JPH0334375B2 - - Google Patents
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- JPH0334375B2 JPH0334375B2 JP57014574A JP1457482A JPH0334375B2 JP H0334375 B2 JPH0334375 B2 JP H0334375B2 JP 57014574 A JP57014574 A JP 57014574A JP 1457482 A JP1457482 A JP 1457482A JP H0334375 B2 JPH0334375 B2 JP H0334375B2
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Landscapes
- Treatment Of Water By Ion Exchange (AREA)
- Manufacture Of Macromolecular Shaped Articles (AREA)
Description
本発明は弱塩基性アニオン交換樹脂、即ち、主
たる交換基として１級、２級あるいは３級アミン
基を持つイオン交換樹脂の取扱方法に関するもの
である。 弱塩基性アニオン交換樹脂（以下WARと略記
する）は水溶液中の塩酸、硫酸といつた鉱酸類の
捕捉や弱塩基性塩類の分解交換を目的として用い
たり有機酸中の不純物としての前記鉱酸類や弱塩
基塩類の除去を目的として用いたり、さらに又酢
酸エチルの加水分解の触媒として用いる等広範囲
の用途に用いられている。 WARはイオン除去等に使用された後の苛性ソ
ーダ水溶液等を用いた再生処理においても再生が
容易なため強塩基性アニオン交換樹脂に比べ、は
るかに少量の再生剤量で良いこと、あるいは又
WARはOH型でも安定なためOH型で市販され、
取扱われる等の便利さがあり最近用途が広がつて
いる。 しかしながら本発明者らは便利なWARにも重
大なる欠陥があることを見い出した、即ち新品の
WAR（OH型）を用いたイオン交換操作等の極く
初期の段階から塩素イオンが1ppm程度リークし
ておりこれは苛性ソーダによる再生レベルをかな
り高くしても止まらないという欠陥である。 さらに詳しくは実用例を上げて不都合の１例を
説明すると例えば特公昭53−14044号に示される
ようなイソブチレンと脂肪族カルボン酸水溶液と
を酸性イオン交換剤の存在下で反応して第３級ブ
チルアルコールを製造するプロセスにおいて触媒
として用いるカチオン交換樹脂から脱落するスル
フオン基がカルボン酸水溶液中に溶解して構成装
置の腐食を促進するのでカルボン酸水溶液ライン
中にアニオン交換樹脂塔を設置しスルフオン基を
捕捉する必要がある。このアニオン交換樹脂とし
てWARを用いるのが良いがOH型の新品を用い
ても後述の比較例１に示すように塩素イオンがリ
ークしてくる。また新品のWARをさらに苛性ソ
ーダで高いレベルで再生処理したものを用いても
塩素イオンのリークは止まらない。 この程度の微量塩素イオンが装置の腐食に対し
どの様に不都合かは例えば対象の材料として
NAS 84L（日本冶金工業(株)製 ステンレス鋼）…
JIS 316L相当…を沸騰している90％の酢酸水溶
液中に浸して腐食速度を測定したとき、仝上浸潰
液中にHCl0ppmの場合腐食速度が0.25〜0.12mm／
ｙであるのに対しHCl1ppm存在すると0.36〜0.48
mm／ｙと２倍以上（日本冶金工業(株)技術資料よ
り）となることでも良くわかる。 前記第３級ブチルアルコール製造プロセスのパ
イロツトデーターでも塩素イオン濃度と腐食速度
の相関性を確認できる。 この例以外にも有機酸中への塩素イオンのリー
クにより、直接、間接に製品へのコンタミネーシ
ヨン等の不都合が起きている。 このように通常OH型で取扱われている市販の
WARから意外にも塩素イオンがリークしている
ことは気付かれてなく、それが原因で種々の弊害
があるにもかかわらず原因として認識されていな
いことが多い。 本発明者らはWAR使用上の問題点の原因を究
明し、その対策を鋭意検討した結果一般に市販さ
