JPH0333864A - 電子写真用感光体 - Google Patents
電子写真用感光体Info
- Publication number
- JPH0333864A JPH0333864A JP16682589A JP16682589A JPH0333864A JP H0333864 A JPH0333864 A JP H0333864A JP 16682589 A JP16682589 A JP 16682589A JP 16682589 A JP16682589 A JP 16682589A JP H0333864 A JPH0333864 A JP H0333864A
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- JP
- Japan
- Prior art keywords
- protective layer
- polycarbonate
- layer
- surface protective
- butyl
- Prior art date
- Legal status (The legal status is an assumption and is not a legal conclusion. Google has not performed a legal analysis and makes no representation as to the accuracy of the status listed.)
- Pending
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- Photoreceptors In Electrophotography (AREA)
Abstract
(57)【要約】本公報は電子出願前の出願データであるた
め要約のデータは記録されません。
め要約のデータは記録されません。
Description
【発明の詳細な説明】
[産業上の利用分野]
本発明は表面保護層を有する電子写真用感光体に関する
。
。
[従来の技術]
従来、電子写真用感光体としては、導電性支持体上にセ
レン(Se)ないしセレン合金を主体とする光導電層を
設けたもの、酸化亜鉛、硫化カドミウムなどの無機光導
電材料をバインダー中に分散させもの、ポリ−N−ビニ
ルカルバゾールとトリニトロフルオレノンあるいはアゾ
顔料などの6機光導電材料を用いたもの及び非晶質シリ
コンを用いたもの等が一般に知られている。
レン(Se)ないしセレン合金を主体とする光導電層を
設けたもの、酸化亜鉛、硫化カドミウムなどの無機光導
電材料をバインダー中に分散させもの、ポリ−N−ビニ
ルカルバゾールとトリニトロフルオレノンあるいはアゾ
顔料などの6機光導電材料を用いたもの及び非晶質シリ
コンを用いたもの等が一般に知られている。
これらの感光体に対して長時間高画質を保つ信頼性の要
求が年々高まっている。しかし光導電層が露出している
場合、帯電過程のコロナ放電による損傷と複写プロセス
で受ける他部材との接触による物理的あるいは化学的な
損傷が感光体の寿命を損なう主な原因となっている。
求が年々高まっている。しかし光導電層が露出している
場合、帯電過程のコロナ放電による損傷と複写プロセス
で受ける他部材との接触による物理的あるいは化学的な
損傷が感光体の寿命を損なう主な原因となっている。
このような欠点を解消する方法として感光体表面に保護
層を設ける技術が知られている。具体的には感光層の表
面に有機フィルムを設ける方法(特公昭H−01544
6)、無機酸化物層を設ける方法(特公昭43−014
517)、接着層を設けた後絶縁層を積層する方法(特
公昭43−027591)、或いはプラズマCvD法、
光CVD法等によってa −S i 1m、a−8i:
N:8層、a−8i:0:8層等を積層する方法(特開
昭57−179859、特開昭59−058437)な
どが開示されている。
層を設ける技術が知られている。具体的には感光層の表
面に有機フィルムを設ける方法(特公昭H−01544
6)、無機酸化物層を設ける方法(特公昭43−014
517)、接着層を設けた後絶縁層を積層する方法(特
公昭43−027591)、或いはプラズマCvD法、
光CVD法等によってa −S i 1m、a−8i:
N:8層、a−8i:0:8層等を積層する方法(特開
昭57−179859、特開昭59−058437)な
どが開示されている。
しかしながらこれら保護層が電子写真的に高抵抗(10
”Ω・印以上)のものであると、残留電位の増大、くり
返し時の蓄積等が問題となり、実用上好ましくない。
”Ω・印以上)のものであると、残留電位の増大、くり
返し時の蓄積等が問題となり、実用上好ましくない。
上記欠点を補う技術として、保護層樹脂の組成により抵
抗を適正化する方法(特公昭52−024414)が知
られている。また、保護層を光導電層とする方法(特公
昭48−038427 、特公昭48−016198
、特公昭49−010258 、U S P −29(
11348)、保護層中に色素やルイス酸に代表される
移動剤を添加する方法(特公昭44−000834 、
特開昭53−133444)、或いは金属や金属酸化物
微粒子の添加により保護層の抵抗を制御する方法(特開
昭53−003338)等が提案されている。
抗を適正化する方法(特公昭52−024414)が知
られている。また、保護層を光導電層とする方法(特公
昭48−038427 、特公昭48−016198
、特公昭49−010258 、U S P −29(
11348)、保護層中に色素やルイス酸に代表される
移動剤を添加する方法(特公昭44−000834 、
特開昭53−133444)、或いは金属や金属酸化物
微粒子の添加により保護層の抵抗を制御する方法(特開
昭53−003338)等が提案されている。
