JPH0334401A - 抵抗体ペースト - Google Patents
抵抗体ペーストInfo
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- JPH0334401A JPH0334401A JP1167101A JP16710189A JPH0334401A JP H0334401 A JPH0334401 A JP H0334401A JP 1167101 A JP1167101 A JP 1167101A JP 16710189 A JP16710189 A JP 16710189A JP H0334401 A JPH0334401 A JP H0334401A
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- resistor
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Abstract
(57)【要約】本公報は電子出願前の出願データであるた
め要約のデータは記録されません。
め要約のデータは記録されません。
Description
本発明は、抵抗体ペーストに関するものである。
【従来の技術１
従来厚膜回路において、セラミックス基板上に電極とし
て銅（Ｃｕ）導体を形成し、その間に抵抗体ペーストを
印刷し、窒素雰囲気（Ｎ２）巾約８５０〜１０００℃で
焼成される。 次いで、抵抗値の調整のためにレーザートリミングを行
なうが、その際レーザーによるトリミンクが十分には行
なわれない、そのため、抵抗体厚膜がカットできるよう
に、レーザーのパワーを上昇させると、抵抗体が切れる
と共に下地の基板までレーザーにより切れ、堀れてしま
う、抵抗体がレーザーにより切れにくい、又。 切口にクラック・が発生する０以上のような問題があっ
た。 【発明の解決しようとする課題１ 本発明の目的は、従来技術が有していた前述の欠点を解
消しようとするものであり、従来知られていなかった抵
抗体ペーストを新規に提供することを目的とするもので
ある。 【課題を解決するための手段】 本発明は、前述の問題点を解決すべくなされたものであ
り、無機成分が実質的にガラス粉末とＺｒＢ＊、ＬａＢ
５．ＴａＮ、ＴｉＮ、Ｔａ５ｋｓ、ＭｏＳｉｘ、Ｍｏａ
Ｃ，ＩＣのいずれか１つからなり、上記ガラス粉末はＦ
ｅ＊Ｏｓ◆ＣｏＯ◆Ｃｒ＊Ｏｓ ＋ＭｎＯ＋ＣｕＯ＋Ｎ
ｉＯ＋Ｖ黛Ｏｓを０．０５〜２０重量％含有することを
特徴とする抵抗ペーストを提供するものである。 本発明の目的は、導電物質粉末と染色用金属酸化物を含
有したガラス粉末からなるドーザ−トリミング特性のよ
い抵抗体ペーストを作製することである。本発明に使用
するガラスはどんなものでも使用できるが、５ｉＯａ
−Ｂａ５３系等のガラスが低温度で焼結しやすく望まし
い。 本発明にかかるガラス粉末の一例としては、無機成分が
実質的に重量％まで Ｓｔｏｗ ８〜６０％Ａ１．０１
０〜３０％ ＭｇＯＯ〜４０％ Ｃａ００〜４０％ ＳｒＯＯ〜６０％ Ｂａｎ Ｏ〜６０％ ＭｇＯ＋ＣａＯ＋ＳｒＯ◆ＢａＯｔｏ〜６０％ＬｉａＯ
＋ＮａａＯ＋に、０＋Ｃｓ１Ｏｏ〜ｔｏ％ｐｂｏ
ｏ〜ｌＯ％ Ｚｎ００〜４０％ Ｔｉｅｓ◆ＺｒＯ＊ ０〜１０％ｅｇｏｓ
５〜４０％からなり、順次これらにつ
いて説明する。 かかる組成において、ＳｉＯ□はガラスのネットワーク
フォーマ−であり、８％より少ないと、軟化点が低くな
りすぎ耐熱性が低下し、再焼成時に変形を生じやすくな
るので好ましくない。 一方、ＳｉＯ□が６０％より多いと、軟化点が高くなり