れているWAR中にはイオン交換可能な塩素イオ
ンが含まれておりそれを硫酸イオンでイオン交換
することにより塩素イオンのリークを防止出来る
ことを見い出したものである。もちろん置換した
硫酸イオンはリークすることはない。 本発明は弱塩基性アニオン交換樹脂を硫酸基含
有水溶液で処理することを特徴とする処理方法で
ある。本発明の処理によつて塩素イオンのリーク
しない弱塩基性アニオン交換樹脂とすることが出
来る。 本発明で用いられる硫酸基含有水溶液は例えば
硫酸水溶液とか硫酸アンモニウム、硫酸水素アン
モニウム、硫酸ナトリウム、硫酸水素ナトリウム
等の水溶性硫酸塩の水溶液が挙げられる。 硫酸や酸性硫酸塩の水溶液を用いた場合は弱ア
ニオン交換基全体に硫酸イオン、硫酸水素イオン
が吸着されるのでOH型に戻すべく通常の知られ
た方法により苛性ソーダを用いて再生する必要が
ある。そこで硫酸ソーダや硫酸カリの様な中性塩
の水溶液がより好ましい。 硫酸及び硫酸塩の濃度は特に限定されないが通
常１〜20％程度にするのが良い。処理温度は樹脂
の耐熱性及び各種水溶液の物性を配慮すれば０〜
80℃、好ましくは30〜60℃である。処理法として
は通常イオン交換樹脂に水溶液を通液する方法が
用いられる。この際の液流速（SVと表現する）
はSV＝0.5〜20／樹脂／時間 程度で好まし
くはSV＝２〜10（／樹脂／時間）を用いる。 通液量は要求するレベルによるが硫酸基の当量
が処理する樹脂の交換基の当量の0.1〜20倍、好
ましくは0.5〜10倍である。 本発明で処理の対象となるWARは新品のもの
でも良く或は一度使用後の再生前のものでも良
い。 以下実施例、比較例により本発明の態様を説明
する。 実施例 １ WARとしてアンバーライト （ロームアンド
ハース社）IR−45（OH型）40mlをガラス製カラ
ムに充填し40℃の恒温槽に浸たす、５％硫酸ソー
ダ水溶液をSV＝７（／樹脂／時間）で500ml
通液した。この水溶液には塩素イオンは含まれて
いない。下記に定義する通液レベルは4.6倍であ
る。 通液レベル＝通液した硫酸基の当量／処理する樹脂
の総交換容量 イオン交換樹脂を通過した硫酸ソーダ水溶液中
の塩素イオンを分析したところ処理した樹脂１ml
当り0.18ミリ当量の塩素イオンが検出された。 この結果WAR（OH型）中に存在していた塩素
イオンが除去できたことがわかる。 使用例 実施例１で得られた処理後の樹脂に60重量％の
酢酸水溶液をSV＝７で通し、500ml通過後の酢酸
水溶液中の塩素イオンを分析した所0.1ppm以下
であつた。これにより本発明の処理により市販の
WARは塩素イオンのリークしないWARとなつ
ていることがわかる。 比較使用例 １ 実施例１と同様にアンバーライト IR−45
（OH型）40mlをガラス製カラムに充填し40℃に
恒温槽に浸たす。このカラムに硫酸ソーダ水溶液
処理を行わずに実施例１で用いたものと同じ60重
量％の酢酸水溶液をSV＝７で通し500ml通過後の
酢酸水溶液中の塩素イオンを分析した所1.0ppm
検出され塩素イオンがリークしていることがわか
つた。 実施例 ２ 実施例１と同様にし、但し、硫酸ソーダの濃度
を10重量％、通液レベルを9.2倍としてWARを処
理した。その結果樹脂を通過した硫酸ソーダ水溶
液中には処理樹脂１ml当り0.18ミリ当量に相当す
る塩素イオンが検出され、樹脂から塩素イオンが
除去されていることがわかる。又60重量％の酢酸
水溶液の通液テストも使用例と同様に実施した結
果同様に塩素イオンのリークは見られなかつた。 実施例 ３ 実施例１と同様にして、WARを処理し、硫酸
ソーダ水溶液の通液量を変えたときの脱塩素イオ
ン量を実施例１との比で次表に示す。
たる交換基として１級、２級あるいは３級アミン
基を持つイオン交換樹脂の取扱方法に関するもの
である。 弱塩基性アニオン交換樹脂（以下WARと略記
する）は水溶液中の塩酸、硫酸といつた鉱酸類の
捕捉や弱塩基性塩類の分解交換を目的として用い
たり有機酸中の不純物としての前記鉱酸類や弱塩
基塩類の除去を目的として用いたり、さらに又酢
酸エチルの加水分解の触媒として用いる等広範囲
