JPH0334527A - 電解コンデンサ用陽極箔の製造方法 - Google Patents
電解コンデンサ用陽極箔の製造方法Info
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- JPH0334527A JPH0334527A JP1169209A JP16920989A JPH0334527A JP H0334527 A JPH0334527 A JP H0334527A JP 1169209 A JP1169209 A JP 1169209A JP 16920989 A JP16920989 A JP 16920989A JP H0334527 A JPH0334527 A JP H0334527A
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Classifications
-
- C—CHEMISTRY; METALLURGY
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- C23C—COATING METALLIC MATERIAL; COATING MATERIAL WITH METALLIC MATERIAL; SURFACE TREATMENT OF METALLIC MATERIAL BY DIFFUSION INTO THE SURFACE, BY CHEMICAL CONVERSION OR SUBSTITUTION; COATING BY VACUUM EVAPORATION, BY SPUTTERING, BY ION IMPLANTATION OR BY CHEMICAL VAPOUR DEPOSITION, IN GENERAL
- C23C2222/00—Aspects relating to chemical surface treatment of metallic material by reaction of the surface with a reactive medium
- C23C2222/20—Use of solutions containing silanes
Landscapes
- Fixed Capacitors And Capacitor Manufacturing Machines (AREA)
Abstract
(57)【要約】本公報は電子出願前の出願データであるた
め要約のデータは記録されません。
め要約のデータは記録されません。
Description
【発明の詳細な説明】
(産業上の利用分野)
本発明は電解コンデンサ用陽極箔の¥JM方法に関する
。
。
(従来の技術)
アルミ電解コンデンサ等の電解コンデンサは、例えばプ
リント配線基板に半田付けされ使用される。そして半田
付けの際に、半田フラツクスがコンデンサや基板に付着
し、これを取り除くために、有機溶剤で洗浄処理を行な
っている。
リント配線基板に半田付けされ使用される。そして半田
付けの際に、半田フラツクスがコンデンサや基板に付着
し、これを取り除くために、有機溶剤で洗浄処理を行な
っている。
従来の有機溶剤は、トリクロロエタンやフロン113等
の洗浄能力に優れたハロゲン系有機溶剤が用いられてい
る。
の洗浄能力に優れたハロゲン系有機溶剤が用いられてい
る。
(発明が解決しようとする課題〉
しかし、洗浄処理をすると、洗浄液がコンデンサの封口
部や端子の隙間からコンデンサの内部に浸入し、特にハ
ロゲン系有機溶剤の洗浄液を用いると、電解液中の水分
と反応し、そのため塩素イオンが遊離する。この状態の
コンデンサに電圧を印加すると、遊離した塩素イオンが
酸化皮膜中のアルミニウム等と容易に反応し、電極表面
で腐食が生じるために、コンデンサの寿命が著しく劣化
する欠点がある。
部や端子の隙間からコンデンサの内部に浸入し、特にハ
ロゲン系有機溶剤の洗浄液を用いると、電解液中の水分
と反応し、そのため塩素イオンが遊離する。この状態の
コンデンサに電圧を印加すると、遊離した塩素イオンが
酸化皮膜中のアルミニウム等と容易に反応し、電極表面
