JPH0334201B2 - - Google Patents
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- JPH0334201B2 JPH0334201B2 JP59280365A JP28036584A JPH0334201B2 JP H0334201 B2 JPH0334201 B2 JP H0334201B2 JP 59280365 A JP59280365 A JP 59280365A JP 28036584 A JP28036584 A JP 28036584A JP H0334201 B2 JPH0334201 B2 JP H0334201B2
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Classifications
-
- H—ELECTRICITY
- H01—ELECTRIC ELEMENTS
- H01C—RESISTORS
- H01C1/00—Details
- H01C1/02—Housing; Enclosing; Embedding; Filling the housing or enclosure
- H01C1/034—Housing; Enclosing; Embedding; Filling the housing or enclosure the housing or enclosure being formed as coating or mould without outer sheath
-
- H—ELECTRICITY
- H01—ELECTRIC ELEMENTS
- H01C—RESISTORS
- H01C7/00—Non-adjustable resistors formed as one or more layers or coatings; Non-adjustable resistors made from powdered conducting material or powdered semi-conducting material with or without insulating material
- H01C7/02—Non-adjustable resistors formed as one or more layers or coatings; Non-adjustable resistors made from powdered conducting material or powdered semi-conducting material with or without insulating material having positive temperature coefficient
-
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- H01C7/027—Non-adjustable resistors formed as one or more layers or coatings; Non-adjustable resistors made from powdered conducting material or powdered semi-conducting material with or without insulating material having positive temperature coefficient consisting of conducting or semi-conducting material dispersed in a non-conductive organic material
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Description
（産業上の利用分野）
この発明は有機正特性サーミスタに関し、特に
たとえば高分子材料にカーボンブラツク等を混在
した正特性サーミスタ素子の周囲に外装材が形成
された有機正特性サーミスタに関する。 （従来技術） この種の有機正特性サーミスタが、特開昭55−
98801号公報に開示されている。 有機正特性サーミスタは、酸素中では、サーミ
スタ素子が酸素を吸収して、たとえば、初期抵抗
値が大きくなるという電気的特性上の劣化が生じ
る。そのため、サーミスタ素子の周囲にバリヤな
いし外装材を形成してその劣化を防止することが
行なわれている。この外装材は樹脂たとえばエポ
キシ樹脂によつて形成される。この場合、その劣
化を防止するためには、樹脂の架橋密度が高い程
好ましい。 （発明が解決しようとする問題点） 外装材としての樹脂の架橋密度を上げれば、脆
性が大きくなり、耐ヒートシヨツク性が悪くな
