JPH0335246A - 電子写真感光体 - Google Patents
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Landscapes
- Photoreceptors In Electrophotography (AREA)
Abstract
(57)【要約】本公報は電子出願前の出願データであるた
め要約のデータは記録されません。
め要約のデータは記録されません。
Description
【発明の詳細な説明】
〔産業上の利用分野〕
ア
本発明は電子写真感光体に関するものであり、特にプリ
ンタ、複写機等に有効に用いることができ、半導体レー
ザ光及びLED光に対して高感度を示す電子写真感光体
に関するものである。
ンタ、複写機等に有効に用いることができ、半導体レー
ザ光及びLED光に対して高感度を示す電子写真感光体
に関するものである。
従来、電子写真感光体としては、セレン、酸化亜鉛、硫
化カドミウム等の無機光導電性物質を主成分とする感光
層を設けた無機感光体が広く使用されてきた。しかしな
がら、このような無機感光体は複写機等の電子写真感光
体として要求される光感度、熱安定性、耐湿性、耐久性
等の特性において必ずしも満足できるものではなかった
。例えば、セレンは熱や指紋の汚れ等によって結晶化す
るために電子写真感光体としての特性が劣化しやすい。
化カドミウム等の無機光導電性物質を主成分とする感光
層を設けた無機感光体が広く使用されてきた。しかしな
がら、このような無機感光体は複写機等の電子写真感光
体として要求される光感度、熱安定性、耐湿性、耐久性
等の特性において必ずしも満足できるものではなかった
。例えば、セレンは熱や指紋の汚れ等によって結晶化す
るために電子写真感光体としての特性が劣化しやすい。
又、硫化カドミウムを用いた電子写真感光体は耐湿性、
耐久性に劣り、酸化亜鉛を用いた電子写真感光体は耐久
性に問題がある。セレン、硫化カドミウムの電子写真感
光体は又毒性の点で製造上、取扱上の制約が大きいとい
う欠点を有している。
耐久性に劣り、酸化亜鉛を用いた電子写真感光体は耐久
性に問題がある。セレン、硫化カドミウムの電子写真感
光体は又毒性の点で製造上、取扱上の制約が大きいとい
う欠点を有している。
このような無機光導電性物質の欠点を改善するために、
種々の有機の光導電性物質を電子写真感光体の感光層に
使用することが試みられ、近年活発に研究が行われてい
る。例えば特公昭50−10496号には、ポリビニル
カルバゾールとトリニトロンルオレノンを含有した感光
層を有する有機感光体が記載されている。しかし、この
感光体は感度及び耐久性において十分なものではない。
種々の有機の光導電性物質を電子写真感光体の感光層に
使用することが試みられ、近年活発に研究が行われてい
る。例えば特公昭50−10496号には、ポリビニル
カルバゾールとトリニトロンルオレノンを含有した感光
層を有する有機感光体が記載されている。しかし、この
感光体は感度及び耐久性において十分なものではない。
そのため、キャリア発生機能とキャリア輸送機能を異な
る物質に個別に分担させた機能分離型の電子写真感光体
が開発された。このような電子写真感光体においては物
質を広い範囲のものから選択することができるので、任
意の特性を得やすく、そのため感度が高く、耐久性の優
れた有機感光体が得られることが期待されている。
る物質に個別に分担させた機能分離型の電子写真感光体
が開発された。このような電子写真感光体においては物
質を広い範囲のものから選択することができるので、任
意の特性を得やすく、そのため感度が高く、耐久性の優
れた有機感光体が得られることが期待されている。
このような機能分離型の電子写真感光体のキャリア発生
物質として種々の有機染料及び有機顔料が提案されてお
り、例えば、ジブロムアンスアンスロンに代表される多
環牛ノン化合物、ピリリウム化合物及びピリリウム化合
物とポリカーボネートトノ共晶錯体、スクェアリウム化
合物、ブタロシアニン化合物、アゾ化合物などが実用化
されてきた。
物質として種々の有機染料及び有機顔料が提案されてお
り、例えば、ジブロムアンスアンスロンに代表される多
環牛ノン化合物、ピリリウム化合物及びピリリウム化合
物とポリカーボネートトノ共晶錯体、スクェアリウム化
合物、ブタロシアニン化合物、アゾ化合物などが実用化
されてきた。
これらのうちで、有機系光導電材料の一つであるフタロ
シアニン系化合物は、他のものに比べ感光域が長波長域
に拡っていることが知られている。
シアニン系化合物は、他のものに比べ感光域が長波長域
に拡っていることが知られている。
これらの光導電性を示すフタロシアニン系化合物として
は例えば特開昭61−239248号に記載されている
II型のチタニルフタロシアニンがが挙げられる。
は例えば特開昭61−239248号に記載されている
II型のチタニルフタロシアニンがが挙げられる。
このσ型チタニルフタロシアニンは、CuKal、54
1AのX線に対するブラック角度は7.5@12.3”
、 16.3@、 25.3”、 28.7”にピーク
を有する。
1AのX線に対するブラック角度は7.5@12.3”
、 16.3@、 25.3”、 28.7”にピーク
を有する。
しかし、こめa型チタニルフタロシアニンは感度が低く
、繰返し使用に対する電位安定性が劣っており、反転現
像を用いる電子写真プロセスではカブリを起こし易いな
どの問題がある。
、繰返し使用に対する電位安定性が劣っており、反転現
像を用いる電子写真プロセスではカブリを起こし易いな
どの問題がある。
又ブラック角度27゜2°にピークを有するものに限っ
てみても特開昭62・67094号に記載されているI
nチタニル7りロシアニンは帯電性に劣り、感度も低い
。
てみても特開昭62・67094号に記載されているI
nチタニル7りロシアニンは帯電性に劣り、感度も低い
。
特開昭64−17066号記載のものは27.3°のピ
ーク他9.5.9.7.11.7.15.0.23.5
.24.1.27.3に小さなピークを持ち、感度も高
いものであるが、反転現像や電子写真プロセスにおける
高速化を考えると、より高感度であり、帯電性がよく、
繰返し使用できるものが求められている。
ーク他9.5.9.7.11.7.15.0.23.5
.24.1.27.3に小さなピークを持ち、感度も高
いものであるが、反転現像や電子写真プロセスにおける
高速化を考えると、より高感度であり、帯電性がよく、
繰返し使用できるものが求められている。
本発明の目的は、高感度にしてかつ残留電位が小さく、
又繰返し使用においても電位特性が安定し、かつ反転現
像に対して高画質を与える優れた電子写真感光体を提供
することにある。
又繰返し使用においても電位特性が安定し、かつ反転現
像に対して高画質を与える優れた電子写真感光体を提供
することにある。
本発明の他の目的は半導体レーザ等の長波長光源に対し
ても十分な感度を有する電子写真感光体を提供すること
にある。
ても十分な感度を有する電子写真感光体を提供すること
にある。
本発明の目的は、 Cu −K a線(波長1.541
人)に対するX線回折スペクトルにおいて、少くともブ
ラッグ角2θの9.6”±0.2°と27.2゜±0.
2”にピークをもち、かつ9.6”±0.2”のピーク
強度が27.2゜±0.2°のピーク強度の40%以上
である結晶状態のチタニルフタロシアニンと、下記−股
木(1〕〜(Vl)で表される化合物の少Aくとも一種
とを感光体に含有させることによって達成された。
人)に対するX線回折スペクトルにおいて、少くともブ
ラッグ角2θの9.6”±0.2°と27.2゜±0.
