JPH0645104A - 正の抵抗温度係数を有する半導体磁器の製造方法 - Google Patents
正の抵抗温度係数を有する半導体磁器の製造方法Info
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- JPH0645104A JPH0645104A JP3177091A JP3177091A JPH0645104A JP H0645104 A JPH0645104 A JP H0645104A JP 3177091 A JP3177091 A JP 3177091A JP 3177091 A JP3177091 A JP 3177091A JP H0645104 A JPH0645104 A JP H0645104A
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Abstract
(57)【要約】
【目的】 室温における抵抗温度係数が高く、素子の高
信頼性を実現することが可能な正の抵抗温度係数を有す
るＢａＴｉＯ3系半導体磁器の製造方法を提供する。 【構成】 Ｙなどの希土類元素やＮｂ，Ｓｂなどの半導
体化元素を含有させたチタン酸バリウム系主成分材料
に、式：Ｂａ4（Ｔｉ13-XＭｎX）０30（Ｘ＝０．１〜
２）で表される材料を添加混合した後、これを焼成す
る。
信頼性を実現することが可能な正の抵抗温度係数を有す
るＢａＴｉＯ3系半導体磁器の製造方法を提供する。 【構成】 Ｙなどの希土類元素やＮｂ，Ｓｂなどの半導
体化元素を含有させたチタン酸バリウム系主成分材料
に、式：Ｂａ4（Ｔｉ13-XＭｎX）０30（Ｘ＝０．１〜
２）で表される材料を添加混合した後、これを焼成す
る。
Description
【０００１】
【産業上の利用分野】この発明は、正の抵抗温度係数を
有するチタン酸バリウム（ＢａＴｉＯ3）系半導体磁器
の製造方法に関し、その抵抗温度係数を向上させる方法
に関する。
有するチタン酸バリウム（ＢａＴｉＯ3）系半導体磁器
の製造方法に関し、その抵抗温度係数を向上させる方法
に関する。
【０００２】
【従来の技術】近年、大きな正の抵抗温度係数を有する
チタン酸バリウム（ＢａＴｉＯ3）系半導体磁器が開発
されている。このチタン酸バリウム系半導体磁器は、キ
ュリー点を越えると抵抗値が急激に増大し、通過する電
流量を減少させるため、回路の過電流保護用や、テレビ
受像機のブラウン管枠の消磁用などの用途に広く用いら
れている。かかる特性を備えた正の抵抗温度係数を有す
るチタン酸バリウム系半導体磁器としては、例えば、チ
タン酸バリウム（ＢａＴｉＯ3）系主成分材料にＳｂ，
Ｂｉ，Ｎｂ，Ｔａまたは希土類元素のうち少なくとも１
種を微量添加して半導体化したものが知られている。そ
して、その用途の広がりや性能に対する要求が厳しくな
るにつれて、その要求に応えるために、正の抵抗温度係
数をさらに増大するための種々の研究がなされ、今日に
至っている。
チタン酸バリウム（ＢａＴｉＯ3）系半導体磁器が開発
されている。このチタン酸バリウム系半導体磁器は、キ
ュリー点を越えると抵抗値が急激に増大し、通過する電
流量を減少させるため、回路の過電流保護用や、テレビ
受像機のブラウン管枠の消磁用などの用途に広く用いら
れている。かかる特性を備えた正の抵抗温度係数を有す
るチタン酸バリウム系半導体磁器としては、例えば、チ
タン酸バリウム（ＢａＴｉＯ3）系主成分材料にＳｂ，
Ｂｉ，Ｎｂ，Ｔａまたは希土類元素のうち少なくとも１
種を微量添加して半導体化したものが知られている。そ
して、その用途の広がりや性能に対する要求が厳しくな
るにつれて、その要求に応えるために、正の抵抗温度係
数をさらに増大するための種々の研究がなされ、今日に
至っている。
【０００３】このような研究の成果として、正の抵抗温
度係数を有するＢａＴｉＯ3系半導体磁器の抵抗温度係
数を向上させる方法として、ＢａＴｉＯ3系半導体をＣ
