から放
射光を照射することにより、マスク層の一部を除去し、
半導体レーザーがらの光を射出させるための光射出部を
形成する」プロセスは、第１図（Ｃ）乃至（Ｆ）に即し
て説明した複数の工程により実行される。
射光を照射することにより、マスク層の一部を除去し、
半導体レーザーがらの光を射出させるための光射出部を
形成する」プロセスは、第１図（Ｃ）乃至（Ｆ）に即し
て説明した複数の工程により実行される。
フォトレジスト層４を露光する方法は、上述のパターン
マスクをフォトレジスト層４に密着して用いる方法に限
らず、パターンマスクの像を投影レンズを介してフォト
レジスト層上に結像させる投影露光法によっても良い。
マスクをフォトレジスト層４に密着して用いる方法に限
らず、パターンマスクの像を投影レンズを介してフォト
レジスト層上に結像させる投影露光法によっても良い。
また露光用の光源としては、可視光、紫外光やＸ線を用
いることもできる。
いることもできる。
実施例２
第２図に示すように、半導体レーザー１の上に。
透明誘電体１１１２と遮光膜３とフォトレジスト層４と
によりマスク層を形成し、パターンマスクを用いずに、
集光レンズ７を用い、Ａｒイオンレーザ−やＨｅ−Ｃｄ
レーザー等、短波長のレーザー光を直接にフォトレジス
ト層４上に集光して、微小スポットを露光する。微小ス
ポットの径は、集光レンズ７のＮＡにより調整でき、１
〜０．５μｍの径のスポットを容易に露光できる。
によりマスク層を形成し、パターンマスクを用いずに、
集光レンズ７を用い、Ａｒイオンレーザ−やＨｅ−Ｃｄ
レーザー等、短波長のレーザー光を直接にフォトレジス
ト層４上に集光して、微小スポットを露光する。微小ス
ポットの径は、集光レンズ７のＮＡにより調整でき、１
〜０．５μｍの径のスポットを容易に露光できる。
露光以後の工程は、上述の実施例１の場合と同様である
。
。
実施例３
第３図に示すように、半導体レーザー１の上に、透明誘
電体膜２と遮光膜３と電子ビームレジスト層４′とによ
りマスク層を形成し、真空チャンバー内に於いて、集束
された電子ビーム８により開ロバターンを照射する。電
子ビームに照射された部分の電子ビームレジスト４′を
現像により除去し。
電体膜２と遮光膜３と電子ビームレジスト層４′とによ
りマスク層を形成し、真空チャンバー内に於いて、集束
された電子ビーム８により開ロバターンを照射する。電
子ビームに照射された部分の電子ビームレジスト４′を
現像により除去し。
エツチング後、電子ビームレジスト４′を除去すれば所
望のマスク半導体レーザーを得られる。
望のマスク半導体レーザーを得られる。
電子ビームを用いると、光射出部の形状をより精密に形
成できるし、電子ビームの走査により光射出部の形状の
自由度を著しく大きくできる。
成できるし、電子ビームの走査により光射出部の形状の
自由度を著しく大きくできる。
電子ビームに変えて集束イオンビームを用いても良い。
実施例４
第４図に示すように、半導体レーザー１の上にマスク層
が５透明誘電体膜２と遮光膜３の積層により形成される
。この状態に於いて、外部から、ＹＡＧレーザーやＡｒ
レーザー等、高出力のレーザー光を集光レンズ７により
直接マスク層上に集光し、光照射部で遮光膜３を蒸発さ
せて光射出部を形成する。この場合、遮光膜３の材料を
適当に選び、レーザー光の照射部で遮光膜を透明化して
光射出部としても良い。
が５透明誘電体膜２と遮光膜３の積層により形成される
。この状態に於いて、外部から、ＹＡＧレーザーやＡｒ
レーザー等、高出力のレーザー光を集光レンズ７により
直接マスク層上に集光し、光照射部で遮光膜３を蒸発さ
せて光射出部を形成する。この場合、遮光膜３の材料を
適当に選び、レーザー光の照射部で遮光膜を透明化して
光射出部としても良い。
「マスク層に外部から放射光を照射することによりマス
ク層の一部を除去もしくは透明化し、半導体レーザーか
らの光を射出させるための光射出部を形成する」プロセ
スは、この実施例の場合に最も端的且つ直接的に実現さ
れる。
ク層の一部を除去もしくは透明化し、半導体レーザーか
らの光を射出させるための光射出部を形成する」プロセ
スは、この実施例の場合に最も端的且つ直接的に実現さ
れる。
実施例５
実施例５は、実施例１の変形例である。
特徴とする所は、半導体レーザーが個別にチップ化され
る前のブロックの段階でマスク層の形成と光射出部の形
成とを行う点にある。
る前のブロックの段階でマスク層の形成と光射出部の形
成とを行う点にある。
第５図に於いて、符号１０は個々の半導体レーザーにチ
ップ化される以前のブロックを示す、このブロックに於
ける共通の放射端面上に透明誘電体膜２０と遮光膜３０
とフォトレジスト層４０を共通に積層してマスク層とな
し、複数の開ロバターン５Ａ−１，５Ａ−２，５Ａ−３
，、、、を有するパターンマスク５０を位置合わせして
フォトレジスト層４０に密着し、全体を露光して一括し
て開ロバターンの露光を行う２以後、現像、エツチング
、フォトレジスト層の除去の各工程を行って光射出部を
形成し、しかるのちに破線９の位置でへき開を行い、マ
スク半導体レーザーチップを完成させる。
ップ化される以前のブロックを示す、このブロックに於
ける共通の放射端面上に透明誘電体膜２０と遮光膜３０
とフォトレジスト層４０を共通に積層してマスク層とな
し、複数の開ロバターン５Ａ−１，５Ａ−２，５Ａ−３
，、、、を有するパターンマスク５０を位置合わせして
フォトレジスト層４０に密着し、全体を露光して一括し
て開ロバターンの露光を行う２以後、現像、エツチング
、フォトレジスト層の除去の各工程を行って光射出部を
形成し、しかるのちに破線９の位置でへき開を行い、マ
スク半導体レーザーチップを完成させる。
上記実施例１〜５に於いて、マスク層の一部として透明
誘電体＠３．３０を用いた。この透明誘電体膜は遮光膜
と半導体レーザーとを電気的に絶縁するためのものであ
る。従って、遮光膜自体を絶縁性もしくは高抵抗性の材
料で形成すれば、透明誘電体膜は必ずしも必要では無く
、マスク層を、電気絶縁性の遮光膜単独（実施例４の場
合）もしくは電気絶縁性の遮光膜とフォトレジスト層（
実施例１，２．５の場合）、或いは電気絶縁性の遮光膜
と電子ビームレジスト層とで構成することができる（実
施例３の場合）。
誘電体＠３．３０を用いた。この透明誘電体膜は遮光膜
と半導体レーザーとを電気的に絶縁するためのものであ
る。従って、遮光膜自体を絶縁性もしくは高抵抗性の材
料で形成すれば、透明誘電体膜は必ずしも必要では無く
