JPH0334620A - スイッチアレー - Google Patents

スイッチアレー

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JPH0334620A
JPH0334620A JP1169516A JP16951689A JPH0334620A JP H0334620 A JPH0334620 A JP H0334620A JP 1169516 A JP1169516 A JP 1169516A JP 16951689 A JP16951689 A JP 16951689A JP H0334620 A JPH0334620 A JP H0334620A
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JP
Japan
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ohms
switch
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JP1169516A
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Tsutomu Noguchi
野口 務
Yasuo Saito
靖雄 齋藤
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NEC Corp
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Abstract

(57)【要約】本公報は電子出願前の出願データであるた
め要約のデータは記録されません。

Description

【発明の詳細な説明】 〔産業上の利用分野〕 本発明はFETスイッチを用いたスイッチング回路に関
し、特にスイッチアレーに関する。
〔従来の技術〕
従来、この種のスイッチアレーの構成を第4図(a)に
示す。この従来例は7ケのl極双投スイッチSWI〜S
W7を用いた2入力端子1,2及び1出力端子3を持つ
3+ビツトのスイッチアレーである。ここに使用されて
いる1極双投スイッチが2ケ接続された部分(入力選択
回路に出力選択回路を縦続接続した部分)の等何回路を
第4図(b)に示す。4つのFET4の組合わせ回路と
なっている。この回路は第4図(c)の様に簡略化する
ことが出来る。FET5のゲート幅をFET4のゲート
幅の半分に選ぶことにより第4図ト (c)の回路は、第4図(4−)の回路と等価な回路と
することが出来る。通常FET4のゲート幅はスイッチ
のオン抵抗及びアイソレーションを考慮して200〜5
00μmに選定されている。この時FET4のオン抵抗
は、2〜5オームの値になる。
〔発明が解決しようとする課題〕
上述した従来のスイッチアレーは、7ケの1極双投スイ
ッチが縦続接続されているため、総合のオン抵抗は14
〜35オームと比較的大きな値となり、入出力の電圧定
在波比VSWRが劣化する欠点がある。
この様なVSWRの劣化は、このスイッチアレーの応用
の一つである移相器、遅延回路においては、VSWR劣
化による移相量変化、及び遅延量の変化をもたらし応用
上問題である。特にパルス伝送においては波形劣化の原
因となるのでスイッチアレーのVSWRの改善が応用上
必須である。
〔課題を解決するための手段〕
本発明のスイッチアレーは、FETを用いた1極双投ス
イッチからなる入力選択回路及び出方選択回路を交互に
配置してそれぞれ複数個縦続接続してなるスイッチアレ
ーにおいて、前記入力選択回路と出力選択回路の接続点
と接地端子間にインピーダンス整合用の抵抗を接続した
というものである。
〔実施例〕
第1図(a)は本発明の一実施例を示すブロック図であ
る。
この実施例はFETを用いた1極双投スイッチからなる
入力選択回路(SWI、SW3.SW5.5W7)及び
出力選択回路(SW2.SW4.5W6)を交互に配置
してそれぞれ複数個縦続接続してなるスイッチアレーに
おいて、前記入力選択回路と出力選択回路の接続点と接
地端子間にインピーダンス整合用の抵抗11,12,1
3゜14を接続したというものである。
1極双投スイッチSW2とSW3の等価回路は第4図(
C)のように書けるが、FET5がON状態の場合の等
価回路はさらに第1図(b)の如く書き表わされる。抵
抗15はFET5のON抵抗を示し、キャパシタ16及
び抵抗17はFET4のオフ時の容量及びオフ抵抗を示
す。この回路は、第1図(c)の如く両端に抵抗18を
並列に付加することによりπ型の抵抗接続回路となり、
入出力インピーダンスを一50オームに変換することが
可能である。例えば、FET4のゲート幅を300μm
とした場合、FET5のゲート幅は150μmとなり、
このオン抵抗15は22オーム、このオン抵抗を50オ
ームで整合させるために必要な並列抵抗18の抵抗値は