の用途に用いられている。 WARはイオン除去等に使用された後の苛性ソ
ーダ水溶液等を用いた再生処理においても再生が
容易なため強塩基性アニオン交換樹脂に比べ、は
るかに少量の再生剤量で良いこと、あるいは又
WARはOH型でも安定なためOH型で市販され、
取扱われる等の便利さがあり最近用途が広がつて
いる。 しかしながら本発明者らは便利なWARにも重
大なる欠陥があることを見い出した、即ち新品の
WAR（OH型）を用いたイオン交換操作等の極く
初期の段階から塩素イオンが1ppm程度リークし
ておりこれは苛性ソーダによる再生レベルをかな
り高くしても止まらないという欠陥である。 さらに詳しくは実用例を上げて不都合の１例を
説明すると例えば特公昭53−14044号に示される
ようなイソブチレンと脂肪族カルボン酸水溶液と
を酸性イオン交換剤の存在下で反応して第３級ブ
チルアルコールを製造するプロセスにおいて触媒
として用いるカチオン交換樹脂から脱落するスル
フオン基がカルボン酸水溶液中に溶解して構成装
置の腐食を促進するのでカルボン酸水溶液ライン
中にアニオン交換樹脂塔を設置しスルフオン基を
捕捉する必要がある。このアニオン交換樹脂とし
てWARを用いるのが良いがOH型の新品を用い
ても後述の比較例１に示すように塩素イオンがリ
ークしてくる。また新品のWARをさらに苛性ソ
ーダで高いレベルで再生処理したものを用いても
塩素イオンのリークは止まらない。 この程度の微量塩素イオンが装置の腐食に対し
どの様に不都合かは例えば対象の材料として
NAS 84L（日本冶金工業(株)製 ステンレス鋼）…
JIS 316L相当…を沸騰している90％の酢酸水溶
液中に浸して腐食速度を測定したとき、仝上浸潰
液中にHCl0ppmの場合腐食速度が0.25〜0.12mm／
ｙであるのに対しHCl1ppm存在すると0.36〜0.48
mm／ｙと２倍以上（日本冶金工業(株)技術資料よ
り）となることでも良くわかる。 前記第３級ブチルアルコール製造プロセスのパ
イロツトデーターでも塩素イオン濃度と腐食速度
の相関性を確認できる。 この例以外にも有機酸中への塩素イオンのリー
クにより、直接、間接に製品へのコンタミネーシ
ヨン等の不都合が起きている。 このように通常OH型で取扱われている市販の
WARから意外にも塩素イオンがリークしている
ことは気付かれてなく、それが原因で種々の弊害
があるにもかかわらず原因として認識されていな
いことが多い。 本発明者らはWAR使用上の問題点の原因を究
明し、その対策を鋭意検討した結果一般に市販さ
れているWAR中にはイオン交換可能な塩素イオ
ンが含まれておりそれを硫酸イオンでイオン交換
することにより塩素イオンのリークを防止出来る
ことを見い出したものである。もちろん置換した
硫酸イオンはリークすることはない。 本発明は弱塩基性アニオン交換樹脂を硫酸基含
有水溶液で処理することを特徴とする処理方法で
ある。本発明の処理によつて塩素イオンのリーク
しない弱塩基性アニオン交換樹脂とすることが出
来る。 本発明で用いられる硫酸基含有水溶液は例えば
硫酸水溶液とか硫酸アンモニウム、硫酸水素アン
モニウム、硫酸ナトリウム、硫酸水素ナトリウム
等の水溶性硫酸塩の水溶液が挙げられる。 硫酸や酸性硫酸塩の水溶液を用いた場合は弱ア
ニオン交換基全体に硫酸イオン、硫酸水素イオン
が吸着されるのでOH型に戻すべく通常の知られ
た方法により苛性ソーダを用いて再生する必要が
ある。そこで硫酸ソーダや硫酸カリの様な中性塩
の水溶液がより好ましい。 硫酸及び硫酸塩の濃度は特に限定されないが通
常１〜20％程度にするのが良い。処理温度は樹脂
の耐熱性及び各種水溶液の物性を配慮すれば０〜
80℃、好ましくは30〜60℃である。処理法として
は通常イオン交換樹脂に水溶液を通液する方法が
用いられる。この際の液流速（SVと表現する）
はSV＝0.5〜20／樹脂／時間 程度で好まし
くはSV＝２〜10（／樹脂／時間）を用いる。 通液量は要求するレベルによるが硫酸基の当量
が処理する樹脂の交換基の当量の0.1〜20倍、好
ましくは0.5〜10倍である。 本発明で処理の対象となるWARは新品のもの
でも良く或は一度使用後の再生前のものでも良
