JPH0334401A - Resistor paste - Google Patents

Resistor paste

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Publication number
JPH0334401A
JPH0334401A JP1167101A JP16710189A JPH0334401A JP H0334401 A JPH0334401 A JP H0334401A JP 1167101 A JP1167101 A JP 1167101A JP 16710189 A JP16710189 A JP 16710189A JP H0334401 A JPH0334401 A JP H0334401A
Authority
JP
Japan
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glass
resistor
laser
resistor paste
coo
Prior art date
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Pending
Application number
JP1167101A
Other languages
Japanese (ja)
Inventor
Ryuichi Tanabe
隆一 田辺
Yoshiyuki Nishihara
芳幸 西原
Jiro Chiba
次郎 千葉
Keiichi Kawakami
圭一 川上
Masuo Sugizaki
杉崎 満壽雄
Toshihiko Hiwatari
敏彦 樋渡
Current Assignee (The listed assignees may be inaccurate. Google has not performed a legal analysis and makes no representation or warranty as to the accuracy of the list.)
AGC Inc
Original Assignee
Asahi Glass Co Ltd
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Filing date
Publication date
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Publication of JPH0334401A publication Critical patent/JPH0334401A/en
Pending legal-status Critical Current

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  • Conductive Materials (AREA)

Abstract

PURPOSE:To improve cutting characteristics of a resistor by constituting practically inorganic component of glass powder and one of ZrB2, LaB6, TaN, TiN, TaSi2, MoSi2, Mo2C, and WC, and containing a specified weight percent of Fe2O3+CoO+Cr2O3+MnO+CuO+NiO+V2O5 in the glass powder. CONSTITUTION:Resistor paste composed of conductive material powder and metal oxide for staining is manufactured. Any kind of glass can be used, but SiO2-B2O3 based glass is easy to be baked at a low temperature, and therefore desirable. The oxide component for staining must be a material having laser absorption property in the vicinity of laser wavelength (near infrared (vicinity of 1mum)). Practically, Fe2O3, CoO, Cr2O3, MnO, CuO, NiO and V2O5 are individually or mutually used, and 0.05-20wt.% of them mush effectively be contained in the glass. As the conducting material, the following can be used; ZrB2, LaB6, TaN, TiN, TaSi2, MoSi2, Mo2C, and WC. Such composition is excellent in laser trimming property, and resistor property after trimming, and has characteristics sufficiently applicable to resistor paste for thick film circuit.

Description

【発明の詳細な説明】[Detailed description of the invention]

本発明は、抵抗体ペーストに関するものである。 The present invention relates to a resistor paste.

