JPH0335503A - Ｐｔｃサーミスタの製造方法 - Google Patents
Ｐｔｃサーミスタの製造方法Info
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- JPH0335503A JPH0335503A JP17084089A JP17084089A JPH0335503A JP H0335503 A JPH0335503 A JP H0335503A JP 17084089 A JP17084089 A JP 17084089A JP 17084089 A JP17084089 A JP 17084089A JP H0335503 A JPH0335503 A JP H0335503A
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Abstract
(57)【要約】本公報は電子出願前の出願データであるた
め要約のデータは記録されません。
め要約のデータは記録されません。
Description
【発明の詳細な説明】
（技術分野）
本発明は、ＰＴＣサーミスタの改善された製造方法に係
り、特にカラーＴＶ消磁用素子等のＰＴＣ，サーミスタ
における重要な特性の一つである耐圧特性を有利に改善
するための製造方法に関するものである。
り、特にカラーＴＶ消磁用素子等のＰＴＣ，サーミスタ
における重要な特性の一つである耐圧特性を有利に改善
するための製造方法に関するものである。
（背景技術）
従来から、ＢａＴｔＯ＊磁器を与える原料に、５ｒＴｉ
Ｏ，等のキュリー点を変化させるシフターを添加し、ま
たその原子価を制御する異種原子（例えば、Ｌａ、Ｂｉ
、Ｓｂ、Ｔａ、Ｎｂ等）を半導体化酸化物としてＩＩ配
合して、焼成することにより得られるＢａ’ｒ’ｉ０．
系半導体磁器は、正の抵抗−温度特性を有し、所謂ＰＴ
Ｃサー〔スタとして、電流制御素子、電圧制御素子、分
相モーター起動用素子、カラーＴＶ消磁用素子等に広く
用いられてきている。
Ｏ，等のキュリー点を変化させるシフターを添加し、ま
たその原子価を制御する異種原子（例えば、Ｌａ、Ｂｉ
、Ｓｂ、Ｔａ、Ｎｂ等）を半導体化酸化物としてＩＩ配
合して、焼成することにより得られるＢａ’ｒ’ｉ０．
系半導体磁器は、正の抵抗−温度特性を有し、所謂ＰＴ
Ｃサー〔スタとして、電流制御素子、電圧制御素子、分
相モーター起動用素子、カラーＴＶ消磁用素子等に広く
用いられてきている。
しかしながら、このようなＰＴＣサーｌスタには、高電
圧が印加されるために、従来のＢａＴｉ０：ｌ系半導体
磁器では、抵抗の電圧依存性が大きく、耐圧特性に欠け
、そのために正の抵抗−温度特性の勾配を減少させる欠
点があり、そして、そのような勾配が小さいと、スイッ
チング時に安定電流が大きくなる問題があると共に、安
定時の素子温度が高くなり、回路としての性能や信頼性
に欠け、寿命特性にも問題を生じることとなる。
圧が印加されるために、従来のＢａＴｉ０：ｌ系半導体
磁器では、抵抗の電圧依存性が大きく、耐圧特性に欠け
、そのために正の抵抗−温度特性の勾配を減少させる欠
点があり、そして、そのような勾配が小さいと、スイッ
チング時に安定電流が大きくなる問題があると共に、安
定時の素子温度が高くなり、回路としての性能や信頼性
に欠け、寿命特性にも問題を生じることとなる。
ところで、ＢａＴｉ○３系ＰＴＣサーミスタの耐圧特性
は、添加物の種類やその添加量に大きく影響を受け、そ
してそのような耐圧特性は、主として結晶粒の大きさに
より決まり、その中でも特に重要なのは、異常に大きく
成長じた巨大結晶粒の混入であるところから、従来では
、ＳｉＯ２を−添加して結晶粒の微細化を図っているが
、今一つ充分でなく、耐圧特性の改善においても満足し
得るものではなかったのである。
は、添加物の種類やその添加量に大きく影響を受け、そ
してそのような耐圧特性は、主として結晶粒の大きさに
より決まり、その中でも特に重要なのは、異常に大きく
成長じた巨大結晶粒の混入であるところから、従来では
、ＳｉＯ２を−添加して結晶粒の微細化を図っているが
、今一つ充分でなく、耐圧特性の改善においても満足し
得るものではなかったのである。
