JPH0336295B2 - - Google Patents
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- JPH0336295B2 JPH0336295B2 JP57228361A JP22836182A JPH0336295B2 JP H0336295 B2 JPH0336295 B2 JP H0336295B2 JP 57228361 A JP57228361 A JP 57228361A JP 22836182 A JP22836182 A JP 22836182A JP H0336295 B2 JPH0336295 B2 JP H0336295B2
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- pattern
- electron beam
- amount
- intensity
- irradiation
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-
- B—PERFORMING OPERATIONS; TRANSPORTING
- B82—NANOTECHNOLOGY
- B82Y—SPECIFIC USES OR APPLICATIONS OF NANOSTRUCTURES; MEASUREMENT OR ANALYSIS OF NANOSTRUCTURES; MANUFACTURE OR TREATMENT OF NANOSTRUCTURES
- B82Y10/00—Nanotechnology for information processing, storage or transmission, e.g. quantum computing or single electron logic
-
- B—PERFORMING OPERATIONS; TRANSPORTING
- B82—NANOTECHNOLOGY
- B82Y—SPECIFIC USES OR APPLICATIONS OF NANOSTRUCTURES; MEASUREMENT OR ANALYSIS OF NANOSTRUCTURES; MANUFACTURE OR TREATMENT OF NANOSTRUCTURES
- B82Y40/00—Manufacture or treatment of nanostructures
-
- H—ELECTRICITY
- H01—ELECTRIC ELEMENTS
- H01J—ELECTRIC DISCHARGE TUBES OR DISCHARGE LAMPS
- H01J37/00—Discharge tubes with provision for introducing objects or material to be exposed to the discharge, e.g. for the purpose of examination or processing thereof
- H01J37/30—Electron-beam or ion-beam tubes for localised treatment of objects
- H01J37/317—Electron-beam or ion-beam tubes for localised treatment of objects for changing properties of the objects or for applying thin layers thereon, e.g. for ion implantation
- H01J37/3174—Particle-beam lithography, e.g. electron beam lithography
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- Engineering & Computer Science (AREA)
- Chemical & Material Sciences (AREA)
- Nanotechnology (AREA)
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- Crystallography & Structural Chemistry (AREA)
