JPH033615B2 - - Google Patents
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- JPH033615B2 JPH033615B2 JP2753086A JP2753086A JPH033615B2 JP H033615 B2 JPH033615 B2 JP H033615B2 JP 2753086 A JP2753086 A JP 2753086A JP 2753086 A JP2753086 A JP 2753086A JP H033615 B2 JPH033615 B2 JP H033615B2
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Classifications
-
- C—CHEMISTRY; METALLURGY
- C03—GLASS; MINERAL OR SLAG WOOL
- C03B—MANUFACTURE, SHAPING, OR SUPPLEMENTARY PROCESSES
- C03B37/00—Manufacture or treatment of flakes, fibres, or filaments from softened glass, minerals, or slags
- C03B37/01—Manufacture of glass fibres or filaments
- C03B37/012—Manufacture of preforms for drawing fibres or filaments
- C03B37/014—Manufacture of preforms for drawing fibres or filaments made entirely or partially by chemical means, e.g. vapour phase deposition of bulk porous glass either by outside vapour deposition [OVD], or by outside vapour phase oxidation [OVPO] or by vapour axial deposition [VAD]
-
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- C03B37/0144—Means for after-treatment or catching of worked reactant gases
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- Manufacture, Treatment Of Glass Fibers (AREA)
Description
【発明の詳細な説明】
『産業上の利用分野』
本発明は通信用、光学用の合成ガラスを製造す
るための装置に関する。
るための装置に関する。
『従来の技術』
高品位の合成石英からなる通信用、光学用のガ
ラスロツド、ガラスパイプ等を製造する手段の一
つにOVD方がある。
ラスロツド、ガラスパイプ等を製造する手段の一
つにOVD方がある。
既知の通り、OVD法では火炎加水分解反応お
よび/または熱酸化反応により生成したスート状
のガラス微粒子(SiO2、GeO2、P2O5、B2O3な
ど)を、出発母材と称するガラス堆積基材の外周
に堆積させて多孔質ガラス層を形成し、その後、
多孔質ガラス層を加熱、脱泡して透明ガラス化す
る。
よび/または熱酸化反応により生成したスート状
のガラス微粒子(SiO2、GeO2、P2O5、B2O3な
ど)を、出発母材と称するガラス堆積基材の外周
に堆積させて多孔質ガラス層を形成し、その後、
多孔質ガラス層を加熱、脱泡して透明ガラス化す
る。
より具体的には、上記多孔質ガラス層の堆積形
成時、ガス導入系、ガス排出系を有する反応容器
内に、ガラス微粒子生成用のバーナと、回転しな
がら軸方向に往復動するガラス堆積基材とを相互
に対応させて内装しておき、バーナを介して反応
生成されたガラス微粒子をガラス堆積基材の外周
に堆積させる。
成時、ガス導入系、ガス排出系を有する反応容器
内に、ガラス微粒子生成用のバーナと、回転しな
がら軸方向に往復動するガラス堆積基材とを相互
に対応させて内装しておき、バーナを介して反応
生成されたガラス微粒子をガラス堆積基材の外周
に堆積させる。
かかるOVD法の場合、多孔質ガラス層を軸方
向(縦長の棒状)に成長させるVAD法と比べ、
自重による多孔質ガラス層の破壊が起こりがたい
とされている。