る。すなわち、たとえばヒートシヨツク試験（−
50℃−＋120℃）によつて、外装材のひび割れや
サーミスタ素子および電極の破壊などが生じる。
これでは、有機正特性サーミスタをたとえば回路
保護装置として用いた場合に、その機能を全く果
たさなくなるという本質的な問題となる。 それゆえに、この発明の主たる目的は、電気的
特性が安定でしかも耐ヒートシヨツク性にすぐれ
た有機正特性サーミスタを提供することである。 （問題点を解決するための手段） この発明は、外装材として60wt％〜80wt％の
絶縁性フイラーを含有した樹脂を用いた、有機正
特性サーミスタである。 （作用） 樹脂中に含有されたフイラーは、樹脂の架橋密
度を粗にし、かつ外装材内部に気泡を散在させる
ように機能し、その結果、外装材自身のヤング率
を低下させるようにし、サーミスタ素子との熱膨
張率の差を外装材で吸収、緩和させるような作用
を果たす。しかも、フイラーの含有率が、有機正
特性サーミスタの電気的特性上外装材として実用
可能な範囲に設定される。 （発明の効果） この発明によれば、外装材がサーミスタ素子と
の熱膨張差を吸収、緩和するので、ヒートシヨツ
クによる外装材のひび割れや有機正特性サーミス
タ素子や電極の破壊を抑えることができる。さら
に、外装材が酸素を適度に遮蔽するので、酸素吸
収による電気的特性の劣化も防止され得る。 この発明の上述の目的、その他の目的、特徴お
よび利点は、図面を参照して行なう以下の実施例
の詳細な説明から一層明らかとなろう。 （実施例） 第１図はこの発明の一実施例を示す断面図であ
る。有機正特性サーミスタ１０は、たとえば円板
状の有機正特性サーミスタ素子１２を含む。サー
ミスタ素子１２は、たとえば特開昭54−62249号
公報などで知られているように、それぞれがたと
えば架橋されたポリエチレンなどの高分子材料か
らなり、さらに、たとえばカーボンブラツクなど
の導電粒子が混在されている。そして、サーミス
タ素子１２は、そのポリエチレンなどの樹脂が温
度上昇にともなつて膨張し各々の導電粒子間を引
き離すように働くので、温度上昇にともなつてそ
の抵抗値が上がるという正の温度−抵抗特性を示
す。 このサーミスタ素子１２の両主面には、電極１
４および１６がそれぞれ形成される。これら電極
１４および１６としては、たとえば銅やニツケル
などからなる金属箔が用いられる。電極１４およ
び１６には、リード線１８および２０がそれぞれ
接続される。 さらに、外装材２２が、サーミスタ素子１２、
電極１４および１６ならびにリード線１８および
２０の一部を覆うように、形成される。この外装
材２２は、その中に絶縁性フイラーを含有したた
とえばエポキシ樹脂などの合成樹脂によつて形成
される。フイラーの材料としては、シリカ、アル
ミナ、水酸化アルミニウム、タルク、炭酸カルシ
ウムなどが用いられる。このフイラーは、樹脂中
に60wt％〜80wt％の含有率で含有される。した
がつて、フイラーを含有することによつて樹脂の
使用量を少なくできるので、有機正特性サーミス
タ全体としてコストの低減が可能となる。しかも
フイラーを含有させることにより、外装材とサー
ミスタ素子との間の熱膨張率の差が大きくなる方
向に向かつても、フイラーが逆に外装材自身のヤ
ング率を低下させるように作用するため、耐ヒー
トシヨツク性にすぐれたものになる。 実験例 実験例では、まず、下記の表で示す条件で、
外装材２２（第１図）を形成してそれぞれ５個ず
つのサンプル、、、およびを得た。
たとえば高分子材料にカーボンブラツク等を混在
した正特性サーミスタ素子の周囲に外装材が形成
された有機正特性サーミスタに関する。 （従来技術） この種の有機正特性サーミスタが、特開昭55−
98801号公報に開示されている。 有機正特性サーミスタは、酸素中では、サーミ
スタ素子が酸素を吸収して、たとえば、初期抵抗
値が大きくなるという電気的特性上の劣化が生じ
る。そのため、サーミスタ素子の周囲にバリヤな
いし外装材を形成してその劣化を防止することが
行なわれている。この外装材は樹脂たとえばエポ
キシ樹脂によつて形成される。この場合、その劣
化を防止するためには、樹脂の架橋密度が高い程
好ましい。 （発明が解決しようとする問題点） 外装材としての樹脂の架橋密度を上げれば、脆
性が大きくなり、耐ヒートシヨツク性が悪くな
る。すなわち、たとえばヒートシヨツク試験（−
50℃−＋120℃）によつて、外装材のひび割れや
サーミスタ素子および電極の破壊などが生じる。
これでは、有機正特性サーミスタをたとえば回路
保護装置として用いた場合に、その機能を全く果
たさなくなるという本質的な問題となる。 それゆえに、この発明の主たる目的は、電気的
特性が安定でしかも耐ヒートシヨツク性にすぐれ
