JPH0334595A - 半導体レーザ及びその製造方法 - Google Patents
半導体レーザ及びその製造方法Info
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- JPH0334595A JPH0334595A JP1170116A JP17011689A JPH0334595A JP H0334595 A JPH0334595 A JP H0334595A JP 1170116 A JP1170116 A JP 1170116A JP 17011689 A JP17011689 A JP 17011689A JP H0334595 A JPH0334595 A JP H0334595A
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- Japan
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- active layer
- semiconductor laser
- buried
- ridge
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Abstract
(57)【要約】本公報は電子出願前の出願データであるた
め要約のデータは記録されません。
め要約のデータは記録されません。
Description
【発明の詳細な説明】
産業上の利用分野
本発明は情報の光通信あるいは光消去・記録・再生など
に用いることのできる可視光半導体レーザに係わり、特
にＭＯＶＰＥ法による製造に適した半導体レーザ及びそ
の製造方法に関する。
に用いることのできる可視光半導体レーザに係わり、特
にＭＯＶＰＥ法による製造に適した半導体レーザ及びそ
の製造方法に関する。
従来の技術
ディジタル・オーディオ・ディス久 光ディスクファイ
ル、レーザプリンター等の情報処理装置用光源として０
．６μｍ帯のＡ ＩＧａ ＩｎＰ／ ＧａＡｓ系可視光
半導体レーザが要望されている。従来の半導体レーザは
例えば第３図に示すような構造である。この埋込み構造
（よ ストライプ状の活性層の側面を禁制帯幅の大きな
半導体層で埋め込んだ構造を有しており、単一横モード
で低しき、い値かつ効率の良い半導体レーザとしてＧａ
ＩｎＡｓＰ／ ＩｎＰ系では実用化されているものであ
り、屈折率導波構造の最もポピユラーなものである。以
下、従来の埋込み構造をＡｌＧａ１ｎＰ／ＧａＡｓ系可
視光半導体レーザに適用した第３図の場合について説明
する。 ｌはｎ−ＧａＡｓ基楓２はｎ−ＡＩＧａＩｎｐ
クラッド恩 ３はＧａＩｎＰ活性＃ ４はｐ−ＡｌＧａ
１ｎＰクラツド凰 ５はＰ−ＧａＡｓキャップ凰１１は
高抵抗ＡｌＧａＡｓ埋込み凰 ９及び１０はそれぞれｎ
、ｐ側電極である。以上のような構造はＭＯＶＰＥ法に
より形成されている。この構造において、高抵抗ＡｌＧ
ａＡｓ埋゛込み層１１はＧａＩｎＰ活性層３より禁制帯
幅が広く低屈折率であるたム 電流はＧａＩｎＰ活性層
にしか流れず、光は横方向に屈折率差がつき閉じ込めら
れも 発明が解決しようとする課題 しかしながらこのような埋込み構造において、単一横モ
ード発振を得るには活性層幅を１〜２μｍと狭くする必
要があっｔ：、 ＡｌＧａ１ｎＰ四元混晶は材料の抵
抗が高いため活性層幅を狭くするとシリーズ抵抗が大き
くなり動作電圧が高くなるという問題があっｆＱ、
同時に 共振器端面での光密度が大きくなり、高出力動
作が困難でありｔも そこで、本発明の目的は 活性