で腐食が生じるために、コンデンサの寿命が著しく劣化
する欠点がある。
この欠点を改善するために、霜解液中に種々の腐食抑制
剤を添加する方法が公知である。例えば、ハロゲン系有
機溶剤の安定剤としてニトロ化合物を添加した発明(特
開昭61−100918号)、塩素イオン沈澱剤として
銀化合物を添加した発明(特開昭58−1538号)、
塩素イオン吸着剤としてハイドロタルサイトを添加した
発明(特開昭58−60527@)等が公知である。
剤を添加する方法が公知である。例えば、ハロゲン系有
機溶剤の安定剤としてニトロ化合物を添加した発明(特
開昭61−100918号)、塩素イオン沈澱剤として
銀化合物を添加した発明(特開昭58−1538号)、
塩素イオン吸着剤としてハイドロタルサイトを添加した
発明(特開昭58−60527@)等が公知である。
しかしながら、これ等の従来の発明では、高温・高圧用
の電解コンデンサについて用いた場合には、効果が低い
欠点があった。
の電解コンデンサについて用いた場合には、効果が低い
欠点があった。
本発明は、以上の欠点を改良し、腐食によるコンデンサ
の寿命劣化を改善しつる電解コンデンサ用陽極箔の製造
方法を提供することを目的とする。
の寿命劣化を改善しつる電解コンデンサ用陽極箔の製造
方法を提供することを目的とする。
(課題を解決するための手段)
本発明は、上記の目的を達成するため、弁作用を有する
金属を化成して陽極酸化皮膜を形成する霜解コンデンサ
用PJtf7A箔の¥J遍六方法おいて、化成後の化成
箔をシランカップリング剤を溶媒に溶解した液中に浸漬
し、次いで加熱処理をすることをT!#徴とする電解コ
ンデンサ用陽極箔の製造方法を提供するものである。
金属を化成して陽極酸化皮膜を形成する霜解コンデンサ
用PJtf7A箔の¥J遍六方法おいて、化成後の化成
箔をシランカップリング剤を溶媒に溶解した液中に浸漬
し、次いで加熱処理をすることをT!#徴とする電解コ
ンデンサ用陽極箔の製造方法を提供するものである。
(作用)
シランカップリング剤は、次の一般式の通り、ケイ素原
子に有機官能基とアルコキシ基が結合している化合物で
ある。
子に有機官能基とアルコキシ基が結合している化合物で
ある。
(n=o、1 あるいは2;Rはメチル基あるいはエ
チル基:Xは脂肪族炭化水素基、脂環式炭化2水素基、
芳香族炭化水素基、ビニル基、アミノ基、エポキシ基、
クロル塁、フルレオ0塁、カルボキシル基、水酸基ある
いはメルカプト基) そしてアルコキシ基はわずかな水分で容易に加水分解さ
れ、水i1基と反応して強固なオキサン結合(Aj−0
−5i)を形成する性質を有している。
チル基:Xは脂肪族炭化水素基、脂環式炭化2水素基、
芳香族炭化水素基、ビニル基、アミノ基、エポキシ基、
クロル塁、フルレオ0塁、カルボキシル基、水酸基ある
いはメルカプト基) そしてアルコキシ基はわずかな水分で容易に加水分解さ
れ、水i1基と反応して強固なオキサン結合(Aj−0
−5i)を形成する性質を有している。
また、陽極酸化皮膜の表面には水酸化アルミニウムが存
在することが知られている。
在することが知られている。
そのために、アル互ニウム等の電極箔を、化成後、シラ
ンカップリング剤を溶剤に溶解した液中に浸漬すると、
陽極酸化皮膜の表面にシランカップリング剤の皮膜が形
成され、オキサン結合を形成する。このオキサン結合が
電解液中に溶けた遊離塩素イオンにより電極箔が腐食す
るのを防止する。
ンカップリング剤を溶剤に溶解した液中に浸漬すると、
陽極酸化皮膜の表面にシランカップリング剤の皮膜が形
成され、オキサン結合を形成する。このオキサン結合が
電解液中に溶けた遊離塩素イオンにより電極箔が腐食す
るのを防止する。
なお、液中に浸漬後に加熱処理をすると、シランカップ
リング剤の皮膜が陽極酸化皮膜の表面により強固に密着
する。
リング剤の皮膜が陽極酸化皮膜の表面により強固に密着
する。
(実施例)
以下、本発明を実施例に基づいて説明する。
先ず、エツチングしたアルミ箔を、シュウ酸や硫酸、ホ
ウ酸等の水溶液中に浸漬して電圧を印加し、化成処理す
