JPH0334472A - 非晶質半導体光起電力素子 - Google Patents
非晶質半導体光起電力素子Info
- Publication number
- JPH0334472A JPH0334472A JP1166995A JP16699589A JPH0334472A JP H0334472 A JPH0334472 A JP H0334472A JP 1166995 A JP1166995 A JP 1166995A JP 16699589 A JP16699589 A JP 16699589A JP H0334472 A JPH0334472 A JP H0334472A
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- JP
- Japan
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- substrate
- output terminal
- amorphous semiconductor
- cut
- surface side
- Prior art date
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- Granted
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- 239000004065 semiconductor Substances 0.000 title claims abstract description 20
- 239000000758 substrate Substances 0.000 claims abstract description 36
- 238000005452 bending Methods 0.000 claims abstract description 12
- 239000000463 material Substances 0.000 claims abstract description 5
- 238000004519 manufacturing process Methods 0.000 abstract description 4
- 239000003822 epoxy resin Substances 0.000 abstract description 2
- 238000000034 method Methods 0.000 abstract description 2
- 229920000647 polyepoxide Polymers 0.000 abstract description 2
- 229920005989 resin Polymers 0.000 abstract description 2
- 239000011347 resin Substances 0.000 abstract description 2
- 230000008020 evaporation Effects 0.000 abstract 1
- 238000001704 evaporation Methods 0.000 abstract 1
- 239000010410 layer Substances 0.000 description 6
- 229910001220 stainless steel Inorganic materials 0.000 description 4
- 239000010935 stainless steel Substances 0.000 description 4
- 239000004642 Polyimide Substances 0.000 description 3
- 229920001721 polyimide Polymers 0.000 description 3
- 229910000679 solder Inorganic materials 0.000 description 3
- WABPQHHGFIMREM-UHFFFAOYSA-N lead(0) Chemical compound [Pb] WABPQHHGFIMREM-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 2
- 238000007740 vapor deposition Methods 0.000 description 2
- VYZAMTAEIAYCRO-UHFFFAOYSA-N Chromium Chemical compound [Cr] VYZAMTAEIAYCRO-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- 229910052804 chromium Inorganic materials 0.000 description 1
- 239000011651 chromium Substances 0.000 description 1
- 238000007796 conventional method Methods 0.000 description 1
- 230000000694 effects Effects 0.000 description 1
- 238000005268 plasma chemical vapour deposition Methods 0.000 description 1
- 239000011241 protective layer Substances 0.000 description 1
- 229920002050 silicone resin Polymers 0.000 description 1
Classifications
-