【従来の技術1 従来厚膜回路において、セラミックス基板上に電極とし
て銅(Cu)導体を形成し、その間に抵抗体ペーストを
印刷し、窒素雰囲気(N2)巾約850〜1000℃で
焼成される。 次いで、抵抗値の調整のためにレーザートリミングを行
なうが、その際レーザーによるトリミンクが十分には行
なわれない、そのため、抵抗体厚膜がカットできるよう
に、レーザーのパワーを上昇させると、抵抗体が切れる
と共に下地の基板までレーザーにより切れ、堀れてしま
う、抵抗体がレーザーにより切れにくい、又。 切口にクラック・が発生する0以上のような問題があっ
た。 【発明の解決しようとする課題1 本発明の目的は、従来技術が有していた前述の欠点を解
消しようとするものであり、従来知られていなかった抵
抗体ペーストを新規に提供することを目的とするもので
ある。 【課題を解決するための手段】 本発明は、前述の問題点を解決すべくなされたものであ
り、無機成分が実質的にガラス粉末とZrB*、LaB
5.TaN、TiN、Ta5ks、MoSix、Moa
C,ICのいずれか1つからなり、上記ガラス粉末はF
e*Os◆CoO◆Cr*Os +MnO+CuO+N
iO+V黛Osを0.05〜20重量%含有することを
特徴とする抵抗ペーストを提供するものである。 本発明の目的は、導電物質粉末と染色用金属酸化物を含
有したガラス粉末からなるドーザ−トリミング特性のよ
い抵抗体ペーストを作製することである。本発明に使用
するガラスはどんなものでも使用できるが、5iOa 
−Ba53系等のガラスが低温度で焼結しやすく望まし
い。 本発明にかかるガラス粉末の一例としては、無機成分が
実質的に重量%まで Stow         8〜60%A1.01  
     0〜30% MgOO〜40% Ca00〜40% SrOO〜60% Ban         O〜60% MgO+CaO+SrO◆BaOto〜60%LiaO
+NaaO+に、0+Cs1Oo〜to%pbo   
      o〜lO% Zn00〜40% Ties◆ZrO*      0〜10%egos 
        5〜40%からなり、順次これらにつ
いて説明する。 かかる組成において、SiO□はガラスのネットワーク
フォーマ−であり、8%より少ないと、軟化点が低くな
りすぎ耐熱性が低下し、再焼成時に変形を生じやすくな
るので好ましくない。 一方、SiO□が60%より多いと、軟化点が高くなり
過ぎ、焼成時にガラスの流動が悪くなり導電物質粉末を
覆って濡らすことができず焼結層の空孔が多くなりすぎ
、抵抗の安定性が悪くなるので適当でない。望ましくは
、15〜55%の範囲である。 Alas、は必須ではないが、添加することにより、耐
湿性の向上に効果がある。30%を超えるとガラスの軟
化温度が高くなり、焼結性が悪くなり適当でない。望ま
しくは28%以下である。 MgO+CaO◆SrO+BaOはガラス粉末製造時の
溶解性を向上さすため及び熱膨張係数を調整する目的で
添加する。10%より少ないと、上記の溶解性が十分に
向上しないと共にガラス製造時に失透を生じやすく、6
0%を超えると、熱膨張係数が大きくなりすぎ、いずれ
も適当でない。望ましくは15〜55%の範囲である。 また、上記MgO+CaO+SrO+BaOの内のMg
O,CaOはそれぞれ40%以上であると熱膨張係数が
大きくなりすぎ不適当である。望ましい範囲は0〜35
%である。上記MgO+CaO+SrO+BaOの内の
S「0゜BaOは60%以上であると熱膨張係数が大き
くなりすぎ不適当である。望ましい範囲は0〜55%で
ある。 Li*0◆NatO+に*0◆Cs*0は必須ではない
が、添加することにより、ガラスの溶解性の向上を図る
ことができる。 10%を越えると、熱膨張係数が大き
くなりすぎ、基板とのマツチングが悪くなり、焼成後厚
膜が入る可能性が大となり適当でない、望ましくは8%
以下である。 PbOは必須ではないが、ガラスのフラックス成分とし
ての効果がある。10%を超えると抵抗値が高くなりす
ぎ適当でない。望ましくは5%以下である。 ZnOは必須ではないが、ガラスの溶解性の改善のため
に40%まで添加することが可能であり、35%以下が
望ましい範囲である。 ZrO□+TiO□は必須ではないが、添加することに
より、抵抗体の耐湿信頼性を向上さすことができる。t
S加量は10%が可能であるが、望ましくは7%以下で
ある。 B20.はフラックス成分として用いるが、 5%より
少ないと軟化点が高くなり、焼結不足となり焼結層に空
孔が多くなりすぎる。また40%を超えるとガラスの耐
水性が低下し適当でない。 望ましくは、7〜38%の範囲である。 ガラス中の染色用金属酸化物成分としては、レーザーの
波長近辺(近赤外(1μm付近))において、レーザー
の吸収特性を有する物質であることが必要であり、具体
的にはFe、0.、 Coo。 Crabs、 MnO,Cub、 Nip、 VgOa
を単独又は並用して上記ガラス中の実質的に0.05〜
20重量%含有されることが必要であり、この中でCr
xOs、NiO。 Fe1Os、MnO,CoOが望ましく 、 CraO
s、NiOが特に望ましい、上記Fetos等はこれら
の例示した物質が主成分であることが必要であるが、他
の物質を含有していても使用できる。 導電物質としては、 ZrBa、LaBa、TaN、T
iN、TaSix。 Mo5ia、MOxC,WCが使用できる。 本発明の抵抗体ペーストの組成物は、各粉末が上記割合
に混合されているものであり、以下本発明の抵抗体ペー
ストの作製方法とそれを使用した厚膜回路の製造の一例
について説明する。 上記本発明の抵抗体ペーストの組成物に有機バインダー
、溶剤からなる有機ビヒクルを添加し、混練し、ペース
ト状とする。この有機バインダーとしては、エチルセル
ロース、アクリル樹脂、エチレン−酢酸ビニル共重合樹
脂、ポリミーメチルスチレン樹脂、溶剤としては、a 
−テルピネオール、ブチルカルピトールアセテート、ブ
チルカルピトール、2,2.4−トリメチルペンタンジ
オ−ルー1.3−モノイソブチレート、ジエチレングリ
コールジ−n−ブチルエーテル等が通常使用できる。さ
らに分散剤として界面活性剤を添加してもよい。 次いで焼成後の固化したアルミナ基板、又はガラスセラ
ミックス等のセラミックス基板上に導体を作成するため
にCuペーストを所定の回路に印刷、乾燥後、酸素濃度
20ppm以下の窒素雰囲気中で850〜1000℃、
5〜20分で焼成する。 この焼成条件の望ましい範囲は880〜950℃、7〜
15分である。次いで、抵抗を設けるべき所定の箇所に
上記本発明の抵抗体ペーストを印刷した後乾燥させ、上
記窒素雰囲気中、850〜1000℃、5〜20分で焼
成する。この焼成条件の望ましい範囲は880〜950
℃、7〜15分である。 多層セラミックス基板−括焼成の場合は、上記Cuペー
ストと本発明の抵抗体ペーストを印刷したセラミックス
基板用等のセラミックスのグリーンシートを熱圧着後積
層し、上記窒素雰囲気中で850−1000℃、数分〜
数時間で一括焼成、多層基板を作成する。 また、ガラス溶解時に清澄剤、溶融促進剤として硝酸塩
、亜ヒ酸、酸化アンチモン、硫酸塩、フッ化物、塩化物
等を0〜5%添加することができる。 実施例 目標組成となるように、各原料を調合し、これを白金ル
ツボに入れ、1350〜1500℃で2〜3時間撹拌し
つつ加熱撹拌した0次いでこれを水砕又はフレーク状と
し、更に粉砕装置により平均粒径0.5〜6μmになる
ように粉砕し、表−1に示す組成のガラス粉末を製造し
た0次いで表−1に示す導電物質粉末を平均粒径0.0
1〜5μmになるように調整した。次いでこれらのガラ
ス粉末と導電物質粉末を表−1に記載の割合で混合し、
本発明による8種類の組成物を得た。 次いでこれらに有機バインダーとしてエチルセルロース
、溶剤としてa−テルピネオールからなる有機ビヒクル
を添加し、混練し、粘度が30x lO’cpsのペー
ストを作成した0次いでアルミナ基板上に電極としてC
uペーストを所定の回路にスクリーン印刷、乾燥し、窒