過ぎ、焼成時にガラスの流動が悪くなり導電物質粉末を
覆って濡らすことができず焼結層の空孔が多くなりすぎ
、抵抗の安定性が悪くなるので適当でない。望ましくは
、１５〜５５％の範囲である。 Ａｌａｓ、は必須ではないが、添加することにより、耐
湿性の向上に効果がある。３０％を超えるとガラスの軟
化温度が高くなり、焼結性が悪くなり適当でない。望ま
しくは２８％以下である。 ＭｇＯ＋ＣａＯ◆ＳｒＯ＋ＢａＯはガラス粉末製造時の
溶解性を向上さすため及び熱膨張係数を調整する目的で
添加する。１０％より少ないと、上記の溶解性が十分に
向上しないと共にガラス製造時に失透を生じやすく、６
０％を超えると、熱膨張係数が大きくなりすぎ、いずれ
も適当でない。望ましくは１５〜５５％の範囲である。 また、上記ＭｇＯ＋ＣａＯ＋ＳｒＯ＋ＢａＯの内のＭｇ
Ｏ，ＣａＯはそれぞれ４０％以上であると熱膨張係数が
大きくなりすぎ不適当である。望ましい範囲は０〜３５
％である。上記ＭｇＯ＋ＣａＯ＋ＳｒＯ＋ＢａＯの内の
Ｓ「０゜ＢａＯは６０％以上であると熱膨張係数が大き
くなりすぎ不適当である。望ましい範囲は０〜５５％で
ある。 Ｌｉ＊０◆ＮａｔＯ＋に＊０◆Ｃｓ＊０は必須ではない
が、添加することにより、ガラスの溶解性の向上を図る
ことができる。 １０％を越えると、熱膨張係数が大き
くなりすぎ、基板とのマツチングが悪くなり、焼成後厚
膜が入る可能性が大となり適当でない、望ましくは８％
以下である。 ＰｂＯは必須ではないが、ガラスのフラックス成分とし
ての効果がある。１０％を超えると抵抗値が高くなりす
ぎ適当でない。望ましくは５％以下である。 ＺｎＯは必須ではないが、ガラスの溶解性の改善のため
に４０％まで添加することが可能であり、３５％以下が
望ましい範囲である。 ＺｒＯ□＋ＴｉＯ□は必須ではないが、添加することに
より、抵抗体の耐湿信頼性を向上さすことができる。ｔ
Ｓ加量は１０％が可能であるが、望ましくは７％以下で
ある。 Ｂ２０．はフラックス成分として用いるが、 ５％より
少ないと軟化点が高くなり、焼結不足となり焼結層に空
孔が多くなりすぎる。また４０％を超えるとガラスの耐
水性が低下し適当でない。 望ましくは、７〜３８％の範囲である。 ガラス中の染色用金属酸化物成分としては、レーザーの
波長近辺（近赤外（１μｍ付近））において、レーザー
の吸収特性を有する物質であることが必要であり、具体
的にはＦｅ、０．、 Ｃｏｏ。 Ｃｒａｂｓ、 ＭｎＯ，Ｃｕｂ、 Ｎｉｐ、 ＶｇＯａ
を単独又は並用して上記ガラス中の実質的に０．０５〜
２０重量％含有されることが必要であり、この中でＣｒ
ｘＯｓ、ＮｉＯ。 Ｆｅ１Ｏｓ、ＭｎＯ，ＣｏＯが望ましく 、 ＣｒａＯ
ｓ、ＮｉＯが特に望ましい、上記Ｆｅｔｏｓ等はこれら
の例示した物質が主成分であることが必要であるが、他
の物質を含有していても使用できる。 導電物質としては、 ＺｒＢａ、ＬａＢａ、ＴａＮ、Ｔ
ｉＮ、ＴａＳｉｘ。 Ｍｏ５ｉａ、ＭＯｘＣ，ＷＣが使用できる。 本発明の抵抗体ペーストの組成物は、各粉末が上記割合
に混合されているものであり、以下本発明の抵抗体ペー
ストの作製方法とそれを使用した厚膜回路の製造の一例
について説明する。 上記本発明の抵抗体ペーストの組成物に有機バインダー
、溶剤からなる有機ビヒクルを添加し、混練し、ペース
ト状とする。この有機バインダーとしては、エチルセル
ロース、アクリル樹脂、エチレン−酢酸ビニル共重合樹
脂、ポリミーメチルスチレン樹脂、溶剤としては、ａ
−テルピネオール、ブチルカルピトールアセテート、ブ
チルカルピトール、２，２．４−トリメチルペンタンジ