い。 以下実施例、比較例により本発明の態様を説明
する。 実施例 １ WARとしてアンバーライト （ロームアンド
ハース社）IR−45（OH型）40mlをガラス製カラ
ムに充填し40℃の恒温槽に浸たす、５％硫酸ソー
ダ水溶液をSV＝７（／樹脂／時間）で500ml
通液した。この水溶液には塩素イオンは含まれて
いない。下記に定義する通液レベルは4.6倍であ
る。 通液レベル＝通液した硫酸基の当量／処理する樹脂
の総交換容量 イオン交換樹脂を通過した硫酸ソーダ水溶液中
の塩素イオンを分析したところ処理した樹脂１ml
当り0.18ミリ当量の塩素イオンが検出された。 この結果WAR（OH型）中に存在していた塩素
イオンが除去できたことがわかる。 使用例 実施例１で得られた処理後の樹脂に60重量％の
酢酸水溶液をSV＝７で通し、500ml通過後の酢酸
水溶液中の塩素イオンを分析した所0.1ppm以下
であつた。これにより本発明の処理により市販の
WARは塩素イオンのリークしないWARとなつ
ていることがわかる。 比較使用例 １ 実施例１と同様にアンバーライト IR−45
（OH型）40mlをガラス製カラムに充填し40℃に
恒温槽に浸たす。このカラムに硫酸ソーダ水溶液
処理を行わずに実施例１で用いたものと同じ60重
量％の酢酸水溶液をSV＝７で通し500ml通過後の
酢酸水溶液中の塩素イオンを分析した所1.0ppm
検出され塩素イオンがリークしていることがわか
つた。 実施例 ２ 実施例１と同様にし、但し、硫酸ソーダの濃度
を10重量％、通液レベルを9.2倍としてWARを処
理した。その結果樹脂を通過した硫酸ソーダ水溶
液中には処理樹脂１ml当り0.18ミリ当量に相当す
る塩素イオンが検出され、樹脂から塩素イオンが
除去されていることがわかる。又60重量％の酢酸
水溶液の通液テストも使用例と同様に実施した結
果同様に塩素イオンのリークは見られなかつた。 実施例 ３ 実施例１と同様にして、WARを処理し、硫酸
ソーダ水溶液の通液量を変えたときの脱塩素イオ
ン量を実施例１との比で次表に示す。
【表】
実施例 ４
実施例２と同様であるが使用した樹脂はダイヤ
イオンWA−30（三菱化成工業(株)製）である。結
果は樹脂を通過した硫酸ソーダ水溶液中の塩素イ
オンは被処理樹脂１ml当り0.28ミリ当量に相当す
る量が検出された。使用例で用いたと同じ酢酸水
溶液を同条件で通過させたところ通過酢酸水溶液
中の塩素イオン濃度は0.1ppm以下であり処理さ
れた樹脂からの塩素イオンのリークは無かつた。 比較例 ２ WARとしてダイヤイオンWA−30（OH型）40
mlをガラス製カラムに充填し、８％苛性ソーダ水
溶液をSV＝７で250ml通液し再生した。この量は
通常の６〜７倍の再生レベルである。使用した苛
性ソーダ水溶液中の塩素イオンは0.1ppm以下で
あつたが樹脂通過後の水溶液中の塩素イオンは
0.07ミリ当量／ml樹脂に相当する量であり苛性ソ
ーダ水溶液処理によつてWAR中の塩素イオンを
僅かに除去出来るが硫酸基含有水溶液処理に比べ
その除去率は著しく少いことがわかつた。 この処理後の樹脂に使用例で用いたと同じ60重
量％の酢酸水溶液をSV＝７で通液した所、通過
酢酸水溶液中に0.9ppmの塩素イオンが検出され
苛性ソーダでの再生では塩素イオンリークを充分
には止められないことがわかつた。 比較例 ３ WARとしてダイヤイオンWA−30（OH型）40
mlをガラス製カラムに充填し使用例で用いたと同
じ60重量％酢酸水溶液をSV＝７、40℃で通過さ
せ450ml通過後の酢酸水溶液中の塩素イオンを分
析した所1.2ppm検出された。 比較例 ４ WARとしてダイヤイオンWA−30（OH型）40
mlをガラス製カラムに充填し、40℃の恒温槽中に
浸して次の各塩の５％水溶液を、SV＝７で500ml
通液した。 テストした塩 (1)硝酸ソーダ (2)修酸ソーダ (3)クエン酸ソー
ダ。処理後の各樹脂に60％酢酸水溶液を50℃、
SV＝７で500ml通過させ、通過液中の塩素イオン
を定量したところ、0.6〜1.0ppmで塩素イオンの
リークが認められ、硫酸塩処理と大きな差が認め