しかし、後者の場合には保護層による光の吸収が生じて
感光層へ到達する光量が減少し、結果として感光体の感
度が低下するという問題が生じる場合がありこの観点か
ら、特開昭57−30548に提案されている様に平均
粒径0.3μm以下の金属酸化物微粒子を抵抗制御剤と
して保護層中に分散させることにより可視光に対し実質
的に透明にする方法がある。
感光層へ到達する光量が減少し、結果として感光体の感
度が低下するという問題が生じる場合がありこの観点か
ら、特開昭57−30548に提案されている様に平均
粒径0.3μm以下の金属酸化物微粒子を抵抗制御剤と
して保護層中に分散させることにより可視光に対し実質
的に透明にする方法がある。
上述の様な保護層を有する感光体は感度の低下も少なく
保護層の機械的強度が増し、摩耗に対しては耐久性が非
京に向上する。
保護層の機械的強度が増し、摩耗に対しては耐久性が非
京に向上する。
ところがこの感光体を複写機の中で長期間くり返し使用
した後に高湿下あるいは急激な湿度上昇の環境下におく
とコピー画像が流れる、いわゆる画像ボケが発生する問
題があることが明らかになった。この現象の原因はいま
だ明確にはなっていないが、感光体がくり返しコロナ放
電にさらされるとコロナ放電により発生するオゾンや各
種イオンにより保護層樹脂が酸化劣化を受け、構造が切
断されたり、ラジカルが形成される様になる。一方、コ
ロナ放出によるオゾンや各種イオンはまた、空気中の水
分、炭酸ガス等の不純物と反応し、窒素化合物、カルボ
キシル基、アルデヒド基等を含む親水性の化合物を形成
する。これらは保:i層表面の劣化部分に強く化学的に
吸着するので、高湿下や急激に湿度が上昇する様な場合
には感光体表面に水分が多量に吸着されて表面の2次元
方向の抵抗が低下し、画像流れを発生すると考えられて
いる。
した後に高湿下あるいは急激な湿度上昇の環境下におく
とコピー画像が流れる、いわゆる画像ボケが発生する問
題があることが明らかになった。この現象の原因はいま
だ明確にはなっていないが、感光体がくり返しコロナ放
電にさらされるとコロナ放電により発生するオゾンや各
種イオンにより保護層樹脂が酸化劣化を受け、構造が切
断されたり、ラジカルが形成される様になる。一方、コ
ロナ放出によるオゾンや各種イオンはまた、空気中の水
分、炭酸ガス等の不純物と反応し、窒素化合物、カルボ
キシル基、アルデヒド基等を含む親水性の化合物を形成
する。これらは保:i層表面の劣化部分に強く化学的に
吸着するので、高湿下や急激に湿度が上昇する様な場合
には感光体表面に水分が多量に吸着されて表面の2次元
方向の抵抗が低下し、画像流れを発生すると考えられて
いる。
この様な観点からコロナ帯電時に発生するオゾンなどの
酸化雰囲気で分散型感光層の表面が劣化するのを防止す
るもの(特開昭59−183744)、CTL/CGL
/保護層の順に積保護層正帯電感光体のCGLあるいは
保護層中に特定の酸化防止剤を含有させ、オゾンによる
帯電能の劣化を防止したもの(特開昭83−44882
、特開昭63−50848〜50851 、特開昭63
−52148、特開昭83−52150)も提案されて
いる。
酸化雰囲気で分散型感光層の表面が劣化するのを防止す
るもの(特開昭59−183744)、CTL/CGL
/保護層の順に積保護層正帯電感光体のCGLあるいは
保護層中に特定の酸化防止剤を含有させ、オゾンによる
帯電能の劣化を防止したもの(特開昭83−44882
、特開昭63−50848〜50851 、特開昭63
−52148、特開昭83−52150)も提案されて
いる。
しかし、これらは表面保護層を有する感光体のくり返し
使用後の高湿下像流れを長期に渡って防止するという効
果の持続性という点で十分ではなかった。
使用後の高湿下像流れを長期に渡って防止するという効
果の持続性という点で十分ではなかった。
[発明が解決しようとする課題]
本発明はこうした実情に鑑み、コロナ放電により発生す
るオゾンや各種イオンによって、全く劣化することがな
く、長期使用に渡って良好な画像品質を維持できる表面
保護層を有する電子写真様感光体を堤供しようとするも
のである。
るオゾンや各種イオンによって、全く劣化することがな
く、長期使用に渡って良好な画像品質を維持できる表面
保護層を有する電子写真様感光体を堤供しようとするも
のである。
[課題を解決するための手段]
本発明の電子写真用感光体は導電性支持体上に光導電層
、表面保護層を順次積層した電子写真用感光体において
、表面保護層がポリカーボネートとフェノール系酸化防
止剤を含有していることを特徴とする特に、フェノール
系酸化防止剤の添加量がポリカーボネートに対し重量比
で10〜aoo vt%であることを特徴としている。
、表面保護層を順次積層した電子写真用感光体において
、表面保護層がポリカーボネートとフェノール系酸化防
止剤を含有していることを特徴とする特に、フェノール
系酸化防止剤の添加量がポリカーボネートに対し重量比
で10〜aoo vt%であることを特徴としている。
本発明者らは種々検討した結果、コロナ放電により発生
するオゾン、各種イオンによる劣化防止に効果のあるフ
ェノール系酸化防止剤とポリカーボネートとの相溶性が
良く、ポリカーボネートに対しフェノール系酸化防止剤
を多量に添加することにより、副作用を伴わずに良好な
画像品質を長期に渡って維持出来ることを見出し本発明
に到達した。
するオゾン、各種イオンによる劣化防止に効果のあるフ
ェノール系酸化防止剤とポリカーボネートとの相溶性が
良く、ポリカーボネートに対しフェノール系酸化防止剤
を多量に添加することにより、副作用を伴わずに良好な
画像品質を長期に渡って維持出来ることを見出し本発明
に到達した。
本発明に係わるフェノール系酸化防止剤は例えば2.6
−ジーt−ブチル−p−クレゾール(BHT) 、2.