ｕ，Ｆｅ，Ｍｎ等を含む溶液に浸漬した後、これを加熱
処理することにより焼結体の粒界にのみＣｕ，Ｆｅ，Ｍ
ｎなどを拡散させる方法（特公昭５０−３６０３５号公
報）や、あるいは、仮焼成して、ＢａＴｉＯ3粉を作成
した後、Ｍｎ2Ｏ3などを混合して本焼成する方法などが
提案されている。
度係数を有するＢａＴｉＯ3系半導体磁器の抵抗温度係
数を向上させる方法として、ＢａＴｉＯ3系半導体をＣ
ｕ，Ｆｅ，Ｍｎ等を含む溶液に浸漬した後、これを加熱
処理することにより焼結体の粒界にのみＣｕ，Ｆｅ，Ｍ
ｎなどを拡散させる方法（特公昭５０−３６０３５号公
報）や、あるいは、仮焼成して、ＢａＴｉＯ3粉を作成
した後、Ｍｎ2Ｏ3などを混合して本焼成する方法などが
提案されている。
【０００４】
【発明が解決しようとする課題】しかし、上記従来の方
法のうち、前者の方法においては、溶液が焼結体の内部
にまで浸透しにくいため、焼成体の表面付近の粒界には
Ｃｕ，Ｆｅ，Ｍｎなどが拡散するが、焼成体の内部の粒
界にまでは拡散しにくく、均質な半導体磁器を得ること
が困難であるという問題点がある。
法のうち、前者の方法においては、溶液が焼結体の内部
にまで浸透しにくいため、焼成体の表面付近の粒界には
Ｃｕ，Ｆｅ，Ｍｎなどが拡散するが、焼成体の内部の粒
界にまでは拡散しにくく、均質な半導体磁器を得ること
が困難であるという問題点がある。
【０００５】また、後者の方法においては、Ｍｎなどが
結晶粒内にまで拡散するために、室温抵抗が増大してし
まうという問題点がある。
結晶粒内にまで拡散するために、室温抵抗が増大してし
まうという問題点がある。
【０００６】この発明は、上記問題点を解決するもので
あり、室温における抵抗温度係数が高く、素子の高信頼
性を実現することが可能な正の抵抗温度係数を有するＢ
ａＴｉＯ3系半導体磁器の製造方法を提供することを目
的とする。
あり、室温における抵抗温度係数が高く、素子の高信頼
性を実現することが可能な正の抵抗温度係数を有するＢ
ａＴｉＯ3系半導体磁器の製造方法を提供することを目
的とする。
【０００７】
【課題を解決するための手段及び作用】上記目的を達成
するために、この発明の正の抵抗温度係数を有する半導
体磁器の製造方法は、Ｙなどの希土類元素やＮｂ，Ｓｂ
などの半導体化元素を含有させたチタン酸バリウム系主
成分材料に、式：Ｂａ4（Ｔｉ13-XＭｎX）０30（Ｘ＝
０．１〜２）で表される材料を添加混合した後、これを
焼成することを特徴としている。
するために、この発明の正の抵抗温度係数を有する半導
体磁器の製造方法は、Ｙなどの希土類元素やＮｂ，Ｓｂ
などの半導体化元素を含有させたチタン酸バリウム系主
成分材料に、式：Ｂａ4（Ｔｉ13-XＭｎX）０30（Ｘ＝
０．１〜２）で表される材料を添加混合した後、これを
焼成することを特徴としている。
【０００８】なお、上記正の抵抗温度係数を有する半導
体磁器の製造方法においては、チタン酸バリウム系主成
分材料に対する式：Ｂａ4（Ｔｉ13-XＭｎX）０30（Ｘ＝
０．１〜２）で示される材料の添加割合は０．１〜２モ
ル％であることが好ましい。この発明の正の抵抗温度係
数を有する半導体磁器の製造方法においては、Ｂａ 4
（Ｔｉ13-XＭｎX）０30（Ｘ＝０．１〜２）が焼成中に
液相となって、ＢａＴｉＯ3系主成分材料の結晶粒子の
周囲を包囲するため、焼成終了後の粒子周囲、すなわ
ち、粒界付近にＭｎの高濃度層が形成され、高ＰＴＣ化
することが可能になる。
体磁器の製造方法においては、チタン酸バリウム系主成
分材料に対する式：Ｂａ4（Ｔｉ13-XＭｎX）０30（Ｘ＝
０．１〜２）で示される材料の添加割合は０．１〜２モ
ル％であることが好ましい。この発明の正の抵抗温度係
数を有する半導体磁器の製造方法においては、Ｂａ 4
（Ｔｉ13-XＭｎX）０30（Ｘ＝０．１〜２）が焼成中に
液相となって、ＢａＴｉＯ3系主成分材料の結晶粒子の
周囲を包囲するため、焼成終了後の粒子周囲、すなわ
ち、粒界付近にＭｎの高濃度層が形成され、高ＰＴＣ化