られた。 実施例 ５ WARとしてダイヤイオンWA−30（OH型）40
mlをガラス製カラムに充填し50℃の恒温槽に漬
け、５％硫酸ソーダ水溶液をSV＝７で500ml通液
した。通液レベルは5.8倍である。樹脂通過後の
硫酸ソーダ水溶液中の塩素イオンを分析したとこ
ろ0.27ミリ当量／ml樹脂に相当する量が検出され
実施例４とほヾ同じ量の塩素イオンがWARから
除去された。又、処理された樹脂に使用例で用い
たと同じ60％酢酸水溶液を50℃ SV＝７で1000
ml通液した所樹脂通過後の酢酸水溶液中の塩素イ
オンは0.1ppm以下で塩素イオンのリークはなか
つた。 実施例 ６ WARとして実施例１で用いたと同じアンバー
ライトIR−45（OH型）40mlをガラス製カラムに
充填し40℃の恒温槽に浸した。1.5重量％硫酸水
溶液をSV＝７で500ml通液した。通液レベルは20
である。引続きイオン交換水で硫酸水溶液を充分
洗浄後４％苛性ソーダをSV＝４で100ml通液し再
生した。再生レベルは1.3であつた。なお、使用
した苛性ソーダは試薬特級品と、それに２％の塩
化ナトリウムを添加した隔膜法苛性ソーダ相当品
の２種についてテストした。 前記の処理をした樹脂に60wt％の酢酸水溶液
をSV＝７、50℃で1000ml通過させ通過後の酢酸
水溶液中の塩素イオンを分析した所いずれも
0.2ppmでリークを大巾に低下できた。 実施例 ７ 市販のダイヤイオンWA−30（OH型）40mlをガ
ラス製カラムに充填し50℃の恒温槽につけ５％硫
酸ソーダ水溶液をSV＝７で400ml通液した。通液
レベルは4.6倍である。以上の処理をした樹脂に
塩酸1ppm含有酢酸をSV＝７で50℃にて1000ml通
液し通液後の酢酸中の塩素イオンを分析した所
0.1ppm以下であり、本発明の処理品は酢酸中の
微量塩素イオンも除去できることもわかつた。
イオンWA−30（三菱化成工業(株)製）である。結
果は樹脂を通過した硫酸ソーダ水溶液中の塩素イ
オンは被処理樹脂１ml当り0.28ミリ当量に相当す
る量が検出された。使用例で用いたと同じ酢酸水
溶液を同条件で通過させたところ通過酢酸水溶液
中の塩素イオン濃度は0.1ppm以下であり処理さ
れた樹脂からの塩素イオンのリークは無かつた。 比較例 ２ WARとしてダイヤイオンWA−30（OH型）40
mlをガラス製カラムに充填し、８％苛性ソーダ水
溶液をSV＝７で250ml通液し再生した。この量は
通常の６〜７倍の再生レベルである。使用した苛
性ソーダ水溶液中の塩素イオンは0.1ppm以下で
あつたが樹脂通過後の水溶液中の塩素イオンは
0.07ミリ当量／ml樹脂に相当する量であり苛性ソ
ーダ水溶液処理によつてWAR中の塩素イオンを
僅かに除去出来るが硫酸基含有水溶液処理に比べ
その除去率は著しく少いことがわかつた。 この処理後の樹脂に使用例で用いたと同じ60重
量％の酢酸水溶液をSV＝７で通液した所、通過
酢酸水溶液中に0.9ppmの塩素イオンが検出され
苛性ソーダでの再生では塩素イオンリークを充分
には止められないことがわかつた。 比較例 ３ WARとしてダイヤイオンWA−30（OH型）40
mlをガラス製カラムに充填し使用例で用いたと同
じ60重量％酢酸水溶液をSV＝７、40℃で通過さ
せ450ml通過後の酢酸水溶液中の塩素イオンを分
析した所1.2ppm検出された。 比較例 ４ WARとしてダイヤイオンWA−30（OH型）40
mlをガラス製カラムに充填し、40℃の恒温槽中に
浸して次の各塩の５％水溶液を、SV＝７で500ml
通液した。 テストした塩 (1)硝酸ソーダ (2)修酸ソーダ (3)クエン酸ソー
ダ。処理後の各樹脂に60％酢酸水溶液を50℃、
SV＝７で500ml通過させ、通過液中の塩素イオン
を定量したところ、0.6〜1.0ppmで塩素イオンの
リークが認められ、硫酸塩処理と大きな差が認め
られた。 実施例 ５ WARとしてダイヤイオンWA−30（OH型）40
mlをガラス製カラムに充填し50℃の恒温槽に漬
け、５％硫酸ソーダ水溶液をSV＝７で500ml通液
した。通液レベルは5.8倍である。樹脂通過後の
硫酸ソーダ水溶液中の塩素イオンを分析したとこ