向(縦長の棒状)に成長させるVAD法と比べ、
自重による多孔質ガラス層の破壊が起こりがたい
とされている。
『発明が解決しようとする問題点』
上述したOVD法の場合、原料ガスとして主に
SiCl4、GeCl4、POCl3、BCl3などの塩化物を使用
するため、これらの反応ガスにはCl2、HClなど
の腐蝕性ガスが多く含まれる。
SiCl4、GeCl4、POCl3、BCl3などの塩化物を使用
するため、これらの反応ガスにはCl2、HClなど
の腐蝕性ガスが多く含まれる。
反応容器内の反応ガスは、廃ガスとしてガス排
出系からその容器外へ排出され、有害成分を除去
するための処理を受けるが、ガス排出系に不測の
異常事態が発生し、排気能力が低下した場合、反
応容器内には廃ガスが充満する。
出系からその容器外へ排出され、有害成分を除去
するための処理を受けるが、ガス排出系に不測の
異常事態が発生し、排気能力が低下した場合、反
応容器内には廃ガスが充満する。
ガス排出系に特に異常がない場合でも、反応容
器内外の圧力変動により、廃ガスがガス排出系か
ら反応容器内へ逆拡散することがある。
器内外の圧力変動により、廃ガスがガス排出系か
ら反応容器内へ逆拡散することがある。
そのため、反応容器の内部が廃ガスにより汚染
され、殊に反応容器の気密正が不充分な場合には
反応容器から漏洩した廃ガスにより周囲の環境が
悪化する。
され、殊に反応容器の気密正が不充分な場合には
反応容器から漏洩した廃ガスにより周囲の環境が
悪化する。
もちろん、廃ガスは上述した腐蝕成分を含むの
で、設備装置の金属部分を錆化させたり、人体に
も悪影響を及ぼす。
で、設備装置の金属部分を錆化させたり、人体に
も悪影響を及ぼす。
一方、反応容器内は高品質の合成石英を得るた
め高クリーン度が要求されるが、上記ガス排出系
を介して吸引されている当該反応容器内は定常的
に負圧傾向となり、したがつて、反応容器の気密
性が不充分な場合、外部の塵埃等が不純物として
混入し、反応容器内のクリーン度低下させるので
上記品質維持が困難となる。
め高クリーン度が要求されるが、上記ガス排出系
を介して吸引されている当該反応容器内は定常的
に負圧傾向となり、したがつて、反応容器の気密
性が不充分な場合、外部の塵埃等が不純物として
混入し、反応容器内のクリーン度低下させるので
上記品質維持が困難となる。
本発明は上記の問題点に鑑み、反応容器からそ
の外部へのガス漏れ、および外部から反応容器内
への不純物混入等が防止できる。しかも、高品質
の合成ガラス製造できる装置を提供しようとする
ものである。
の外部へのガス漏れ、および外部から反応容器内
への不純物混入等が防止できる。しかも、高品質
の合成ガラス製造できる装置を提供しようとする
ものである。
『問題点を解決するための手段』
本発明は上記の目的を達成するため、ガス導入
系、ガス排出系を有する反応容器内に、ガラス微
粒子生成用のバーナと、ガラス堆積基材とが相互
に対応して内装された合成ガラス製造装置におい
て、上記反応容器の一部または全部が内部空間を
有する二重壁体により構成され、当該反応容器に
は、反応容器外部のガス圧に対して反応容器内部
のガス圧、二重壁体の内部空間のガス圧が相対的
に調整可能なガス調整機構が設けられていること
を特徴とする。
系、ガス排出系を有する反応容器内に、ガラス微
粒子生成用のバーナと、ガラス堆積基材とが相互
に対応して内装された合成ガラス製造装置におい
て、上記反応容器の一部または全部が内部空間を
有する二重壁体により構成され、当該反応容器に
は、反応容器外部のガス圧に対して反応容器内部
のガス圧、二重壁体の内部空間のガス圧が相対的
に調整可能なガス調整機構が設けられていること
を特徴とする。
『作用』
本発明装置の場合、反応容器内で回転しながら
所定方向へ往復動するガラス堆積基材の外周に、
バーナを介して反応生成したガラス微粒子を堆積
させ、これにより多孔質ガラス層を形成する。
所定方向へ往復動するガラス堆積基材の外周に、
バーナを介して反応生成したガラス微粒子を堆積
させ、これにより多孔質ガラス層を形成する。
この際、ガス排出系を介して反応容器内を排気
し、これとともにガス導入系からクリーンな気体
を反応容器内に導入する。
し、これとともにガス導入系からクリーンな気体
を反応容器内に導入する。
かかる多孔質ガラス層の形成、ガス排出、ガス
導入等は従来例と同じである。
導入等は従来例と同じである。
本発明装置では、上記のようにして多孔質ガラ
ス層を形成する際の反応容器(一部または全部)
が、内部空間を有する二重壁体により構成され、
しかも反応容器には、反応容器外部のガス圧P1
に対して反応容器内部のガス圧P3、二重壁体の