2”にピークをもち、かつ9.6”±0.2”のピーク
強度が27.2゜±0.2°のピーク強度の40%以上
である結晶状態のチタニルフタロシアニンと、下記−股
木(1〕〜(Vl)で表される化合物の少Aくとも一種
とを感光体に含有させることによって達成された。
式中、Aは芳香族環、複素環又はビニル基を表す。RI
、R2はアルキル基、フェニル基、又はナフチル基を表
し、R,、R,で環を形成してもよい。
、R2はアルキル基、フェニル基、又はナフチル基を表
し、R,、R,で環を形成してもよい。
−股木〔■〕
式中、Arl、Arzはアルキル基又はアリール基を表
し、Ar3はフェニレン基を表し、Ar(、Artで環
をなしていてもよい。R1は水素原子、アルキル基、又
は芳香族基を表し、R、!、R、、はアルキル基又はア
リール基を表し、R1!+ R13で環をなしてもよい
。
し、Ar3はフェニレン基を表し、Ar(、Artで環
をなしていてもよい。R1は水素原子、アルキル基、又
は芳香族基を表し、R、!、R、、はアルキル基又はア
リール基を表し、R1!+ R13で環をなしてもよい
。
一般式(I[[)
式中、nは0又はlの整数を表し、”ll+A r l
z + A r I S I A r l 4はフェニ
ル基又はナフチル基を表し、Ar+t〜Areaの少な
くとも一つは置換基としてアミノ基を有する。
z + A r I S I A r l 4はフェニ
ル基又はナフチル基を表し、Ar+t〜Areaの少な
くとも一つは置換基としてアミノ基を有する。
一般式(IM)
式中、nは0又はlの整数を表し、Arl++Ar*t
+はアルキル基又はアリール基を表し、Ar*++Ar
*tで環を形成してもよい。Roは水素原子、アルキル
基又アリール基を表し、R1,は水素原子、アルキル基
、アルコキシ基又はハロゲン原子を表す。
+はアルキル基又はアリール基を表し、Ar*++Ar
*tで環を形成してもよい。Roは水素原子、アルキル
基又アリール基を表し、R1,は水素原子、アルキル基
、アルコキシ基又はハロゲン原子を表す。
−股木(V)
式中、Ars++Ar5gはフェニル基又はす7チル基
を表し、Ar、3はフェニレン基を表し、Bはべ2 〔式中、R,、R,はアルキル基、アリール基、アルキ
ルノリル基、アリールンリル基を表す。〕本発明はチタ
ニルフタロシアニンをキャリア発生物質(ccM)とし
て含む感光体であるが、そのチタニルフタロシアニンの
基本構造は、次の一般式で表される。
を表し、Ar、3はフェニレン基を表し、Bはべ2 〔式中、R,、R,はアルキル基、アリール基、アルキ
ルノリル基、アリールンリル基を表す。〕本発明はチタ
ニルフタロシアニンをキャリア発生物質(ccM)とし
て含む感光体であるが、そのチタニルフタロシアニンの
基本構造は、次の一般式で表される。
一般式
fqシ、X’、X’、X”、X’l;を水素原子、ハC
7ケン原子、アルキル基、或いはアルコキシ基を表し、
n、m、Q、にはO〜4の整数を表す。
7ケン原子、アルキル基、或いはアルコキシ基を表し、
n、m、Q、にはO〜4の整数を表す。
本発明のチタニルフタロシアニンはキャリア発生物質と
して使われ、CCu Kg線(波長1.541人)に
対するX線回折スペクトルにおいて少なくともブラック
角2θの9.6゜±0.2°と27.2゜±0.2°に
ピークを持ち、かつ9.6”±0.2@のピーク強度が
27.2゜±0.2’のピーク強度の40%以上である
結晶状態のものである。
して使われ、CCu Kg線(波長1.541人)に
対するX線回折スペクトルにおいて少なくともブラック
角2θの9.6゜±0.2°と27.2゜±0.2°に
ピークを持ち、かつ9.6”±0.2@のピーク強度が
27.2゜±0.2’のピーク強度の40%以上である
結晶状態のものである。
さらに、好ましくは9.6゜±0.2”のピーク強度が
27.2゜±0.2°のそれの60%以上を示す結晶状
態又は9.6゜±0.2°のピーク強度が27.2”±
0.2@のそれの50%以上で、かつ6.r±0.2@
のピーク強度が、27.2゜±0.2@のそれの30%
以下である結晶状態のチタニルフタロシアニンである。
27.2゜±0.2°のそれの60%以上を示す結晶状
態又は9.6゜±0.2°のピーク強度が27.2”±
0.2@のそれの50%以上で、かつ6.r±0.2@
のピーク強度が、27.2゜±0.2@のそれの30%
以下である結晶状態のチタニルフタロシアニンである。
X線回折スペクトルは次の条件で測定され、ここでのピ
ークとは、明瞭にノイズと異なった鋭角の錐状突起であ
る。
ークとは、明瞭にノイズと異なった鋭角の錐状突起であ
る。
X線管球 Cu
電 圧 40.OKV電
流 100 m Aスタート角度
6.Odeg。
流 100 m Aスタート角度
6.Odeg。
ストップ角度 35.Odeg。
ステップ角度 0.02 deg。
測定時間 0.50 sec。
本発明のチタニルフタロシアニンの製造は一般によく知
られた方法で作る事ができる。これに限定されるもので
はないが、例えば四酸化チタンと7タロジニトリルとを
a−クロルナフタレン等の不活性高沸点溶媒中で反応さ
せる。
られた方法で作る事ができる。これに限定されるもので
はないが、例えば四酸化チタンと7タロジニトリルとを
a−クロルナフタレン等の不活性高沸点溶媒中で反応さ
せる。
反応温度は160〜300℃で、一般には160〜26
0℃で行われる。これによって得られるジクロルチタニ
ウムフタロシアニンを塩基もしくは水で加水分解するこ
とによってチタニルフタロシアニンが得られる。
0℃で行われる。これによって得られるジクロルチタニ
ウムフタロシアニンを塩基もしくは水で加水分解するこ
とによってチタニルフタロシアニンが得られる。
合成法には更に、優れた方法として、アルコキシチタネ
ート、所謂チタンカップリング剤を使う方法がある。
ート、所謂チタンカップリング剤を使う方法がある。
チタンカップリングの一般式(T)、及び具体的化合物
を(T−1)〜(T−10)に例示する。
を(T−1)〜(T−10)に例示する。
式中、X +、X *、X s、X 4ハORr、
SR*、 05Js。
SR*、 05Js。
ここでR1〜Rsは水素原子、アルキル基、アルケニル
基、アリール基、アラルキル基、アシール基、アリロイ
ル基、複素環基を表し、これらは任意の置換基を有して
いてもよい。又、x、〜X、の任意のものが、−緒にな
って、環を形成してもよい。Yは配位子を表し、nは0
.1.2を表す。
基、アリール基、アラルキル基、アシール基、アリロイ
ル基、複素環基を表し、これらは任意の置換基を有して
いてもよい。又、x、〜X、の任意のものが、−緒にな
って、環を形成してもよい。Yは配位子を表し、nは0
.1.2を表す。
中でも特にX l””’ X 4が−OR+であるもの
は、反応性や取り扱い易さ、価格などの点で望ましいも
のとして挙げることができる。
は、反応性や取り扱い易さ、価格などの点で望ましいも
のとして挙げることができる。
(T−1) (C4HsO)4Ti(T−2)
(t−CsHyO)tTi(T−3) (C
sHsO)aTt(T 4 ) (i CaHs
O)Ji(T 5) (C+aH□O)、Ti(
T−6) (C3HFの、Ti (T−7) (i−C,H,O)!Ti(CH,C
0CHCOCHs)1(T−10) (CsH+t
O)tTi[j(5)It)zlxH 前記の化合物を用いてチタニルフタロシアニンを合成す
る際の反応式は下記の通りである。このチタンカップリ
ング剤を使う方法は副反応のない、従って、高純度品を
容易に得られる優れ!;方法である。
(t−CsHyO)tTi(T−3) (C
sHsO)aTt(T 4 ) (i CaHs
O)Ji(T 5) (C+aH□O)、Ti(
T−6) (C3HFの、Ti (T−7) (i−C,H,O)!Ti(CH,C
0CHCOCHs)1(T−10) (CsH+t
O)tTi[j(5)It)zlxH 前記の化合物を用いてチタニルフタロシアニンを合成す
る際の反応式は下記の通りである。このチタンカップリ
ング剤を使う方法は副反応のない、従って、高純度品を
容易に得られる優れ!;方法である。
式中、R1−R1,は、水素原子もしくはアルキル、ア
ルコキシ、ハロゲン等の置換基を表す。
ルコキシ、ハロゲン等の置換基を表す。
本発明の結晶型を得るには、これに限定される物ではな
いが加水分解したチタニルフタロシアニンから直接、又
はvR,酸に溶かして水に注いで得t;アモルファスの
ものから水の存在下、水に非混和性の有機溶媒で処理す
ることによって得ることができる。
いが加水分解したチタニルフタロシアニンから直接、又
はvR,酸に溶かして水に注いで得t;アモルファスの
ものから水の存在下、水に非混和性の有機溶媒で処理す
ることによって得ることができる。
処理に用いられる装置としては一般的な撹拌装置の他に
、ホモミキサー ディスパーサ、アジター、或はボール
ミル、サンドミル、アトライタ等を用いることができる
。
、ホモミキサー ディスパーサ、アジター、或はボール
ミル、サンドミル、アトライタ等を用いることができる
。
本発明の感光体に使用される一般式CI)〜〔■〕で示
される化合物はキャリア輸送物質として機能するもので
、以下詳細を述べる。
される化合物はキャリア輸送物質として機能するもので
、以下詳細を述べる。
一般式〔I〕
式中、Aはアリール基、複素環又はビニル基を表す。R
、、R、はアルキル基、フェニル基、又はす7チル基を
表し、R、、R、で環を形成してもよい。
、、R、はアルキル基、フェニル基、又はす7チル基を
表し、R、、R、で環を形成してもよい。