6−ジーt−ブチルフェノール、2.4−ジ−メチル−
6−t−ブチルフェノール、ブチルヒドロキシアニソー
ル、2.2°−メチレンビス(4−メチル−6−t−ブ
チルフェノール)、4.4“−チオビス(3−メチル−
9−t−ブチルフェノール)、ビスフェノールA、DL
−α−トコフェロール、スチレン化フェノール、スチレ
ン化クレゾール、3.5−ジ−t−ブチルヒドロキシベ
ンズアルデヒド、2.6−ジーt−ブチル−4−ヒドロ
キシメチルフェノール、2,6−ジーS−ブチルフェノ
ール、2.4−ジ−t−ブチルフェノール、3.5−ジ
−t−ブチルフェノール、o−n−ブトキシフェノール
、o−t−ブチルフェノール、m−t−ブチルフェノー
ル、p−t−ブチルフェノール、0−イソブトキシフェ
ノール、o−n−プロポキシフェノール、0−クレゾー
ル、4.6−ジーt−ブチル−3−メチルフェノール、
2,6−シメチルフエノール、2.3,5.8−テトラ
メチルフェノール、3−(3’5゛−ジ−t−ブチル−
4゛−ヒドロキシフェニル)プロピオニック酸ステアリ
ルエステル、2,4.8−トリーt−ブチルフェノール
、 2,4.6−トリメチルフェノール、2.4.8−
トリス(3°、5°−ジー1−ブチル−4°−ヒドロキ
シベンジル)メシチレン、1.6−ヘキサンシオールー
ビス[3−(3゜5−ジ−t−ブチル−4−ヒドロキシ
フェニル)プロピオネート]2.2−チオージエチレン
ビス[3−(3,5−ジ−t−ブチル−4−ヒドロキシ
フェニル)プロピオネート]、2.2−チオビス(4−
メチル−e−t−ブチルフェノール)、3゜5−ジ−t
−ブチル−4−ヒドロキシ−ベンジルフォスフェート−
ジエチルエステル、1.3.5−トリメチル−2,4,
8−トリス(3,5−ジ−t−ブチル−4−ヒドロキシ
ベンジル)ベンゼン、cfc′−f′−0 ■ n−オクタデシル−3−(1’、5°−ジ−t−ブチル
−4−ヒドロキシフェニル)プロピオネート、2−t−
ブチル−G(3’−t−ブチル−5゛−メチル−2−ヒ
ドロキシベンジル)−4−メチルフェニルアクリレ−)
、4.4°−ブチリデン−ビス(3−メチル−e−t−
ブチルフェノール)、ハイドロキノン、2,5−ジ−t
−ブチルハイドロキノン、テトラメチルハイドロキノン
等であり、これらの少なくとも1種類を添加し用いる。
−ジーt−ブチル−p−クレゾール(BHT) 、2.