素雰囲気中900℃、10分で焼成した。 次いで、抵抗所定箇所に上記抵抗体ペーストを200メ
ツシユスクリーンでスクリーン印刷し、乾燥し、N、中
で900℃、10分で焼成した。 焼成膜厚は約15μmであった。 かくして回路を作成した。この回路素子について、抵抗
値を測定した0次いでそれらについてレーザートリミン
グを行なった。これらの結果を表−1に記載した。表−
1にはフルカットのレーザートリミング後の抵抗値を記
載した。 表−1から明らかなように、本発明による組成物はレー
ザートリミング性、トリミング後の抵抗特性に優れ、厚
膜回路用抵抗体ペーストとして、十分使用できる特性を
有する。 比較例として本発明による組成物以外のものについても
同様の評価を行なったので表−2に記載した。 表−1には、レーザー光の波長(約1μm)で測定した
吸収率を示す。測定には反射スペクトルを測定し、(l
−反射率) x  tGo(%)として算出した。 〔作用・効果〕 本発明において、近赤外(1μm付近の波長)の吸収率
を上げた抵抗体は、レーザーの吸収を上げるためカット
特性を向上させる作用がある。
[Conventional technology 1] In conventional thick film circuits, copper (Cu) conductors are formed as electrodes on a ceramic substrate, a resistor paste is printed between them, and the paste is fired in a nitrogen atmosphere (N2) at a temperature of about 850 to 1000°C. . Next, laser trimming is performed to adjust the resistance value, but at that time the laser trimming is not done sufficiently, so when the laser power is increased so that the thick resistor film can be cut, the resistor When the resistor is cut, the underlying substrate is also cut and dug by the laser, and the resistor is difficult to cut by the laser. There were more than 0 problems with cracks occurring at the cut ends. [Problems to be Solved by the Invention 1] The purpose of the present invention is to solve the above-mentioned drawbacks of the prior art, and to provide a new resistor paste that has not been known in the past. This is the purpose. [Means for Solving the Problems] The present invention has been made to solve the above-mentioned problems, and the inorganic components are substantially glass powder, ZrB*, and LaB.
5. TaN, TiN, Ta5ks, MoSix, Moa
The glass powder is made of one of F and IC.
e*Os◆CoO◆Cr*Os +MnO+CuO+N
The present invention provides a resistance paste characterized by containing 0.05 to 20% by weight of iO+V-Os. SUMMARY OF THE INVENTION An object of the present invention is to produce a resistor paste with good dozer-trimming properties, which is made of a glass powder containing a conductive material powder and a metal oxide for dyeing. Any type of glass can be used in the present invention, but 5iOa
-Glass such as Ba53 is preferable because it is easy to sinter at low temperatures. An example of a glass powder according to the present invention is a glass powder having an inorganic component of substantially % by weight of Stow 8 to 60% A1.01.
0~30% MgOO~40% Ca00~40% SrOO~60% Ban O~60% MgO+CaO+SrO◆BaOto~60%LiaO
+NaaO+, 0+Cs1Oo~to%pbo
o~lO% Zn00~40% Ties◆ZrO* 0~10% egos
It consists of 5 to 40%, and these will be explained in order. In such a composition, SiO□ is a glass network former, and if it is less than 8%, the softening point becomes too low, the heat resistance decreases, and deformation is likely to occur during re-firing, which is not preferable. On the other hand, if SiO This is not suitable as it will result in poor stability. Desirably, it is in the range of 15 to 55%. Although Alas is not essential, its addition is effective in improving moisture resistance. If it exceeds 30%, the softening temperature of the glass will become high and the sinterability will deteriorate, making it unsuitable. It is preferably 28% or less. MgO+CaO◆SrO+BaO is added for the purpose of improving solubility during glass powder production and adjusting the coefficient of thermal expansion. If it is less than 10%, the above-mentioned solubility will not be improved sufficiently and devitrification will easily occur during glass production.