八で示すアリール基としては、フェニル基、ナフチル基
の化アントラセン、ピレン等の縮合多環も含み、複素環
としては、インドール、チオフェン、カルバゾール、キ
ノリン等がある。
の化アントラセン、ピレン等の縮合多環も含み、複素環
としては、インドール、チオフェン、カルバゾール、キ
ノリン等がある。
又ビニル基はその置換基として必ず芳香族又は複素環を
有す。 これらの芳香族、複素環はアルキル基、アルコ
キシ基、ハロゲン、アミノ基等の置換基を有してもよい
。
有す。 これらの芳香族、複素環はアルキル基、アルコ
キシ基、ハロゲン、アミノ基等の置換基を有してもよい
。
RoRsで述べたアルキル基、フェニル基、ナフチル基
には置換基としてアルキル基、アルコキシ基、フェニル
基、ハロゲン原子、アミノ基等が置換されていてもよい
。
には置換基としてアルキル基、アルコキシ基、フェニル
基、ハロゲン原子、アミノ基等が置換されていてもよい
。
又R、、R2で環を形成してもよく、具体的にはインド
リン、テトラヒドロキノリン、カルバゾール等が挙げら
れる。
リン、テトラヒドロキノリン、カルバゾール等が挙げら
れる。
以下−股木(1)で表される化合物の例を示すニー股木
(1)化合物の具体例= Cl−1) I−23 (1−33 (1−63 (1−11) 響 C!H修 (1−26) −股木Cn〕 式中、Ar++Arzはアルキル基又はアリール基を表
し、Ar3はフェニレン基を表し、Ar++Artで環
をなしてもよい。R1は水素原子、アルキル基又は芳香
族基を表し、RI2 + Rr 3はアルキル基又はア
リール基を表し、R12,Roで環をなしてもよい。
(1)化合物の具体例= Cl−1) I−23 (1−33 (1−63 (1−11) 響 C!H修 (1−26) −股木Cn〕 式中、Ar++Arzはアルキル基又はアリール基を表
し、Ar3はフェニレン基を表し、Ar++Artで環
をなしてもよい。R1は水素原子、アルキル基又は芳香
族基を表し、RI2 + Rr 3はアルキル基又はア
リール基を表し、R12,Roで環をなしてもよい。
アリール基とはフェニル基、ナフチル基、縮合多環を表
し、A r++A rt、A rz、R++、R11+
Rlsで述べI;、アルキル基及びアリール基にはアル
キル基、アルコキシ基、ハロゲン原子、アミノ基等の置
換基を含んでいてもよい、Ar、、Ar2でカルバゾー
ル環、インドリン環等の環を形成してもよく又R、!、
R、、のなす環は5〜7員の炭素環または複素環である
。
し、A r++A rt、A rz、R++、R11+
Rlsで述べI;、アルキル基及びアリール基にはアル
キル基、アルコキシ基、ハロゲン原子、アミノ基等の置
換基を含んでいてもよい、Ar、、Ar2でカルバゾー
ル環、インドリン環等の環を形成してもよく又R、!、
R、、のなす環は5〜7員の炭素環または複素環である
。
以下−数式(n)で表される化合物の例を述ベニ一般式
(n)化合物の具体例: (U−8) CM −10) (II −21) 一般式 () 式中、nは0又は1の整数を表し、Ar+++A rr
s+A rrs*A rtaはフェニル基又はす7チル
基を表し、Ar、、〜Ar、の少なくとも一つは置換基
としてアミノ基を有する。
(n)化合物の具体例: (U−8) CM −10) (II −21) 一般式 () 式中、nは0又は1の整数を表し、Ar+++A rr
s+A rrs*A rtaはフェニル基又はす7チル
基を表し、Ar、、〜Ar、の少なくとも一つは置換基
としてアミノ基を有する。
Ar、〜Artsの表すフェニル基又はナフチル基には
アルキル基、アルコキシ基、ハロゲン原子又はアミノ基
等の置換基を有してよい。アミノ基としてはジアルキル
アミノ基、ジベンジルアミノ基、ジフェニルアミノ基等
を挙げることができる。
アルキル基、アルコキシ基、ハロゲン原子又はアミノ基
等の置換基を有してよい。アミノ基としてはジアルキル
アミノ基、ジベンジルアミノ基、ジフェニルアミノ基等
を挙げることができる。
以下−股木(III)で表される化合物の例を示す)
ニー股木(III)化合物の具体例:
(III−1)
1:lll−3)
([11−4]
(III−5)
(Ill−63
Cm−8)
一般式(IV)
式中、nはO又はlの整数を表し、Ar2+、Ar2s
はアルキル基又はアリール基を表し、 A rz+ 、
A r22で環を形成してもよい。
はアルキル基又はアリール基を表し、 A rz+ 、
A r22で環を形成してもよい。
Rt+は水素原子、アルキル基又アリール基を表し、R
2,は水素原子、アルキル基、アルコキン基又はハロゲ
ン原子を表す。A 21 + A 12 + R21の
表すアリール基はフェニル基又はナフチル基が好ましく
、又これらのアリール基、アルキル基には更に置換基と
してアミノ基、アルキル基、アルコキシ基、ハロゲン原
子、フェニル基等が置換されてもよい。
2,は水素原子、アルキル基、アルコキン基又はハロゲ
ン原子を表す。A 21 + A 12 + R21の
表すアリール基はフェニル基又はナフチル基が好ましく
、又これらのアリール基、アルキル基には更に置換基と
してアミノ基、アルキル基、アルコキシ基、ハロゲン原
子、フェニル基等が置換されてもよい。
A r 21+ A r z xでは環を形成し、例え
ばインドリン環、テトラヒドロキノリン環、カルバソー
ル環などを形成していてもよい。
ばインドリン環、テトラヒドロキノリン環、カルバソー
ル環などを形成していてもよい。
以下−股木(IV)で表される化合物例を示すが、これ
に限定されるものではない。
に限定されるものではない。
ニー股木(IV)化合物の具体例:
(IV−1)
〔■
2〕
(IV−4)
(rV−6)
(IV−7)
〔N−8)
(IV−9)
(IV−10)
(mV−12)
一般式(V)
Ar3”>Nhrss s
式中、Ar31.Ar31はフェニル基又はす7チル基
を表し、A「1.はフェニレン基を表し、Bはベンジル
基又はフェネチル基を表す。
を表し、A「1.はフェニレン基を表し、Bはベンジル
基又はフェネチル基を表す。
これらの基、ナフチル基、ベンジル基及びフェネチル基
には、アルキル基、アルコキシ基、ハロゲン原子、アミ
ノ基等が置換されていてもよい。
には、アルキル基、アルコキシ基、ハロゲン原子、アミ
ノ基等が置換されていてもよい。
−股木〔v〕で表される化合物の例を以下に示すが、こ
れに限定されるものではない。
れに限定されるものではない。
ニー股木(V)化合物の具体例:
(V−1)
しI′l5
(V−2)
(V−3)
(V−4)
(V−5)
(V−6)
(V −8)
−数式
(VT)
式中、Rr + R”はアルキル基、アリール基、アル
キルシリル基、アリールシリル基を表す。
キルシリル基、アリールシリル基を表す。
このポリマーの分子量は103〜10’、好ましくは1
0’ −10’f アロ。
0’ −10’f アロ。
ニ一般式(VI)化合物の具体例:
本発明の感光体では上記のチタニルフタロシアニンの外
に他のキャリア発生物質を併用してもよい。そのような
キャリア発生物質としては本発明のチタニルフタロシア
ニンとは結晶型において異なる、例えばα型、β型、α
ββ置台、アモルファス型等のチタニルフタロシアニン
をはじめ、他の7タロシアニン顔料、アゾ顔料、アント
ラキノン顔料、ペリレン顔料、多環キノン顔料、スクェ
アリウム顔料等が挙げられる。
に他のキャリア発生物質を併用してもよい。そのような
キャリア発生物質としては本発明のチタニルフタロシア
ニンとは結晶型において異なる、例えばα型、β型、α
ββ置台、アモルファス型等のチタニルフタロシアニン
をはじめ、他の7タロシアニン顔料、アゾ顔料、アント
ラキノン顔料、ペリレン顔料、多環キノン顔料、スクェ
アリウム顔料等が挙げられる。
本発明の感光体におけるキャリア輸送物質としては、上
記−股木CI)〜(Vl)の化合物の他、キャリア輸送
物質として知られる種々のものを併用することができる
。
記−股木CI)〜(Vl)の化合物の他、キャリア輸送
物質として知られる種々のものを併用することができる
。
代表的なものとしては例えば、オキサゾール、オキサジ
アゾール、チアジアゾール、イミダゾール等に代表され
るが含窒素複素環核及びその縮合環核を有する化合物、
ポリアリールアルカン系の化合物、ピラゾリン系化合物
、ヒドラゾン系化合物、トリアリールアミン系化合物、
スチリル系化合物、スチリルトリフェニルアミン系化合
物、β−フェニルスチリルトリフェニルアミン系化合物
、ブタジェン系化合物、ヘキサトリエン系化合物、カル
バゾール系化合物、縮合多環系化合物等が挙げられる。
アゾール、チアジアゾール、イミダゾール等に代表され
るが含窒素複素環核及びその縮合環核を有する化合物、
ポリアリールアルカン系の化合物、ピラゾリン系化合物
、ヒドラゾン系化合物、トリアリールアミン系化合物、
スチリル系化合物、スチリルトリフェニルアミン系化合
物、β−フェニルスチリルトリフェニルアミン系化合物
、ブタジェン系化合物、ヘキサトリエン系化合物、カル
バゾール系化合物、縮合多環系化合物等が挙げられる。
これらのキャリア輸送物質の具体例としては、例えば特
開昭61−107356号に記載のキャリア輸送物質を
はじめ多くのものを挙げることができる。
開昭61−107356号に記載のキャリア輸送物質を
はじめ多くのものを挙げることができる。
感光体の構成は種々の形態が知られている。
本発明の感光体はそれらのいずれの形態をもとりうるが
、積層型もしくは分散型の機能分離型感光体とするのが
望ましい。この場合、通常は第1図から第6図のような
構成となる。第1図に示す層構成は、導電性支持体l上