6−ジーt−ブチルフェノール、2.4−ジ−メチル−
6−t−ブチルフェノール、ブチルヒドロキシアニソー
ル、2.2°−メチレンビス(4−メチル−6−t−ブ
チルフェノール)、4.4“−チオビス(3−メチル−
9−t−ブチルフェノール)、ビスフェノールA、DL
−α−トコフェロール、スチレン化フェノール、スチレ
ン化クレゾール、3.5−ジ−t−ブチルヒドロキシベ
ンズアルデヒド、2.6−ジーt−ブチル−4−ヒドロ
キシメチルフェノール、2,6−ジーS−ブチルフェノ
ール、2.4−ジ−t−ブチルフェノール、3.5−ジ
−t−ブチルフェノール、o−n−ブトキシフェノール
、o−t−ブチルフェノール、m−t−ブチルフェノー
ル、p−t−ブチルフェノール、0−イソブトキシフェ
ノール、o−n−プロポキシフェノール、0−クレゾー
ル、4.6−ジーt−ブチル−3−メチルフェノール、
2,6−シメチルフエノール、2.3,5.8−テトラ
メチルフェノール、3−(3’5゛−ジ−t−ブチル−
4゛−ヒドロキシフェニル)プロピオニック酸ステアリ
ルエステル、2,4.8−トリーt−ブチルフェノール
、 2,4.6−トリメチルフェノール、2.4.8−
トリス(3°、5°−ジー1−ブチル−4°−ヒドロキ
シベンジル)メシチレン、1.6−ヘキサンシオールー
ビス[3−(3゜5−ジ−t−ブチル−4−ヒドロキシ
フェニル)プロピオネート]2.2−チオージエチレン
ビス[3−(3,5−ジ−t−ブチル−4−ヒドロキシ
フェニル)プロピオネート]、2.2−チオビス(4−
メチル−e−t−ブチルフェノール)、3゜5−ジ−t
−ブチル−4−ヒドロキシ−ベンジルフォスフェート−
ジエチルエステル、1.3.5−トリメチル−2,4,
8−トリス(3,5−ジ−t−ブチル−4−ヒドロキシ
ベンジル)ベンゼン、cfc′−f′−0 ■ n−オクタデシル−3−(1’、5°−ジ−t−ブチル
−4−ヒドロキシフェニル)プロピオネート、2−t−
ブチル−G(3’−t−ブチル−5゛−メチル−2−ヒ
ドロキシベンジル)−4−メチルフェニルアクリレ−)
、4.4°−ブチリデン−ビス(3−メチル−e−t−
ブチルフェノール)、ハイドロキノン、2,5−ジ−t
−ブチルハイドロキノン、テトラメチルハイドロキノン
等であり、これらの少なくとも1種類を添加し用いる。
本発明に係わるポリカーボネートは下記一般式+0−R
−0−Co←r Rニジフェニルアルカンで表わされ、
ビス(4−オキシフェニル)メタン、1.1−ビス(4
−オキシフェニル)エタン、1.1−ビス(4−オキシ
フェニル)ブタン、1.1−ビス(4−オキシフェニル
)イソブタン、1.1−ビス(4−オキシフェニル)シ
クロヘキサン、2,2−ビス(4−オキシフェニル)プ
ロパン、2.2−ビス(4−オキシフェニル)ブタン等
が例示出来る。これらは2柾以上混合して用いてもかま
わない。
−0−Co←r Rニジフェニルアルカンで表わされ、
ビス(4−オキシフェニル)メタン、1.1−ビス(4
−オキシフェニル)エタン、1.1−ビス(4−オキシ
フェニル)ブタン、1.1−ビス(4−オキシフェニル
)イソブタン、1.1−ビス(4−オキシフェニル)シ
クロヘキサン、2,2−ビス(4−オキシフェニル)プ
ロパン、2.2−ビス(4−オキシフェニル)ブタン等
が例示出来る。これらは2柾以上混合して用いてもかま
わない。
表面保護層の比抵抗はHII −I Q 00cm、好
ましくは1011−10”ΩC1であり、10m0cm
以下では画像のシャープ性が低下し、1Q13Ωc1以
上では画像の地肌汚れが起こる。この傾向は表面保護層
の膜厚が厚いほど顕著に表われる。
ましくは1011−10”ΩC1であり、10m0cm
以下では画像のシャープ性が低下し、1Q13Ωc1以
上では画像の地肌汚れが起こる。この傾向は表面保護層
の膜厚が厚いほど顕著に表われる。
上記ポリカーボネートは通常1016Ωcm程度の体積
固有抵抗であるので、表面保護層として使用するには、
表面保護層の膜厚を5000五程度に薄くして使用する
か、又は何らかの抵抗制御剤を添加して、その体積抵抗
を10”Ωe1m程度に下げて使用することが望ましい
。後者の場合には膜厚は任意に設定でき、5μ曙程度に
厚膜化した場合には、機械的強度が上り、更に耐久性が
向上する。
固有抵抗であるので、表面保護層として使用するには、
表面保護層の膜厚を5000五程度に薄くして使用する
か、又は何らかの抵抗制御剤を添加して、その体積抵抗
を10”Ωe1m程度に下げて使用することが望ましい
。後者の場合には膜厚は任意に設定でき、5μ曙程度に
厚膜化した場合には、機械的強度が上り、更に耐久性が
向上する。
抵抗制御剤としては脂肪酸塩類、高級アルコール類、硫
酸エステル類、脂肪酸アミン類、第4級アンモニウム塩
類、アルキルピリジウム塩類、ポリオキシエチレンアル
キルエーテル類、ポリオキシエチレンアルキルエステル