層幅を広くして上記の欠点を同時に除去でき、単一横モ
ードで高出九 長時間の安定動作が可能な良好なＡＩＧ
ａＩｎＰ／ＧａＡｓ系可視光半導体レーザを再現性良く
提供することにある。
ル、レーザプリンター等の情報処理装置用光源として０
．６μｍ帯のＡ ＩＧａ ＩｎＰ／ ＧａＡｓ系可視光
半導体レーザが要望されている。従来の半導体レーザは
例えば第３図に示すような構造である。この埋込み構造
（よ ストライプ状の活性層の側面を禁制帯幅の大きな
半導体層で埋め込んだ構造を有しており、単一横モード
で低しき、い値かつ効率の良い半導体レーザとしてＧａ
ＩｎＡｓＰ／ ＩｎＰ系では実用化されているものであ
り、屈折率導波構造の最もポピユラーなものである。以
下、従来の埋込み構造をＡｌＧａ１ｎＰ／ＧａＡｓ系可
視光半導体レーザに適用した第３図の場合について説明
する。 ｌはｎ−ＧａＡｓ基楓２はｎ−ＡＩＧａＩｎｐ
クラッド恩 ３はＧａＩｎＰ活性＃ ４はｐ−ＡｌＧａ
１ｎＰクラツド凰 ５はＰ−ＧａＡｓキャップ凰１１は
高抵抗ＡｌＧａＡｓ埋込み凰 ９及び１０はそれぞれｎ
、ｐ側電極である。以上のような構造はＭＯＶＰＥ法に
より形成されている。この構造において、高抵抗ＡｌＧ
ａＡｓ埋゛込み層１１はＧａＩｎＰ活性層３より禁制帯
幅が広く低屈折率であるたム 電流はＧａＩｎＰ活性層
にしか流れず、光は横方向に屈折率差がつき閉じ込めら
れも 発明が解決しようとする課題 しかしながらこのような埋込み構造において、単一横モ
ード発振を得るには活性層幅を１〜２μｍと狭くする必
要があっｔ：、 ＡｌＧａ１ｎＰ四元混晶は材料の抵
抗が高いため活性層幅を狭くするとシリーズ抵抗が大き
くなり動作電圧が高くなるという問題があっｆＱ、
同時に 共振器端面での光密度が大きくなり、高出力動
作が困難でありｔも そこで、本発明の目的は 活性
層幅を広くして上記の欠点を同時に除去でき、単一横モ
ードで高出九 長時間の安定動作が可能な良好なＡＩＧ
ａＩｎＰ／ＧａＡｓ系可視光半導体レーザを再現性良く
提供することにある。
課題を解決するための手段
上記問題点を解決するため本発明の半導体レーザ及びそ
の製造方法はＭＯＶＰＥ法の特徴を巧みに利用したもの
であり、ＧａＡｓ基板上に（ＡｌＸＧａ１−ｘ）ｓ、５
ｌｎｓ、ｓＰを活性層とＬ（Ａ１ｙＧａ＋−ｙ）ｓ、５
ｌｎｓ、ｓＰをクラッド層とするダブルヘテロ構造（こ
こでＸ及びｙはＯ≦Ｘ＜ｙ≦１）を有する半導体レーザ
において、前記ダブルヘテロ構造をストライプ状のメサ
構造とし 前記活性層側面を覆う埋込み層と前記活性層
両端部近傍からのしみ出し光を吸収する光吸収層とを具
（ＭＬ、 前記埋込み層は前記活性層より禁制帯幅が
広く屈折率が小さい半導体層であり、前記光吸収層は前
記活性層より禁制帯幅が狭く屈折率が大きい半導体層で
あることを特徴とすも またその製造方法はＧａＡｓ基
板上に（Ａ１ｘＧａ＋−ｘ）ｍ、 ｓ Ｉｎｎ、ｓＰを
活性層とｊ、、 （Ａ１ｙＧａ＋−ｙ）ｓ、ｓｌｎ＠
、ｓＰをクラッド層とするダブルヘテロ構造（ここでＸ
及びｙはＯ≦Ｘ＜ｙ≦１）を形成する第１の結晶成長工
程と、エツチングして前記ダブルヘテロ構造をストライ
プ状のメサ構造とする工程と、前記活性層側面を覆う埋
込み層と前記活性層両端部近傍からのしみ出し光を吸収
する光吸収層とを連続的に形成する第２の結晶成長工程
とを含み前記埋込み層は前記活性層より禁制帯幅が広く
屈折率が小さい半導体層とし 前記光吸収層は前記活性
層より禁制帯幅が狭く屈折率が大きい半導体層とするこ
とを特徴とする。この場合、ＡｌＧａＡｓ埋込み層は薄
いので活性層両端部においては光閉じ込めを行うに十分