If it exceeds 0%, the coefficient of thermal expansion becomes too large, and neither is suitable. It is preferably in the range of 15 to 55%. Also, Mg in the above MgO+CaO+SrO+BaO
If each of O and CaO is 40% or more, the coefficient of thermal expansion becomes too large, which is inappropriate. Desirable range is 0-35
%. If S in the above MgO+CaO+SrO+BaO is 60% or more, the coefficient of thermal expansion becomes too large and is inappropriate.The desirable range is 0 to 55%.Li*0◆NatO+*0◆Cs* Although 0% is not essential, the melting properties of the glass can be improved by adding it.If it exceeds 10%, the coefficient of thermal expansion becomes too large and the matching with the substrate becomes poor, resulting in a thick film after firing. It is not appropriate as there is a high possibility that
It is as follows. Although PbO is not essential, it is effective as a flux component for glass. If it exceeds 10%, the resistance value becomes too high and is not suitable. It is preferably 5% or less. Although ZnO is not essential, it can be added up to 40% to improve the solubility of the glass, with a desirable range of 35% or less. Although ZrO□+TiO□ is not essential, adding it can improve the moisture resistance reliability of the resistor. t
The S content can be 10%, but is preferably 7% or less. B20. is used as a flux component, but if it is less than 5%, the softening point will be high, resulting in insufficient sintering and too many pores in the sintered layer. Moreover, if it exceeds 40%, the water resistance of the glass decreases and is not suitable. Desirably, it is in the range of 7 to 38%. The dyeing metal oxide component in the glass needs to be a substance that has laser absorption characteristics in the vicinity of the laser wavelength (near infrared (near 1 μm)). , Coo. Crabs, MnO, Cub, Nip, VgOa
substantially 0.05~ in the above glass by using alone or in combination
It is necessary to contain 20% by weight of Cr.
xOs, NiOs. Fe1Os, MnO, CoO are preferable, CraO
s, NiO are particularly preferable, and the above-mentioned Fetos etc. need to have these exemplified substances as the main components, but can be used even if they contain other substances. As the conductive material, ZrBa, LaBa, TaN, T
iN, TaSix. Mo5ia, MOxC, and WC can be used. The composition of the resistor paste of the present invention is one in which each powder is mixed in the above-mentioned proportions.Hereinafter, a method for producing the resistor paste of the present invention and an example of manufacturing a thick film circuit using the same will be explained. . An organic vehicle consisting of an organic binder and a solvent is added to the composition of the resistor paste of the present invention and kneaded to form a paste. The organic binder is ethyl cellulose, acrylic resin, ethylene-vinyl acetate copolymer resin, polymethylstyrene resin, and the solvent is a
-Terpineol, butyl carpitol acetate, butyl carpitol, 2,2,4-trimethylpentanedi-1,3-monoisobutyrate, diethylene glycol di-n-butyl ether, etc. can usually be used. Furthermore, a surfactant may be added as a dispersant. Next, in order to create a conductor on a solidified alumina substrate after firing or a ceramic substrate such as glass ceramics, Cu paste is printed on a predetermined circuit, and after drying, it is heated at 850 to 1000°C in a nitrogen atmosphere with an oxygen concentration of 20 ppm or less.
Bake for 5-20 minutes. The desirable range of this firing condition is 880~950℃, 7~