内部空間のガス圧P2が相対的に調整可能なガス
調整機構が設けられている。
ス層を形成する際の反応容器(一部または全部)
が、内部空間を有する二重壁体により構成され、
しかも反応容器には、反応容器外部のガス圧P1
に対して反応容器内部のガス圧P3、二重壁体の
内部空間のガス圧P2が相対的に調整可能なガス
調整機構が設けられている。
したがつて、仮に反応容器の気密性が不充分で
あるとしても、ガス調整機構を介してP1<P3<
P2を満足させ、あるいはP2<P1とP2<P3とを満
足させることにより、反応容器内からその外部へ
のガス漏れ、外部から反応容器内への不純物混
入、ガス排出系から反応容器内への廃ガスの逆拡
散等が防止でき、高品質の多孔質ガラス層が安定
して製造できる。
あるとしても、ガス調整機構を介してP1<P3<
P2を満足させ、あるいはP2<P1とP2<P3とを満
足させることにより、反応容器内からその外部へ
のガス漏れ、外部から反応容器内への不純物混
入、ガス排出系から反応容器内への廃ガスの逆拡
散等が防止でき、高品質の多孔質ガラス層が安定
して製造できる。
『実施例』
以下本発明装置の実施例につき、図面を参照し
て説明する。
て説明する。
図において、石英ガラスまたはセラミツクスか
らなる反応容器1はガス導入系2a,2bとガス
排出系3とを有する。
らなる反応容器1はガス導入系2a,2bとガス
排出系3とを有する。
場合により、反応容器1を構成する材料は、樹
脂コーテイングされた石英ガラス、セラミツクス
等からなり、その樹脂コーテイング材としてフツ
素樹脂またはシリコーン樹脂等が採用される。
脂コーテイングされた石英ガラス、セラミツクス
等からなり、その樹脂コーテイング材としてフツ
素樹脂またはシリコーン樹脂等が採用される。
ガス導入系2a,2bはフイルタ4a,4bを
備え、かかるフイルタ4a,4bは外気をクリー
ン度0〜100クラス程度に濾過する機能を有する。
備え、かかるフイルタ4a,4bは外気をクリー
ン度0〜100クラス程度に濾過する機能を有する。
ガス導入系2a,2bには、反応容器1内への
ガス導入用として図示しない不活性ガスボンベ、
あるいはクリーンエア(クリーン度0〜100クラ
ス)のボンベが配管接続されることがあるが、こ
の場合、上記フイルタ4a,4bは省略されても
よい。
ガス導入用として図示しない不活性ガスボンベ、
あるいはクリーンエア(クリーン度0〜100クラ
ス)のボンベが配管接続されることがあるが、こ
の場合、上記フイルタ4a,4bは省略されても
よい。
ガス排出系3は廃ガスの有害成分除去槽5、吸
引型の排気フアン6を備え、有害成分除去槽5は
水、アルカリ液等の洗浄液を廃ガスに対して向流
させる機能を有する。
引型の排気フアン6を備え、有害成分除去槽5は
水、アルカリ液等の洗浄液を廃ガスに対して向流
させる機能を有する。
反応容器1内には縦型下向のガラス微粒子生成
用バーナ7と、横型(水平)のガラス堆積基材8
とが相互に対応して内装されている。
用バーナ7と、横型(水平)のガラス堆積基材8
とが相互に対応して内装されている。
バーナ7は、例えば同心状に並んだ複数のガス
流路を有する多重管構造からなり、これらガス流
路には所定のガス管がそれぞれ接続されている。
流路を有する多重管構造からなり、これらガス流
路には所定のガス管がそれぞれ接続されている。
図示しない回転手段、往復動手段を介して回転
かつ軸方向に往復動自在なガラス堆積基材8は石
英棒または石英管からなり、当該堆積基材8の両
端は反応容器1外へ突出され、チヤツク9a,9
bを介して支持されている。
かつ軸方向に往復動自在なガラス堆積基材8は石
英棒または石英管からなり、当該堆積基材8の両
端は反応容器1外へ突出され、チヤツク9a,9
bを介して支持されている。
なお、ガラス堆積基材8については、チヤツク
9a,9b、その回転手段、往復動手段等を含め
た全体が反応容器1内へ内装されることがある。
9a,9b、その回転手段、往復動手段等を含め
た全体が反応容器1内へ内装されることがある。
また、図示のごとくガス排出系3の基端、バー
ナ7へのガス供給管、ガラス堆積基材8の両端等
が反応容器1の壁面を貫通しているとき、これら
の貫通部分にはシール手段が講じられる。
ナ7へのガス供給管、ガラス堆積基材8の両端等
が反応容器1の壁面を貫通しているとき、これら
の貫通部分にはシール手段が講じられる。
本発明では、かかる構成の合成ガラス製造装置
において、反応容器1の全部(または一部でもよ
い)が内部空間10を有する二重壁体11により
構成されている。
において、反応容器1の全部(または一部でもよ