る。
ウ酸等の水溶液中に浸漬して電圧を印加し、化成処理す
る。
次に、この化成箔を、水やメタノール、エタノール、酢
酸メチル、酢酸エチル、ベンゼン、トルエン及びキシレ
ンの少なくとも一種類からなる溶媒にγ−アミノプロピ
ルトリエトキシシランやビニルトリメトキシシラン等の
シランカップリング剤を溶解した液中に数分〜数十分間
浸漬する。
酸メチル、酢酸エチル、ベンゼン、トルエン及びキシレ
ンの少なくとも一種類からなる溶媒にγ−アミノプロピ
ルトリエトキシシランやビニルトリメトキシシラン等の
シランカップリング剤を溶解した液中に数分〜数十分間
浸漬する。
浸漬後、化成箔を取り出して、大気中において加熱処理
する。
する。
以下に上記実施例の耐腐食性を測定した。
陽極箔の8造条件は次の通りとする。
化成条件:
化成′/&瀉度80”C,(7)*’7M10wt%水
溶液 電流密度 0.5A/d 化成電圧 500■ 化成時間 500■まで定電流化成し、500V到達
後30分間定霜 圧化成する。
溶液 電流密度 0.5A/d 化成電圧 500■ 化成時間 500■まで定電流化成し、500V到達
後30分間定霜 圧化成する。
浸漬条件ニ
シランカップリング剤を1Qvt%溶解した、温度20
℃の液中に10分間浸漬する。
℃の液中に10分間浸漬する。
加熱処理条件:
大気中において温度85℃〜200°Cで3〜120分
間加熱する。
間加熱する。
そしてこの陽極箔をセパレータ、陰極箔とともに積層し
巻回した素子を用い、これに、エチレングリコールに1
.6デカンジカルボン酸アンモニウムを’lQwt%又
はホウ酸アンモニウムを3Qwt%溶解した電解液を含
浸し、定格400■、220μFで長さ50rmz径2
5sの電解コンデンサとする。
巻回した素子を用い、これに、エチレングリコールに1
.6デカンジカルボン酸アンモニウムを’lQwt%又
はホウ酸アンモニウムを3Qwt%溶解した電解液を含
浸し、定格400■、220μFで長さ50rmz径2
5sの電解コンデンサとする。
耐腐食性の試験は、この電解コンデンサをトリクロロエ
タンに10分間浸漬し、次いで取り出して400VDC
の本庄を印加した状態で温度110℃の雰囲気中に放置
した後、分解し、陽極箔に目視で腐食が発生したか否か
を調べた。なお、比較に、従来例についても同じ試験を
行った。従来例は、陽極箔にシランカップリング剤を溶
解した液による浸漬処理及び加熱処理を行なわなかった
他は本発明実施例と同じ条件で製造する。
タンに10分間浸漬し、次いで取り出して400VDC
の本庄を印加した状態で温度110℃の雰囲気中に放置
した後、分解し、陽極箔に目視で腐食が発生したか否か
を調べた。なお、比較に、従来例についても同じ試験を
行った。従来例は、陽極箔にシランカップリング剤を溶
解した液による浸漬処理及び加熱処理を行なわなかった
他は本発明実施例と同じ条件で製造する。
各試料数は20ケである。結果は表の通りである。
以下余白。
上記表において、各記号は次の物質を示す。
A−γ−アミノプロピルトリエトキシシランB−ビニル
トリメトキシシラン (、−3アミノプロピルトリエトキシシランD−3グリ
シドキシブロビルトリメトキシシランE−3クロロプロ
ピルトリメトキシシラン「−3メルカプトプロピルトリ
メトキシシランG−アミノプロピルトリエトキシシラン
P−1.6デ力ンジカルボン酸アンモニウム10wt%
Q−ホウ酸アンモニウム3Qwt% 表から明らかな通り、本発明によれば1000h「放置
後も腐食が発生しないのに対して、従来例1は5Qhr
放@後で20ケとも腐食が発生し、従来例2は200h
r放置後に18ケ腐食が発生した。
トリメトキシシラン (、−3アミノプロピルトリエトキシシランD−3グリ
シドキシブロビルトリメトキシシランE−3クロロプロ
ピルトリメトキシシラン「−3メルカプトプロピルトリ
メトキシシランG−アミノプロピルトリエトキシシラン
P−1.6デ力ンジカルボン酸アンモニウム10wt%
Q−ホウ酸アンモニウム3Qwt% 表から明らかな通り、本発明によれば1000h「放置