することが可能になる。
【０００９】
【実施例】以下に、この発明の実施例及び比較例を示し
て発明の特徴をさらに詳細に説明する。
て発明の特徴をさらに詳細に説明する。
【００１０】（実施例１）まず、ＢａＣＯ3，ＴｉＯ2，
ＳｒＣＯ3，ＴｉＯ2，Ｙ2Ｏ3，ＳｉＯ2のそれぞれを下
記の式(1)： （Ｂａ0.946Ｓｒ0.05Ｙ0.004）ＴｉＯ3＋０．０１ＳｉＯ2 (1) で表される所定の組成になるような割合で混合する。
ＳｒＣＯ3，ＴｉＯ2，Ｙ2Ｏ3，ＳｉＯ2のそれぞれを下
記の式(1)： （Ｂａ0.946Ｓｒ0.05Ｙ0.004）ＴｉＯ3＋０．０１ＳｉＯ2 (1) で表される所定の組成になるような割合で混合する。
【００１１】そして、これを純水及びジルコニアボール
とともにポリエチレン製ポットに入れて５時間粉砕混合
した後、１１００℃で２時間仮焼することにより、チタ
ン酸バリウム系主成分材料を調製する。
とともにポリエチレン製ポットに入れて５時間粉砕混合
した後、１１００℃で２時間仮焼することにより、チタ
ン酸バリウム系主成分材料を調製する。
【００１２】さらに、ＢａＣＯ3，ＴｉＯ2，及びＭｎ2
０3のそれぞれを下記の式(2)： Ｂａ4（Ｔｉ13-XＭｎX）０30 (2) で表される所定の組成になるような割合で調合した後、
純水及びジルコニアボールとともにポリエチレン製ポッ
トに入れ、５時間粉砕混合した後、乾燥し、１３００℃
で２時間仮焼する。それから、さらにこの仮焼粉を純水
及びジルコニアボールとともに、ポリエチレン製ポット
に入れて１０時間粉砕して平均粒径が約１μmになるよ
うに粒度調整した後、これを乾燥して上記式(2)で表さ
れる材料（添加物質）を得る。なお、Ｍｎ量Ｘの値は０
〜５の範囲で変化させた。
０3のそれぞれを下記の式(2)： Ｂａ4（Ｔｉ13-XＭｎX）０30 (2) で表される所定の組成になるような割合で調合した後、
純水及びジルコニアボールとともにポリエチレン製ポッ
トに入れ、５時間粉砕混合した後、乾燥し、１３００℃
で２時間仮焼する。それから、さらにこの仮焼粉を純水
及びジルコニアボールとともに、ポリエチレン製ポット
に入れて１０時間粉砕して平均粒径が約１μmになるよ
うに粒度調整した後、これを乾燥して上記式(2)で表さ
れる材料（添加物質）を得る。なお、Ｍｎ量Ｘの値は０
〜５の範囲で変化させた。
【００１３】上記の （Ｂａ0.946Ｓｒ0.05Ｙ0.004）Ｔ
ｉＯ3＋０．０１ＳｉＯ2 （式(1)）で表されるチタン酸
バリウム系主成分材料とＢａ4（Ｔｉ13-XＭｎX）０
30（式(2)）で表される材料とを、Ｂａ4（Ｔｉ13-XＭ
ｎX）０30の含有割合が０．５mol％となるように調合
し、さらに酢酸ビニル系のバインダ５重量％を添加す
る。そして、これを純水及びジルコニアボールとともに
ポリエチレン製ポットに入れ、５時間粉砕混合した後乾
燥し、プレス成形機によりプレス成形して、直径１７m
m，厚さ３mmの円板状の成形体を作成する。それから、
この成形体を１３５０℃で１時間焼成して半導体磁器を
得た。次に、この半導体磁器の両主面に、Ｉｎ−Ｇａ合
金を塗布して電極を形成し、これを試料として室温（２
５℃）における比抵抗及び抵抗温度係数を測定した。
ｉＯ3＋０．０１ＳｉＯ2 （式(1)）で表されるチタン酸
バリウム系主成分材料とＢａ4（Ｔｉ13-XＭｎX）０
30（式(2)）で表される材料とを、Ｂａ4（Ｔｉ13-XＭ
ｎX）０30の含有割合が０．５mol％となるように調合
し、さらに酢酸ビニル系のバインダ５重量％を添加す
る。そして、これを純水及びジルコニアボールとともに
ポリエチレン製ポットに入れ、５時間粉砕混合した後乾
燥し、プレス成形機によりプレス成形して、直径１７m
m，厚さ３mmの円板状の成形体を作成する。それから、
この成形体を１３５０℃で１時間焼成して半導体磁器を
得た。次に、この半導体磁器の両主面に、Ｉｎ−Ｇａ合
金を塗布して電極を形成し、これを試料として室温（２