た有機正特性サーミスタを提供することである。 （問題点を解決するための手段） この発明は、外装材として60wt％〜80wt％の
絶縁性フイラーを含有した樹脂を用いた、有機正
特性サーミスタである。 （作用） 樹脂中に含有されたフイラーは、樹脂の架橋密
度を粗にし、かつ外装材内部に気泡を散在させる
ように機能し、その結果、外装材自身のヤング率
を低下させるようにし、サーミスタ素子との熱膨
張率の差を外装材で吸収、緩和させるような作用
を果たす。しかも、フイラーの含有率が、有機正
特性サーミスタの電気的特性上外装材として実用
可能な範囲に設定される。 （発明の効果） この発明によれば、外装材がサーミスタ素子と
の熱膨張差を吸収、緩和するので、ヒートシヨツ
クによる外装材のひび割れや有機正特性サーミス
タ素子や電極の破壊を抑えることができる。さら
に、外装材が酸素を適度に遮蔽するので、酸素吸
収による電気的特性の劣化も防止され得る。 この発明の上述の目的、その他の目的、特徴お
よび利点は、図面を参照して行なう以下の実施例
の詳細な説明から一層明らかとなろう。 （実施例） 第１図はこの発明の一実施例を示す断面図であ
る。有機正特性サーミスタ１０は、たとえば円板
状の有機正特性サーミスタ素子１２を含む。サー
ミスタ素子１２は、たとえば特開昭54−62249号
公報などで知られているように、それぞれがたと
えば架橋されたポリエチレンなどの高分子材料か
らなり、さらに、たとえばカーボンブラツクなど
の導電粒子が混在されている。そして、サーミス
タ素子１２は、そのポリエチレンなどの樹脂が温
度上昇にともなつて膨張し各々の導電粒子間を引
き離すように働くので、温度上昇にともなつてそ
の抵抗値が上がるという正の温度−抵抗特性を示
す。 このサーミスタ素子１２の両主面には、電極１
４および１６がそれぞれ形成される。これら電極
１４および１６としては、たとえば銅やニツケル
などからなる金属箔が用いられる。電極１４およ
び１６には、リード線１８および２０がそれぞれ
接続される。 さらに、外装材２２が、サーミスタ素子１２、
電極１４および１６ならびにリード線１８および
２０の一部を覆うように、形成される。この外装
材２２は、その中に絶縁性フイラーを含有したた
とえばエポキシ樹脂などの合成樹脂によつて形成
される。フイラーの材料としては、シリカ、アル
ミナ、水酸化アルミニウム、タルク、炭酸カルシ
ウムなどが用いられる。このフイラーは、樹脂中
に60wt％〜80wt％の含有率で含有される。した
がつて、フイラーを含有することによつて樹脂の
使用量を少なくできるので、有機正特性サーミス
タ全体としてコストの低減が可能となる。しかも
フイラーを含有させることにより、外装材とサー
ミスタ素子との間の熱膨張率の差が大きくなる方
向に向かつても、フイラーが逆に外装材自身のヤ
ング率を低下させるように作用するため、耐ヒー
トシヨツク性にすぐれたものになる。 実験例 実験例では、まず、下記の表で示す条件で、
外装材２２（第１図）を形成してそれぞれ５個ず
つのサンプル、、、およびを得た。
【表】
前表で、硬化は、80度で１時間、さらに100度
で２時間、熱を加えて主剤を硬化するような条件
とした。 そして、５個ずつの各サンプル〜につい
て、ヒートシヨツク試験を行なつた。ヒートシヨ
ツク試験では、各サンプルを−50℃の恒温槽に５
分間入れ直ちに120℃の恒温槽に５分間入れるの
を１サイクルとして、何サイクルまでこのような
ヒートシヨツクに耐え得るかを調べた。その結果
が第２図に示される。 第２図から明らかなように、サンプルについ
ては、５個のサンプルのうちの３個が25サイクル
（実用に供するために耐えるべきサイクル）以上
ものヒートシヨツクに耐えたが、他の１個は25サ
イクル目に破壊され残りの１個は22サイクル目に
破壊された。また、サンプルについては、５個
のサンプルのうち２個が25サイクル以上ものヒー
トシヨツクに耐えたが、他の１個は25サイクル目
に破壊され残りの２個は20サイクル目に破壊され
た。しかしながら、サンプル〜については、
全てが25サイクル以上ものヒートシヨツクに耐え
た。 このように、外装材２２（第１図）のフイラー
含有率を85wt％にしたサンプルでは、フイラ
ーの含有量が多すぎて樹脂の架橋密度が下がりす
ぎ、フイラー粒子間の結合力や外装材とサーミス
タ素子との結合力が劣るため耐ヒートシヨツク性
が劣り、外装材の破壊が起きた。一方、外装材２
２のフイラー含有率を55wt％にしたサンプル
では、フイラーの含有量が少なすぎて樹脂の架橋
密度が高くなりすぎ、外装材の膨張、収縮に対す
る自由度が小さすぎ、脆性が増すため耐ヒートシ
ヨツク性が劣り、サーミスタ素子自体の破壊が起
きた。しかしながら、フイラー含有率を60wt％
〜80wt％にしたサンプル〜では実用に供す