It is 15 minutes. Next, the resistor paste of the present invention is printed on a predetermined location where a resistor is to be provided, dried, and fired in the nitrogen atmosphere at 850 to 1000°C for 5 to 20 minutes. The desirable range of this firing condition is 880 to 950
°C for 7 to 15 minutes. In the case of bulk firing of multilayer ceramic substrates, green sheets of ceramics such as those for ceramic substrates printed with the above Cu paste and the resistor paste of the present invention are laminated after thermocompression bonding, and heated at 850-1000°C in the above nitrogen atmosphere for several times. Minutes~
Batch firing and creating multilayer boards in a few hours. Further, during glass melting, 0 to 5% of nitrates, arsenous acid, antimony oxide, sulfates, fluorides, chlorides, etc. can be added as clarifying agents and melting accelerators. Example Each raw material was mixed to have the target composition, placed in a platinum crucible, heated and stirred at 1350 to 1500°C for 2 to 3 hours, and then ground into water or flakes, and further pulverized. A glass powder having the composition shown in Table 1 was produced by pulverizing the glass powder with an average particle size of 0.5 to 6 μm using a device.
The thickness was adjusted to 1 to 5 μm. Next, these glass powders and conductive material powders were mixed in the proportions listed in Table 1,
Eight compositions according to the invention were obtained. Next, an organic vehicle consisting of ethyl cellulose as an organic binder and a-terpineol as a solvent was added and kneaded to prepare a paste with a viscosity of 30x lO'cps.
The u-paste was screen printed into a predetermined circuit, dried, and fired at 900° C. for 10 minutes in a nitrogen atmosphere. Next, the above resistor paste was screen printed on predetermined portions of the resistor using a 200 mesh screen, dried, and baked in N at 900° C. for 10 minutes. The fired film thickness was about 15 μm. Thus, the circuit was created. The resistance values of the circuit elements were measured, and then laser trimming was performed on them. These results are listed in Table-1. Table -
1 shows the resistance value after full cut laser trimming. As is clear from Table 1, the composition according to the present invention has excellent laser trimming properties and resistance properties after trimming, and has properties that allow it to be used satisfactorily as a resistor paste for thick film circuits. As comparative examples, compositions other than those according to the present invention were also evaluated in the same manner and are listed in Table 2. Table 1 shows the absorption rate measured at the wavelength of laser light (approximately 1 μm). For measurement, the reflection spectrum is measured and (l
-Reflectance) x tGo (%). [Function/Effect] In the present invention, a resistor with increased near-infrared absorption (wavelength around 1 μm) has the effect of improving cutting characteristics to increase laser absorption.

Claims (1)

【特許請求の範囲】[Claims] 1)無機成分が実質的にガラス粉末とZrB_2、La
B_6、TaN、TiN、TaSI_2、MoSi_2
、Mo_2C、WCのいずれか1つからなり、上記ガラ
ス粉末はFe_2O_3+CoO+Cr_2O_3+M
nO+CuO+NiO+V_2O_5を0.05〜20
重量%含有することを特徴とする抵抗ペースト。
1) Inorganic components are essentially glass powder, ZrB_2, La
B_6, TaN, TiN, TaSI_2, MoSi_2
, Mo_2C, and WC, and the glass powder is Fe_2O_3+CoO+Cr_2O_3+M
nO+CuO+NiO+V_2O_5 from 0.05 to 20
A resistance paste characterized by containing % by weight.
JP1167101A 1989-06-30 1989-06-30 Resistor paste Pending JPH0334401A (en)

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