（解決課題）
本発明は、かかる事情を背景にして為されたものであっ
て、その課題とするところは、前記した巨大結晶粒の異
常成長を抑制乃至は防止して、耐圧特性が改善されたＰ
ＴＣサー旦スタを製造することにある。
て、その課題とするところは、前記した巨大結晶粒の異
常成長を抑制乃至は防止して、耐圧特性が改善されたＰ
ＴＣサー旦スタを製造することにある。
（解決手段）
そして、本発明は、かかる課題解決のために、ＢａＴｉ
○３系半導体磁器組成の仮焼粉に対して、５ｉＯｚと共
に、或いはＳｉＯ２に代えて、非酸化物系セラミックス
粉末を添加、混合して、所望の形状に底形した後、得ら
れた成形棒を非酸化性雰囲気中で焼成し、更にその後、
酸化熱処理を施すことを特徴とするＰＴＣサーミスタの
製造方法を、その要旨とするものである。
○３系半導体磁器組成の仮焼粉に対して、５ｉＯｚと共
に、或いはＳｉＯ２に代えて、非酸化物系セラミックス
粉末を添加、混合して、所望の形状に底形した後、得ら
れた成形棒を非酸化性雰囲気中で焼成し、更にその後、
酸化熱処理を施すことを特徴とするＰＴＣサーミスタの
製造方法を、その要旨とするものである。
なお、かかる製造方法において、前記非酸化物系セラミ
ックス粉末は、有利には、Ｔｉ、Ｓｉ。
ックス粉末は、有利には、Ｔｉ、Ｓｉ。
Ａｌ、Ｚｒ、Ｈｆの窒化物または炭化物からなり、それ
らの１種または２種以上が、４モル％までの割合で用い
られるＳｉＯ２と合わせて６モル％以下となるような割
合で、添加せしめられることとなる。
らの１種または２種以上が、４モル％までの割合で用い
られるＳｉＯ２と合わせて６モル％以下となるような割
合で、添加せしめられることとなる。
（作用・効果）
要するに、本発明は、焼結性の悪い非酸化物系セラミッ
クス粉末を、ＳｉＯ２と共に、或いはこの５ｉｎｔに代
えて、成形部のＰＴＣサーくスタ原料、即ちＢａＴｉ○
３系半導体磁器組戒の仮焼粉に混合せしめ、その後、そ
の焼成を行なうことにより、得られる焼成体（ＰＴＣサ
ー旦スタ）における結晶粒の異常成長を抑制乃至は防止
するようにしたものであり、またその際、その焼成を、
従来のＰＴＣサーミスタの製造の場合と同様に、酸化雰
囲気中で行なうと、かかる非酸化物系セラミックスわ）
末は容易に酸化されて、易焼結材に変質してしまうとこ
ろから、その焼成操作は、かかるセラミックス粉末が焼
結に関与しないように、Ａｒ、Ｈｅ、Ｎ２等の不活性な
非酸化性雰囲気中で行なうようにしたのである。
クス粉末を、ＳｉＯ２と共に、或いはこの５ｉｎｔに代
えて、成形部のＰＴＣサーくスタ原料、即ちＢａＴｉ○
３系半導体磁器組戒の仮焼粉に混合せしめ、その後、そ
の焼成を行なうことにより、得られる焼成体（ＰＴＣサ
ー旦スタ）における結晶粒の異常成長を抑制乃至は防止
するようにしたものであり、またその際、その焼成を、
従来のＰＴＣサーミスタの製造の場合と同様に、酸化雰
囲気中で行なうと、かかる非酸化物系セラミックスわ）
末は容易に酸化されて、易焼結材に変質してしまうとこ
ろから、その焼成操作は、かかるセラミックス粉末が焼
結に関与しないように、Ａｒ、Ｈｅ、Ｎ２等の不活性な
非酸化性雰囲気中で行なうようにしたのである。
また、このようにして得られた焼結体は、その基本構成
たるＢａＴｉ０．磁器成分が過度の酸素欠乏状態となっ
ており、そのままの状態ではＰＴＣ特性が損なわれてい
るところから、本発明にあっては、更に、この酸素欠乏
状態を適正な状態に戻すために、酸化性雰囲気中で熱処
理、即ち酸化熱処理を施し、そのＰＴＣ特性を回復させ
るようにしたのである。
たるＢａＴｉ０．磁器成分が過度の酸素欠乏状態となっ
ており、そのままの状態ではＰＴＣ特性が損なわれてい
るところから、本発明にあっては、更に、この酸素欠乏
状態を適正な状態に戻すために、酸化性雰囲気中で熱処
理、即ち酸化熱処理を施し、そのＰＴＣ特性を回復させ
るようにしたのである。
そして、このようにして製造して得られたＰＴＣサーミ
スタは、異常成長した巨大結晶粒子もなく、良好な耐圧
特性を具備するものとなったのである。
スタは、異常成長した巨大結晶粒子もなく、良好な耐圧
特性を具備するものとなったのである。
（具体的構成）