オ−ルー１．３−モノイソブチレート、ジエチレングリ
コールジ−ｎ−ブチルエーテル等が通常使用できる。さ
らに分散剤として界面活性剤を添加してもよい。 次いで焼成後の固化したアルミナ基板、又はガラスセラ
ミックス等のセラミックス基板上に導体を作成するため
にＣｕペーストを所定の回路に印刷、乾燥後、酸素濃度
２０ｐｐｍ以下の窒素雰囲気中で８５０〜１０００℃、
５〜２０分で焼成する。 この焼成条件の望ましい範囲は８８０〜９５０℃、７〜
１５分である。次いで、抵抗を設けるべき所定の箇所に
上記本発明の抵抗体ペーストを印刷した後乾燥させ、上
記窒素雰囲気中、８５０〜１０００℃、５〜２０分で焼
成する。この焼成条件の望ましい範囲は８８０〜９５０
℃、７〜１５分である。 多層セラミックス基板−括焼成の場合は、上記Ｃｕペー
ストと本発明の抵抗体ペーストを印刷したセラミックス
基板用等のセラミックスのグリーンシートを熱圧着後積
層し、上記窒素雰囲気中で８５０−１０００℃、数分〜
数時間で一括焼成、多層基板を作成する。 また、ガラス溶解時に清澄剤、溶融促進剤として硝酸塩
、亜ヒ酸、酸化アンチモン、硫酸塩、フッ化物、塩化物
等を０〜５％添加することができる。 実施例 目標組成となるように、各原料を調合し、これを白金ル
ツボに入れ、１３５０〜１５００℃で２〜３時間撹拌し
つつ加熱撹拌した０次いでこれを水砕又はフレーク状と
し、更に粉砕装置により平均粒径０．５〜６μｍになる
ように粉砕し、表−１に示す組成のガラス粉末を製造し
た０次いで表−１に示す導電物質粉末を平均粒径０．０
１〜５μｍになるように調整した。次いでこれらのガラ
ス粉末と導電物質粉末を表−１に記載の割合で混合し、
本発明による８種類の組成物を得た。 次いでこれらに有機バインダーとしてエチルセルロース
、溶剤としてａ−テルピネオールからなる有機ビヒクル
を添加し、混練し、粘度が３０ｘ ｌＯ’ｃｐｓのペー
ストを作成した０次いでアルミナ基板上に電極としてＣ
ｕペーストを所定の回路にスクリーン印刷、乾燥し、窒
素雰囲気中９００℃、１０分で焼成した。 次いで、抵抗所定箇所に上記抵抗体ペーストを２００メ
ツシユスクリーンでスクリーン印刷し、乾燥し、Ｎ、中
で９００℃、１０分で焼成した。 焼成膜厚は約１５μｍであった。 かくして回路を作成した。この回路素子について、抵抗
値を測定した０次いでそれらについてレーザートリミン
グを行なった。これらの結果を表−１に記載した。表−
１にはフルカットのレーザートリミング後の抵抗値を記
載した。 表−１から明らかなように、本発明による組成物はレー
ザートリミング性、トリミング後の抵抗特性に優れ、厚
膜回路用抵抗体ペーストとして、十分使用できる特性を
有する。 比較例として本発明による組成物以外のものについても
同様の評価を行なったので表−２に記載した。 表−１には、レーザー光の波長（約１μｍ）で測定した
吸収率を示す。測定には反射スペクトルを測定し、（ｌ
−反射率） ｘ ｔＧｏ（％）として算出した。 〔作用・効果〕 本発明において、近赤外（１μｍ付近の波長）の吸収率
を上げた抵抗体は、レーザーの吸収を上げるためカット
特性を向上させる作用がある。
て銅（Ｃｕ）導体を形成し、その間に抵抗体ペーストを
印刷し、窒素雰囲気（Ｎ２）巾約８５０〜１０００℃で
焼成される。 次いで、抵抗値の調整のためにレーザートリミングを行
なうが、その際レーザーによるトリミンクが十分には行
なわれない、そのため、抵抗体厚膜がカットできるよう
に、レーザーのパワーを上昇させると、抵抗体が切れる
と共に下地の基板までレーザーにより切れ、堀れてしま