な厚さのクラッド層がないので光分布の裾野が光吸収層
にかかる。
の製造方法はＭＯＶＰＥ法の特徴を巧みに利用したもの
であり、ＧａＡｓ基板上に（ＡｌＸＧａ１−ｘ）ｓ、５
ｌｎｓ、ｓＰを活性層とＬ（Ａ１ｙＧａ＋−ｙ）ｓ、５
ｌｎｓ、ｓＰをクラッド層とするダブルヘテロ構造（こ
こでＸ及びｙはＯ≦Ｘ＜ｙ≦１）を有する半導体レーザ
において、前記ダブルヘテロ構造をストライプ状のメサ
構造とし 前記活性層側面を覆う埋込み層と前記活性層
両端部近傍からのしみ出し光を吸収する光吸収層とを具
（ＭＬ、 前記埋込み層は前記活性層より禁制帯幅が
広く屈折率が小さい半導体層であり、前記光吸収層は前
記活性層より禁制帯幅が狭く屈折率が大きい半導体層で
あることを特徴とすも またその製造方法はＧａＡｓ基
板上に（Ａ１ｘＧａ＋−ｘ）ｍ、 ｓ Ｉｎｎ、ｓＰを
活性層とｊ、、 （Ａ１ｙＧａ＋−ｙ）ｓ、ｓｌｎ＠
、ｓＰをクラッド層とするダブルヘテロ構造（ここでＸ
及びｙはＯ≦Ｘ＜ｙ≦１）を形成する第１の結晶成長工
程と、エツチングして前記ダブルヘテロ構造をストライ
プ状のメサ構造とする工程と、前記活性層側面を覆う埋
込み層と前記活性層両端部近傍からのしみ出し光を吸収
する光吸収層とを連続的に形成する第２の結晶成長工程
とを含み前記埋込み層は前記活性層より禁制帯幅が広く
屈折率が小さい半導体層とし 前記光吸収層は前記活性
層より禁制帯幅が狭く屈折率が大きい半導体層とするこ
とを特徴とする。この場合、ＡｌＧａＡｓ埋込み層は薄
いので活性層両端部においては光閉じ込めを行うに十分
な厚さのクラッド層がないので光分布の裾野が光吸収層
にかかる。
作用
本発明の作用は以下のように説朋できも つまり、活性
層のまわりを低屈折率ＡｌＧａＡｓ埋込み層で覆ってい
るため光は活性層に閉じ込められる。しかし 活性層の
両端部では光分布の裾野が光吸収層にかかるように埋込
み層は十分薄くなっている。
層のまわりを低屈折率ＡｌＧａＡｓ埋込み層で覆ってい
るため光は活性層に閉じ込められる。しかし 活性層の
両端部では光分布の裾野が光吸収層にかかるように埋込
み層は十分薄くなっている。
このたべ 基本横モードに対する活性層の導波損失に比
べ高次横モードに対する導波損失が大きくなっており、
活性層の幅を広くしても単一横モード発振が維持できも
また活性層の幅が広くできるためシリーズ抵抗を小さ
くでき動作電圧の低減がはかれる。さらに共振器面での
光密度も低減でき高出力動作が可能となる。活性層幅っ
まりリッジ構造のストライプ幅が広くできるので作製が
容易となる。
べ高次横モードに対する導波損失が大きくなっており、
活性層の幅を広くしても単一横モード発振が維持できも
また活性層の幅が広くできるためシリーズ抵抗を小さ
くでき動作電圧の低減がはかれる。さらに共振器面での
光密度も低減でき高出力動作が可能となる。活性層幅っ
まりリッジ構造のストライプ幅が広くできるので作製が
容易となる。
実施例
以下、本発明の一実施例を図面に基づいて説明する。第
１図は本発明の半導体レーザの概略断面＠ 第２図は製
造方法を示す工程図である。本発明の半導体レーザの構
成は図１に示すようｉＱ ｎ−ＧａＡｓ基板１上にｎ
−ＡｌＧａ１ｎｐクラッド層２、ＧａＩｎＰ活性層３、
ｐ−ＡＩＧａＩｎＰクラッド層４、Ｐ−ＧａＡｓキャッ
プ層５が順次形成されている。ダブルヘテロ構造は幅６
μｍの順メサ状のりッジ構造となっており、その側面に
は薄い高抵抗Ａ ｌＧａＡｓ埋込み層６、高抵抗ＧａＡ
ｓ光吸収光吸収用７されている。この構造において、Ｇ
ａ Ｉ ｎＰＰ性層３の側面はＧａＩｎＰよりも禁制帯