、マスク層を、電気絶縁性の遮光膜単独（実施例４の場
合）もしくは電気絶縁性の遮光膜とフォトレジスト層（
実施例１，２．５の場合）、或いは電気絶縁性の遮光膜
と電子ビームレジスト層とで構成することができる（実
施例３の場合）。
［発明の効果］
以上、本発明によれば、マスク半導体レーザーの新規な
作製方法を捉供できる。
作製方法を捉供できる。
この方法は、上記の如く構成されているので、光射出部
の形状・大きさを精度良くコントロールできる。また、
マスク層の材料の制限が緩いので広範な材料から適切な
材料を選択でき、光射出部の経時的な拡大も有効に防止
できる。
の形状・大きさを精度良くコントロールできる。また、
マスク層の材料の制限が緩いので広範な材料から適切な
材料を選択でき、光射出部の経時的な拡大も有効に防止
できる。
第１図は１本発明の１実施例を説明するための図、第２
図は、別実施例を説明するための図、第３図は、他の実
施例を説明するための図、第４図は、さらに他の実施例
を説明するための図、第５図は、第１図の実施例の変形
例を説明するための図である。 １０９．半導体レーザー、２００．透明誘電体膜、３．
、。
図は、別実施例を説明するための図、第３図は、他の実
施例を説明するための図、第４図は、さらに他の実施例
を説明するための図、第５図は、第１図の実施例の変形
例を説明するための図である。 １０９．半導体レーザー、２００．透明誘電体膜、３．
、。
Claims (1)
- 半導体レーザーの放射端面に遮光性のマスク層を形成し
、このマスク層に外部から放射光もしくは放射線を照射
することにより、上記マスク層の一部を除去もしくは透
明化し、上記半導体レーザーからの光を射出させるため
の光射出部を形成することを特徴とする、マスク半導体
レーザーの作製方法。
Priority Applications (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP1137808A JP2825848B2 (ja) | 1989-05-31 | 1989-05-31 | マスク半導体レーザーの作製方法 |
Applications Claiming Priority (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP1137808A JP2825848B2 (ja) | 1989-05-31 | 1989-05-31 | マスク半導体レーザーの作製方法 |
Publications (2)
| Publication Number | Publication Date |
|---|---|
| JPH033385A true JPH033385A (ja) | 1991-01-09 |
| JP2825848B2 JP2825848B2 (ja) | 1998-11-18 |
Family
ID=15207333
Family Applications (1)
| Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
|---|---|---|---|
| JP1137808A Expired - Lifetime JP2825848B2 (ja) | 1989-05-31 | 1989-05-31 | マスク半導体レーザーの作製方法 |
Country Status (1)
| Country | Link |
|---|---|
| JP (1) | JP2825848B2 (ja) |
Cited By (2)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| JP2005322698A (ja) * | 2004-05-06 | 2005-11-17 | Denso Corp | 半導体レーザ素子およびその製造方法 |
| JP2013058593A (ja) * | 2011-09-08 | 2013-03-28 | Mitsubishi Electric Corp | 半導体レーザ素子の製造装置および製造方法 |
Citations (2)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| JPS576266U (ja) * | 1980-06-13 | 1982-01-13 | ||
| JPS6334991A (ja) * | 1986-07-29 | 1988-02-15 | Ricoh Co Ltd | マスク半導体レ−ザ−の製作方法 |
-
1989
- 1989-05-31 JP JP1137808A patent/JP2825848B2/ja not_active Expired - Lifetime
Patent Citations (2)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| JPS576266U (ja) * | 1980-06-13 | 1982-01-13 | ||
| JPS6334991A (ja) * | 1986-07-29 | 1988-02-15 | Ricoh Co Ltd | マスク半導体レ−ザ−の製作方法 |
Cited By (2)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| JP2005322698A (ja) * | 2004-05-06 | 2005-11-17 | Denso Corp | 半導体レーザ素子およびその製造方法 |
| JP2013058593A (ja) * | 2011-09-08 | 2013-03-28 | Mitsubishi Electric Corp | 半導体レーザ素子の製造装置および製造方法 |
Also Published As
| Publication number | Publication date |
|---|---|
| JP2825848B2 (ja) | 1998-11-18 |
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Legal Events
| Date | Code | Title | Description |
|---|---|---|---|
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