- Manufacturing & Machinery (AREA)
- General Physics & Mathematics (AREA)
- Condensed Matter Physics & Semiconductors (AREA)
- Analytical Chemistry (AREA)
- Mathematical Physics (AREA)
- Theoretical Computer Science (AREA)
- Exposure And Positioning Against Photoresist Photosensitive Materials (AREA)
- Electron Beam Exposure (AREA)
Description
【発明の詳細な説明】
(1) 発明の技術分野
本発明は電子ビーム露光方法に関する。特に、
いわゆる近接効果の補正の目的をもつて各パター
ンに施こされるパターン寸法補正量の算出と各パ
ターンに最適現像エネルギー強度を与えることと
なる照射量の算出とを、容易迅速にかつ高精度に
なすことができ、いわゆる近接効果に対する補正
が高精度になされる電子ビーム露光方法の改良に
関する。
いわゆる近接効果の補正の目的をもつて各パター
ンに施こされるパターン寸法補正量の算出と各パ
ターンに最適現像エネルギー強度を与えることと
なる照射量の算出とを、容易迅速にかつ高精度に
なすことができ、いわゆる近接効果に対する補正
が高精度になされる電子ビーム露光方法の改良に
関する。
(2) 技術の背景
電子ビーム露光方法においては、0.1乃至0.2
〔μm〕程度の幅または直径を有する電子ビームを
使用して、これを走査しながら試料上を照射し、
それぞれのパターン領域に最適現像エネルギー強
度を与えている。
〔μm〕程度の幅または直径を有する電子ビームを
使用して、これを走査しながら試料上を照射し、
それぞれのパターン領域に最適現像エネルギー強
度を与えている。
ところが、電子ビームはその照射方向にいくら
か散乱し（前方散乱）、また、試料面において反
射して照射方向と逆の方向にも散乱する（後方散
乱）。すなわち、第１図に示すように、電子ビー
ムの照射領域Ａの周囲に散乱領域Ｂが存在し、そ
の領域における電子ビーム殺乱強度は、下式に示
すように指数関数的に分布する。
か散乱し（前方散乱）、また、試料面において反
射して照射方向と逆の方向にも散乱する（後方散
乱）。すなわち、第１図に示すように、電子ビー
ムの照射領域Ａの周囲に散乱領域Ｂが存在し、そ
の領域における電子ビーム殺乱強度は、下式に示
すように指数関数的に分布する。
ｆ(r)＝e-(r/a)2＋b.e-(r/c)2 ……(1)
但し、
ｆ（ｒ）は照射領域の中心からの距離がｒであ
る点における電子ビーム散乱強度であり、 ａ，ｂ，ｃは試料の材質や使用するレジストの
感度や厚さ等によつて決定される定数である。
る点における電子ビーム散乱強度であり、 ａ，ｂ，ｃは試料の材質や使用するレジストの
感度や厚さ等によつて決定される定数である。
第１図に示す電子ビームの照射領域Ａの幅は通
常0.1乃至0.2〔μm〕と狭いため、所望の幅のパタ
ーンを得るには上記の電子ビームを走査させる必
要がある。ところが、第１図に示すように散乱領
域はかなり広いので、電子ビームを走査すると、
散乱領域において現像エネルギー強度（照射強
度）が相対的に大きくなる。そして、この散乱領
域における現像エネルギー強度はパターンの形状
によつても影響される。任意の点を囲む複数の辺
からの影響を受けるからである。
常0.1乃至0.2〔μm〕と狭いため、所望の幅のパタ
ーンを得るには上記の電子ビームを走査させる必
要がある。ところが、第１図に示すように散乱領
域はかなり広いので、電子ビームを走査すると、
散乱領域において現像エネルギー強度（照射強
度）が相対的に大きくなる。そして、この散乱領
域における現像エネルギー強度はパターンの形状
によつても影響される。任意の点を囲む複数の辺
からの影響を受けるからである。
かかる散乱領域における現像エネルギー強度は
レジストを感光させるに足るものではないから、
パターンが弧立して存在するときはさしたる悪影
響はないが、近接して複数のパターンが存在する
ときは、パターンに対応する被照射領域より広い
領域すなわち散乱領域においてレジストが感光し
てしまい、形成されるパターン精度を悪くする要