ろ0.27ミリ当量／ml樹脂に相当する量が検出され
実施例４とほヾ同じ量の塩素イオンがWARから
除去された。又、処理された樹脂に使用例で用い
たと同じ60％酢酸水溶液を50℃ SV＝７で1000
ml通液した所樹脂通過後の酢酸水溶液中の塩素イ
オンは0.1ppm以下で塩素イオンのリークはなか
つた。 実施例 ６ WARとして実施例１で用いたと同じアンバー
ライトIR−45（OH型）40mlをガラス製カラムに
充填し40℃の恒温槽に浸した。1.5重量％硫酸水
溶液をSV＝７で500ml通液した。通液レベルは20
である。引続きイオン交換水で硫酸水溶液を充分
洗浄後４％苛性ソーダをSV＝４で100ml通液し再
生した。再生レベルは1.3であつた。なお、使用
した苛性ソーダは試薬特級品と、それに２％の塩
化ナトリウムを添加した隔膜法苛性ソーダ相当品
の２種についてテストした。 前記の処理をした樹脂に60wt％の酢酸水溶液
をSV＝７、50℃で1000ml通過させ通過後の酢酸
水溶液中の塩素イオンを分析した所いずれも
0.2ppmでリークを大巾に低下できた。 実施例 ７ 市販のダイヤイオンWA−30（OH型）40mlをガ
ラス製カラムに充填し50℃の恒温槽につけ５％硫
酸ソーダ水溶液をSV＝７で400ml通液した。通液
レベルは4.6倍である。以上の処理をした樹脂に
塩酸1ppm含有酢酸をSV＝７で50℃にて1000ml通
液し通液後の酢酸中の塩素イオンを分析した所
0.1ppm以下であり、本発明の処理品は酢酸中の
微量塩素イオンも除去できることもわかつた。
Claims (1)
- 【特許請求の範囲】 １ 弱塩基性アニオン交換樹脂を硫酸根含有水溶
液で処理して、塩素イオンのリークしない該樹脂
とすることを特徴とする弱塩基性アニオン交換樹
脂の処理方法。 ２ 硫酸根含有水溶液が中性硫酸塩水溶液である
特許請求範囲第１項の処理方法。
Priority Applications (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP57014574A JPS58133836A (ja) | 1982-02-01 | 1982-02-01 | 弱塩基性アニオン交換樹脂の処理方法 |
Applications Claiming Priority (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP57014574A JPS58133836A (ja) | 1982-02-01 | 1982-02-01 | 弱塩基性アニオン交換樹脂の処理方法 |
Publications (2)
| Publication Number | Publication Date |
|---|---|
| JPS58133836A JPS58133836A (ja) | 1983-08-09 |
| JPH0334375B2 true JPH0334375B2 (ja) | 1991-05-22 |
Family
ID=11864926
Family Applications (1)
| Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
|---|---|---|---|
| JP57014574A Granted JPS58133836A (ja) | 1982-02-01 | 1982-02-01 | 弱塩基性アニオン交換樹脂の処理方法 |
Country Status (1)
| Country | Link |
|---|---|
| JP (1) | JPS58133836A (ja) |
-
1982
- 1982-02-01 JP JP57014574A patent/JPS58133836A/ja active Granted
Also Published As
| Publication number | Publication date |
|---|---|
| JPS58133836A (ja) | 1983-08-09 |
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