い)が内部空間10を有する二重壁体11により
構成されている。
二重壁体11には、その内部空間10に連通す
る給気系12と、圧力調整弁13を有する排気系
14とがそれぞれ連結される。
る給気系12と、圧力調整弁13を有する排気系
14とがそれぞれ連結される。
給気系12は前記ガス導入系2a,2bの場合
と同じくフイルタ(濾過機能:クリーン度0〜
100クラス)を有するとか、あるいは不活性ガス
ボンベ、あるいはクリーンエア(クリーン度0〜
100クラス)のボンベが配管接続される。
と同じくフイルタ(濾過機能:クリーン度0〜
100クラス)を有するとか、あるいは不活性ガス
ボンベ、あるいはクリーンエア(クリーン度0〜
100クラス)のボンベが配管接続される。
さらに本発明装置には、前記の通り、反応容器
1外のガス圧に対して反応容器1内のガス圧、二
重壁体11の内部空間10のガス圧が相対的に調
整可能なガス調整機構が装備される。
1外のガス圧に対して反応容器1内のガス圧、二
重壁体11の内部空間10のガス圧が相対的に調
整可能なガス調整機構が装備される。
そのガス調整機構の一部は、前述したガス導入
系2a,2b、ガス排出系3、給気系12、排気
系14からなる。
系2a,2b、ガス排出系3、給気系12、排気
系14からなる。
そのガス調整機構の他部は、反応容器1外のガ
ス圧を測定するための圧力計15と、内部空間1
0のガス圧を測定するための圧力計16と、反応
容器1内のガス圧を測定するための圧力計17
と、反応容器1内のガス圧および内部空間10の
ガス圧を制御するための制御機器18とからな
り、圧力計15は反応容器1外に配置され、圧力
計16のセンサ19は内部空間10内に配置さ
れ、圧力計17のセンサ20は反応容器1内に配
置される。
ス圧を測定するための圧力計15と、内部空間1
0のガス圧を測定するための圧力計16と、反応
容器1内のガス圧を測定するための圧力計17
と、反応容器1内のガス圧および内部空間10の
ガス圧を制御するための制御機器18とからな
り、圧力計15は反応容器1外に配置され、圧力
計16のセンサ19は内部空間10内に配置さ
れ、圧力計17のセンサ20は反応容器1内に配
置される。
制御機器18は各圧力計15〜17からの測定
値入力に基づき、反応容器1内のガス圧、内部空
間10のガス圧を所定値に調整するが、そのた
め、ガス導入系2a,2b、ガス排出系3、給気
系12、排気系14の一部または全部を制御する
機能を有する。
値入力に基づき、反応容器1内のガス圧、内部空
間10のガス圧を所定値に調整するが、そのた
め、ガス導入系2a,2b、ガス排出系3、給気
系12、排気系14の一部または全部を制御する
機能を有する。
より具体的には、制御機器18は、少なくとも
ガス排出系3の排気フアン6と排気系14の圧力
調整弁13とを制御する機能を有する。
ガス排出系3の排気フアン6と排気系14の圧力
調整弁13とを制御する機能を有する。
上述した本発明装置の場合、従来例と同様、反
応容器1内においてガラス堆積基材8を回転なら
びにその軸方向へ往復動させ、多重管構造のバー
ナ7には例えばSiCl4、Ar、O2、H2等を供給し、
これら各ガスの所定反応に生成したガラス微粒子
を上記ガラス堆積基材8の外周に堆積させて石英
系の多孔質ガラス層21を形成する。
応容器1内においてガラス堆積基材8を回転なら
びにその軸方向へ往復動させ、多重管構造のバー
ナ7には例えばSiCl4、Ar、O2、H2等を供給し、
これら各ガスの所定反応に生成したガラス微粒子
を上記ガラス堆積基材8の外周に堆積させて石英
系の多孔質ガラス層21を形成する。
こうして合成ガラスを製造するとき、ガス導入
系2a,2bとガス排出系3とを稼動させるだけ
でなく、給気系12、排気系14をも稼働させ、
しかもこの際、反応容器1外のガス圧P1、内部
空間10のガス圧P2、反応容器1内のガス圧P3
等を圧力計15〜17を介して測定して、これら
の測定結果を制御機器18へ入力し、当該制御機
器18にてガス排出系3の排気フアン6と排気系
14の圧力調整弁13とを制御することにより、
上記各圧力を『P1<P3<P2』としたり、あるい
は『P2<P1、P2<P3』とする。
系2a,2bとガス排出系3とを稼動させるだけ
でなく、給気系12、排気系14をも稼働させ、
しかもこの際、反応容器1外のガス圧P1、内部
空間10のガス圧P2、反応容器1内のガス圧P3
等を圧力計15〜17を介して測定して、これら
の測定結果を制御機器18へ入力し、当該制御機
器18にてガス排出系3の排気フアン6と排気系
14の圧力調整弁13とを制御することにより、
上記各圧力を『P1<P3<P2』としたり、あるい