ところで、かくの如き本発明において用いられるＢａＴ
ｉ０＋系半導体磁器組戒の仮焼粉は、従来と同様な原料
を用いて形成され、一般に、ＢａＴ ｉ Ｏ，系磁器組
成に半導体化酸化物を加えてなる組成を有するものであ
って、例えばＢ ａ Ｃ−０＋ 。
ｉ０＋系半導体磁器組戒の仮焼粉は、従来と同様な原料
を用いて形成され、一般に、ＢａＴ ｉ Ｏ，系磁器組
成に半導体化酸化物を加えてなる組成を有するものであ
って、例えばＢ ａ Ｃ−０＋ 。
Ｔｉｅ、と共に、５ｒＣ０３等のシフター成分、５ｂｚ
Ｃ）＋等の所定の半導体化酸化物の必要量を混合して仮
焼することにより、形成することが出来る。
Ｃ）＋等の所定の半導体化酸化物の必要量を混合して仮
焼することにより、形成することが出来る。
なお、Ｂ ａ Ｔ ｉ Ｏｚ系磁器組威は、シフター成
分等の添加によって、Ｂ ａ Ｉ−ＸＭＸＴ ｉ Ｏ３
として表わされ、そこで、ＭはＳｒ、Ｃａ、Ｍｇ等の金
属であり、またＸはＭの種類によって適宜に決定される
ものであるが、Ｍ＝Ｓｒの場合において、目的とするＰ
ＴＣサーミスタを常温で用いるために、かかるＸの値が
０．４以下とされることが望ましい。
分等の添加によって、Ｂ ａ Ｉ−ＸＭＸＴ ｉ Ｏ３
として表わされ、そこで、ＭはＳｒ、Ｃａ、Ｍｇ等の金
属であり、またＸはＭの種類によって適宜に決定される
ものであるが、Ｍ＝Ｓｒの場合において、目的とするＰ
ＴＣサーミスタを常温で用いるために、かかるＸの値が
０．４以下とされることが望ましい。
また、半導体化酸化物は、従来と同様な半導体化のため
の原子、例えばＢｉ、Ｓｂ、Ｎｂ、Ｔａ。
の原子、例えばＢｉ、Ｓｂ、Ｎｂ、Ｔａ。
Ｌａ、Ｄｙ、Ｙ、その他の希土類元素等の酸化物であっ
て、従来と同様な割合において、上記ＢａＴ ｉ Ｏ，
系磁器組成を与える原料に配合され、仮焼せしめられて
、目的とする仮焼粉とされることとなる。
て、従来と同様な割合において、上記ＢａＴ ｉ Ｏ，
系磁器組成を与える原料に配合され、仮焼せしめられて
、目的とする仮焼粉とされることとなる。
本発明は、このような仮焼粉に対して、結晶粒の微細化
に有効な５ｉＯｚと共に、或いはそのようなＳｉＯ□に
代えて、非酸化物系セラミックス粉末を添加、混合せし
めて、均一に分散させ、仮焼粉焼結時における結晶粒の
粗大化を阻止しようとするものである。
に有効な５ｉＯｚと共に、或いはそのようなＳｉＯ□に
代えて、非酸化物系セラミックス粉末を添加、混合せし
めて、均一に分散させ、仮焼粉焼結時における結晶粒の
粗大化を阻止しようとするものである。
ここで、本発明において、仮焼粉に添加せしめられるＳ
ｉＯ２は、従来と同様に、得られる焼成体（ＰＴＣサー
ミスタ）の結晶粒の微細化に寄与し、その耐圧特性を改
善する成分てあり、一般に、４モル％までの割合におい
て用いられることとなる。４モル％を越えて添加しても
、大きな特性の改善は望めないからである。なお、Ｓｉ
Ｏ□の添加効果を充分に享受するためには、０．５モル
％以上添加することが望ましい。
ｉＯ２は、従来と同様に、得られる焼成体（ＰＴＣサー
ミスタ）の結晶粒の微細化に寄与し、その耐圧特性を改
善する成分てあり、一般に、４モル％までの割合におい
て用いられることとなる。４モル％を越えて添加しても
、大きな特性の改善は望めないからである。なお、Ｓｉ
Ｏ□の添加効果を充分に享受するためには、０．５モル
％以上添加することが望ましい。
また、かかるＳ ｉＯｚと共に、或いはこの５ｉ０２に
代えて、仮焼粉に添加される非酸化物系セラミックス粉
末は、仮焼粉粒子間に存在して、焼成時に生じる結晶粒
の異常成長を阻止するものではあるが、それ自身、焼成
及びそれに続く酸化熱処理によって酸化されて、焼結に
寄与するものと考えられるものであって、−ｉに炭化物
や窒化物等の形態を有するものであり、例えばＴｉ、Ｚ
ｒ。
代えて、仮焼粉に添加される非酸化物系セラミックス粉
末は、仮焼粉粒子間に存在して、焼成時に生じる結晶粒
の異常成長を阻止するものではあるが、それ自身、焼成
及びそれに続く酸化熱処理によって酸化されて、焼結に
寄与するものと考えられるものであって、−ｉに炭化物
や窒化物等の形態を有するものであり、例えばＴｉ、Ｚ
ｒ。
Ｈｆ、Ｓｉ、Ａ１等の炭化物や窒化物が用いられること