にキャリア発生層2を形成し、これにキャリア輸送層3
を積層して感光層4を形成したものであり、第2図はこ
れらのキャリア発生層2とキャリア輸送層3を逆にした
感光層4″を形成したものである。第3図は第1図の層
FIIt戒の感光層4と導電性支持体lの間に中間層5
を設け、第4図は第2図の層構成の感光層4′と導電性
支持体lとの間に中間層5を設けたものである。第5図
の層構成はキャリア発生物質6とキャリア輸送物質7を
含有する感光層4″を形成したものであり、第6図はこ
のような感光層4”と導電性支持体lとの間に中間層5
を設けたものである。
、積層型もしくは分散型の機能分離型感光体とするのが
望ましい。この場合、通常は第1図から第6図のような
構成となる。第1図に示す層構成は、導電性支持体l上
にキャリア発生層2を形成し、これにキャリア輸送層3
を積層して感光層4を形成したものであり、第2図はこ
れらのキャリア発生層2とキャリア輸送層3を逆にした
感光層4″を形成したものである。第3図は第1図の層
FIIt戒の感光層4と導電性支持体lの間に中間層5
を設け、第4図は第2図の層構成の感光層4′と導電性
支持体lとの間に中間層5を設けたものである。第5図
の層構成はキャリア発生物質6とキャリア輸送物質7を
含有する感光層4″を形成したものであり、第6図はこ
のような感光層4”と導電性支持体lとの間に中間層5
を設けたものである。
感光層の形成においては、キャリア発生物質或はキャリ
ア輸送物質を単独で、もしくはバインダや添加剤ととも
に溶解させた溶液を塗布する方法が有効である。しかし
また、一般にキャリア発生物質の溶解度は低いため、そ
のような場合キャリア発生物質を、超音波分散機、ボー
ルミル、サンドミル、ホモミキサー、等の分散装置を用
いて適当な分散媒中に微粒子分散させた液を塗布する方
法が有効となる。この場合、バインダや添加剤は分散液
中に添加して用いられるのが通常である。
ア輸送物質を単独で、もしくはバインダや添加剤ととも
に溶解させた溶液を塗布する方法が有効である。しかし
また、一般にキャリア発生物質の溶解度は低いため、そ
のような場合キャリア発生物質を、超音波分散機、ボー
ルミル、サンドミル、ホモミキサー、等の分散装置を用
いて適当な分散媒中に微粒子分散させた液を塗布する方
法が有効となる。この場合、バインダや添加剤は分散液
中に添加して用いられるのが通常である。
感光層の形成に使用される溶剤或は分散媒としては広く
任意のものを用いることができる。
任意のものを用いることができる。
例えば、ブチルアミン、エチレンジアミン% NlN−
ジメチルホルムアミド、アセトン、メチルエチルケトン
、シクロヘキサノン、テトラヒドロ7ラン、ジオキサン
、酢酸エチル、酢酸ブチル、メチルセルソルブ、エチル
セルンルブ、エチレングリコールジメチルエーテル、ト
ルエン、キシレン、アセトフェノン、クロロホルム、ジ
クロルメタン、ジクロルエタン、トリクロルエタン、メ
タノール、エタノール、プロパノール、ブタノール等が
挙げられる。
ジメチルホルムアミド、アセトン、メチルエチルケトン
、シクロヘキサノン、テトラヒドロ7ラン、ジオキサン
、酢酸エチル、酢酸ブチル、メチルセルソルブ、エチル
セルンルブ、エチレングリコールジメチルエーテル、ト
ルエン、キシレン、アセトフェノン、クロロホルム、ジ
クロルメタン、ジクロルエタン、トリクロルエタン、メ
タノール、エタノール、プロパノール、ブタノール等が
挙げられる。
キャリア発生層もしくはキャリア輸送層の形成にバイン
ダを用いる場合に、バインダとして任意のものを選ぶこ
とができるが、特に疎水性でかつフィルム形成能を有す
る高分子重合体が望ましい。
ダを用いる場合に、バインダとして任意のものを選ぶこ
とができるが、特に疎水性でかつフィルム形成能を有す
る高分子重合体が望ましい。
このような重合体としては例えば次のものを挙げること
ができるが、これらに限定されるものではない。
ができるが、これらに限定されるものではない。
ポリカーボネート
ポリカーボネートz樹脂
アクリル樹脂
メタクリル樹脂
ポリ塩化ビニル
ポリ塩化ビニリデン
ポリスチレン
スチレン−ブタジェン共重合体
ポリ酢酸ビニル
ポリビニルホルマール
ポリビニルブチラール
ポリビニルアセタール
ポリビニルカルバゾール
スチレン−アルキッド樹脂
シリコーン樹脂
シリコーン−アルキッド樹脂
ポリエステル
フェノール樹脂
ポリウレタン
エポキシ樹脂
塩化ビニリデン−アクリロニトリル共重合体塩化ビニル
−酢酸ビニル共重合体 塩化ビニル−酢酸ビニル−無水マレイン酸共重合体 バインダに対するキャリア発生物質の割合は10〜60
0wt%が望ましく、さらには50〜400wt%が好
ましい。バインダに対するキャリア輸送物質の割合は1
0〜500wt%とするのが望ましい。キャリア発生層
の厚さは、0.01〜20μ−とされるが、さらには0
.05〜5#−が好ましい。キャリア輸送層の厚さは1
−100μmであるが、さらには5〜30μ−が好まし
い。
−酢酸ビニル共重合体 塩化ビニル−酢酸ビニル−無水マレイン酸共重合体 バインダに対するキャリア発生物質の割合は10〜60
0wt%が望ましく、さらには50〜400wt%が好
ましい。バインダに対するキャリア輸送物質の割合は1
0〜500wt%とするのが望ましい。キャリア発生層
の厚さは、0.01〜20μ−とされるが、さらには0
.05〜5#−が好ましい。キャリア輸送層の厚さは1
−100μmであるが、さらには5〜30μ−が好まし
い。
上記感光層には感度の向上や残留電位の減少、或いは反
復使用時の疲労の低減を目的として、電子受容性物質を
含有させることができる。このような電子受容性物質と
しては例えば、無水琥珀酸、無水マレイン酸、ジブロム
無水琥珀酸、無水フタル酸、テトラクロル無水7タル酸
、テトラブロム無水7タルII、3−ニトロ無水フタル
酸、4−ニトロ無水7タル酸、無水ピロメリット酸、無
水メリット酸、テトラシアノエチレン、テトラシアノキ
ノジメタン、0−ジニトロベンゼン、■−ジニトロベン
ゼン、1.3.5−)リニトロベンゼン、p−ニトロベ
ンゾニトリル、ビクリルクロライド、キノンクロルイミ
ド、クロラニル、ブロマニル、ジクロルジシアノ−p−
ベンゾキノン、アントラキノン、ジニトロアントラキノ
ン、9−フルオレニリデンマロノジニトリル、ポリニト
ロ−9−フルオレニリデンマロノジニトリル、ピクリン
酸、0−ニトロ安息香酸、p−ニトロ安息香酸、3.5
−ジニトロ安息香酸、ペンタフルオル安息香酸、5−ニ
トロサリチル酸、 3.5−ジニトロサリチル酸、フタ
ル酸、メリット酸、その他の電子親和力の大きい化合物
を挙げることができる。
復使用時の疲労の低減を目的として、電子受容性物質を
含有させることができる。このような電子受容性物質と
しては例えば、無水琥珀酸、無水マレイン酸、ジブロム
無水琥珀酸、無水フタル酸、テトラクロル無水7タル酸
、テトラブロム無水7タルII、3−ニトロ無水フタル
酸、4−ニトロ無水7タル酸、無水ピロメリット酸、無
水メリット酸、テトラシアノエチレン、テトラシアノキ
ノジメタン、0−ジニトロベンゼン、■−ジニトロベン
ゼン、1.3.5−)リニトロベンゼン、p−ニトロベ
ンゾニトリル、ビクリルクロライド、キノンクロルイミ
ド、クロラニル、ブロマニル、ジクロルジシアノ−p−
ベンゾキノン、アントラキノン、ジニトロアントラキノ
ン、9−フルオレニリデンマロノジニトリル、ポリニト
ロ−9−フルオレニリデンマロノジニトリル、ピクリン
酸、0−ニトロ安息香酸、p−ニトロ安息香酸、3.5
−ジニトロ安息香酸、ペンタフルオル安息香酸、5−ニ
トロサリチル酸、 3.5−ジニトロサリチル酸、フタ
ル酸、メリット酸、その他の電子親和力の大きい化合物
を挙げることができる。
電子受容性物質の添加割合はキャリア発生物質の重量1
0Gに対して0.01〜200が望ましく、さらには0
.1−100が好ましい。
0Gに対して0.01〜200が望ましく、さらには0
.1−100が好ましい。
又、上記感光層中には保存性、耐久性、耐環境依存性を
向上させる目的で酸化防止剤や光安定剤の劣化防止剤を
含有させることができる。そのような目的に用いられる
化合物としては例えば、トコフェロール等のクロマノー
ル誘導体及びそのエーテル化化合物もしくはエステル化
化合物、ポリアリールアルカン化合物、ハイドロキノン
誘導体及びそのモノ及びジエーテル化化合物、ベンゾフ
ェノン誘導体、ベンゾトリアゾール誘導体、チオエーテ
ル化合物、ホスホン酸エステル、亜燐酸エステル、フェ
ニレンジアミン誘導体、フェノール化合物、ヒンダード
フェノール化合物、直鎖アミン化合物、環状アミン化合
物、ヒンダードアミン化合物などが有効である。特に有
効な化合物の具体例としては、rlRGONOX l0
IOJ 、 rlRGANQX 565J(チバ・ガイ
ギー社製)、「スミライザーBHTJ 、 rスミライ
ザーMDPJ (住友化学工業社製)等のヒンダード
フェノール化合物、「サノールLS−2626J。
向上させる目的で酸化防止剤や光安定剤の劣化防止剤を
含有させることができる。そのような目的に用いられる
化合物としては例えば、トコフェロール等のクロマノー
ル誘導体及びそのエーテル化化合物もしくはエステル化
化合物、ポリアリールアルカン化合物、ハイドロキノン
誘導体及びそのモノ及びジエーテル化化合物、ベンゾフ
ェノン誘導体、ベンゾトリアゾール誘導体、チオエーテ
ル化合物、ホスホン酸エステル、亜燐酸エステル、フェ
ニレンジアミン誘導体、フェノール化合物、ヒンダード
フェノール化合物、直鎖アミン化合物、環状アミン化合