５℃）における比抵抗及び抵抗温度係数を測定した。
【００１４】（比較例１）比較のため、Ｂａ4（Ｔｉ
13-XＭｎX）０30を別途添加（後添加）することなく、
ＢａＣＯ3，ＴｉＯ2，ＳｒＣＯ3，ＴｉＯ2，Ｙ2Ｏ3、Ｓ
ｉＯ2とともにＭｎ2Ｏ3を上記実施例１のチタン酸バリ
ウム系半導体磁器の最終組成と同じ組成になるような割
合で調合し、これを焼成することによりチタン酸バリウ
ム系半導体磁器を作成した。すなわち、比較例の半導体
磁器は、Ｂａ4（Ｔｉ13-XＭｎX）０30を後から別途添加
する工程がないことを除いては上記実施例１と同様の方
法で作成されており、半導体磁器の最終組成、試料の調
製方法なども上記実施例１と同様である。
13-XＭｎX）０30を別途添加（後添加）することなく、
ＢａＣＯ3，ＴｉＯ2，ＳｒＣＯ3，ＴｉＯ2，Ｙ2Ｏ3、Ｓ
ｉＯ2とともにＭｎ2Ｏ3を上記実施例１のチタン酸バリ
ウム系半導体磁器の最終組成と同じ組成になるような割
合で調合し、これを焼成することによりチタン酸バリウ
ム系半導体磁器を作成した。すなわち、比較例の半導体
磁器は、Ｂａ4（Ｔｉ13-XＭｎX）０30を後から別途添加
する工程がないことを除いては上記実施例１と同様の方
法で作成されており、半導体磁器の最終組成、試料の調
製方法なども上記実施例１と同様である。
【００１５】上記実施例１及び比較例１において、Ｍｎ
量Ｘを変化させた場合の抵抗温度係数の変化を図１に示
す。図１から明らかなように、比較例１より実施例１の
方が抵抗温度係数が高く、特に、Ｍｎ量Ｘを０．１以上
とすることにより、実用上必要とされる１０％／℃以上
の高い抵抗温度係数が得られることがわかった。
量Ｘを変化させた場合の抵抗温度係数の変化を図１に示
す。図１から明らかなように、比較例１より実施例１の
方が抵抗温度係数が高く、特に、Ｍｎ量Ｘを０．１以上
とすることにより、実用上必要とされる１０％／℃以上
の高い抵抗温度係数が得られることがわかった。
【００１６】なお、抵抗温度係数は次式(3)により算出
した値である。 抵抗温度係数＝｛２．３０３／（Ｔ２−Ｔ１）｝×１００ (3) 但し、Ｔ１：抵抗が室温抵抗の１０倍になるときの温度
（℃） Ｔ２：抵抗が室温抵抗の１００倍になるときの温度
（℃）
した値である。 抵抗温度係数＝｛２．３０３／（Ｔ２−Ｔ１）｝×１００ (3) 但し、Ｔ１：抵抗が室温抵抗の１０倍になるときの温度
（℃） Ｔ２：抵抗が室温抵抗の１００倍になるときの温度
（℃）
【００１７】また、図２に実施例１と比較例１の室温比
抵抗を示す。なお比抵抗は下記の式(4)により算出した
値である。 比抵抗＝Ｒ×（Ｓ／Ｌ） (4) 但し、Ｒは抵抗値、Ｓは表面積、Ｌは厚みである。
抵抗を示す。なお比抵抗は下記の式(4)により算出した
値である。 比抵抗＝Ｒ×（Ｓ／Ｌ） (4) 但し、Ｒは抵抗値、Ｓは表面積、Ｌは厚みである。
【００１８】図１より、室温比抵抗は、Ｍｎ量Ｘの増加
とともに高くなり、また、実施例１と比較例１を比較す
ると実施例１の方が室温比抵抗が低く、実施例１につい
ては、Ｍｎ量Ｘが２以下で特に低い比抵抗値が得られる
ことがわかった。
とともに高くなり、また、実施例１と比較例１を比較す
ると実施例１の方が室温比抵抗が低く、実施例１につい
ては、Ｍｎ量Ｘが２以下で特に低い比抵抗値が得られる
ことがわかった。
【００１９】（実施例２）Ｍｎ量Ｘを０．５モル％一定
とし、Ｂａ4（Ｔｉ13-XＭｎX）０30の添加量を０〜５モ
ル％の範囲で変化させたこと以外は上記実施例１と同様
の方法でチタン酸バリウム系半導体磁器を調製し、室温
（２５℃）における比抵抗及び抵抗温度係数を測定し
た。
とし、Ｂａ4（Ｔｉ13-XＭｎX）０30の添加量を０〜５モ
ル％の範囲で変化させたこと以外は上記実施例１と同様
の方法でチタン酸バリウム系半導体磁器を調製し、室温
（２５℃）における比抵抗及び抵抗温度係数を測定し
た。
【００２０】（比較例２）Ｂａ4（Ｔｉ13-XＭｎX）０30