幅が広く低屈折率の高抵抗ＡｌＧａＡｓ埋込み層６で覆
われているので、電流 光ともＧａ１ｎＰ活性層３内に
閉じ込められる。 しかしリッジ部は順メサ状（くＩＴ
Ｏ＞ストライプ）であるためＧａ Ｉ ｎＰ活活性層３
端端近傍ではｐ−ＡｌＧａ１ｎＰクラッド層４が薄く、
光分布の裾野が高抵抗ＧａＡｓ光吸収光吸収用７ん こ
の光吸収によりリッジ幅が広くとも高次横モードは抑圧
された単一横モード発振が可能となっｔラ 同時にシ
リーズ抵抗は６Ω以下と低く低動作電圧で、しきい値電
流５０ｍＡでのレーザ発振が得られｔも 共振器端面
での光密度が低減され最高発振光出力３０ｍＷが得られ
た この構造で非点隔差を測定したとこ＆ ４μｍ以下
と小さく出力依存性はほとんどなかっ１． 本発明の
半導体レーザの製造方法は以下の通りであも 第２図Ａ
に示すごとく、ｎ−ＧａＡｓ基板１上にｎ−ＡＩＧａＩ
ｎｐクラッド層２、ＧａＩｎＰ活性層３、ｐ−ＡＩＧａ
ＩｎＰクラッド層４、及びＰ−ＧａＡｓキャップ層５を
ＭＯＶＰＥ法により順次エピタキシャル成長すん 次い
で、Ｐ−ＧａＡｓキャップ層５上にＳｉｏ２膜８を設置
す、 ６μｍの＜ ＩＴＯ＞方向のストライプを形成後
、ＳｉＯ２膜８をマスクとして化学エツチングによりｎ
−ＡＩＧａＩｎｐ層２まで除去し リッジ構造を形成す
も この啄 リッジ部は順メサ形状となる。 （第２図
Ｂ）その後、上記の５ｉ（ｈ層８を選択マスクとしてリ
ッジ構造側面に高抵抗ＡｌＧａＡｓ埋込み層６ （Ａ
ＩＡｓ組戊はたとえば０．６）を０．２μＨ高抵抗Ｇａ
Ａｓ光吸収光吸収用７が平坦となるようにＭＯＶＰＥ法
により順次エピタキシャル成長す７）ｃ、（第２図Ｃ）
ＭＯＶ Ｐ Ｅ法を用いると活性なＡＩを含むＡＩＧａ
Ｉｎｐ層上にも良好な高Ａ ＩＡｓ組戒０戒ｌＧａＡｓ
層を゛再成長でき、Ｇａ１ｎＰ活性層３の側面の膜厚は
再現性良く所望の値となる。次Ｌ ５ｉＯａ膜８を除
去後、スリット状のストライプ窓を形成した後、ｎ側電
極９及びｐ側電極ｌＯとしてそれぞｔ’ｔ、 ＡｕＧ
ｅ／Ａｕ、Ｔｉ／Ｐｔ／Ａｕを被着させる。その後、へ
き開により共振器端面を形成する。最後に 所定の大き
さに切断して、これをマウント、パッケージングして半
導体レーザを得も（第２図Ｄ）このような製造方法にお
いて（よ ストライプ幅が広いので再現性良くリッジ構
造が形成され 素子の詩法 歩留まりの向上がはかられ
り低 以上の説明においてＡｌＧａ１ｎＰ／ＧａＡｓ
系のダブルヘテロ構造を形成した場合についてＧａＩｎ
Ｐ活性層を用いて説明したＩＪ＜、 ＡＩＧａＩｎＰ
活性層や量子井戸構造の活性層であっても何等問題はな
鶏 又 本発明はＰ−ＧａＡｓ基板上に 上記実施例と
は反対の導電型の各層を成長じた場合にも適用されるの
は言うまでもなし１ 里心 埋込層及び光吸収層は高抵
抗層としたが電流狭窄できるような構造であれば高抵抗
層とする必要はな鶏 又 成長方法としてＭＯＶＰＥ法
を用いた爪 分子線成長法や他の気相成長法の適用も可
能であも リッジ構造はここでは順メサ状とした力（こ
れに限らな鶏発明の効果 以上述べてきたように 本発明によれ番数 活性層幅を
従来の埋込み構造の半導体レーザより広くできるので、
動作電圧と光密度の低減ができ、容易に高出力かつ単一
横モードのＡＩＧａＩｎＰ／ＧａＡｓ系可視光半導体レ
ーザが得られ光ディスク等の光情報処理装置用光源とし
て実用上効果は大であも
１図は本発明の半導体レーザの概略断面＠ 第２図は製
造方法を示す工程図である。本発明の半導体レーザの構
成は図１に示すようｉＱ ｎ−ＧａＡｓ基板１上にｎ