- Y—GENERAL TAGGING OF NEW TECHNOLOGICAL DEVELOPMENTS; GENERAL TAGGING OF CROSS-SECTIONAL TECHNOLOGIES SPANNING OVER SEVERAL SECTIONS OF THE IPC; TECHNICAL SUBJECTS COVERED BY FORMER USPC CROSS-REFERENCE ART COLLECTIONS [XRACs] AND DIGESTS
- Y02—TECHNOLOGIES OR APPLICATIONS FOR MITIGATION OR ADAPTATION AGAINST CLIMATE CHANGE
- Y02E—REDUCTION OF GREENHOUSE GAS [GHG] EMISSIONS, RELATED TO ENERGY GENERATION, TRANSMISSION OR DISTRIBUTION
- Y02E10/00—Energy generation through renewable energy sources
- Y02E10/50—Photovoltaic [PV] energy
Landscapes
- Photovoltaic Devices (AREA)
Abstract
(57)【要約】本公報は電子出願前の出願データであるた
め要約のデータは記録されません。
め要約のデータは記録されません。
Description
【発明の詳細な説明】
（産業上の利用分野）
本発明は、非晶質半導体光起電力素子に関し、更に詳細
には、ステンレス、ポリイミド等の可撓性材料製の基板
を用いた非晶質半導体光起電力素子に関するものである
。
には、ステンレス、ポリイミド等の可撓性材料製の基板
を用いた非晶質半導体光起電力素子に関するものである
。
（従来の技術）
近年、上記した種類のステンレス、ポリイミド等の基板
を用いた非晶質半導体光起電力素子が多く使用されてい
る。しかしながら、このような基板は不透明であるため
、素子本体およびその出力端子を基板の表面側に配置し
なければならないが、このように出力端子を基板の表面
側（受光面側となる）に配置した場合には、基板の裏面
側に配置される他の電気回路との接続に工夫が必要とな
る。このため、従来は、出力端子にハンダ等でリード線
を接続し、これを延長して上記他の電気回路に接続して
いた。
を用いた非晶質半導体光起電力素子が多く使用されてい
る。しかしながら、このような基板は不透明であるため
、素子本体およびその出力端子を基板の表面側に配置し
なければならないが、このように出力端子を基板の表面
側（受光面側となる）に配置した場合には、基板の裏面
側に配置される他の電気回路との接続に工夫が必要とな
る。このため、従来は、出力端子にハンダ等でリード線
を接続し、これを延長して上記他の電気回路に接続して
いた。
しかしながら、このようにリード線をハンダ等で接続し
た場合は、このハンダの部分がかさばり時計、計算機等
の装置に組み込み難かった。
た場合は、このハンダの部分がかさばり時計、計算機等
の装置に組み込み難かった。
そこで、特開昭６１−１３４０８０号公報においては、
出力端子部分を突出構造とし、その突出部分を基板の裏
面側に折り曲げた構造が提案されている。
出力端子部分を突出構造とし、その突出部分を基板の裏
面側に折り曲げた構造が提案されている。
（発明が解決しようとする課題）
しかしながら、上記の特開昭６１−１３４０８０号公報
において提案された構造においては、出力端子部分を突
出構造としたので、それを製造する際、２つの出力端子
の間の部分が無駄となり、非晶質半導体光起電力素子の
製造コストが上がる等の問題があった。
において提案された構造においては、出力端子部分を突
出構造としたので、それを製造する際、２つの出力端子
の間の部分が無駄となり、非晶質半導体光起電力素子の
製造コストが上がる等の問題があった。
そこで、本発明は、製造コストを上げることなく、基板
の裏面に出力端子が形成される非晶質半導体光起電力素
子を提供することを目的とするものである。
の裏面に出力端子が形成される非晶質半導体光起電力素
子を提供することを目的とするものである。
（課題を解決するための手段）
本発明の非晶質半導体光起電力素子は、可撓性材料を基
板として用い、該基板の受光面側に形成された出力端子
を、該出力端子近傍の基板に、あるいは出力端子が形成
された基板部分に該出力端子とともに、切り込みを入れ
、その切り込みに沿って折り曲げることにより、非受光
面側にまわしたことを特徴とするものである。
板として用い、該基板の受光面側に形成された出力端子
を、該出力端子近傍の基板に、あるいは出力端子が形成
された基板部分に該出力端子とともに、切り込みを入れ
、その切り込みに沿って折り曲げることにより、非受光
面側にまわしたことを特徴とするものである。
（作 用）
本発明においては、従来から基板上に形成されている出
力端子自体を、該出力端子近傍の基板部分等に切り込み
を入れ、その切り込みに沿って折り曲げることにより、
非受光面側にまわして、出力端子を基板の裏面すなわち
非受光面側に形成するようにした。
力端子自体を、該出力端子近傍の基板部分等に切り込み
を入れ、その切り込みに沿って折り曲げることにより、
非受光面側にまわして、出力端子を基板の裏面すなわち
非受光面側に形成するようにした。
（実施例）
以下、添付図面を参照しつつ、本発明の好ましい実施例
による非晶質半導体光起電力素子について説明する。
による非晶質半導体光起電力素子について説明する。
第１図は、本発明の第１実施例による非晶質半導体光起
電力素子の平面図であり、第２図は、第１図の線Ａ−Ａ
に沿う断面図である。
電力素子の平面図であり、第２図は、第１図の線Ａ−Ａ