を別途添加（後添加）することなく、ＢａＣＯ3，Ｔｉ
Ｏ2，ＳｒＣＯ3，ＴｉＯ2，Ｙ2Ｏ3とともに、ＳｉＯ2及
びＭｎ2Ｏ3を実施例２のチタン酸バリウム系半導体磁器
の最終組成と同じ組成になるような割合で調合し、これ
を焼成することによりチタン酸バリウム系半導体磁器を
作成した。したがって、半導体磁器の最終組成、試料の
調製方法などは上記実施例２と同様である。
を別途添加（後添加）することなく、ＢａＣＯ3，Ｔｉ
Ｏ2，ＳｒＣＯ3，ＴｉＯ2，Ｙ2Ｏ3とともに、ＳｉＯ2及
びＭｎ2Ｏ3を実施例２のチタン酸バリウム系半導体磁器
の最終組成と同じ組成になるような割合で調合し、これ
を焼成することによりチタン酸バリウム系半導体磁器を
作成した。したがって、半導体磁器の最終組成、試料の
調製方法などは上記実施例２と同様である。
【００２１】上記実施例２において、Ｂａ4（Ｔｉ13-X
ＭｎX）０30の添加量を変化させた場合の抵抗温度係数
の変化を図３に示す。図３から明らかなように、比較例
２より実施例２の方が抵抗温度係数が高く、特に、Ｂａ
4（Ｔｉ13-XＭｎX）０30の添加量を０．１モル％以上と
することにより、１０％／℃以上の高い抵抗温度係数が
得られることがわかった。
ＭｎX）０30の添加量を変化させた場合の抵抗温度係数
の変化を図３に示す。図３から明らかなように、比較例
２より実施例２の方が抵抗温度係数が高く、特に、Ｂａ
4（Ｔｉ13-XＭｎX）０30の添加量を０．１モル％以上と
することにより、１０％／℃以上の高い抵抗温度係数が
得られることがわかった。
【００２２】また、図４に実施例２と比較例２の室温比
抵抗を示す。図４より、室温比抵抗は、Ｂａ4（Ｔｉ
13-XＭｎX）０30の添加量の増加とともに高くなり、ま
た、実施例２と比較例２を比較すると実施例２の方が室
温比抵抗が低く、実施例２については、Ｂａ4（Ｔｉ
13-XＭｎX）０30添加量が２モル％以下で特に低い比抵
抗値が得られることがわかった。
抵抗を示す。図４より、室温比抵抗は、Ｂａ4（Ｔｉ
13-XＭｎX）０30の添加量の増加とともに高くなり、ま
た、実施例２と比較例２を比較すると実施例２の方が室
温比抵抗が低く、実施例２については、Ｂａ4（Ｔｉ
13-XＭｎX）０30添加量が２モル％以下で特に低い比抵
抗値が得られることがわかった。
【００２３】
【発明の効果】上述のように、この発明の正の抵抗温度
係数を有する半導体磁器の製造方法は、Ｙなどの希土類
元素やＮｂ，Ｓｂなどの半導体化元素を含有させたチタ
ン酸バリウム系主成分材料に、式：Ｂａ4（Ｔｉ13-XＭ
ｎX）０30（Ｘ＝０．１〜２）で示される材料を添加混
合した後、これを焼成するように構成しているため、正
の抵抗温度特性を有するチタン酸バリウム系半導体磁器
の室温における抵抗温度係数を大幅に高めることができ
る。
係数を有する半導体磁器の製造方法は、Ｙなどの希土類
元素やＮｂ，Ｓｂなどの半導体化元素を含有させたチタ
ン酸バリウム系主成分材料に、式：Ｂａ4（Ｔｉ13-XＭ
ｎX）０30（Ｘ＝０．１〜２）で示される材料を添加混
合した後、これを焼成するように構成しているため、正
の抵抗温度特性を有するチタン酸バリウム系半導体磁器
の室温における抵抗温度係数を大幅に高めることができ
る。
【図１】図１は実施例１のＭｎ量Ｘと抵抗温度係数との
関係を示す線図である。
関係を示す線図である。
【図２】図２は実施例１のＭｎ量Ｘと室温比抵抗との関
係を示す線図である。
係を示す線図である。
【図３】図３は実施例２のＢａ4（Ｔｉ13-XＭｎX）０30
添加量と抵抗温度係数との関係を示す線図である。
添加量と抵抗温度係数との関係を示す線図である。
【図４】図４は実施例２のＢａ4（Ｔｉ13-XＭｎX）０30
添加量と室温比抵抗との関係を示す線図である。
添加量と室温比抵抗との関係を示す線図である。
Claims (2)
- 【請求項１】 Ｙなどの希土類元素やＮｂ，Ｓｂなどの
半導体化元素を含有させたチタン酸バリウム系主成分材