物、ヒンダードアミン化合物などが有効である。特に有
効な化合物の具体例としては、rlRGONOX l0
IOJ 、 rlRGANQX 565J(チバ・ガイ
ギー社製)、「スミライザーBHTJ 、 rスミライ
ザーMDPJ (住友化学工業社製)等のヒンダード
フェノール化合物、「サノールLS−2626J。
「サノールLS−622LDJ (三共社製)等のヒ
ンダードアミン化合物が挙げられる。
ンダードアミン化合物が挙げられる。
中間層、保護層等に用いられるバインダとしては、上記
のキャリア発生層及びキャリア輸送層用に挙げたものを
用いることができるが、その他にポリアミド樹脂、ナイ
ロン樹脂、エチレン−酢酸ビニル共重合体、エチレン−
酢酸ビニル−無水マレイン酸共重合体、エチレン−酢酸
ビニル−メタクリル酸共重合体等のエチレン系樹脂、ポ
リビニルアルコール、セルロース誘導体等が有効である
。
のキャリア発生層及びキャリア輸送層用に挙げたものを
用いることができるが、その他にポリアミド樹脂、ナイ
ロン樹脂、エチレン−酢酸ビニル共重合体、エチレン−
酢酸ビニル−無水マレイン酸共重合体、エチレン−酢酸
ビニル−メタクリル酸共重合体等のエチレン系樹脂、ポ
リビニルアルコール、セルロース誘導体等が有効である
。
導′wL性支持体としては、金属板、金属ドラムが用い
られる他、導電性ポリマーや酸化インジウム等の導電性
化合物、もしくはアルミニウム、パラジウム等の金属の
薄層を塗布、蒸着、ラミネート等の手段により紙やプラ
スチックフィルムなどの基体の上に設けてなるものを用
いることができる。
られる他、導電性ポリマーや酸化インジウム等の導電性
化合物、もしくはアルミニウム、パラジウム等の金属の
薄層を塗布、蒸着、ラミネート等の手段により紙やプラ
スチックフィルムなどの基体の上に設けてなるものを用
いることができる。
本発明の感光体は以上のような構成であって、以下の実
施例からも明らかなように、帯電特性、感度特性、繰返
し特性に優れたものである。
施例からも明らかなように、帯電特性、感度特性、繰返
し特性に優れたものである。
合成例 l
フタロジニトリル65gとσ−クロルナフタレン500
mI2の混合物中に窒素気流下で14.7mffの四塩
化チタンを滴下した後、徐々Iこ200℃まで昇温し、
反応温度を200℃〜220℃の間に保って3時間撹拌
して反応を完結させた。その後放置し130℃になった
ところで熱時濾過し、a−クロルナフタレンで洗浄した
後、メタノールで数回洗浄しジクロルチタニウムフタロ
シアニンを得た。更に80℃熱水で数回洗浄した。得ら
れた結晶を乾燥し、その5gを96%硫酸100g中で
3〜5℃で撹拌した後、濾過して、得られた硫酸溶液を
水3.5リットル中に注いだ。析出した結晶を濾取し、
洗浄液が中性となるまで水洗を繰返した後、濾取し、ウ
ェットケーキをジクロルエタンで処理し、メタノールで
洗浄した後、乾燥して本発明の結晶を得た。この結晶は
M7図に示すようにブラッグ角2θ9.6’のピークと
27.2°の比は83%であった。
mI2の混合物中に窒素気流下で14.7mffの四塩
化チタンを滴下した後、徐々Iこ200℃まで昇温し、
反応温度を200℃〜220℃の間に保って3時間撹拌
して反応を完結させた。その後放置し130℃になった
ところで熱時濾過し、a−クロルナフタレンで洗浄した
後、メタノールで数回洗浄しジクロルチタニウムフタロ
シアニンを得た。更に80℃熱水で数回洗浄した。得ら
れた結晶を乾燥し、その5gを96%硫酸100g中で
3〜5℃で撹拌した後、濾過して、得られた硫酸溶液を
水3.5リットル中に注いだ。析出した結晶を濾取し、
洗浄液が中性となるまで水洗を繰返した後、濾取し、ウ
ェットケーキをジクロルエタンで処理し、メタノールで
洗浄した後、乾燥して本発明の結晶を得た。この結晶は
M7図に示すようにブラッグ角2θ9.6’のピークと
27.2°の比は83%であった。
合成例 2
合成例1で記載しているウェットケーキをジクロルエタ
ンに変えてアニソールで処理して本発明の結晶を得た。
ンに変えてアニソールで処理して本発明の結晶を得た。
この結晶は第8図に示すようにピーク強度の比 9.6
°/27.2°は80%であった。
°/27.2°は80%であった。
合成例 3
フタロジニトリル130gとσ−クロルナフタレン80
0saの混合物中に窒素気流下120℃で28.2m(
!の四塩化チタンを滴下し、21G℃まで昇温し210
℃〜220℃で4時間反応させた。−夜放冷後濾過し、
C−クロルナフタレンで洗浄した後、クロロホルム、つ
いでメタノールで洗浄した。更にアンモニア水2Qの中
で70℃、5時間加熱して加水分解し、水洗して粗製品
を得た。そのうち15gを硫酸500g中で0〜5℃で
撹拌した後、濾過して水5a中に注いだ。析出した結晶
を濾取し、洗浄液が中性になるまで水洗しl;後、濾取
し、ウェットケーキをオルトジクロルベンゼンで処理し
、本発明の結晶を得た(第9図)。
0saの混合物中に窒素気流下120℃で28.2m(
!の四塩化チタンを滴下し、21G℃まで昇温し210
℃〜220℃で4時間反応させた。−夜放冷後濾過し、
C−クロルナフタレンで洗浄した後、クロロホルム、つ
いでメタノールで洗浄した。更にアンモニア水2Qの中
で70℃、5時間加熱して加水分解し、水洗して粗製品
を得た。そのうち15gを硫酸500g中で0〜5℃で
撹拌した後、濾過して水5a中に注いだ。析出した結晶
を濾取し、洗浄液が中性になるまで水洗しl;後、濾取
し、ウェットケーキをオルトジクロルベンゼンで処理し
、本発明の結晶を得た(第9図)。
ピーク強度の比 9.5/ 27.2は65%でありt
;。
;。
合成例 4
1.3−ジイミノイソインドリン29.2gとスルホラ
ン200mQを混合し、チタニウムテトラブトキシド2
0.0gを加え、窒素雰囲気下に190℃で2時間反対
させた。放冷した後析出物を濾取し、クロロホルムで洗
浄、2%−塩酸水溶液で洗浄、水洗、メタノール洗浄し
て、乾燥の後25.5g (88,5%)のチタニルフ
タロシアンニンを得た。元素分析法において塩素は検出
限界以下であった。生成物は20倍量の濃硫酸に溶解し
、100倍量の水にあけて析出させて、濾取した後にウ
ェットケーキを0−ジクロルベンゼンで処理して第1O
図に示すX線回折スペクトルをもつ結晶型としt;。
ン200mQを混合し、チタニウムテトラブトキシド2
0.0gを加え、窒素雰囲気下に190℃で2時間反対
させた。放冷した後析出物を濾取し、クロロホルムで洗
浄、2%−塩酸水溶液で洗浄、水洗、メタノール洗浄し
て、乾燥の後25.5g (88,5%)のチタニルフ
タロシアンニンを得た。元素分析法において塩素は検出
限界以下であった。生成物は20倍量の濃硫酸に溶解し
、100倍量の水にあけて析出させて、濾取した後にウ
ェットケーキを0−ジクロルベンゼンで処理して第1O
図に示すX線回折スペクトルをもつ結晶型としt;。
ピーク強度比9.6°/ 27.3’は80%であった
。
。
比較合成例(1)
合成例1で記載したように、7タロジニトリルと四塩化
チタンからジクロルチタニウムフタロシアニンを作り、
これを熱水で加水分解した(ここまで合成例1と同じ)
。このものをメタノールで洗い、乾燥して比較例(1)
の結晶を得た。第1I図に示す。9.6°に明瞭なピー
クは見られない。
チタンからジクロルチタニウムフタロシアニンを作り、
これを熱水で加水分解した(ここまで合成例1と同じ)
。このものをメタノールで洗い、乾燥して比較例(1)
の結晶を得た。第1I図に示す。9.6°に明瞭なピー
クは見られない。
比較合成例(2)
比較合成例(1)で述べた。加水分解した直後の結晶を
ウェットペーストのままクロルベンゼンで処理し、メタ
ノールで洗い、比較例(2)の結晶を得た。
ウェットペーストのままクロルベンゼンで処理し、メタ
ノールで洗い、比較例(2)の結晶を得た。
X線回折スペクトルを第12図に示す。ピーク強度比
9.6°/27.2’ =29%であった。
9.6°/27.2’ =29%であった。
次に前記本発明に係る化合物及び比較化合物を用い本発
明及び比較の感光体を下記の通り作成しtこ。
明及び比較の感光体を下記の通り作成しtこ。
尚一連の比較例に使用するキャリア輸送物質(CTM)
を以下に記す。
を以下に記す。
比較化合物
CTM(1)
比較化合物
CTM (2)
比較化合物
CTM (3)
実施例1−1
アルミニウム箔をラミネートしたポリエステル上に、塩
化ビニル−酢酸ビニル−無水マレイン酸共重合体(エス
レックM F −100積水化学工業社)よりなる厚さ
0.1μ肩の中間層(UCL)を作成した。
化ビニル−酢酸ビニル−無水マレイン酸共重合体(エス
レックM F −100積水化学工業社)よりなる厚さ
0.1μ肩の中間層(UCL)を作成した。
次いでキャリヤ発生物質(CGM)として本発明のフタ
ロンアニン(合成例1で得たもの)2部、バインダ樹脂
としてシリコーン樹脂(rKR−5240,15%キシ
レンブタノール溶液」信越化学社製)25部、分散媒と
してシクロヘキサノン100部をサンドミルを用いて分
散し、これをワイヤバーにて塗布して膜厚0.2μ肩の
キャリヤ発生層(CTL)とした。
ロンアニン(合成例1で得たもの)2部、バインダ樹脂
としてシリコーン樹脂(rKR−5240,15%キシ
レンブタノール溶液」信越化学社製)25部、分散媒と
してシクロヘキサノン100部をサンドミルを用いて分
散し、これをワイヤバーにて塗布して膜厚0.2μ肩の
キャリヤ発生層(CTL)とした。
次いでキャリヤ輸送物質(CTM)として本発明の化合
物(1−2)1部とポリカーボネート樹脂「ニーピロン