となる。
となる。
このような非酸化物系セラミックスは、上述のように、
最終的には酸化されるものであるところから、その添加
量は、その酸化物を添加した場合に充分なＰＴＣ特性を
示す範囲内において適宜に決定されるものであり、一般
に４モル％までの割合で用いられるＳｉＯ２との合計量
において６モル％以下となるような割合で添加され、例
えば、Ｔｉ Ｚｒ、Ｈｆの炭化物や窒化物にあっては
、０．１〜２モル％、Ａ℃の窒化物にあっては０．１〜
０．５モル％程度において添加され、またＳｉの炭化物
や窒化物にあっては、その酸化物は５ｉ０２となるとこ
ろから、０．５〜４モル％程度の割合で用いられ得るも
のである。なお、それらセラミ・ンクス粉末の粒径につ
いては、分散と異常成長防止能力との兼ね合いで決定さ
れることとなるが、−般に０．５〜５０μｍの粒径のも
のが用いられる。
最終的には酸化されるものであるところから、その添加
量は、その酸化物を添加した場合に充分なＰＴＣ特性を
示す範囲内において適宜に決定されるものであり、一般
に４モル％までの割合で用いられるＳｉＯ２との合計量
において６モル％以下となるような割合で添加され、例
えば、Ｔｉ Ｚｒ、Ｈｆの炭化物や窒化物にあっては
、０．１〜２モル％、Ａ℃の窒化物にあっては０．１〜
０．５モル％程度において添加され、またＳｉの炭化物
や窒化物にあっては、その酸化物は５ｉ０２となるとこ
ろから、０．５〜４モル％程度の割合で用いられ得るも
のである。なお、それらセラミ・ンクス粉末の粒径につ
いては、分散と異常成長防止能力との兼ね合いで決定さ
れることとなるが、−般に０．５〜５０μｍの粒径のも
のが用いられる。
そして、このような非酸化物系セラミックス粉末が、５
ｉｎ２と共に、或いはＳｉＯ２に代えて、前記のＢａＴ
ｉ０ｚ系半導体磁器組威の仮焼粉に添加、混合せしめら
れ、更に必要に応じて、従来と同様な添加剤、例えばバ
インダ、潤滑剤、離型剤等が添加された後、従来と同様
にして、所望の形状に成形し、そしてその成形棒がＮｔ
、Ａｒ。
ｉｎ２と共に、或いはＳｉＯ２に代えて、前記のＢａＴ
ｉ０ｚ系半導体磁器組威の仮焼粉に添加、混合せしめら
れ、更に必要に応じて、従来と同様な添加剤、例えばバ
インダ、潤滑剤、離型剤等が添加された後、従来と同様
にして、所望の形状に成形し、そしてその成形棒がＮｔ
、Ａｒ。
Ｈｅ等の不活性な非酸化性雰囲気中において焼成される
のである。
のである。
また、このようにして得られた焼成体は、過度の酸素欠
乏状態となっており、そのままの状態ではＰＴＣ特性が
損なわれているところから、この酸素欠乏状態を解消す
べく、大気や酸素を富化した空気等の酸化性雰囲気中で
熱処理が施され、焼成体の酸化が行なわれ、これによっ
てＰＴＣ特性が回復せしめられるのである。なお、この
酸化熱処理は、焼成体中の結晶粒が粗大化しないように
して行なわれるものであって、一般に焼成温度よりも低
い温度、例えば１０００−１３００″Ｃ程度の温度にお
いて実施されることとなる。
乏状態となっており、そのままの状態ではＰＴＣ特性が
損なわれているところから、この酸素欠乏状態を解消す
べく、大気や酸素を富化した空気等の酸化性雰囲気中で
熱処理が施され、焼成体の酸化が行なわれ、これによっ
てＰＴＣ特性が回復せしめられるのである。なお、この
酸化熱処理は、焼成体中の結晶粒が粗大化しないように
して行なわれるものであって、一般に焼成温度よりも低
い温度、例えば１０００−１３００″Ｃ程度の温度にお
いて実施されることとなる。
（実施例）
以下に、本発明の幾つかの実施例を示し、本発明を更に
具体的に明らかにすることとするが、本発明が、そのよ
うな実施例の記載によって、何等の制約をも受けるもの
でないことは、言うまでもないところである。
具体的に明らかにすることとするが、本発明が、そのよ
うな実施例の記載によって、何等の制約をも受けるもの
でないことは、言うまでもないところである。
また、本発明には、以下の実施例の他にも、更には上記
の具体的記述以外にも、本発明の趣旨を逸脱しない限り
において、当業者の知識に基づいて種々なる変更、修正
、改良等を加え得るものであることが、理解されるべき
である。