類、ソルビタンアルキルエステル類、イミダシリン誘導
体等のアニオン系、カチオン系、又はノニオン系有機電
鯉質;Aus Ag、Cub Ni5A1等の金属;
Z n OST 102 、S n O2、InzOz
5bzO3含有5nOz、In2O3含有5n02
等の金属酸化物;MgFz、CaF2、BiFz、Al
F3、SnF2.5nF4、TiF4等の金属フッ化物
;テトライソプロピルチタネート、テトラノルマルブチ
ルチタネート、チタンアセチルアセトネート、チタンラ
クテートエチルエステル等の有機チタン化合物:及びそ
れらの混合物等が挙げられる。
酸エステル類、脂肪酸アミン類、第4級アンモニウム塩
類、アルキルピリジウム塩類、ポリオキシエチレンアル
キルエーテル類、ポリオキシエチレンアルキルエステル
類、ソルビタンアルキルエステル類、イミダシリン誘導
体等のアニオン系、カチオン系、又はノニオン系有機電
鯉質;Aus Ag、Cub Ni5A1等の金属;
Z n OST 102 、S n O2、InzOz
5bzO3含有5nOz、In2O3含有5n02
等の金属酸化物;MgFz、CaF2、BiFz、Al
F3、SnF2.5nF4、TiF4等の金属フッ化物
;テトライソプロピルチタネート、テトラノルマルブチ
ルチタネート、チタンアセチルアセトネート、チタンラ
クテートエチルエステル等の有機チタン化合物:及びそ
れらの混合物等が挙げられる。
本発明の表面保護層を形成するには、まず、上記ポリカ
ーボネートを適当な溶剤に溶解させ、表面保護層の体積
抵抗が10+2Ωel程度になる様、上記抵抗制御剤の
II又は2種以上を添加する。
ーボネートを適当な溶剤に溶解させ、表面保護層の体積
抵抗が10+2Ωel程度になる様、上記抵抗制御剤の
II又は2種以上を添加する。
抵抗制御剤がポリカーボネートに対し相溶しない場合は
必要に応じてボールミル等の分散手段を用いる。次に上
記表面保護層形成液中のポリカーボネートに対して重量
比で10〜300 vt%のフェノール系酸化防止剤を
添加し、光導電層上に塗布、乾燥、硬化すればよい。
必要に応じてボールミル等の分散手段を用いる。次に上
記表面保護層形成液中のポリカーボネートに対して重量
比で10〜300 vt%のフェノール系酸化防止剤を
添加し、光導電層上に塗布、乾燥、硬化すればよい。
ポリカーボネートに対するフェノール系酸化防止剤の添
加量は重量比で10〜300 wt%が好ましく、さら
に好適には50〜250 vt%である。添加量が1O
vt%未満であるとオゾンや各種イオンによる劣化を抑
制する効果の持続性が悪く、添加量が300νt%より
多い場合には、フェノール系酸化防止剤が表面保護層表
面に析出し、白濁する際に表面保護層の機械的強度が劣
化し、複写機内での使用により表面保護層膜が削れやす
くなり、耐久性の劣化という副作用をまねく。
加量は重量比で10〜300 wt%が好ましく、さら
に好適には50〜250 vt%である。添加量が1O
vt%未満であるとオゾンや各種イオンによる劣化を抑
制する効果の持続性が悪く、添加量が300νt%より
多い場合には、フェノール系酸化防止剤が表面保護層表
面に析出し、白濁する際に表面保護層の機械的強度が劣
化し、複写機内での使用により表面保護層膜が削れやす
くなり、耐久性の劣化という副作用をまねく。
本発明の電子写真用感光体においては表面保護層以外の
光導電層及び導電性支持体の構成及び形成方法は従来と
全く同じである。
光導電層及び導電性支持体の構成及び形成方法は従来と
全く同じである。
本発明に係わる光導電層の構成材料としてはSe、又は
Se−wTe、As2 Se、等のSe系合金;ZnO
,CdS、CdSe等のII−Vl族化合物の粒子を樹
脂に分散させた系;ポリビニルカルバゾール、アントラ
センなどの有機光導電材料:アモルファスSi等が用い
られる。
Se−wTe、As2 Se、等のSe系合金;ZnO
,CdS、CdSe等のII−Vl族化合物の粒子を樹
脂に分散させた系;ポリビニルカルバゾール、アントラ
センなどの有機光導電材料:アモルファスSi等が用い
られる。
形成方法としては使用材料によって蒸着、スパッタリン
グ、塗布などの方法が適宜選択される。
グ、塗布などの方法が適宜選択される。
光導電層の構成は特に制約されず単相であっても或いは
前記光導電材料を主成分とする電荷発生層とドナー又は
アクセプターを主成分とする電荷輸送層との積層であっ
てもよい。厚さは単層型光導電層の場合は3〜10Oμ
m1積層型光導電層の場合は電荷発生層については0.
05〜3μ雪、電荷輸送層については3〜100μ膿の
範囲が適当である。
前記光導電材料を主成分とする電荷発生層とドナー又は
アクセプターを主成分とする電荷輸送層との積層であっ
てもよい。厚さは単層型光導電層の場合は3〜10Oμ
m1積層型光導電層の場合は電荷発生層については0.