−ＡｌＧａ１ｎｐクラッド層２、ＧａＩｎＰ活性層３、
ｐ−ＡＩＧａＩｎＰクラッド層４、Ｐ−ＧａＡｓキャッ
プ層５が順次形成されている。ダブルヘテロ構造は幅６
μｍの順メサ状のりッジ構造となっており、その側面に
は薄い高抵抗Ａ ｌＧａＡｓ埋込み層６、高抵抗ＧａＡ
ｓ光吸収光吸収用７されている。この構造において、Ｇ
ａ Ｉ ｎＰＰ性層３の側面はＧａＩｎＰよりも禁制帯
幅が広く低屈折率の高抵抗ＡｌＧａＡｓ埋込み層６で覆
われているので、電流 光ともＧａ１ｎＰ活性層３内に
閉じ込められる。 しかしリッジ部は順メサ状（くＩＴ
Ｏ＞ストライプ）であるためＧａ Ｉ ｎＰ活活性層３
端端近傍ではｐ−ＡｌＧａ１ｎＰクラッド層４が薄く、
光分布の裾野が高抵抗ＧａＡｓ光吸収光吸収用７ん こ
の光吸収によりリッジ幅が広くとも高次横モードは抑圧
された単一横モード発振が可能となっｔラ 同時にシ
リーズ抵抗は６Ω以下と低く低動作電圧で、しきい値電
流５０ｍＡでのレーザ発振が得られｔも 共振器端面
での光密度が低減され最高発振光出力３０ｍＷが得られ
た この構造で非点隔差を測定したとこ＆ ４μｍ以下
と小さく出力依存性はほとんどなかっ１． 本発明の
半導体レーザの製造方法は以下の通りであも 第２図Ａ
に示すごとく、ｎ−ＧａＡｓ基板１上にｎ−ＡＩＧａＩ
ｎｐクラッド層２、ＧａＩｎＰ活性層３、ｐ−ＡＩＧａ
ＩｎＰクラッド層４、及びＰ−ＧａＡｓキャップ層５を
ＭＯＶＰＥ法により順次エピタキシャル成長すん 次い
で、Ｐ−ＧａＡｓキャップ層５上にＳｉｏ２膜８を設置
す、 ６μｍの＜ ＩＴＯ＞方向のストライプを形成後
、ＳｉＯ２膜８をマスクとして化学エツチングによりｎ
−ＡＩＧａＩｎｐ層２まで除去し リッジ構造を形成す
も この啄 リッジ部は順メサ形状となる。 （第２図
Ｂ）その後、上記の５ｉ（ｈ層８を選択マスクとしてリ
ッジ構造側面に高抵抗ＡｌＧａＡｓ埋込み層６ （Ａ
ＩＡｓ組戊はたとえば０．６）を０．２μＨ高抵抗Ｇａ
Ａｓ光吸収光吸収用７が平坦となるようにＭＯＶＰＥ法
により順次エピタキシャル成長す７）ｃ、（第２図Ｃ）
ＭＯＶ Ｐ Ｅ法を用いると活性なＡＩを含むＡＩＧａ
Ｉｎｐ層上にも良好な高Ａ ＩＡｓ組戒０戒ｌＧａＡｓ
層を゛再成長でき、Ｇａ１ｎＰ活性層３の側面の膜厚は
再現性良く所望の値となる。次Ｌ ５ｉＯａ膜８を除
去後、スリット状のストライプ窓を形成した後、ｎ側電
極９及びｐ側電極ｌＯとしてそれぞｔ’ｔ、 ＡｕＧ
ｅ／Ａｕ、Ｔｉ／Ｐｔ／Ａｕを被着させる。その後、へ
き開により共振器端面を形成する。最後に 所定の大き
さに切断して、これをマウント、パッケージングして半
導体レーザを得も（第２図Ｄ）このような製造方法にお
いて（よ ストライプ幅が広いので再現性良くリッジ構
造が形成され 素子の詩法 歩留まりの向上がはかられ
り低 以上の説明においてＡｌＧａ１ｎＰ／ＧａＡｓ
系のダブルヘテロ構造を形成した場合についてＧａＩｎ
Ｐ活性層を用いて説明したＩＪ＜、 ＡＩＧａＩｎＰ
活性層や量子井戸構造の活性層であっても何等問題はな
鶏 又 本発明はＰ−ＧａＡｓ基板上に 上記実施例と
は反対の導電型の各層を成長じた場合にも適用されるの
は言うまでもなし１ 里心 埋込層及び光吸収層は高抵
抗層としたが電流狭窄できるような構造であれば高抵抗
層とする必要はな鶏 又 成長方法としてＭＯＶＰＥ法
を用いた爪 分子線成長法や他の気相成長法の適用も可
能であも リッジ構造はここでは順メサ状とした力（こ
れに限らな鶏発明の効果 以上述べてきたように 本発明によれ番数 活性層幅を
従来の埋込み構造の半導体レーザより広くできるので、