は『P2<P1、P2<P3』とする。
かくて、反応容器1内のガスがその外部に漏れ
たり、あるいは外部から反応容器1内へ不純物が
混入することがなくなり、各系がきわめて安定し
た稼働状態を呈するようになる。
たり、あるいは外部から反応容器1内へ不純物が
混入することがなくなり、各系がきわめて安定し
た稼働状態を呈するようになる。
その結果、反応容器1内のクリーン度が良好に
保持されて高品質の多孔質ガラス層21が得ら
れ、周囲の作業循環も汚染されなくなる。
保持されて高品質の多孔質ガラス層21が得ら
れ、周囲の作業循環も汚染されなくなる。
『発明の効果』
以上説明した通り、本発明によるときは、所定
の合成ガラス製造装置における反応容器の一部ま
たは全部が内部空間を有する二重壁体により構成
され、その反応容器に、反応容器外部のガス圧に
対する反応容器内部のガス圧、二重壁体の内部空
間のガス圧が相対調整可能なガス調整機構が設け
られているから、当該ガス調整機構を介して反応
容器内部のガス圧、二重壁体の内部空間のガス圧
を適切な状態に調整することにより、反応容器か
らその外部へのガス漏れ、および外部から反応容
器内への不純物混入等が防止でき、したがつて高
品質の合成ガラスが、作業環境を汚染することな
く安定して製造できる。
の合成ガラス製造装置における反応容器の一部ま
たは全部が内部空間を有する二重壁体により構成
され、その反応容器に、反応容器外部のガス圧に
対する反応容器内部のガス圧、二重壁体の内部空
間のガス圧が相対調整可能なガス調整機構が設け
られているから、当該ガス調整機構を介して反応
容器内部のガス圧、二重壁体の内部空間のガス圧
を適切な状態に調整することにより、反応容器か
らその外部へのガス漏れ、および外部から反応容
器内への不純物混入等が防止でき、したがつて高
品質の合成ガラスが、作業環境を汚染することな
く安定して製造できる。
図面は本発明に係るガラス合成装置の一実施例
を略示した断面図である。 1……反応容器、2a,2b……ガス導入系、
3……ガス排出系、6……排気フアン、7……ガ
ラス微粒子生成用のバーナ、8……ガラス堆積基
材、10……二重壁体の内部空間、11……二重
壁体、12……給気系、13……排気系の圧力調
整弁、14……排気系、15〜17……圧力計、
18……制御機器、19,20……圧力計のセン
サ、21……多孔質ガラス層、P1……反応容器
外部のガス圧、P2……内部空間のガス圧、P3…
…反応容器内部のガス圧。
を略示した断面図である。 1……反応容器、2a,2b……ガス導入系、
3……ガス排出系、6……排気フアン、7……ガ
ラス微粒子生成用のバーナ、8……ガラス堆積基
材、10……二重壁体の内部空間、11……二重
壁体、12……給気系、13……排気系の圧力調
整弁、14……排気系、15〜17……圧力計、
18……制御機器、19,20……圧力計のセン
サ、21……多孔質ガラス層、P1……反応容器
外部のガス圧、P2……内部空間のガス圧、P3…
…反応容器内部のガス圧。
Claims (1)
- 【特許請求の範囲】 1 ガス導入系、ガス排出系を有する反応容器内
に、ガラス微粒子生成用のバーナと、ガラス堆積
基材とが相互に対応して内装された合成ガラス製
造装置において、上記反応容器の一部または全部
が内部空間を有する二重壁体により構成され、当
該反応容器には、反応容器外部のガス圧に対して
反応容器内部のガス圧、二重壁体の内部空間のガ
ス圧が相対的に調整可能なガス調整機構が設けら
れていることを特徴とする合成ガラス製造装置。 2 ガス調整機構が、反応容器に設けられたガス
導入系およびガス排出系と、二重壁体の内部空間
に連通して設けられた給気系および排気系と、反
応容器内外のガス圧および二重壁体の内部空間の
ガス圧を測定するための圧力計と、反応容器内部
のガス圧および二重壁体の内部空間のガス圧を制
御するための制御機器とからなる特許請求の範囲
第1項記載の合成ガラス製造装置。 3 反応容器外部のガス圧をP1、二重壁体の内
部空間のガス圧をP2、反応容器内部のガス圧を
P3とした場合、これらガス圧がP1<P3<P2の関
係を満足している特許請求の範囲第1項記載の合
成ガラス製造装置。 4 反応容器外部のガス圧をP1、二重壁体の内
部空間のガス圧をP2、反応容器内部のガス圧を
P3とした場合、これらガス圧がP2<P1、P2<P3
の関係を満足している特許請求の範囲第1項記載
の合成ガラス製造装置。 5 二重壁体の内部空間のガス圧が正圧である特
許請求の範囲第1項ないし第4項いずれかに記載
の合成ガラス製造装置。 6 反応容器内へ導入するガスが、不活性ガスま