Z200J (三菱瓦斯化学社製)1.5部及び微量の
シリコーンオイルrKF−54J(信越化学社製)を1
.2=ジクロル工タン12部に溶解した液をブレード塗
布機を用いて塗布し、乾燥後の膜厚22μmのキャリヤ
輸送層(CTL)とした。サンプルI−1とする。
物(1−2)1部とポリカーボネート樹脂「ニーピロン
Z200J (三菱瓦斯化学社製)1.5部及び微量の
シリコーンオイルrKF−54J(信越化学社製)を1
.2=ジクロル工タン12部に溶解した液をブレード塗
布機を用いて塗布し、乾燥後の膜厚22μmのキャリヤ
輸送層(CTL)とした。サンプルI−1とする。
実施例、■−2
実施例(1−1)の7タロシアニンを合成例4で述べた
ものに代えた他は同様にして感光体をつくりサンプルI
−2としに。
ものに代えた他は同様にして感光体をつくりサンプルI
−2としに。
以下同様にCGM、CTMを表1−1のように変更して
サンプルI−3〜I−9及び比較サンプルI−(1)〜
I −(4’)をつくった。
サンプルI−3〜I−9及び比較サンプルI−(1)〜
I −(4’)をつくった。
表1−1
評価1−1
以上のようにして得られたサンプルは、ベーパアナライ
ザーEPA −8100(川口電気社製)を用いて、以
下のような評価を行った。まず、−80μAの条件で5
秒間のコロナ帯電を行い、帯電直後の表面電位Va及び
、5秒間放置後の表面電位Viを求め、続いて表面照度
が2 Quxとなるような露光を行ない、表面電位を%
V iとするのに必要な露光量E ’A 、 また
D D −100(V a −V i)/ V a(%
)の式より暗減衰率DDを求めた。
ザーEPA −8100(川口電気社製)を用いて、以
下のような評価を行った。まず、−80μAの条件で5
秒間のコロナ帯電を行い、帯電直後の表面電位Va及び
、5秒間放置後の表面電位Viを求め、続いて表面照度
が2 Quxとなるような露光を行ない、表面電位を%
V iとするのに必要な露光量E ’A 、 また
D D −100(V a −V i)/ V a(%
)の式より暗減衰率DDを求めた。
結果は表(1−2)に示した。
評価1−2
上記のサンプルl及びサンプル4〜9及び比較サンプル
(1)〜(4)をレーザプリンタLP−3010(コニ
カ類)の改造機に装着し、半導体レーザを光源とし、反
転現像を行い、1000回の繰返し画像形成を行なった
。それぞれの画像濃度、白地部の黒斑点の量を測定した
。◎○△×で表す。
(1)〜(4)をレーザプリンタLP−3010(コニ
カ類)の改造機に装着し、半導体レーザを光源とし、反
転現像を行い、1000回の繰返し画像形成を行なった
。それぞれの画像濃度、白地部の黒斑点の量を測定した
。◎○△×で表す。
黒斑点の量 ◎ 0〜l
○ 2〜3
△ 4〜10
×10個以上/cm”
画像濃度はサクラデンントメータP D A −65型
で測定した。
で測定した。
反射濃度
1.0以上
0.8〜1.0
0.6〜0.8
0.6以下
表1−2
本発明の感光体サンプルl−1−1−9はいずれも感度
が良く、反転現像した時の画像も黒斑点がほとんどなく
良好である。
が良く、反転現像した時の画像も黒斑点がほとんどなく
良好である。
これに反して、CGMの異なる比較サンプルニー(3)
、 I −(4)は電位がのりにくく、実機での反転現
像しt;ときカプリが多かったり、黒斑点が多い。また
、CTMを代えた、比較サンプル! −(1)、 I
−(2’)は感度は良好であるものの反転現像したとき
黒斑点が多いという問題がある。
、 I −(4)は電位がのりにくく、実機での反転現
像しt;ときカプリが多かったり、黒斑点が多い。また
、CTMを代えた、比較サンプル! −(1)、 I
−(2’)は感度は良好であるものの反転現像したとき
黒斑点が多いという問題がある。
実施例11−1
アルミニウム箔をラミネートしたポリエステルベース上
に共重合ポリアミド(CM−8000東し)よりなる厚
さ0.15μ膳のUCLを作成した。
に共重合ポリアミド(CM−8000東し)よりなる厚
さ0.15μ膳のUCLを作成した。
次いでCGMとして本発明のフタロシアニン(合成例1
で得たもの)2部、バインダ樹脂としてポリビニルブチ
ラール(XYHLユニオン・カーバイド社)3部、分散
媒としてメチルエチルケトン100gをサンドミルを用
いて分散し、これを上記UCLを塗設したベースにワイ
ヤバーを用いて塗布し、膜厚0,2μ−のCGLを形成
した。
で得たもの)2部、バインダ樹脂としてポリビニルブチ
ラール(XYHLユニオン・カーバイド社)3部、分散
媒としてメチルエチルケトン100gをサンドミルを用
いて分散し、これを上記UCLを塗設したベースにワイ
ヤバーを用いて塗布し、膜厚0,2μ−のCGLを形成
した。
次いでCTMとして本発明の化合物(n−2)1部とポ
リカーボネート樹脂(L−1250余人化皮社)1.5
部及び微量のシリコーンオイル(rKF−54J信越化
学社)を1.2−ジクロルエタン12部に溶解した液を
ブレード塗布機にて塗布し、乾燥後の膜厚22μ−のC
TLとしたサンプルn−1とする。
リカーボネート樹脂(L−1250余人化皮社)1.5
部及び微量のシリコーンオイル(rKF−54J信越化
学社)を1.2−ジクロルエタン12部に溶解した液を
ブレード塗布機にて塗布し、乾燥後の膜厚22μ−のC
TLとしたサンプルn−1とする。
実施例U−2〜ll−9及び比較例1t−(1)〜■−
(4) 実施例n−1のCGMとCTMを順次表n−1のように
変更してサンプルll−2〜川−9及び比表ll−1 評価n−1 以上のようにして得られた感光体を評価(1−1)と同
様にペーパアナライザEPA −8100を用いて評価
した。
(4) 実施例n−1のCGMとCTMを順次表n−1のように
変更してサンプルll−2〜川−9及び比表ll−1 評価n−1 以上のようにして得られた感光体を評価(1−1)と同
様にペーパアナライザEPA −8100を用いて評価
した。
評価項目は帯電直後の表面電位Va及び5秒間放置後の
表面電位Viをもとめついで表面電位を一600Vから
一100Vまで低下させるに必要な露光量E、。、7□
。をもとめた。
表面電位Viをもとめついで表面電位を一600Vから
一100Vまで低下させるに必要な露光量E、。、7□
。をもとめた。
又、D D = 100(Va −V i)/Va(%
)(7)式ニヨ’1暗減衰率DDを求めた。
)(7)式ニヨ’1暗減衰率DDを求めた。
評価1−2
サンプルをレーザプリンタLP301G(コニカ製)改
造機に装着し、オゾン発生機(日本オゾン株式会社0−
1−2型)において発生させたオゾンガスをその内部に
導入しオゾン濃度20pp−の条件下で負帯電、露光、
除電のプロセスを1ooo回くり返し、帯電電位(V、
)及び露光後の電位(VL)を測定し表11−2 本発明のCTMとCGMを持った感光体はいずれも帯電
電位が高く感度が良い、それに反して、比較合成例(1
)を用いた比較サンプルII −(3)は暗減衰が大き
く電位がのらず、感度も悪い、比較合成例(2)を用い
た比較サンプルII −(4)も感度は改善されるもの
のやはりDDは大きい。
造機に装着し、オゾン発生機(日本オゾン株式会社0−
1−2型)において発生させたオゾンガスをその内部に
導入しオゾン濃度20pp−の条件下で負帯電、露光、
除電のプロセスを1ooo回くり返し、帯電電位(V、
)及び露光後の電位(VL)を測定し表11−2 本発明のCTMとCGMを持った感光体はいずれも帯電
電位が高く感度が良い、それに反して、比較合成例(1
)を用いた比較サンプルII −(3)は暗減衰が大き
く電位がのらず、感度も悪い、比較合成例(2)を用い
た比較サンプルII −(4)も感度は改善されるもの
のやはりDDは大きい。
又本発明のCTM、CGMを用いた感光体は弱いオゾン
雰囲気下での実機テストにおいてもvlvLともに大き
な変化はなく、優れた特性を示す、これに反して本発明
とCTMが異なる比較サンプルn−(l IH−(2)
はEPA及び実機の初期感度こそ、本発明品と同等であ
るが、オゾン雰囲気下で繰返し試験すると、■、の低下
、VLの上昇が著るしい。
雰囲気下での実機テストにおいてもvlvLともに大き
な変化はなく、優れた特性を示す、これに反して本発明
とCTMが異なる比較サンプルn−(l IH−(2)
はEPA及び実機の初期感度こそ、本発明品と同等であ
るが、オゾン雰囲気下で繰返し試験すると、■、の低下
、VLの上昇が著るしい。
実施例111−1
エチレン−酢ビ共重合体(スミテート KA−10住友
化学製)3部をトルエン100部に加熱溶解し、これを
アルミニウム箔をラミネートしたポリエステル上に塗布
し、厚さ0.2μ−のUCLを作成した。
化学製)3部をトルエン100部に加熱溶解し、これを
アルミニウム箔をラミネートしたポリエステル上に塗布
し、厚さ0.2μ−のUCLを作成した。
次いでCGMとして本発明のフタロシアニン(合成例1
で得たもの)2部、バインダ樹脂としてポリビニルブチ
ラール樹脂(X Y u Lユニオン・カーバイド社製
)1.0部、分散媒としてメチルエチルケトンioog
を加え、サンドミルを用いて分散しtこ。
で得たもの)2部、バインダ樹脂としてポリビニルブチ
ラール樹脂(X Y u Lユニオン・カーバイド社製
)1.0部、分散媒としてメチルエチルケトンioog
を加え、サンドミルを用いて分散しtこ。
このCGM液を上記UCL上に塗布して膜厚0,2μm
のCGLとした。
のCGLとした。
次いでCTMとして本発明の化合物(I[l−4)1部
とポリカーボネート樹脂(K−1300帝人化戊製)1