るためのヒートシヨツクに耐えた。 実験例の結果より、外装材としてフイラーを
60wt％〜80wt％の含有率で含有した樹脂を用い
れば、樹脂とフイラーとの適度な配合バランスに
よりその耐ヒートシヨツク性が向上し、保護装置
として十分実用に耐え得るものが得られることが
わかる。 また、フイラー含有率を80wt％を超える値に
すると、サンプルのような外装材の破壊が生じ
るばかりでなく、外装材としての成型性が悪くな
るため実用性に欠けるので、この発明ではフイラ
ー含有率を80wt％を超える値のものを除外した。 実験例 実験例では、まず、実験例で用いたサンプ
ルと同じサンプル〜を準備した。 そして、各サンプルのリード線を可変電圧交流
電源に接続して電圧を印加した。この試験では、
初めの30秒間は30〜45Vの電圧を印加し、その後
の２分間で120Vまで昇圧した。なお、120Vの電
圧を印加する際には、サンプルと電源との接続を
一定時間間隔で切り離して行なつた。そして、サ
ンプルと電源との切り離し後、サンプルを30分間
室温（25°）に放置しその初期抵抗値を測定した。
その結果を第３図に示す。 第３図は横軸に時間をとり、縦軸に電圧を印加
する前の各サンプル〜の初期抵抗値を基準に
した場合の初期抵抗値の変化率をとつたグラフで
ある。 第３図より明らかなように、サンプルについ
ては、外装材のフイラー含有率が多いためその酸
素透過率が大きくなり過ぎ、電圧印加の時間経過
にともなつてその初期抵抗値の変化率が大きくな
り実用になり得ない。しかしながら、サンプル
〜については、外装材の酸素透過率が適度に制
限され、2000時間しても初期抵抗の変化率が小さ
く十分実用に耐え得るものとして得られた。 実験例の結果より、外装材中のフイラー含有
率が少ないほど有機正特性サーミスタの電気的特
性は良くなることがわかる。さらに、樹脂中に
80wt％以下のフイラーを含有したものを外装材
として用いれば、サンプル〜の結果から、有
機正特性サーミスタの電気的特性が実用上問題に
ならないことが確認される。しかしながら、フイ
ラーを含有した外装材であつても、フイラーの含
有率が80wt％を越えるようになれば、サンプル
の結果から、初期抵抗の経時劣化が大きくなる
ことがわかる。したがつて、フイラーの含有率は
80wt％以下にすることが好ましい。 なお、フイラーの含有率が60wt％を下まわる
ようになると、実験例からわかるように、従来
のものと同様に、外装材がサーミスタ素子との熱
膨張差を吸収、緩和しきれず、耐ヒートシヨツク
性が悪くなりすぎるので、この発明では、電気的
特性が安定でしかも耐ヒートシヨツク性が満足で
きる有機正特性サーミスタを得るためには、樹脂
中に含有させるフイラーの含有率を60wt％〜
80wt％の範囲に設定したのである。 なお、外装材２２の酸素透過率はたとえばその
材料となる樹脂、フイラーおよびバインダの混合
比や種類、それを形成するための焼付温度および
その膜厚などを変えることによつて変わるが、こ
の含有率の範囲でフイラーを含有した外装材２２
は、実用可能な程度に酸素を遮蔽する。上述のフ
イラー含有率の範囲にあるサンプル〜の外装
材の酸素透過率は、それぞれ、６×10-7、３×
10-7、７×10-9c.c.／cm2／mm／sec／cmHgであつ
た。これは、特開昭55−98801号公報に外装材の
酸素透過率を５×10-9c.c.／cm2／mm／sec／cmHg以
下にすることが望ましいと開示されているが、外
装材中にフイラーを含有させることによつてその
酸素透過率を５×10-9c.c.／cm2／mm／sec／cmHg以
上たとえばサンプルのように酸素透過率を６×
10-7c.c.／cm2／mm／sec／cmHgにしても実用上問題
にならないことがわかる。また、参考までに、サ
ンプルおよびの酸素透過率は、それぞれ、７
×10-6および３×10-9c.c.／cm2／mm／sec／cmHgで
あつた。
で２時間、熱を加えて主剤を硬化するような条件
とした。 そして、５個ずつの各サンプル〜につい
て、ヒートシヨツク試験を行なつた。ヒートシヨ
ツク試験では、各サンプルを−50℃の恒温槽に５
分間入れ直ちに120℃の恒温槽に５分間入れるの
を１サイクルとして、何サイクルまでこのような
ヒートシヨツクに耐え得るかを調べた。その結果
が第２図に示される。 第２図から明らかなように、サンプルについ
ては、５個のサンプルのうちの３個が25サイクル
（実用に供するために耐えるべきサイクル）以上
ものヒートシヨツクに耐えたが、他の１個は25サ
イクル目に破壊され残りの１個は22サイクル目に
破壊された。また、サンプルについては、５個
のサンプルのうち２個が25サイクル以上ものヒー
トシヨツクに耐えたが、他の１個は25サイクル目