う、抵抗体がレーザーにより切れにくい、又。 切口にクラック・が発生する０以上のような問題があっ
た。 【発明の解決しようとする課題１ 本発明の目的は、従来技術が有していた前述の欠点を解
消しようとするものであり、従来知られていなかった抵
抗体ペーストを新規に提供することを目的とするもので
ある。 【課題を解決するための手段】 本発明は、前述の問題点を解決すべくなされたものであ
り、無機成分が実質的にガラス粉末とＺｒＢ＊、ＬａＢ
５．ＴａＮ、ＴｉＮ、Ｔａ５ｋｓ、ＭｏＳｉｘ、Ｍｏａ
Ｃ，ＩＣのいずれか１つからなり、上記ガラス粉末はＦ
ｅ＊Ｏｓ◆ＣｏＯ◆Ｃｒ＊Ｏｓ ＋ＭｎＯ＋ＣｕＯ＋Ｎ
ｉＯ＋Ｖ黛Ｏｓを０．０５〜２０重量％含有することを
特徴とする抵抗ペーストを提供するものである。 本発明の目的は、導電物質粉末と染色用金属酸化物を含
有したガラス粉末からなるドーザ−トリミング特性のよ
い抵抗体ペーストを作製することである。本発明に使用
するガラスはどんなものでも使用できるが、５ｉＯａ
−Ｂａ５３系等のガラスが低温度で焼結しやすく望まし
い。 本発明にかかるガラス粉末の一例としては、無機成分が
実質的に重量％まで Ｓｔｏｗ ８〜６０％Ａ１．０１
０〜３０％ ＭｇＯＯ〜４０％ Ｃａ００〜４０％ ＳｒＯＯ〜６０％ Ｂａｎ Ｏ〜６０％ ＭｇＯ＋ＣａＯ＋ＳｒＯ◆ＢａＯｔｏ〜６０％ＬｉａＯ
＋ＮａａＯ＋に、０＋Ｃｓ１Ｏｏ〜ｔｏ％ｐｂｏ
ｏ〜ｌＯ％ Ｚｎ００〜４０％ Ｔｉｅｓ◆ＺｒＯ＊ ０〜１０％ｅｇｏｓ
５〜４０％からなり、順次これらにつ
いて説明する。 かかる組成において、ＳｉＯ□はガラスのネットワーク
フォーマ−であり、８％より少ないと、軟化点が低くな
りすぎ耐熱性が低下し、再焼成時に変形を生じやすくな
るので好ましくない。 一方、ＳｉＯ□が６０％より多いと、軟化点が高くなり
過ぎ、焼成時にガラスの流動が悪くなり導電物質粉末を
覆って濡らすことができず焼結層の空孔が多くなりすぎ
、抵抗の安定性が悪くなるので適当でない。望ましくは
、１５〜５５％の範囲である。 Ａｌａｓ、は必須ではないが、添加することにより、耐
湿性の向上に効果がある。３０％を超えるとガラスの軟
化温度が高くなり、焼結性が悪くなり適当でない。望ま
しくは２８％以下である。 ＭｇＯ＋ＣａＯ◆ＳｒＯ＋ＢａＯはガラス粉末製造時の
溶解性を向上さすため及び熱膨張係数を調整する目的で
添加する。１０％より少ないと、上記の溶解性が十分に
向上しないと共にガラス製造時に失透を生じやすく、６
０％を超えると、熱膨張係数が大きくなりすぎ、いずれ
も適当でない。望ましくは１５〜５５％の範囲である。 また、上記ＭｇＯ＋ＣａＯ＋ＳｒＯ＋ＢａＯの内のＭｇ
Ｏ，ＣａＯはそれぞれ４０％以上であると熱膨張係数が
大きくなりすぎ不適当である。望ましい範囲は０〜３５
％である。上記ＭｇＯ＋ＣａＯ＋ＳｒＯ＋ＢａＯの内の
Ｓ「０゜ＢａＯは６０％以上であると熱膨張係数が大き
くなりすぎ不適当である。望ましい範囲は０〜５５％で
ある。 Ｌｉ＊０◆ＮａｔＯ＋に＊０◆Ｃｓ＊０は必須ではない
が、添加することにより、ガラスの溶解性の向上を図る
ことができる。 １０％を越えると、熱膨張係数が大き
くなりすぎ、基板とのマツチングが悪くなり、焼成後厚
膜が入る可能性が大となり適当でない、望ましくは８％
以下である。 ＰｂＯは必須ではないが、ガラスのフラックス成分とし
ての効果がある。１０％を超えると抵抗値が高くなりす
ぎ適当でない。望ましくは５％以下である。 ＺｎＯは必須ではないが、ガラスの溶解性の改善のため
に４０％まで添加することが可能であり、３５％以下が
望ましい範囲である。 ＺｒＯ□＋ＴｉＯ□は必須ではないが、添加することに