に沿う断面図である。
この図において、符号１はステンレス基板を示し、この
基板１は、その全面に絶縁膜２を有し、絶縁基板とされ
ている。この絶縁膜２は、例えばシリコーン系樹脂を印
刷して形成することができる。この基板１上には、下部
電極３が、例えばクロム蒸着により成膜されている。こ
の下部電極３の上には、プラズマＣＶＤ装置により非晶
質半導体層４が形成されている。この非晶質半導体層４
は、下から順に厚さ５０から１５０入のＰ型層、厚さ４
０００から６００ＯＡの■形層、および厚さ２００から
３００ÅのＮ型層を成膜してなるものである。
基板１は、その全面に絶縁膜２を有し、絶縁基板とされ
ている。この絶縁膜２は、例えばシリコーン系樹脂を印
刷して形成することができる。この基板１上には、下部
電極３が、例えばクロム蒸着により成膜されている。こ
の下部電極３の上には、プラズマＣＶＤ装置により非晶
質半導体層４が形成されている。この非晶質半導体層４
は、下から順に厚さ５０から１５０入のＰ型層、厚さ４
０００から６００ＯＡの■形層、および厚さ２００から
３００ÅのＮ型層を成膜してなるものである。
上記非晶質半導体層４の上部には、上部電極５が、ＩＴ
Ｏ蒸着により形成されている。上記下部電極３および上
部電極５には、従来の通り、基板１の表面側に配置され
た出力端子６が形成されている。
Ｏ蒸着により形成されている。上記下部電極３および上
部電極５には、従来の通り、基板１の表面側に配置され
た出力端子６が形成されている。
更に、最上面全面に、上記出力端子６部分を除いて、透
光性の良い樹脂、例えばエポキシ系樹脂を印刷すること
によって形成された保護層７が設けられている。
光性の良い樹脂、例えばエポキシ系樹脂を印刷すること
によって形成された保護層７が設けられている。
上記出力端子６は、例えば第３図に示すように、該出力
端子近傍の基板１部分に縦に切り込み８を形成し、折り
曲げ線９のところで、第４図（ａ）、（ｂ）、（Ｃ）に
示した順で、基板１の裏面ｌａ側に折り曲げることによ
り、基板１の裏面１ａに面するようにされる。
端子近傍の基板１部分に縦に切り込み８を形成し、折り
曲げ線９のところで、第４図（ａ）、（ｂ）、（Ｃ）に
示した順で、基板１の裏面ｌａ側に折り曲げることによ
り、基板１の裏面１ａに面するようにされる。
なお、第５図に示すように、基板１および出力端子６に
横方向に切り込み８を入れ、折り曲げ線９のところで折
り曲げるようにしてもよい。
横方向に切り込み８を入れ、折り曲げ線９のところで折
り曲げるようにしてもよい。
この場合には、上記切り込み８は、図示したように出力
端子６の途中で終わらせる必要がある。
端子６の途中で終わらせる必要がある。
次に、第６図以降を参照して、本発明の第２の実施例に
よる丸型非晶質半導体光起電力素子について説明すると
、この実施例の場合には、第６図に示したように、基板
１の出力端子６の両側にそれぞれ切り込みｌＯを入れ、
折り曲げ線１１のところで折り曲げることによって、出
力端子６は、基板１の裏面１ａに面するようにされる。
よる丸型非晶質半導体光起電力素子について説明すると
、この実施例の場合には、第６図に示したように、基板
１の出力端子６の両側にそれぞれ切り込みｌＯを入れ、
折り曲げ線１１のところで折り曲げることによって、出
力端子６は、基板１の裏面１ａに面するようにされる。
このように、出力端子６が折り曲げられた状態の丸型非
晶質半導体光起電力素子の表面すなわち受光面側を第７
図に、また裏面すなわち非受光面側を第８図にそれぞれ
示した。
晶質半導体光起電力素子の表面すなわち受光面側を第７
図に、また裏面すなわち非受光面側を第８図にそれぞれ
示した。
この実施例においては、他の部分・部材は、上記第１実
施例と対応しているので、同一の符号を付してその説明
を省略する。
施例と対応しているので、同一の符号を付してその説明
を省略する。
（発明の効果）
本発明においては、従来からステンレスやポリイミド等
の基板の受光面上に形成されている出力端子自体を、該
出力端子近傍の基板部分等に切り込みを入れ、その切り
込みに沿って折り曲げることにより、非受光面側にまわ
して、出力端子を基板の裏面すなわち非受光面側に形成
するようにしたので、特開昭６１−１３４０８０号公報
に開示されているように突出端子を形成する場合に比べ
て、大幅に材料の節約をすることができ、従って、製造
コストも大きく低減することができる。
の基板の受光面上に形成されている出力端子自体を、該
出力端子近傍の基板部分等に切り込みを入れ、その切り
込みに沿って折り曲げることにより、非受光面側にまわ
して、出力端子を基板の裏面すなわち非受光面側に形成
するようにしたので、特開昭６１−１３４０８０号公報
に開示されているように突出端子を形成する場合に比べ
て、大幅に材料の節約をすることができ、従って、製造
コストも大きく低減することができる。
第１図は、本発明の第１実施例による非晶質半導体光起
電力素子の平面図、第２図は、第１図の線Ａ−Ａに沿う
断面図、第３図は、切り込みの入れ方の１例を示す出力
端子部の拡大図、第４図（ａ）、（１１）、（Ｃ）は、
切り込みを入れられた出力端子部の折り曲げの手順を示
す側面図、第５図は、切り込みの入れ方の他の例を示す
出力端子部の拡大図、第６図は、本発明の第２実施例に
よる孔型非晶質半導体光起電力素子の平面図、第７図は
、出力端子を折り曲げた状態で示す第２実施例による孔
型非晶質半導体光起電力素子の概略平面図、第８図は、
出力端子を折り曲げた状態で示す第２実施例による孔型
非晶質半導体光起電力素子の概略背面図である。 １・・・基板 ６・・・出力端子８、ｌＯ・
・・切り込み ９．１ｔ・・・折り曲げ線杆 出 願 太陽誘電株式会社 理 北 村 欣 −（゛ 外３名
電力素子の平面図、第２図は、第１図の線Ａ−Ａに沿う