に破壊され残りの２個は20サイクル目に破壊され
た。しかしながら、サンプル〜については、
全てが25サイクル以上ものヒートシヨツクに耐え
た。 このように、外装材２２（第１図）のフイラー
含有率を85wt％にしたサンプルでは、フイラ
ーの含有量が多すぎて樹脂の架橋密度が下がりす
ぎ、フイラー粒子間の結合力や外装材とサーミス
タ素子との結合力が劣るため耐ヒートシヨツク性
が劣り、外装材の破壊が起きた。一方、外装材２
２のフイラー含有率を55wt％にしたサンプル
では、フイラーの含有量が少なすぎて樹脂の架橋
密度が高くなりすぎ、外装材の膨張、収縮に対す
る自由度が小さすぎ、脆性が増すため耐ヒートシ
ヨツク性が劣り、サーミスタ素子自体の破壊が起
きた。しかしながら、フイラー含有率を60wt％
〜80wt％にしたサンプル〜では実用に供す
るためのヒートシヨツクに耐えた。 実験例の結果より、外装材としてフイラーを
60wt％〜80wt％の含有率で含有した樹脂を用い
れば、樹脂とフイラーとの適度な配合バランスに
よりその耐ヒートシヨツク性が向上し、保護装置
として十分実用に耐え得るものが得られることが
わかる。 また、フイラー含有率を80wt％を超える値に
すると、サンプルのような外装材の破壊が生じ
るばかりでなく、外装材としての成型性が悪くな
るため実用性に欠けるので、この発明ではフイラ
ー含有率を80wt％を超える値のものを除外した。 実験例 実験例では、まず、実験例で用いたサンプ
ルと同じサンプル〜を準備した。 そして、各サンプルのリード線を可変電圧交流
電源に接続して電圧を印加した。この試験では、
初めの30秒間は30〜45Vの電圧を印加し、その後
の２分間で120Vまで昇圧した。なお、120Vの電
圧を印加する際には、サンプルと電源との接続を
一定時間間隔で切り離して行なつた。そして、サ
ンプルと電源との切り離し後、サンプルを30分間
室温（25°）に放置しその初期抵抗値を測定した。
その結果を第３図に示す。 第３図は横軸に時間をとり、縦軸に電圧を印加
する前の各サンプル〜の初期抵抗値を基準に
した場合の初期抵抗値の変化率をとつたグラフで
ある。 第３図より明らかなように、サンプルについ
ては、外装材のフイラー含有率が多いためその酸
素透過率が大きくなり過ぎ、電圧印加の時間経過
にともなつてその初期抵抗値の変化率が大きくな
り実用になり得ない。しかしながら、サンプル
〜については、外装材の酸素透過率が適度に制
限され、2000時間しても初期抵抗の変化率が小さ
く十分実用に耐え得るものとして得られた。 実験例の結果より、外装材中のフイラー含有
率が少ないほど有機正特性サーミスタの電気的特
性は良くなることがわかる。さらに、樹脂中に
80wt％以下のフイラーを含有したものを外装材
として用いれば、サンプル〜の結果から、有
機正特性サーミスタの電気的特性が実用上問題に
ならないことが確認される。しかしながら、フイ
ラーを含有した外装材であつても、フイラーの含
有率が80wt％を越えるようになれば、サンプル
の結果から、初期抵抗の経時劣化が大きくなる
ことがわかる。したがつて、フイラーの含有率は
80wt％以下にすることが好ましい。 なお、フイラーの含有率が60wt％を下まわる
ようになると、実験例からわかるように、従来
のものと同様に、外装材がサーミスタ素子との熱
膨張差を吸収、緩和しきれず、耐ヒートシヨツク
性が悪くなりすぎるので、この発明では、電気的
特性が安定でしかも耐ヒートシヨツク性が満足で
きる有機正特性サーミスタを得るためには、樹脂
中に含有させるフイラーの含有率を60wt％〜
80wt％の範囲に設定したのである。 なお、外装材２２の酸素透過率はたとえばその
材料となる樹脂、フイラーおよびバインダの混合
比や種類、それを形成するための焼付温度および
その膜厚などを変えることによつて変わるが、こ
の含有率の範囲でフイラーを含有した外装材２２
は、実用可能な程度に酸素を遮蔽する。上述のフ
イラー含有率の範囲にあるサンプル〜の外装
材の酸素透過率は、それぞれ、６×10-7、３×
10-7、７×10-9c.c.／cm2／mm／sec／cmHgであつ
た。これは、特開昭55−98801号公報に外装材の
酸素透過率を５×10-9c.c.／cm2／mm／sec／cmHg以
下にすることが望ましいと開示されているが、外
装材中にフイラーを含有させることによつてその
酸素透過率を５×10-9c.c.／cm2／mm／sec／cmHg以
上たとえばサンプルのように酸素透過率を６×
10-7c.c.／cm2／mm／sec／cmHgにしても実用上問題
にならないことがわかる。また、参考までに、サ
ンプルおよびの酸素透過率は、それぞれ、７
×10-6および３×10-9c.c.／cm2／mm／sec／cmHgで
あつた。
第１図はこの発明の一実施例を示す断面図解図