後も腐食が発生しないのに対して、従来例1は5Qhr
放@後で20ケとも腐食が発生し、従来例2は200h
r放置後に18ケ腐食が発生した。
また、浸漬処理後の加熱処3!l!温度と腐食発生の関
係を調べたところ第1図の通りの結果が得られた。陽極
箔としては、化成箔を水にγーアジノブロピルトリエト
キシシランを溶解した温度20℃の液中に浸漬後、加熱
処理を3分間行った箔を用いる。電解コンデンサの定格
は400V,220μ「とする。電解液はエチレングリ
コールに1。
係を調べたところ第1図の通りの結果が得られた。陽極
箔としては、化成箔を水にγーアジノブロピルトリエト
キシシランを溶解した温度20℃の液中に浸漬後、加熱
処理を3分間行った箔を用いる。電解コンデンサの定格
は400V,220μ「とする。電解液はエチレングリ
コールに1。
6デ力ンジカルボン酸アンモニウム10wt%を溶解し
たものと、ホウ酸アンモニウム3Qwt%溶解したもの
とする。また、腐食試験は、温度110℃の雰囲気中に
1000hr放置後、電解コンデンサを分解して陽極箔
に腐食が発生したか否かを目視により確認して行った。
たものと、ホウ酸アンモニウム3Qwt%溶解したもの
とする。また、腐食試験は、温度110℃の雰囲気中に
1000hr放置後、電解コンデンサを分解して陽極箔
に腐食が発生したか否かを目視により確認して行った。
試料数は各々20ケとする。第1図から明らかな通り、
前者の電解液を用いた電解コンデンサaは加熱処理温度
が110℃以上、後者の電解液を用いた電解コンデンサ
bは85℃以上で腐食が零になる。
前者の電解液を用いた電解コンデンサaは加熱処理温度
が110℃以上、後者の電解液を用いた電解コンデンサ
bは85℃以上で腐食が零になる。
さらに、加熱処理時間と腐食発生の関係を調べたところ
第2図に示す通りの結果が得られた。陽極箔は、化成条
件及びその後の浸漬条件は第1図に用いたものと同じと
し、加熱処理を温度85℃。
第2図に示す通りの結果が得られた。陽極箔は、化成条
件及びその後の浸漬条件は第1図に用いたものと同じと
し、加熱処理を温度85℃。
105℃,150℃,200℃の4種類で行った箔を用
いる。電解液、電解コンデンサの定格及び腐食試験は第
1図の場合と同じとする。また、第2図において、電解
液に、1.6デカンジカルボン酸アンモニウムを含み、
加熱処理温度が85℃。
いる。電解液、電解コンデンサの定格及び腐食試験は第
1図の場合と同じとする。また、第2図において、電解
液に、1.6デカンジカルボン酸アンモニウムを含み、
加熱処理温度が85℃。
105℃、150℃及び200℃のものを各々電解コン
デンサイ、口、ハ及び二とし、電解液にホウ酸アンモニ
ウムを含み、加熱処理温度が85℃。
デンサイ、口、ハ及び二とし、電解液にホウ酸アンモニ
ウムを含み、加熱処理温度が85℃。
105℃、150℃及び200℃のものを各々電解コン
デンサイー、O′、バー及び二′とする。
デンサイー、O′、バー及び二′とする。
試料数は各々20ケとする。第2図から明らかな通り、
腐食の発生が零になる時間は、電解コンデンサイ及びイ
゛は各々3分30秒及び3分、電解コンデンサ口及びロ
ーは両方とも2分、電解コンデンサハ及びへ′は両方と
も1分、電解コンデンサニ及びニーは両方とも30秒と
なり、加熱処理温度が高い程、処理時間が短くてすむこ
とがわかる。
腐食の発生が零になる時間は、電解コンデンサイ及びイ
゛は各々3分30秒及び3分、電解コンデンサ口及びロ
ーは両方とも2分、電解コンデンサハ及びへ′は両方と
も1分、電解コンデンサニ及びニーは両方とも30秒と
なり、加熱処理温度が高い程、処理時間が短くてすむこ
とがわかる。
(発明の効果〉
以上の通り、本発明の製造方法によれば、化成後の箔を
シランカップリング剤を含む液に浸漬しその後、加熱処
理しているため、耐腐食性の優れた電解コンデンサ用電
極箔が得られる。
シランカップリング剤を含む液に浸漬しその後、加熱処
理しているため、耐腐食性の優れた電解コンデンサ用電
極箔が得られる。
第1図は加熱処3!li!温度と腐食発生数の関係のグ