.0部を1.2−ジクロルエタン15部に溶解した液を
ブレード塗布機にて塗布し、乾燥後の膜厚20umのC
TLとした、これをサンプルI[I−1とする。
とポリカーボネート樹脂(K−1300帝人化戊製)1
.0部を1.2−ジクロルエタン15部に溶解した液を
ブレード塗布機にて塗布し、乾燥後の膜厚20umのC
TLとした、これをサンプルI[I−1とする。
実m例111−2−III−9比較例nI−(1) 〜
III−(4)実施例11−1のCGMとCTMを表1
11−1のように順次変更し、 さらにCTMとバイン
ダ(ポリカーボネート樹脂)の比率をl:1.0. l
:1.5. l:2.0と順次増やしたものをつくった
。
III−(4)実施例11−1のCGMとCTMを表1
11−1のように順次変更し、 さらにCTMとバイン
ダ(ポリカーボネート樹脂)の比率をl:1.0. l
:1.5. l:2.0と順次増やしたものをつくった
。
表■
評価
作成したサンプルをレーザプリンタLP3010 (コ
ニカ製)改造機に装1着し、25°0室温にて未露光部
の電位V、とvLを測定した。
ニカ製)改造機に装1着し、25°0室温にて未露光部
の電位V、とvLを測定した。
次いで低温の10″CにてV、とVLを求め、同温度に
て反転現像を行いその画質をみた、評価項目は画像濃度
と黒斑点である。
て反転現像を行いその画質をみた、評価項目は画像濃度
と黒斑点である。
白地部における黒斑点の量
◎ 0
0 lまで
△ 3まで
X 10まで
××lO個以上/c1
画像濃度はサクラデンシトメーターPDA−65型で測
定しt;。
定しt;。
◎ 反射濃度 D≧1.0
0 1.0> D≧O,a
Δ 0.8> D≧0.6
X O,6> D
結果を表111−2に示す。
表1−2
本発明のCGMとCTMを用いた感光体はCTM/バイ
ンダ比が1.0/1.5〜1.0/2.0においてほと
んど黒斑点がなく良好な画像を与える。これに反して比
較サンプルII−(1)、III−(2)では黒ポチが
多く、比較化合物(3)を用いた比較サンプルではCT
Mの比率の高い比較サンプルI[1−(3)は感度が良
<Vtが低く濃度もでるが、黒斑点を無くし、又塗膜強
度を上げるためにバインダの比率を上げていくと本発明
のCTMに比して急速にvLが上昇して濃度低下を引き
起こす。又、CGMに比較合成例(1)で合皮したもの
を使用した比較サンプルII−(6)はバインダ比率が
高いにもかかわらず電位がのらず反転現像するとカプリ
がひごかつIこ。
ンダ比が1.0/1.5〜1.0/2.0においてほと
んど黒斑点がなく良好な画像を与える。これに反して比
較サンプルII−(1)、III−(2)では黒ポチが
多く、比較化合物(3)を用いた比較サンプルではCT
Mの比率の高い比較サンプルI[1−(3)は感度が良
<Vtが低く濃度もでるが、黒斑点を無くし、又塗膜強
度を上げるためにバインダの比率を上げていくと本発明
のCTMに比して急速にvLが上昇して濃度低下を引き
起こす。又、CGMに比較合成例(1)で合皮したもの
を使用した比較サンプルII−(6)はバインダ比率が
高いにもかかわらず電位がのらず反転現像するとカプリ
がひごかつIこ。
実施例IV−l
CGMとして本発明の7タロシアニン(合戒例1で得た
もの)2部、バインダ樹脂としてポリビニルブチラール
樹脂(rXYI(LJユニオン・カーバイド社製)3部
、テトラヒドロ7ラン100部をサンドミルを用いて分
散した。このCGM液をアルミニウム箔をラミネートし
たポリエステル上に塗布し、厚さ0.2μmのCGLと
した。
もの)2部、バインダ樹脂としてポリビニルブチラール
樹脂(rXYI(LJユニオン・カーバイド社製)3部
、テトラヒドロ7ラン100部をサンドミルを用いて分
散した。このCGM液をアルミニウム箔をラミネートし
たポリエステル上に塗布し、厚さ0.2μmのCGLと
した。
次いでCTMとして本発明の化合物(IV−1)1部と
ポリカーボネート樹脂(K1300帝人化或社)1.2
部を1.2−ジクロルエタン15部に溶解した液をブレ
ード塗布機にて塗布し、乾燥後の膜厚20μ會のCTL
とした。
ポリカーボネート樹脂(K1300帝人化或社)1.2
部を1.2−ジクロルエタン15部に溶解した液をブレ
ード塗布機にて塗布し、乾燥後の膜厚20μ會のCTL
とした。
これをサンプルIV−1とする。
実施例mV−2〜IV−8及び
比較例IV−(1)〜IV−(4)
実施例mV−lのCGMとCTMを表IV−1のように
順次変更して感光体サンプルをつくった。
順次変更して感光体サンプルをつくった。
表y−を
評価tV−を
以上のようにして得られた感光体をペーパアナライザE
PA −8100を用いて評価した。
PA −8100を用いて評価した。
評価項目として帯電直後の表面電位Va、5秒間放置後
の表面電位Viおよび表面電位を一600vから一10
0Vまで低下させるに必要な露光量E 6GG/100
をもとめた。又、DD= 100(V a −V i)
V a% (F)式により暗減衰率DDを求めた。
の表面電位Viおよび表面電位を一600vから一10
0Vまで低下させるに必要な露光量E 6GG/100
をもとめた。又、DD= 100(V a −V i)
V a% (F)式により暗減衰率DDを求めた。
評価117−2
サンプルをレーザプリンタLP301G(コニカ1K)
改造機に装着し、機械内部のファンを動かす事なく負帯
電、露光、除電のプロセスを5000回繰返し、帯電、
電位(V、)及び露光後の電位(VL)を測定した。
改造機に装着し、機械内部のファンを動かす事なく負帯
電、露光、除電のプロセスを5000回繰返し、帯電、
電位(V、)及び露光後の電位(VL)を測定した。
尚、同条件では感光体近傍の温度、オゾン濃度を測定し
たところ初期25℃、 2000回目は35℃でオゾン
濃度10pp■、5000回目は38℃、 12pp■
であった。
たところ初期25℃、 2000回目は35℃でオゾン
濃度10pp■、5000回目は38℃、 12pp■
であった。
表IV−2
本発明の感光体はいずれも電位が高く、又感度もよい。
又ファン停止、オゾン濃度が高いと言った条件でさえ尚
その劣化が少ない。それに反して比較のCTMを使った
比較サンプルIV−(1)、rV−(2)では初期の感
度は本発明と同等以上であるが、劣化が著しい。
その劣化が少ない。それに反して比較のCTMを使った
比較サンプルIV−(1)、rV−(2)では初期の感
度は本発明と同等以上であるが、劣化が著しい。
又、CGMが異なる比較サンプルN−(3)、TV(4
)では電位がのらなかったり、DDが大きいなどの欠陥
がある。
)では電位がのらなかったり、DDが大きいなどの欠陥
がある。
実施例V−l
アルミニウム箔をラミネートしたポリエステルベース上
に共重合ポリアミド(CM −8000東し)よりなる
厚さ0.15μmのUCLを作成した。
に共重合ポリアミド(CM −8000東し)よりなる
厚さ0.15μmのUCLを作成した。
次いでCGMとして本発明のフタロシアニン(合成例1
で得たもの)2部、バインダ樹脂としてシリコーン樹脂
(rKR−5240,15%キシレンブタノール溶液」
信越化学社製)15部、分散媒としてシクロヘキサノン
100部をサンドミルを用いて分散し、これをワイヤバ
ーにて塗布して膜厚0.2μmのCGLとした。
で得たもの)2部、バインダ樹脂としてシリコーン樹脂
(rKR−5240,15%キシレンブタノール溶液」
信越化学社製)15部、分散媒としてシクロヘキサノン
100部をサンドミルを用いて分散し、これをワイヤバ
ーにて塗布して膜厚0.2μmのCGLとした。
次いでCTMとして本発明の化合物(V−1)1部とポ
リカーボネート樹脂(K1300帝人化学社製)1.2
部及び微量の7リコーンオイルrKF−54J(信越化
学社製)を1.2−ジクロルエタン12部に溶解した液
をブレード塗布機を用いて塗布後の膜厚20μmのCT
Lとした。これをサンプルV−1とする。
リカーボネート樹脂(K1300帝人化学社製)1.2
部及び微量の7リコーンオイルrKF−54J(信越化
学社製)を1.2−ジクロルエタン12部に溶解した液
をブレード塗布機を用いて塗布後の膜厚20μmのCT
Lとした。これをサンプルV−1とする。
実施例v−iのCGMとCTMを表V−1(7)、1:
うに順次変更して感光体のサンプルをつくった。
うに順次変更して感光体のサンプルをつくった。
評価V−l
以上のようにして得られたサンプルはベーパアナライザ
EPA −8100(川口電気社製)を用いて、以下の
ような評価を行った。
EPA −8100(川口電気社製)を用いて、以下の
ような評価を行った。
まず、−80μAの条件で5秒間コロナ帯電を行い、帯
電直後の表面電位Va、及びViを求め、続いて表面照
度が21uxになるような露光を行い、表面電位を%V
iとするのに必要な露光量EXを求めた。又D D =
100(V a −V i)/V a%の式ヨリDD
を求めた。結果は表v−2に示した。
電直後の表面電位Va、及びViを求め、続いて表面照
度が21uxになるような露光を行い、表面電位を%V
iとするのに必要な露光量EXを求めた。又D D =
100(V a −V i)/V a%の式ヨリDD
を求めた。結果は表v−2に示した。
評価v−2
上記のサンプルV−1〜V−7及び比較サンプ4 V−
(1)〜V−(4)をレーザプリンタLP3010(コ
ニカ製)の改造機に装着し、光導体レーザを光源とし反
転現像を行なった。
(1)〜V−(4)をレーザプリンタLP3010(コ
ニカ製)の改造機に装着し、光導体レーザを光源とし反
