JPH0334045Y2 - - Google Patents

Description

【考案の詳細な説明】 (イ) 産業上の利用分野 本考案は陰極線管に使用されるゲツター装置に
関するものである。

(ロ) 従来の技術 第３図は陰極線管の断面構造を示しており、１
は電子銃２が収納されるネツク部、３はアノード
釦４が設けられたフアンネル部、５は該フアンネ
ル部３にフリツトガラス６により接合されたパネ
ル、７は該パネル５の内面に形成された螢光面、
８は電子銃２のアノード電極２ａから導電性コン
タクトバネ９を介して高電圧が供給されるととも
に前記螢光面７にその高圧を導く役目も果す内部
導電被膜である。前記電子銃２のアノード電極２
ａには円環状の容器内にゲツター剤が収納された
ゲツター１０が取付けられている。

このゲツター１０の役目はそれに収納されたゲ
ツター剤（酸化バリウム）を外部から高周波加熱
することにより還元させてバリウムとし、そのバ
リウムが陰極線管管体内の真空空間中に在る不純
物を吸収することによつて陰極線管管体内を高真
空状態に保持することにある。

しかしながら、高周波加熱によつてゲツター剤
を加熱（以下このことを「ゲツターフラツシユ」
という）させたときの飛散物（バリウム）は矢印
で示すように螢光面７に向つて飛散し、螢光面７
に付着してしまい螢光面に不所望な影響を与え
る。特にビームインデツクス方式の陰極線管にお
いては螢光面の内面にインデツクス螢光体を配設
するようにしているので、飛散したバリウムがイ
ンデツクス螢光体に付着した場合、電子ビームが
十分に刺激できずこの螢光体から得られるインデ
ツクス信号の強度が弱くなるという不都合を招来
する。

尚、実開昭50−112054号公報にはゲツター剤の
飛散方向を考慮したゲツター装置が記載されてい
るが、必ずしも十分な対策とは云えない。

(ハ) 考案が解決しようとする問題点 本考案はゲツターフラツシユ時における飛散物
が螢光面に付着しないように工夫したゲツター装
置を得ようとしている。

(ニ) 問題点を解決するための手段 ネツク部を施蓋できる板体を、該板体によつて
前記ネツク部を塞ぐように記憶した形状記憶合金
を配置した。

(ホ) 作用 上記のように構成することにより、ゲツターフ
ラツシユ時に形状記憶合金を加熱してやれば、板
体によりネツク部が塞がれ、前記記憶合金が冷却
すると板体が元の位置に戻つて電子ビーム通過の
ための軌道が開かれる。

(ヘ) 実施例 以下、本考案の実施例を第３図と同一部分には
同一符号を付した第１図及び第２図を参照しつつ
説明する。

第２図において、１１は電子銃２のアノード電
極２ａにスポツト溶接等の手段により固着された
非磁性体よりなる支持棒、１２は該支持棒１１に
一端がスポツト溶接等により接合され、他端にネ
ツク部１を施蓋するのに十分な大きさの非磁性体
からなる板体１３を同様にスポツト溶接により接
合するとともに前記板体１３でネツク部１を塞ぐ
ように変形するように記憶された形状記憶合金で
あつて、これら支持棒１１、形状記憶合金１２及
び板体１３は第２図のような形でネツク部１内部
に電子銃２とともに配設される。そして、ゲツタ
ーフラツシユを行なうに当り、まず、前記形状記
憶合金１２を高周波加熱等の手段により加熱して
やれば、この合金１２が折曲して第１図の如く板
体１３がネツク部１を塞ぐので、このときゲツタ
ーフラツシユすると、ゲツター１０からの飛散物
は前記板体１３によつて遮られるので、螢光面に
前記飛散物が付着する虞れは全くなくなる。この
後、前記形状記憶合金１２を冷却せしめると該合
金１２が元の形状に復帰するので、これによつて
板体１３も第２図の如く変位し、電子ビーム走行
経路が開かれる訳である。

(ト) 考案の効果 本考案に依れば、ゲツターからの飛散物が螢光
面に付着するのを確実に防止し得、極めて有用で
ある。

【図面の簡単な説明】

第１図及び第２図はそれぞれ本考案のゲツター
装置を示す図、第３図は従来のゲツター装置を説
明するための図である。 １…ネツク部、２…電子銃、１０…ゲツター、
１１…支持棒、１２…形状記憶合金、１３…板
体。

Claims (1)

【実用新案登録請求の範囲】
1. 陰極線管のネツク部内に収納される電子銃に取
   付けられた支持部材に、少なくとも前記ネツク部
   を施蓋できる大きさの板体を、該板体によつて前
   記ネツク部を塞ぐように記憶された形状記憶合金
   を介して取付け、前記板体により前記電子銃の前
   方に配されたゲツターからの飛散物を遮るように
   したゲツター装置。