05〜3μ雪、電荷輸送層については3〜100μ膿の
範囲が適当である。
さらに表面保護層と光導電層との間に接着性を高めるた
めの接着層、電荷注入を阻止するための電気的バリアー
層、表面保護層形成液中の溶剤により有機系光導電層が
侵されることを防ぐ耐溶剤層を設けてもよい。
めの接着層、電荷注入を阻止するための電気的バリアー
層、表面保護層形成液中の溶剤により有機系光導電層が
侵されることを防ぐ耐溶剤層を設けてもよい。
本発明に係わる導電性支持体としてはAI。
NL、Fe5Cus Au等の金属又は合金;ポリエス
テル、ポリカーボネート、ポリイミド等のプラスチック
又はガラス等の絶縁性基板上にAI、Ag、Au等の金
属膜又はIn2O3、SnO2等の金属酸化物膜を設け
たちの;導電処理紙等が例示できる。形状は特に制約さ
れないが、通常は板状、ドラム状又はベルト状である。
テル、ポリカーボネート、ポリイミド等のプラスチック
又はガラス等の絶縁性基板上にAI、Ag、Au等の金
属膜又はIn2O3、SnO2等の金属酸化物膜を設け
たちの;導電処理紙等が例示できる。形状は特に制約さ
れないが、通常は板状、ドラム状又はベルト状である。
以下、実施例によって本発明を具体的に説明する。
実施例1
80w5φX 340mm (長さ)のAIドラム支
持体を真空蒸着装置内にセットし、またこの装置の蒸着
源ボートにAs25ei合金を入れ、真空度3 X !
0−6Torrq支持体温度200℃、ボート温度45
0℃の条件で蒸着を行い、支持体上に60μ厘厚の光導
電層を形成した。次にこの上に、a)アルコキシ基含有
ポリシロキサンとb)水酸基含有ポリシロキサンと、C
)炭素原子に結合したアミノ基、イミノ基又はニトリル
基を少なくとも1個及びアルコキシ基が2〜3個結合し
た珪素原子を有する有機珪素化合物とを主成分とするシ
リコーン樹脂入(トーレシリコーン社製A Y 42−
440)と前記a)、b)及びC)の成分比が異なるシ
リコーン樹脂B()−レシリコーン社製A Y 42−
441)との等量(重j1)混合物のりグロイン溶液を
塗布し、120℃で1時間乾燥して0,1μ曙厚の電気
的バリアー層を形成した。次にポリカーボネート[2,
2−ビス(4オキシフエニル)プロパン]の5vt%ア
ノン〜THF溶液60重量部と抵抗制御剤5nOz微粉
末2重量とをボールミルで120時間分散した後2.6
−ジーt−ブチル−p−クレゾール(BIT)を0.4
5fflff1部添加し、これを電気的バリアー層上へ
塗布し、130℃で1時間の乾燥を行い、5μ曙厚の表
面保護層を形成して電子写真用感光体を作製した。
持体を真空蒸着装置内にセットし、またこの装置の蒸着
源ボートにAs25ei合金を入れ、真空度3 X !
0−6Torrq支持体温度200℃、ボート温度45
0℃の条件で蒸着を行い、支持体上に60μ厘厚の光導
電層を形成した。次にこの上に、a)アルコキシ基含有
ポリシロキサンとb)水酸基含有ポリシロキサンと、C
)炭素原子に結合したアミノ基、イミノ基又はニトリル
基を少なくとも1個及びアルコキシ基が2〜3個結合し
た珪素原子を有する有機珪素化合物とを主成分とするシ
リコーン樹脂入(トーレシリコーン社製A Y 42−
440)と前記a)、b)及びC)の成分比が異なるシ
リコーン樹脂B()−レシリコーン社製A Y 42−
441)との等量(重j1)混合物のりグロイン溶液を
塗布し、120℃で1時間乾燥して0,1μ曙厚の電気
的バリアー層を形成した。次にポリカーボネート[2,
2−ビス(4オキシフエニル)プロパン]の5vt%ア
ノン〜THF溶液60重量部と抵抗制御剤5nOz微粉
末2重量とをボールミルで120時間分散した後2.6
−ジーt−ブチル−p−クレゾール(BIT)を0.4
5fflff1部添加し、これを電気的バリアー層上へ
塗布し、130℃で1時間の乾燥を行い、5μ曙厚の表
面保護層を形成して電子写真用感光体を作製した。
実施例2
2.8−ジ−t−ブチル−p−クレゾール(BHT)の
添加量を3fffm部に変えた他は実施例1と全く同様
にして電子写真用感光体を作製した。
添加量を3fffm部に変えた他は実施例1と全く同様
にして電子写真用感光体を作製した。
実施例3
2.8−ジ−t−ブチル−p−クレゾール(BHT)の
添加量を7.5重量部に変えた他は実施例1と全く同様
にして電子写真用感光体を作製した。
添加量を7.5重量部に変えた他は実施例1と全く同様
にして電子写真用感光体を作製した。
実施例4
フェノール系酸化防止剤を2,6−ジーt−ブチル−p
−クレゾール(BHT)から 2.6−ジー1−ブチル
フェノールに変えた他は実施例2と全く同様にして電子
写真用感光体を作製した。
−クレゾール(BHT)から 2.6−ジー1−ブチル
フェノールに変えた他は実施例2と全く同様にして電子
写真用感光体を作製した。
実施例5
フェノール系酸化防止剤を2.6−ジーt−ブチル−p
−クレゾール(BIT)から2.5−ジー1−ブチルハ
イドロキノンに変えた他は実施例2と全く同様にして電
子写真用感光体を作製した。
−クレゾール(BIT)から2.5−ジー1−ブチルハ
イドロキノンに変えた他は実施例2と全く同様にして電
子写真用感光体を作製した。
実施例6
実施例1と全く同様にしてAlドラム支持体上らに光導
電層を形成し、次にジルコニウムブチレート 2重量部
、γ−グリシドキシプロビルトリメトキシシラン 1重
量部、BuOH40重量部、0重量部30重量部と0重
量部溶液を光導電層上にし、120℃2時間の乾燥を行
い062μ鑞厚の電気的バリアー層を形成した。次に抵
抗制御剤をSnO2微粉末からAlF3粉末に変え、フ
ェノール系酸化防止剤を2.6−ジーt−ブチル−p−