より、抵抗体の耐湿信頼性を向上さすことができる。ｔ
Ｓ加量は１０％が可能であるが、望ましくは７％以下で
ある。 Ｂ２０．はフラックス成分として用いるが、 ５％より
少ないと軟化点が高くなり、焼結不足となり焼結層に空
孔が多くなりすぎる。また４０％を超えるとガラスの耐
水性が低下し適当でない。 望ましくは、７〜３８％の範囲である。 ガラス中の染色用金属酸化物成分としては、レーザーの
波長近辺（近赤外（１μｍ付近））において、レーザー
の吸収特性を有する物質であることが必要であり、具体
的にはＦｅ、０．、 Ｃｏｏ。 Ｃｒａｂｓ、 ＭｎＯ，Ｃｕｂ、 Ｎｉｐ、 ＶｇＯａ
を単独又は並用して上記ガラス中の実質的に０．０５〜
２０重量％含有されることが必要であり、この中でＣｒ
ｘＯｓ、ＮｉＯ。 Ｆｅ１Ｏｓ、ＭｎＯ，ＣｏＯが望ましく 、 ＣｒａＯ
ｓ、ＮｉＯが特に望ましい、上記Ｆｅｔｏｓ等はこれら
の例示した物質が主成分であることが必要であるが、他
の物質を含有していても使用できる。 導電物質としては、 ＺｒＢａ、ＬａＢａ、ＴａＮ、Ｔ
ｉＮ、ＴａＳｉｘ。 Ｍｏ５ｉａ、ＭＯｘＣ，ＷＣが使用できる。 本発明の抵抗体ペーストの組成物は、各粉末が上記割合
に混合されているものであり、以下本発明の抵抗体ペー
ストの作製方法とそれを使用した厚膜回路の製造の一例
について説明する。 上記本発明の抵抗体ペーストの組成物に有機バインダー
、溶剤からなる有機ビヒクルを添加し、混練し、ペース
ト状とする。この有機バインダーとしては、エチルセル
ロース、アクリル樹脂、エチレン−酢酸ビニル共重合樹
脂、ポリミーメチルスチレン樹脂、溶剤としては、ａ
−テルピネオール、ブチルカルピトールアセテート、ブ
チルカルピトール、２，２．４−トリメチルペンタンジ
オ−ルー１．３−モノイソブチレート、ジエチレングリ
コールジ−ｎ−ブチルエーテル等が通常使用できる。さ
らに分散剤として界面活性剤を添加してもよい。 次いで焼成後の固化したアルミナ基板、又はガラスセラ
ミックス等のセラミックス基板上に導体を作成するため
にＣｕペーストを所定の回路に印刷、乾燥後、酸素濃度
２０ｐｐｍ以下の窒素雰囲気中で８５０〜１０００℃、
５〜２０分で焼成する。 この焼成条件の望ましい範囲は８８０〜９５０℃、７〜
１５分である。次いで、抵抗を設けるべき所定の箇所に
上記本発明の抵抗体ペーストを印刷した後乾燥させ、上
記窒素雰囲気中、８５０〜１０００℃、５〜２０分で焼
成する。この焼成条件の望ましい範囲は８８０〜９５０
℃、７〜１５分である。 多層セラミックス基板−括焼成の場合は、上記Ｃｕペー
ストと本発明の抵抗体ペーストを印刷したセラミックス
基板用等のセラミックスのグリーンシートを熱圧着後積
層し、上記窒素雰囲気中で８５０−１０００℃、数分〜
数時間で一括焼成、多層基板を作成する。 また、ガラス溶解時に清澄剤、溶融促進剤として硝酸塩
、亜ヒ酸、酸化アンチモン、硫酸塩、フッ化物、塩化物
等を０〜５％添加することができる。 実施例 目標組成となるように、各原料を調合し、これを白金ル
ツボに入れ、１３５０〜１５００℃で２〜３時間撹拌し
つつ加熱撹拌した０次いでこれを水砕又はフレーク状と
し、更に粉砕装置により平均粒径０．５〜６μｍになる
ように粉砕し、表−１に示す組成のガラス粉末を製造し
た０次いで表−１に示す導電物質粉末を平均粒径０．０
１〜５μｍになるように調整した。次いでこれらのガラ
ス粉末と導電物質粉末を表−１に記載の割合で混合し、
本発明による８種類の組成物を得た。 次いでこれらに有機バインダーとしてエチルセルロース