である。第２図は実験例の結果を示すグラフで
ある。第３図は実験例の結果を示すグラフであ
り、横軸に時間の経過を、縦軸に初期抵抗値の変
化率を、それぞれ示す。 図において、１０は有機正特性サーミスタ、１
２は有機正特性サーミスタ素子、１４および１６
は電極、１８および２０はリード線、２２は外装
材を示す。
である。第２図は実験例の結果を示すグラフで
ある。第３図は実験例の結果を示すグラフであ
り、横軸に時間の経過を、縦軸に初期抵抗値の変
化率を、それぞれ示す。 図において、１０は有機正特性サーミスタ、１
２は有機正特性サーミスタ素子、１４および１６
は電極、１８および２０はリード線、２２は外装
材を示す。
Claims (1)
- 【特許請求の範囲】 １ 有機正特性サーミスタ素子と、前記有機正特
性サーミスタ素子に接続される電極と、前記有機
正特性サーミスタ素子の周囲に形成される外装材
とを含む、有機正特性サーミスタにおいて、 前記外装材として60wt％〜80wt％の絶縁性フ
イラーを含有した樹脂を用いたことを特徴とす
る、有機正特性サーミスタ。
Priority Applications (2)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP59280365A JPS61159702A (ja) | 1984-12-29 | 1984-12-29 | 有機正特性サ−ミスタ |
| US06/813,706 US4752762A (en) | 1984-12-29 | 1985-12-27 | Organic positive temperature coefficient thermistor |
Applications Claiming Priority (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP59280365A JPS61159702A (ja) | 1984-12-29 | 1984-12-29 | 有機正特性サ−ミスタ |
Publications (2)
| Publication Number | Publication Date |
|---|---|
| JPS61159702A JPS61159702A (ja) | 1986-07-19 |
| JPH0334201B2 true JPH0334201B2 (ja) | 1991-05-21 |
Family
ID=17623992
Family Applications (1)
| Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
|---|---|---|---|
| JP59280365A Granted JPS61159702A (ja) | 1984-12-29 | 1984-12-29 | 有機正特性サ−ミスタ |
Country Status (2)
| Country | Link |
|---|---|
| US (1) | US4752762A (ja) |
| JP (1) | JPS61159702A (ja) |
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| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
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| US4937551A (en) * | 1989-02-02 | 1990-06-26 | Therm-O-Disc, Incorporated | PTC thermal protector device |
| US5204044A (en) * | 1989-03-28 | 1993-04-20 | Aisan Kogyo Kabushiki Kaisha | Method of asembling a DC solenoid with a thermistor |
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| US6242997B1 (en) | 1998-03-05 | 2001-06-05 | Bourns, Inc. | Conductive polymer device and method of manufacturing same |
| US6236302B1 (en) | 1998-03-05 | 2001-05-22 | Bourns, Inc. | Multilayer conductive polymer device and method of manufacturing same |