クレゾール(BIT)から3,5−ジ−t−ブチル−4
−ヒドロキシ−ベンジルフォスフェート−ジエチルエス
テルに変えた他は実施例2と全く同様にして表面保護層
を形成し、電子写真用感光体を作製した。
電層を形成し、次にジルコニウムブチレート 2重量部
、γ−グリシドキシプロビルトリメトキシシラン 1重
量部、BuOH40重量部、0重量部30重量部と0重
量部溶液を光導電層上にし、120℃2時間の乾燥を行
い062μ鑞厚の電気的バリアー層を形成した。次に抵
抗制御剤をSnO2微粉末からAlF3粉末に変え、フ
ェノール系酸化防止剤を2.6−ジーt−ブチル−p−
クレゾール(BIT)から3,5−ジ−t−ブチル−4
−ヒドロキシ−ベンジルフォスフェート−ジエチルエス
テルに変えた他は実施例2と全く同様にして表面保護層
を形成し、電子写真用感光体を作製した。
実施例7
80mmφX34G’ms+ (長さ)のAlドラム
支持体上に下記構造■のフェニルスチルベン誘導体とポ
リカーボネートとテトラヒドロフランをそれぞれ重量比
で1:1:8で溶解したものに全重量の10万分の1の
シリコンオイル(K F 50、信越化学■製)を加え
た溶液を塗布し、乾燥させた膜厚が20μ−の電荷輸送
層を設けた。
支持体上に下記構造■のフェニルスチルベン誘導体とポ
リカーボネートとテトラヒドロフランをそれぞれ重量比
で1:1:8で溶解したものに全重量の10万分の1の
シリコンオイル(K F 50、信越化学■製)を加え
た溶液を塗布し、乾燥させた膜厚が20μ−の電荷輸送
層を設けた。
次にこの上に下記構造!のジスアゾ顔料とポリエステル
樹脂(バイロン200、東洋紡■製)の固形分を重量比
で5:2のものをテトラヒドロフランとエチルセルソル
ブがin比で4二6の分散媒に固形分濃度が1!![量
%になるように分散させた分散液を塗布し、乾燥させ0
.5μ■厚の電荷発生層を設け、光導電層を形成した。
樹脂(バイロン200、東洋紡■製)の固形分を重量比
で5:2のものをテトラヒドロフランとエチルセルソル
ブがin比で4二6の分散媒に固形分濃度が1!![量
%になるように分散させた分散液を塗布し、乾燥させ0
.5μ■厚の電荷発生層を設け、光導電層を形成した。
次にこの光導電層上にポリイミド5wt%MeOH−B
uOH溶液を塗布し120℃で20分間の乾燥を行い、
0.3μ厘厚の電気的バリアー層を形成した。
uOH溶液を塗布し120℃で20分間の乾燥を行い、
0.3μ厘厚の電気的バリアー層を形成した。
この電気的バリアー層上に、フェノール系酸化防止剤を
2.6−ジーt−ブチル−p−クレゾール(BIT)か
らDLL−α−トコフェロールに変えた他は実施例2と
全く同様にして表面保護層を形成し電子写真用感光体を
作製した。
2.6−ジーt−ブチル−p−クレゾール(BIT)か
らDLL−α−トコフェロールに変えた他は実施例2と
全く同様にして表面保護層を形成し電子写真用感光体を
作製した。
比較例1
フェノール系酸化防止剤2,6−ジーt−ブチル−p−
クレゾール(BIT)を添加しない他は実施例1と全く
同様にして電子写真用感光体を作製した。
クレゾール(BIT)を添加しない他は実施例1と全く
同様にして電子写真用感光体を作製した。
比較例2
2.8−ジ−t−ブチル−p−クレゾールの添加量を0
.O3ff1m部に変えた他は実施例1と全く同様にし
て電子写真用感光体を作製した。
.O3ff1m部に変えた他は実施例1と全く同様にし
て電子写真用感光体を作製した。
比較例3
2.6−ジーt−ブチル−p−クレゾールの添加量を1
2重量部に変えた他は実施例1と全く同様にして電子写
真用感光体を作製した。
2重量部に変えた他は実施例1と全く同様にして電子写
真用感光体を作製した。
比較例4
フェノール系酸化防止剤DL−α−トコフェロールを添
加しない他は実施例7と全く同様にして電子写真用感光
体を作製した。
加しない他は実施例7と全く同様にして電子写真用感光
体を作製した。
実施例1〜7及び比較例1〜4で作製した電子写真用感
光体を普通紙複写機(リコー製PT8550)に組込み
、複写枚数毎の作像環境による解像力の変化を評価した
結果を表−1に示す。
光体を普通紙複写機(リコー製PT8550)に組込み
、複写枚数毎の作像環境による解像力の変化を評価した
結果を表−1に示す。
表−1
解像力(ll/本)
・評価方法:常温常湿で3万枚、10万枚、30万枚複
写後、それぞれについて20℃50%R■と30℃90
%R■の理境下で作像を行い、解像力(本/11)を評
価した。
写後、それぞれについて20℃50%R■と30℃90
%R■の理境下で作像を行い、解像力(本/11)を評
価した。
・注−1,2:18万枚程度で表面保護層が摩耗により
消滅した。
消滅した。
表−1から明らかな様に、表面保護層の結着樹脂として
ポリカーボネートを用い、更に多量にフェノール系酸化
防止剤を添加したものは長期間の使用に渡って良好な画
質を維持出来る信頼性の高い電子写真用感光体であるこ
とが判る。
ポリカーボネートを用い、更に多量にフェノール系酸化
防止剤を添加したものは長期間の使用に渡って良好な画
質を維持出来る信頼性の高い電子写真用感光体であるこ
とが判る。
ポリカーボネートに対するフェノール系酸化防止剤の添
加量は重量比で10〜300 vt%が好適で、1Ov
t%以下の添加ではオゾンや各種イオンによる高温高湿
下、像流れの抑制効果の持続性が十分ではなく、300
wt%以上の添加では表面保護層被膜の表面は初期から
白濁して荒れており、塗膜の機械的強度の劣化が起り、
耐久性という点で副作用が生じた。
加量は重量比で10〜300 vt%が好適で、1Ov