の具体的記述以外にも、本発明の趣旨を逸脱しない限り
において、当業者の知識に基づいて種々なる変更、修正
、改良等を加え得るものであることが、理解されるべき
である。
先ず、ＢａＣＯ２：７７．５ｒＣＯｚ：２３、Ｔ！Ｏｚ
：１００、Ｓ ｂｚｏｓ ： ０．１のモル比の原料
混合物を、１１５０°Ｃの温度で２．５時間仮焼し、粉
砕して、仮焼粉を得た。
：１００、Ｓ ｂｚｏｓ ： ０．１のモル比の原料
混合物を、１１５０°Ｃの温度で２．５時間仮焼し、粉
砕して、仮焼粉を得た。
次いで、かかる仮焼粉に対して、下記第１表に示される
如き割合において、ＳｉＯ２及び／又は非酸化物セラミ
ックス粉末（炭化物、窒化物）及び０．０４５モル％の
Ｍｎ （Ｎｏ３）、を湿式ボールミルにより混合し、更
にバインダ等の通常の添加剤を添加した後、噴霧造粒し
た。そして、この造粒粉を用いて、１トン／ＣＩ！１２
の成形圧力にて、直径が１９ｍｎ＋、Ｊ’ｌさが３．３
胴の円板をプレス成形した後、かかる円板を、第１表に
示される雰囲気下にて焼成し、更に必要な酸化熱処理を
施した。なお、焼成は、１３５０°ＣＸ ２．５時間の
条件下に行ない、また酸化熱処理においては、雰囲気と
して大気を用い、冷却速度：１００″Ｃ／ Ｈｒの条件
を採用した。
如き割合において、ＳｉＯ２及び／又は非酸化物セラミ
ックス粉末（炭化物、窒化物）及び０．０４５モル％の
Ｍｎ （Ｎｏ３）、を湿式ボールミルにより混合し、更
にバインダ等の通常の添加剤を添加した後、噴霧造粒し
た。そして、この造粒粉を用いて、１トン／ＣＩ！１２
の成形圧力にて、直径が１９ｍｎ＋、Ｊ’ｌさが３．３
胴の円板をプレス成形した後、かかる円板を、第１表に
示される雰囲気下にて焼成し、更に必要な酸化熱処理を
施した。なお、焼成は、１３５０°ＣＸ ２．５時間の
条件下に行ない、また酸化熱処理においては、雰囲気と
して大気を用い、冷却速度：１００″Ｃ／ Ｈｒの条件
を採用した。
かくして得られた各種の試験片（焼成円板）について、
その最大結晶粒及び耐圧特性を評価し、その結果を下記
第１表に示すが、その結果から明らかなように、本発明
に従って、非酸化物系セラ旦ツクス（炭化物、窒化物）
を添加することにより、極めて有効な耐圧改善が行なわ
れていることが認められるのである。
その最大結晶粒及び耐圧特性を評価し、その結果を下記
第１表に示すが、その結果から明らかなように、本発明
に従って、非酸化物系セラ旦ツクス（炭化物、窒化物）
を添加することにより、極めて有効な耐圧改善が行なわ
れていることが認められるのである。
＼＼
＼、
＼
Claims (2)
- （１）ＢａＴｉＯ＿３系半導体磁器組成の仮焼粉に対し
て、ＳｉＯ＿２と共に、或いはＳｉＯ＿２に代えて、非
酸化物系セラミックス粉末を添加、混合して、所望の形
状に成形した後、得られた成形体を非酸化性雰囲気中で
焼成し、更にその後、酸化熱処理を施すことを特徴とす
るＰＴＣサーミスタの製造方法。 - （２）前記非酸化物系セラミックス粉末が、Ｔｉ，Ｓｉ
，Ａｌ，Ｚｒ，Ｈｆの窒化物または炭化物からなり、そ
れらの１種または２種以上が、４モル％までの割合で用
いられるＳｉＯ＿２と合わせて６モル％以下となるよう
な割合で、添加せしめられる請求項（１）記載のＰＴＣ
サーミスタの製造方法。
Priority Applications (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP17084089A JPH0335503A (ja) | 1989-06-30 | 1989-06-30 | Ｐｔｃサーミスタの製造方法 |
Applications Claiming Priority (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP17084089A JPH0335503A (ja) | 1989-06-30 | 1989-06-30 | Ｐｔｃサーミスタの製造方法 |
Publications (1)
| Publication Number | Publication Date |
|---|---|
| JPH0335503A true JPH0335503A (ja) | 1991-02-15 |