因となる。この効果を近接効果といい、パターン
間の間隔が２〔μm〕以下になると、パターン形状
に顕著な歪をもたらすことが知られている。
レジストを感光させるに足るものではないから、
パターンが弧立して存在するときはさしたる悪影
響はないが、近接して複数のパターンが存在する
ときは、パターンに対応する被照射領域より広い
領域すなわち散乱領域においてレジストが感光し
てしまい、形成されるパターン精度を悪くする要
因となる。この効果を近接効果といい、パターン
間の間隔が２〔μm〕以下になると、パターン形状
に顕著な歪をもたらすことが知られている。
一方、第１図に示す如き電子ビームを走査して
パターンを形成する場合、パターン幅が狭い場合
は走査速度を下げて、すなわち、照射量を上げ
て、現像エネルギー強度を大きくしなければなら
ない。すなわち、パターンの大きさに対応して照
射量（走査速度）を調整する必要がある。
パターンを形成する場合、パターン幅が狭い場合
は走査速度を下げて、すなわち、照射量を上げ
て、現像エネルギー強度を大きくしなければなら
ない。すなわち、パターンの大きさに対応して照
射量（走査速度）を調整する必要がある。
(3) 従来技術と問題点
近接効果を補正するために、従来使用されてい
る方法は、(イ)電子ビーム散乱強度分布とパターン
形状と隣接パターンを照射する電子ビームの散乱
による影響を考慮して、各パターン毎に最適な照
射量をあらかじめ設定しておく方法と、(ロ)形成さ
れるパターンの寸法より狭い領域を照射する方
法、すなわち、各パターン寸法補正を施す方法と
であるが、いずれもパターン設計時にすべてのデ
ータを決定しなければならない。
る方法は、(イ)電子ビーム散乱強度分布とパターン
形状と隣接パターンを照射する電子ビームの散乱
による影響を考慮して、各パターン毎に最適な照
射量をあらかじめ設定しておく方法と、(ロ)形成さ
れるパターンの寸法より狭い領域を照射する方
法、すなわち、各パターン寸法補正を施す方法と
であるが、いずれもパターン設計時にすべてのデ
ータを決定しなければならない。
又、電子ビームをウエーハに直接照射してリソ
グラフイー法によりパターンを形成する直接露光
方式の場合は、加工プロセス上、レジスト残膜厚
を厚く保つ必要がある。
グラフイー法によりパターンを形成する直接露光
方式の場合は、加工プロセス上、レジスト残膜厚
を厚く保つ必要がある。
しかし、ネガレジストの場合は、照射量を少な
くすると残膜厚が薄くなるので、照射量を補正す
る方式をもつて近接効果の補正をなして所望のパ
ターン形状とパターン間隔とを実現しようとする
と、そのパターン形状とパターン間隔とに応じて
残膜厚に差が生ずることになる。
くすると残膜厚が薄くなるので、照射量を補正す
る方式をもつて近接効果の補正をなして所望のパ
ターン形状とパターン間隔とを実現しようとする
と、そのパターン形状とパターン間隔とに応じて
残膜厚に差が生ずることになる。
一方、ポジレジストの場合は、サイドエツチを
少なくして加工精度の向上を図るためには、レジ
ストの底面における幅と上面における幅とが等し
く断面が垂直であるパターン形状が望ましい。
又、断面形状が垂直になるときのパターン幅は描
画パターン寸法より大きく、描画後の拡がりはパ
ターンの大きさが大きい場合顕著になり膜厚が厚
い場合、より顕著になる。
少なくして加工精度の向上を図るためには、レジ
ストの底面における幅と上面における幅とが等し
く断面が垂直であるパターン形状が望ましい。
又、断面形状が垂直になるときのパターン幅は描
画パターン寸法より大きく、描画後の拡がりはパ
ターンの大きさが大きい場合顕著になり膜厚が厚
い場合、より顕著になる。
したがつて、直接露光方式の場合は、ネガレジ
ストの残膜厚を厚く保ち、かつ、パターン寸法精
度を満足する必要がある。又、ポジレジストの場
合、断面形状を垂直となしパターン寸法精度を満
足するには、描画するパターンを縮少してなす寸
法補正と照射量補正との双方を同時に実行する必
要がある。
ストの残膜厚を厚く保ち、かつ、パターン寸法精
度を満足する必要がある。又、ポジレジストの場
合、断面形状を垂直となしパターン寸法精度を満
足するには、描画するパターンを縮少してなす寸
法補正と照射量補正との双方を同時に実行する必
要がある。
通常の電子露光装置は、第５図に示す如く構成
されている。図において、５は本体であり、６は