t%以下の添加ではオゾンや各種イオンによる高温高湿
下、像流れの抑制効果の持続性が十分ではなく、300
wt%以上の添加では表面保護層被膜の表面は初期から
白濁して荒れており、塗膜の機械的強度の劣化が起り、
耐久性という点で副作用が生じた。
[発明の効果]
以上説明したように本発明によればコロナ放電により発
生するオゾンや各種イオンによって全く劣化することの
ない、長期使用に渡って良好な画像品質を維持出来る表
面保護層を有した電子写真用感光体が得られる。
生するオゾンや各種イオンによって全く劣化することの
ない、長期使用に渡って良好な画像品質を維持出来る表
面保護層を有した電子写真用感光体が得られる。
Claims (2)
- (1)導電性支持体上に光導電層とその表面保護層を有
する電子写真用感光体において、表面保護層がポリカー
ボネートとフェノール系酸化防止剤を含有していること
を特徴とする電子写真用感光体。 - (2)フェノール系酸化防止剤の含有量がポリカーボネ
ートに対して重量比で10〜300wt%であることを
特徴とする請求項(1)記載の電子写真用感光体。
Priority Applications (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP16682589A JPH0333864A (ja) | 1989-06-30 | 1989-06-30 | 電子写真用感光体 |
Applications Claiming Priority (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP16682589A JPH0333864A (ja) | 1989-06-30 | 1989-06-30 | 電子写真用感光体 |
Publications (1)
| Publication Number | Publication Date |
|---|---|
| JPH0333864A true JPH0333864A (ja) | 1991-02-14 |
Family
ID=15838364
Family Applications (1)
| Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
|---|---|---|---|
| JP16682589A Pending JPH0333864A (ja) | 1989-06-30 | 1989-06-30 | 電子写真用感光体 |
Country Status (1)
| Country | Link |
|---|---|
| JP (1) | JPH0333864A (ja) |
Cited By (3)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| EP0605127A1 (en) * | 1992-12-28 | 1994-07-06 | Xerox Corporation | Overcoating for multilayered organic photoreceptors containing a stabilizer and charge transport molecules |
| US8400898B2 (en) | 2009-10-02 | 2013-03-19 | Hitachi Consumer Electronics Co., Ltd. | Optical recording and reproducing apparatus |
| US8730775B2 (en) | 2010-03-29 | 2014-05-20 | Hitachi Consumer Electronics Co., Ltd. | Optical information reproducing device, optical information recording device, and method for recording optical information |
-
1989
- 1989-06-30 JP JP16682589A patent/JPH0333864A/ja active Pending
Cited By (3)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| EP0605127A1 (en) * | 1992-12-28 | 1994-07-06 | Xerox Corporation | Overcoating for multilayered organic photoreceptors containing a stabilizer and charge transport molecules |
| US8400898B2 (en) | 2009-10-02 | 2013-03-19 | Hitachi Consumer Electronics Co., Ltd. | Optical recording and reproducing apparatus |
| US8730775B2 (en) | 2010-03-29 | 2014-05-20 | Hitachi Consumer Electronics Co., Ltd. | Optical information reproducing device, optical information recording device, and method for recording optical information |
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