たはクリーンエアまたはこれらの混合ガスからな
る特許請求の範囲第1項ないし第4項いずれかに
記載の合成ガラス製造装置。 7 二重壁体の内部空間へ導入するガスが、不活
性ガスまたはクリーンエアまたはこれらの混合ガ
スからなる特許請求の範囲第1項ないし第5項い
ずれかに記載の合成ガラス製造装置。 8 クリーンエアのクリーン度が0〜100クラス
である特許請求の範囲第6項または第7項記載の
合成ガラス製造装置。 9 反応容器が石英ガラス、セラミツクスのうち
から選択された任意材料からなる特許請求の範囲
第1項ないし第4項または第6項いずれかに記載
の合成ガラス製造装置。 10 反応容器用の材料が樹脂コーテイングされ
ている特許請求の範囲第1項ないし第4項または
第6項または第9項いずれかに記載の合成ガラス
製造装置。 11 樹脂コーテイング材料がフツ素樹脂または
シリコーン樹脂のいずれかからなる特許請求の範
囲第9項記載の合成ガラス製造装置。
Priority Applications (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP2753086A JPS62187121A (ja) | 1986-02-10 | 1986-02-10 | 合成ガラス製造装置 |
Applications Claiming Priority (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP2753086A JPS62187121A (ja) | 1986-02-10 | 1986-02-10 | 合成ガラス製造装置 |
Publications (2)
| Publication Number | Publication Date |
|---|---|
| JPS62187121A JPS62187121A (ja) | 1987-08-15 |
| JPH033615B2 true JPH033615B2 (ja) | 1991-01-21 |
Family
ID=12223667
Family Applications (1)
| Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
|---|---|---|---|
| JP2753086A Granted JPS62187121A (ja) | 1986-02-10 | 1986-02-10 | 合成ガラス製造装置 |
Country Status (1)
| Country | Link |
|---|---|
| JP (1) | JPS62187121A (ja) |
Families Citing this family (5)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| JP2557651B2 (ja) * | 1987-07-02 | 1996-11-27 | 株式会社フジクラ | 光フアイバ母材の製造方法 |
| JP2604454B2 (ja) * | 1988-12-23 | 1997-04-30 | 信越化学工業株式会社 | シングルモード型光ファイバープリフォームの製造方法 |
| JPH02243521A (ja) * | 1989-03-16 | 1990-09-27 | Nippon Telegr & Teleph Corp <Ntt> | フッ化物ガラスロッドレンズ並びにその製造方法及び装置 |
| JP5050969B2 (ja) * | 1998-08-24 | 2012-10-17 | 旭硝子株式会社 | 合成石英ガラス光学部材とその製造方法 |
| JP5678711B2 (ja) * | 2011-02-16 | 2015-03-04 | 住友電気工業株式会社 | ガラス微粒子堆積体の製造方法 |
-
1986
- 1986-02-10 JP JP2753086A patent/JPS62187121A/ja active Granted
Also Published As
| Publication number | Publication date |
|---|---|
| JPS62187121A (ja) | 1987-08-15 |
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Legal Events
| Date | Code | Title | Description |
|---|---|---|---|
| LAPS | Cancellation because of no payment of annual fees |