動作電圧と光密度の低減ができ、容易に高出力かつ単一
横モードのＡＩＧａＩｎＰ／ＧａＡｓ系可視光半導体レ
ーザが得られ光ディスク等の光情報処理装置用光源とし
て実用上効果は大であも
第１図は本発明の実施例の半導体レーザの模式飄 第２
図は同実施例の半導体レーザの製造方法を示す製造工程
は 第３図は従来の埋込み構造半導体レーザの模式図で
あも １ ・・・・ｎ−ＧａＡｓ基板２ ・・−・ｎ−ＡＩＧ
ａＩｎｐクラッド層、３・・・・ＧａＩｎＰ活性層、
４−−−−ｐ−ＡＩＧａＩｎＰクラッド層、５・・・・
Ｐ−ＧａＡｓキャップ凰 ６・・・・高抵抗ＡｌＧａＡ
ｓ埋込み凰 ７・・・・高抵抗ＧａＡｓ光吸収＃ ８・
・・・５ｉｎｓｐＬ ９・・・・ｎ側型Ｋ １０・・
・・ｐ側電極 １１・・・・高抵抗ＡｌＧａＡｓ埋込み
凰
図は同実施例の半導体レーザの製造方法を示す製造工程
は 第３図は従来の埋込み構造半導体レーザの模式図で
あも １ ・・・・ｎ−ＧａＡｓ基板２ ・・−・ｎ−ＡＩＧ
ａＩｎｐクラッド層、３・・・・ＧａＩｎＰ活性層、
４−−−−ｐ−ＡＩＧａＩｎＰクラッド層、５・・・・
Ｐ−ＧａＡｓキャップ凰 ６・・・・高抵抗ＡｌＧａＡ
ｓ埋込み凰 ７・・・・高抵抗ＧａＡｓ光吸収＃ ８・
・・・５ｉｎｓｐＬ ９・・・・ｎ側型Ｋ １０・・
・・ｐ側電極 １１・・・・高抵抗ＡｌＧａＡｓ埋込み
凰
Claims (4)
- （１）ＧａＡｓ基板上に（Ａｌ＿ＸＧａ＿１＿−＿Ｘ）
ＩｎＰを活性層とし、（Ａｌ＿ｙＧａ＿１＿−＿ｙ）Ｉ
ｎＰをクラッド層とするダブルヘテロ構造（ここでＸ及
びｙは０≦Ｘ＜ｙ≦１）を有する半導体レーザにおいて
、前記ダブルヘテロ構造をストライプ状のメサ構造とし
、前記活性層側面を覆う埋込み層と前記活性層両端部近
傍からのしみ出し光を吸収する光吸収層とを具備し、前
記埋込み層は前記活性層より禁制帯幅が広く屈折率が小
さい半導体層であり、前記光吸収層は前記活性層より禁
制帯幅が狭く屈折率が大きい半導体層であることを特徴
とする半導体レーザ。 - （２）ＧａＡｓ基板上に（Ａｌ＿ＸＧａ＿１＿−＿Ｘ）
ＩｎＰを活性層とし、（Ａｌ＿ｙＧａ＿１＿−＿ｙ）Ｉ
ｎＰをクラッド層とするダブルヘテロ構造（ここでＸ及
びｙは０≦Ｘ＜ｙ≦１）を少なくとも形成する第１の結
晶成長工程と、エッチングして前記ダブルヘテロ構造を
ストライプ状のメサ構造とする工程と、前記活性層側面
を覆う埋込み層と前記活性層両端部近傍からのしみ出し
光を吸収する光吸収層とを連続的に形成する第２の結晶
成長工程とを含み、前記埋込み層は前記活性層より禁制
帯幅が広く屈折率が小さい半導体層とし、前記光吸収層
は前記活性層より禁制帯幅が狭く屈折率が大きい半導体
層とすることを特徴とする半導体レーザの製造方法。 - （３）埋込み層はＡｌ＿ａＧａ＿１＿−＿ａＡｓで、光
吸収層はＡｌ＿ｂＧａ＿１＿−＿ｂＡｓである（ここで
ａ及びｂは０≦ｂ＜ａ≦１）ことを特徴とする特許請求
の範囲第１項及び第２項記載の半導体レーザ。 - （４）結晶成長工程が有機金属気相成長法もしくは分子
線成長法などの熱非平衡状態での結晶成長技術により形
成されていることを特徴とする特許請求の範囲第２項記
載の半導体レーザの製造方法。
Priority Applications (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP1170116A JPH0334595A (ja) | 1989-06-30 | 1989-06-30 | 半導体レーザ及びその製造方法 |