、溶剤としてａ−テルピネオールからなる有機ビヒクル
を添加し、混練し、粘度が３０ｘ ｌＯ’ｃｐｓのペー
ストを作成した０次いでアルミナ基板上に電極としてＣ
ｕペーストを所定の回路にスクリーン印刷、乾燥し、窒
素雰囲気中９００℃、１０分で焼成した。 次いで、抵抗所定箇所に上記抵抗体ペーストを２００メ
ツシユスクリーンでスクリーン印刷し、乾燥し、Ｎ、中
で９００℃、１０分で焼成した。 焼成膜厚は約１５μｍであった。 かくして回路を作成した。この回路素子について、抵抗
値を測定した０次いでそれらについてレーザートリミン
グを行なった。これらの結果を表−１に記載した。表−
１にはフルカットのレーザートリミング後の抵抗値を記
載した。 表−１から明らかなように、本発明による組成物はレー
ザートリミング性、トリミング後の抵抗特性に優れ、厚
膜回路用抵抗体ペーストとして、十分使用できる特性を
有する。 比較例として本発明による組成物以外のものについても
同様の評価を行なったので表−２に記載した。 表−１には、レーザー光の波長（約１μｍ）で測定した
吸収率を示す。測定には反射スペクトルを測定し、（ｌ
−反射率） ｘ ｔＧｏ（％）として算出した。 〔作用・効果〕 本発明において、近赤外（１μｍ付近の波長）の吸収率
を上げた抵抗体は、レーザーの吸収を上げるためカット
特性を向上させる作用がある。
Claims (1)
- １）無機成分が実質的にガラス粉末とＺｒＢ＿２、Ｌａ
Ｂ＿６、ＴａＮ、ＴｉＮ、ＴａＳＩ＿２、ＭｏＳｉ＿２
、Ｍｏ＿２Ｃ、ＷＣのいずれか１つからなり、上記ガラ
ス粉末はＦｅ＿２Ｏ＿３＋ＣｏＯ＋Ｃｒ＿２Ｏ＿３＋Ｍ
ｎＯ＋ＣｕＯ＋ＮｉＯ＋Ｖ＿２Ｏ＿５を０．０５〜２０
重量％含有することを特徴とする抵抗ペースト。
Priority Applications (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP1167101A JPH0334401A (ja) | 1989-06-30 | 1989-06-30 | 抵抗体ペースト |
Applications Claiming Priority (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP1167101A JPH0334401A (ja) | 1989-06-30 | 1989-06-30 | 抵抗体ペースト |
Publications (1)
| Publication Number | Publication Date |
|---|---|
| JPH0334401A true JPH0334401A (ja) | 1991-02-14 |
Family
ID=15843447
Family Applications (1)
| Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
|---|---|---|---|
| JP1167101A Pending JPH0334401A (ja) | 1989-06-30 | 1989-06-30 | 抵抗体ペースト |
Country Status (1)
| Country | Link |
|---|---|
| JP (1) | JPH0334401A (ja) |
-
1989
- 1989-06-30 JP JP1167101A patent/JPH0334401A/ja active Pending
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