Family
ID=15912305
Family Applications (1)
| Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
|---|---|---|---|
| JP17084089A Pending JPH0335503A (ja) | 1989-06-30 | 1989-06-30 | Ｐｔｃサーミスタの製造方法 |
Country Status (1)
| Country | Link |
|---|---|
| JP (1) | JPH0335503A (ja) |
Cited By (3)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| US6346496B2 (en) * | 1998-07-24 | 2002-02-12 | Murata Manufacturing Co., Ltd. | Composite material for positive temperature coefficient thermistor, ceramic for positive temperature coefficient thermistor and method for manufacturing ceramics for positive temperature coefficient thermistor |
| US6542067B1 (en) * | 1999-05-20 | 2003-04-01 | Murata Manufacturing Co., Ltd. | Barium titanate semiconductor ceramic powder and laminated semiconductor ceramic device |
| US6984355B2 (en) * | 1999-11-02 | 2006-01-10 | Murata Manufacturing Co., Ltd. | Semiconducting ceramic material, process for producing the ceramic material, and thermistor |
-
1989
- 1989-06-30 JP JP17084089A patent/JPH0335503A/ja active Pending
Cited By (3)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| US6346496B2 (en) * | 1998-07-24 | 2002-02-12 | Murata Manufacturing Co., Ltd. | Composite material for positive temperature coefficient thermistor, ceramic for positive temperature coefficient thermistor and method for manufacturing ceramics for positive temperature coefficient thermistor |
| US6542067B1 (en) * | 1999-05-20 | 2003-04-01 | Murata Manufacturing Co., Ltd. | Barium titanate semiconductor ceramic powder and laminated semiconductor ceramic device |
| US6984355B2 (en) * | 1999-11-02 | 2006-01-10 | Murata Manufacturing Co., Ltd. | Semiconducting ceramic material, process for producing the ceramic material, and thermistor |
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