Applications Claiming Priority (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP1170116A JPH0334595A (ja) | 1989-06-30 | 1989-06-30 | 半導体レーザ及びその製造方法 |
Publications (1)
| Publication Number | Publication Date |
|---|---|
| JPH0334595A true JPH0334595A (ja) | 1991-02-14 |
Family
ID=15898937
Family Applications (1)
| Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
|---|---|---|---|
| JP1170116A Pending JPH0334595A (ja) | 1989-06-30 | 1989-06-30 | 半導体レーザ及びその製造方法 |
Country Status (1)
| Country | Link |
|---|---|
| JP (1) | JPH0334595A (ja) |
Cited By (3)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| US6443299B2 (en) | 1998-03-09 | 2002-09-03 | Meiko Kaisei Kogyo Kabushiki Kaisha | Recording medium disc storage case and a recording medium disc |
| WO2004027951A1 (en) * | 2002-09-17 | 2004-04-01 | Bookham Technology Plc | High power semiconductor laser diode and method for making such a diode |
| JP2009135555A (ja) * | 2009-03-25 | 2009-06-18 | Mitsubishi Electric Corp | 半導体光増幅器及びその製造方法 |
-
1989
- 1989-06-30 JP JP1170116A patent/JPH0334595A/ja active Pending
Cited By (3)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| US6443299B2 (en) | 1998-03-09 | 2002-09-03 | Meiko Kaisei Kogyo Kabushiki Kaisha | Recording medium disc storage case and a recording medium disc |
| WO2004027951A1 (en) * | 2002-09-17 | 2004-04-01 | Bookham Technology Plc | High power semiconductor laser diode and method for making such a diode |
| JP2009135555A (ja) * | 2009-03-25 | 2009-06-18 | Mitsubishi Electric Corp | 半導体光増幅器及びその製造方法 |
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