断面図、第３図は、切り込みの入れ方の１例を示す出力
端子部の拡大図、第４図（ａ）、（１１）、（Ｃ）は、
切り込みを入れられた出力端子部の折り曲げの手順を示
す側面図、第５図は、切り込みの入れ方の他の例を示す
出力端子部の拡大図、第６図は、本発明の第２実施例に
よる孔型非晶質半導体光起電力素子の平面図、第７図は
、出力端子を折り曲げた状態で示す第２実施例による孔
型非晶質半導体光起電力素子の概略平面図、第８図は、
出力端子を折り曲げた状態で示す第２実施例による孔型
非晶質半導体光起電力素子の概略背面図である。 １・・・基板 ６・・・出力端子８、ｌＯ・
・・切り込み ９．１ｔ・・・折り曲げ線杆 出 願 太陽誘電株式会社 理 北 村 欣 −（゛ 外３名
Claims (1)
- 可撓性材料を基板として用い、該基板の受光面側に形成
された出力端子を、該出力端子近傍の基板に、あるいは
出力端子が形成された基板部分に該出力端子とともに、
切り込みを入れ、その切り込みに沿って折り曲げること
により、非受光面側にまわしたことを特徴とする非晶質
半導体光起電力素子。
Priority Applications (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP1166995A JP2620884B2 (ja) | 1989-06-30 | 1989-06-30 | 非晶質半導体光起電力素子 |
Applications Claiming Priority (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP1166995A JP2620884B2 (ja) | 1989-06-30 | 1989-06-30 | 非晶質半導体光起電力素子 |
Publications (2)
| Publication Number | Publication Date |
|---|---|
| JPH0334472A true JPH0334472A (ja) | 1991-02-14 |
| JP2620884B2 JP2620884B2 (ja) | 1997-06-18 |
Family
ID=15841432
Family Applications (1)
| Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
|---|---|---|---|
| JP1166995A Expired - Lifetime JP2620884B2 (ja) | 1989-06-30 | 1989-06-30 | 非晶質半導体光起電力素子 |
Country Status (1)
| Country | Link |
|---|---|
| JP (1) | JP2620884B2 (ja) |
Cited By (2)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| US5512107A (en) * | 1992-03-19 | 1996-04-30 | Siemens Solar Gmbh | Environmentally stable thin-film solar module |
| JP2001185747A (ja) * | 1999-12-24 | 2001-07-06 | Nisshin Steel Co Ltd | 耐熱性に優れた太陽電池用絶縁基板及びその製造方法 |
Citations (2)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| JPS60123073A (ja) * | 1983-12-08 | 1985-07-01 | Fuji Electric Corp Res & Dev Ltd | 薄膜太陽電池 |
| JPS61134080A (ja) * | 1984-12-04 | 1986-06-21 | Matsushita Electric Ind Co Ltd | 薄膜太陽電池 |
-
1989
- 1989-06-30 JP JP1166995A patent/JP2620884B2/ja not_active Expired - Lifetime
Patent Citations (2)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| JPS60123073A (ja) * | 1983-12-08 | 1985-07-01 | Fuji Electric Corp Res & Dev Ltd | 薄膜太陽電池 |
| JPS61134080A (ja) * | 1984-12-04 | 1986-06-21 | Matsushita Electric Ind Co Ltd | 薄膜太陽電池 |
Cited By (2)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| US5512107A (en) * | 1992-03-19 | 1996-04-30 | Siemens Solar Gmbh | Environmentally stable thin-film solar module |
| JP2001185747A (ja) * | 1999-12-24 | 2001-07-06 | Nisshin Steel Co Ltd | 耐熱性に優れた太陽電池用絶縁基板及びその製造方法 |
Also Published As
| Publication number | Publication date |
|---|---|
| JP2620884B2 (ja) | 1997-06-18 |
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