ラフ、 第2図は加熱処理時間と腐食発生数の関係のグラフを示
す。
ラフ、 第2図は加熱処理時間と腐食発生数の関係のグラフを示
す。
Claims (1)
- (1)弁作用を有する金属を化成して陽極酸化皮膜を形
成する電解コンデンサ用陽極箔の製造方法において、化
成後の化成箔をシランカップリング剤を溶媒に溶解した
液中に浸漬し、次いで加熱処理をすることを特徴とする
電解コンデンサ用陽極箔の製造方法。
Priority Applications (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP1169209A JPH0334527A (ja) | 1989-06-30 | 1989-06-30 | 電解コンデンサ用陽極箔の製造方法 |
Applications Claiming Priority (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP1169209A JPH0334527A (ja) | 1989-06-30 | 1989-06-30 | 電解コンデンサ用陽極箔の製造方法 |
Publications (1)
| Publication Number | Publication Date |
|---|---|
| JPH0334527A true JPH0334527A (ja) | 1991-02-14 |
Family
ID=15882227
Family Applications (1)
| Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
|---|---|---|---|
| JP1169209A Pending JPH0334527A (ja) | 1989-06-30 | 1989-06-30 | 電解コンデンサ用陽極箔の製造方法 |
Country Status (1)
| Country | Link |
|---|---|
| JP (1) | JPH0334527A (ja) |
Cited By (6)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| WO2002072283A1 (en) * | 2001-03-08 | 2002-09-19 | Macdermid, Incorporated | Inhibiting aluminum corrosion with mercapto-substituted silanes |
| JP2007266202A (ja) * | 2006-03-28 | 2007-10-11 | Saga Sanyo Industries Co Ltd | 電解コンデンサの製造方法 |
| JP2008185279A (ja) * | 2007-01-30 | 2008-08-14 | Sanyo Electric Co Ltd | 床置型空気調和機 |
| CN106024393A (zh) * | 2016-05-30 | 2016-10-12 | 南通海星电子股份有限公司 | 铝电解电容器用阳极铝箔电极反应的耦合腐蚀制备方法 |
| CN109461586A (zh) * | 2018-10-10 | 2019-03-12 | 乳源瑶族自治县东阳光化成箔有限公司 | 一种降低铝电解电容器用低压电极箔漏电流的制备方法 |
| US11428344B2 (en) | 2017-11-07 | 2022-08-30 | Kitz Corporation | Valve |
-
1989
- 1989-06-30 JP JP1169209A patent/JPH0334527A/ja active Pending
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| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
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