転現像を行なった。
1000回の繰返し画像形成を行い、画像濃度、白地部
の黒斑点の量を測定した。
の黒斑点の量を測定した。
◎○△×で表す。
◎ 0〜l
○ 2〜3
Δ 4〜10
X 10個以上
画像濃度はサクラデンシトメーターPDA −651で
測定した。
測定した。
■
反射濃度D
D≧1.0
1.0> D≧0.8
Δ
0.8> D≧0.6
0.6> D
本発明のCGM、CTMを組合せたものは感度もよく、
反転現像した時の画質もよい。
反転現像した時の画質もよい。
それに反して比較サンプルv −(3)、v−(4)は
電位がのらずカブリがでる。
電位がのらずカブリがでる。
比較サンプルV−(1)、v−(2)の感度は良好であ
るものの黒斑点がでる。
るものの黒斑点がでる。
ポリシラン化合物の合t、@1
乾燥トルエン200Il112中にジクロルメチルフェ
ニルシラン19.1gを加え、窒素気流下において金属
ナトリウムの分散液を加へ、3時間加熱還流させt二。
ニルシラン19.1gを加え、窒素気流下において金属
ナトリウムの分散液を加へ、3時間加熱還流させt二。
放冷後、少量のメタノールを加へて残存するナトリウム
を分解した。
を分解した。
次いで水洗を繰返した後、トルエン相を減圧留去し、ヘ
キサンに注いで沈澱を濾取した。再沈澱を繰返して目的
とするポリシラン1.5gを得た。
キサンに注いで沈澱を濾取した。再沈澱を繰返して目的
とするポリシラン1.5gを得た。
ポリシランの合成例2
上述のポリシランの合成例のlのジクロルメチルフェニ
ルシランの代りにジクロルメチルフエニルジ9フ10 ジクロルメチルフエニルシランlOgの混合を使い、同
様にしてポリシラン(コポリマー)の1.3gを得た。
ルシランの代りにジクロルメチルフエニルジ9フ10 ジクロルメチルフエニルシランlOgの混合を使い、同
様にしてポリシラン(コポリマー)の1.3gを得た。
実施例(Vl−1)
CGMとして本発明の7タロシアニン(合皮例1で得た
もの)2部、バインダ樹脂としてシリコーン樹脂(rK
R − 5240J15%キシレンブタノール溶液」信
越化学社製)20部、分子&煤としてメチルエチルケト
ン100部をサンドミルを用いて分散し、これをワイヤ
バーにて塗布して膜厚0、2μ雪のCGLとした。
もの)2部、バインダ樹脂としてシリコーン樹脂(rK
R − 5240J15%キシレンブタノール溶液」信
越化学社製)20部、分子&煤としてメチルエチルケト
ン100部をサンドミルを用いて分散し、これをワイヤ
バーにて塗布して膜厚0、2μ雪のCGLとした。
次いで(ポリシランの化合物合成例1)ポリシラン7、
5部を1.2−ジクロルエタン25部に溶解した液をブ
レード塗布機を用いて塗布し、膜厚lOμ■のCTLを
形成した。
5部を1.2−ジクロルエタン25部に溶解した液をブ
レード塗布機を用いて塗布し、膜厚lOμ■のCTLを
形成した。
実施例Vlー2〜Vlー4及び
比較例Vl−(1)及びVl−(2)
実施例(Vl−1)のCGM,CTMを表111−1の
表Vl−1 評価 得られたサンプルは半導体レーザ光源を装着したプリン
タLP−3010(コニカ製)の改造機を用いて評価し
た。未露光部電位V.、露光部電位vLを求め感度の評
価とし、表Vl−2に示した。
表Vl−1 評価 得られたサンプルは半導体レーザ光源を装着したプリン
タLP−3010(コニカ製)の改造機を用いて評価し
た。未露光部電位V.、露光部電位vLを求め感度の評
価とし、表Vl−2に示した。
表Vl−2
発明午の感光体は帯電電位ものり、感度も良いが、比較
サンプルは電位が乗っていない。
サンプルは電位が乗っていない。
第1図〜第6図は本発明の感光体の層構成の具体例を示
した各断面図である。 第7〜第1O図は合成例1〜4によって得られる本発明
のチタニルフタロンアニンのX線回折図、第11 、1
2図は比較合成例(1)〜(2)で得られるチタニルフ
タロシアニンのX線回折図である。 l ・・・導電性支持体 2 ・・・キャリア発生層 3 ・・・キャリア輸送層 4.4 ’、4 ”・・・感光層 5 ・・・中間層
した各断面図である。 第7〜第1O図は合成例1〜4によって得られる本発明
のチタニルフタロンアニンのX線回折図、第11 、1
2図は比較合成例(1)〜(2)で得られるチタニルフ
タロシアニンのX線回折図である。 l ・・・導電性支持体 2 ・・・キャリア発生層 3 ・・・キャリア輸送層 4.4 ’、4 ”・・・感光層 5 ・・・中間層
Claims (1)
- 【特許請求の範囲】 Cu−Kα線(波長1.541Å)に対するX線回折
スペクトルにおいて、少なくともブラッグ角2θの9.
6゜±0.2゜と27.2゜±0.2゜にピークをもち
、かつ9.6゜±0.2゜のピーク強度が27.2゜±
0.2゜のピーク強度の40%以上である結晶状態のチ
タニルフタロシアニンと、下記一般式〔 I 〕〜〔VI〕
で表される化合物の少なくとも一種とを含有することを
特徴とする電子写真感光体。 一般式〔 I 〕 ▲数式、化学式、表等があります▼ 〔式中、Aはアリール基、複素環又はビニル基を表す。 R_1、R_2はアルキル基、フェニル基、又はナフチ
ル基を表し、R_1、R_2で環を形成してもよい。〕 一般式〔II〕 ▲数式、化学式、表等があります▼ 〔式中、Ar_1、Ar_2はアルキル基又はアリール
基を表し、Ar_3はフェニレン基を表し、Ar_1、
Ar_2で環をなしてもよい。R_1_1は水素原子、
アルキル基、又は芳香族基を表し、R_1_2、R_1
_3はアルキル基又はアリール基を表し、R_1_2、
R_1_3で環をなしてもよい。〕 一般式〔III〕 ▲数式、化学式、表等があります▼ 〔式中、nは0又は1の整数を表し、Ar_1_1、A
r_1_2、Ar_1_3、Ar_1_4はフェニル基
又はナフチル基を表し、Ar_1_1〜Ar_1_4の
少なくとも一つは置換基としてアミノ基を有する。〕 一般式〔IV〕 ▲数式、化学式、表等があります▼ 〔式中、nは0又は1の整数を表し、Ar_2_1、A
r_2_2、はアルキル基又はアリール基を表し、Ar
_2_1、Ar_2_2で環を形成してもよい。R_2
_1は水素原子、アルキル基又アリール基を表し、R_
2_2は水素原子、アルキル基、アルコキシ基又はハロ
ゲン原子を表す。〕 一般式〔V〕 ▲数式、化学式、表等があります▼ 〔式中、Ar_3_1、Ar_3_2はフェニル基又は
ナフチル基を表し、Ar_3_3はフェニレン基を表し
、Bはベンジル基又はフェネチル基を表す。〕 一般式〔VI〕 ▲数式、化学式、表等があります▼ 〔式中、R_1、R_2はアルキル基、アリール基、ア
ルキルシリル基、アリールシリル基を表す。〕
Priority Applications (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP17035889A JPH0335246A (ja) | 1989-06-30 | 1989-06-30 | 電子写真感光体 |
Applications Claiming Priority (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP17035889A JPH0335246A (ja) | 1989-06-30 | 1989-06-30 | 電子写真感光体 |
Publications (1)
| Publication Number | Publication Date |
|---|---|
| JPH0335246A true JPH0335246A (ja) | 1991-02-15 |
Family
ID=15903457
Family Applications (1)
| Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
|---|---|---|---|
| JP17035889A Pending JPH0335246A (ja) | 1989-06-30 | 1989-06-30 | 電子写真感光体 |
Country Status (1)
| Country | Link |
|---|---|
| JP (1) | JPH0335246A (ja) |
Cited By (1)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| US5750296A (en) * | 1995-12-29 | 1998-05-12 | Samsung Display Devices Co., Ltd. | Photo-conductive composition and CRT bulb having photo-conductive layer formed of the same |
-
1989
- 1989-06-30 JP JP17035889A patent/JPH0335246A/ja active Pending
Cited By (1)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| US5750296A (en) * | 1995-12-29 | 1998-05-12 | Samsung Display Devices Co., Ltd. | Photo-conductive composition and CRT bulb having photo-conductive layer formed of the same |
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