料に、式：Ｂａ4（Ｔｉ13-XＭｎX）０30（Ｘ＝０．１〜
２）で表される材料を添加混合した後、これを焼成する
ことを特徴とする正の抵抗温度係数を有する半導体磁器
の製造方法。 - 【請求項２】 前記チタン酸バリウム系主成分材料に対
する前記式：Ｂａ4（Ｔｉ13-XＭｎX）０30（Ｘ＝０．１
〜２）で示される材料の添加割合が０．１〜２モル％で
あることを特徴とする請求項１記載の正の抵抗温度係数
を有する半導体磁器の製造方法。
Priority Applications (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP3177091A JPH0645104A (ja) | 1991-01-30 | 1991-01-30 | 正の抵抗温度係数を有する半導体磁器の製造方法 |
Applications Claiming Priority (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP3177091A JPH0645104A (ja) | 1991-01-30 | 1991-01-30 | 正の抵抗温度係数を有する半導体磁器の製造方法 |
Publications (1)
| Publication Number | Publication Date |
|---|---|
| JPH0645104A true JPH0645104A (ja) | 1994-02-18 |
Family
ID=12340287
Family Applications (1)
| Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
|---|---|---|---|
| JP3177091A Withdrawn JPH0645104A (ja) | 1991-01-30 | 1991-01-30 | 正の抵抗温度係数を有する半導体磁器の製造方法 |
Country Status (1)
| Country | Link |
|---|---|
| JP (1) | JPH0645104A (ja) |
Cited By (2)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| JP2008205343A (ja) * | 2007-02-22 | 2008-09-04 | Tdk Corp | 積層型サーミスタの製造方法 |
| CN117105658A (zh) * | 2023-09-11 | 2023-11-24 | 清华大学 | 钛酸钡基ptc陶瓷及其制备方法 |
-
1991
- 1991-01-30 JP JP3177091A patent/JPH0645104A/ja not_active Withdrawn
Cited By (2)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| JP2008205343A (ja) * | 2007-02-22 | 2008-09-04 | Tdk Corp | 積層型サーミスタの製造方法 |
| CN117105658A (zh) * | 2023-09-11 | 2023-11-24 | 清华大学 | 钛酸钡基ptc陶瓷及其制备方法 |
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Legal Events
| Date | Code | Title | Description |
|---|---|---|---|
| A300 | Withdrawal of application because of no request for examination |
Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: A300 Effective date: 19980514 |