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| US6429533B1 (en) | 1999-11-23 | 2002-08-06 | Bourns Inc. | Conductive polymer device and method of manufacturing same |
| CN1319079C (zh) * | 2000-01-11 | 2007-05-30 | 泰科电子有限公司 | 电气装置和电组件及数字信号的电信电路 |
| DE10051139A1 (de) * | 2000-10-16 | 2002-04-25 | Tridonic Bauelemente | Elektronisches Vorschaltgerät mit Vollbrückenschaltung |
| JP3831363B2 (ja) * | 2003-06-24 | 2006-10-11 | Ｔｄｋ株式会社 | 有機質正特性サーミスタ及びその製造方法並びにその酸素含有量の測定方法 |
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| US7999363B2 (en) * | 2007-01-25 | 2011-08-16 | Alpha & Omega Semiconductor, Ltd | Structure and method for self protection of power device |
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| US20120217233A1 (en) * | 2011-02-28 | 2012-08-30 | Tom Richards, Inc. | Ptc controlled environment heater |
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| FR3074228B1 (fr) * | 2017-11-30 | 2022-03-18 | Valeo Systemes De Controle Moteur | Dispositif electromagnetique |
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| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| US3728660A (en) * | 1969-11-21 | 1973-04-17 | Thermo Couple Prod Co Inc | Temperature responsive resistance element for a temperature sensitive control sensor |
| US4315237A (en) * | 1978-12-01 | 1982-02-09 | Raychem Corporation | PTC Devices comprising oxygen barrier layers |
| DE3153661C2 (ja) * | 1980-03-03 | 1993-01-28 | Canon K.K., Tokio/Tokyo, Jp | |
| US4447799A (en) * | 1981-01-30 | 1984-05-08 | General Electric Company | High temperature thermistor and method of assembling the same |
-
1984
- 1984-12-29 JP JP59280365A patent/JPS61159702A/ja active Granted
-
1985
- 1985-12-27 US US06/813,706 patent/US4752762A/en not_active Expired - Lifetime
Also Published As
| Publication number | Publication date |
|---|---|
| JPS61159702A (ja) | 1986-07-19 |
| US4752762A (en) | 1988-06-21 |
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Legal Events
| Date | Code | Title | Description |
|---|---|---|---|
| EXPY | Cancellation because of completion of term |