238オームとなる。
従って、第1図(a)の本実施例において、抵抗11と
14を238オームとし抵抗12と13を半分の値11
9オームと設定することにより、第2のスイッチSW2
から第7のスイッチSW7までは、それぞれ50オーム
に整合されたブロックを構成するため、スイッチの多段
接続にょる■sWR劣化を抑えることが出来る。
インピーダンス整合用の抵抗の設計方法としては、SW
IとSW2のオン抵抗を両端に持つT型回路として、抵
抗11を設計することも可能である。この場合には抵抗
12.13は抵抗11と同じ値になり、抵抗14を除い
た構成となる。
第2図(a)は本発明の一応用例を示す図で、一実施例
のスイッチアレーに遅波回路D1〜D3を付加した3ビ
ツト遅延回路である。
第2図(b)は遅波回路の等価回路を示し、直列インダ
クタ21.22と並列キャパシタ23から構成される。
これらの素子値を1.4nH,0,2nH,0,24p
Fに設定することにより20ピコ秒の遅延時間が得られ
る。遅波回路DlからD3の遅延時間を10ピコ秒、2
0ピコ秒、40ピコ秒と設計することにより、10ピコ
秒間隔で最大70ピコ秒まで遅延時間が制御出来る3ビ
ツト遅延回路が得られる。
この遅延時間は、入出力のインピーダンスにより変化す
るため、インピーダンス変動を極力抑えることが必要で
あるが、各ブロックがそれぞれ50オームに整合されて
いるため周波数特性の優れた遅延回路が得られる。
第3図は、本発明の他の応用例を示す図で、実施例に示
したスイッチアレーの股間にローパス型の位相遅れを起
こす移相回路L1〜L3とバイパス型の移相進みを起こ
す移相回路H1〜H3を接続したデジタル移相器を示す
。本応用例においても、インピーダンス整合が取れてい
るため、周波数特性及び、移相回路間の相互変動の無い
安定な位相器が得られる。
〔発明の効果〕
以上説明したように本発明は、1極双投スイッチを縦続
接続したスイッチアレーの各スイッチ間の接続点と接地
端子間に抵抗を挿入することによりインピーダンス整合
を取ることが可能となり、スイッチアレーの入出力の電
圧定在波比が改善できる効果がある。
【図面の簡単な説明】
第1図(a)は本発明の一実施例を示すブロック図、第
1図(b)、 (c)は一実施例の説明に使用する等価
回路図、第2図(a)は本発明の一応用例であるディジ
タル遅延回路を示すブロック図、第2図(b)は第2図
(a)の遅波回路の回路図、第3図は他の応用例である
ディジタル移相回路を示すブロック図、第4図(a)は
従来例を示すブロック図、第4図(b)、 (C)は従
来例の説明に使用する等価回路図である。 1.2・・・・・・入力端子、3・・・・・・出力端子
、4゜5・・・・・・FET、11〜15・・・・・・
抵抗、16・・・・・・コンデンサ、17.18・・・
・・・m抗、D1〜D4・・・・・・遅波回路、H1〜
H3・・・・・・バイパス移相回路、L1〜L3・・・
・・・ローパス移相回路、SWl、SW3.SW5.S
W7・・・・・・−極双投スイッチ(入力選択回路)、
SW2.SW4.SW6・・・・・・1極双投スイッチ
(出力選択回路)。

Claims (1)

    【特許請求の範囲】
  1. FETを用いた1極双投スイッチからなる入力選択回路
    及び出力選択回路を交互に配置してそれぞれ複数個縦続
    接続してなるスイッチアレーにおいて、前記入力選択回
    路と出力選択回路の接続点と接地端子間にインピーダン
    ス整合用の抵抗を接続したことを特徴とするスイッチア
    レー。
JP1169516A 1989-06-29 1989-06-29 スイッチアレー Expired - Fee Related JPH0812980B2 (ja)

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Citations (3)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
JPS5389237U (ja) * 1976-12-23 1978-07-21
JPS53143723A (en) * 1977-05-20 1978-12-14 Hughes Aircraft Co Polymer fiberrcontained material and method of producing same
JPS6193711A (ja) * 1984-10-12 1986-05-12 Nec Ic Microcomput Syst Ltd 遅延回路

Patent Citations (3)

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JPH0812980B2 (ja) 1996-02-07

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