電子銃であり、７は電子レンズ系であり、８はＸ
−Ｙ偏向器であり、９は試料であり、１０は
CPUであり、１１はDA変換器であり、１２は増
幅器である。
されている。図において、５は本体であり、６は
電子銃であり、７は電子レンズ系であり、８はＸ
−Ｙ偏向器であり、９は試料であり、１０は
CPUであり、１１はDA変換器であり、１２は増
幅器である。
各パターンに対する照射量と寸法補正量とはパ
ターン設計時に決定されるから、この照射量（走
査速度）と寸法補正量とをCPU１０に記憶させ
ておき、その指令にもとづきＸ−Ｙ偏向器８を駆
動してビームスポツトを歩進させ、いわゆる近接
効果の発生を避けながら、各パターンに望ましい
現像エネルギー強度を与え、高精度のパターン形
成を可能にする。（原明細書第13頁２〜14行と同
一） 更に、形成すべきパターンが微細化複雑化する
につれ、近接効果の補正を高精度確実になすた
め、補正量を正確に定量的に決定することが望ま
れるようになつた。
ターン設計時に決定されるから、この照射量（走
査速度）と寸法補正量とをCPU１０に記憶させ
ておき、その指令にもとづきＸ−Ｙ偏向器８を駆
動してビームスポツトを歩進させ、いわゆる近接
効果の発生を避けながら、各パターンに望ましい
現像エネルギー強度を与え、高精度のパターン形
成を可能にする。（原明細書第13頁２〜14行と同
一） 更に、形成すべきパターンが微細化複雑化する
につれ、近接効果の補正を高精度確実になすた
め、補正量を正確に定量的に決定することが望ま
れるようになつた。
この要精を実現する一つの方法として、第２図
に示すように、各パターンを縮少することとし
て、設計パターンのエツジ上の４点ａ，ｂ，ｃ，
ｄにサンプル点を設定し、その各辺内部に各辺長
をそれぞれX1，X2，X3，X4だけ縮少し、他の全
パターンを対象としてなす照射にもとづく影響を
(1)式を使用して算出し、各サンプル点でのエネル
ギー強度を一定にすることを条件とする連立方程
式をたてて、各パターンに施される寸法補正の量
を算出する方法が考えられる。
に示すように、各パターンを縮少することとし
て、設計パターンのエツジ上の４点ａ，ｂ，ｃ，
ｄにサンプル点を設定し、その各辺内部に各辺長
をそれぞれX1，X2，X3，X4だけ縮少し、他の全
パターンを対象としてなす照射にもとづく影響を
(1)式を使用して算出し、各サンプル点でのエネル
ギー強度を一定にすることを条件とする連立方程
式をたてて、各パターンに施される寸法補正の量
を算出する方法が考えられる。
例えばａ点においては、下式が成立する。
Q1F1(r1)＋Q2F2(r2)＋Q3F3(r3)＝Ｅ ……(2)
但し、
Qi（ｉ＝１〜３）は各パターンに対する照射量
であり、 F1（r1）（ｉ＝１〜３）は各パターンに対する露
光強度であり、 例えば、F2（r2）は下式をもつて表わされる。
であり、 F1（r1）（ｉ＝１〜３）は各パターンに対する露
光強度であり、 例えば、F2（r2）は下式をもつて表わされる。
F2（r2）＝
∫(W-x1-x3)/2 -(W-x1-x3)/2∫(H-x2-x4)/2 -(H-x2-x4)
/2ｆ（ｒ）dydx……(3) 但し、 Ｗはパターン２の幅であり、 Ｈはパターン２の長さである。
/2ｆ（ｒ）dydx……(3) 但し、 Ｗはパターン２の幅であり、 Ｈはパターン２の長さである。
しかし、電子ビーム散乱強度分布は、(1)式に示
すごとく、距離に対して指数関数的に減少し距離
に関しては非線型である。そのため、上記の連立
方程式は解を有しない場合が少なくない。
すごとく、距離に対して指数関数的に減少し距離
に関しては非線型である。そのため、上記の連立
方程式は解を有しない場合が少なくない。
又、理論的には解を有する場合であつても、半
導体装置にあつては、パターン数が極めて多く、
106〜107個程度であるから、演算速度の速い大型
電算機の使用を前提としても、長い処理時間を必
要とすることになり、上記の連立方程式を使用す
る方法は必ずしも現実的ではない。そこで、何ら
かの近似法を利用して、現実的に許容しうる精度
を有し、しかも、簡便迅速に各パターンに対する
照射量の決定と寸法補正量の決定とが可能であれ
ば極めて便利である。
導体装置にあつては、パターン数が極めて多く、
106〜107個程度であるから、演算速度の速い大型
電算機の使用を前提としても、長い処理時間を必
要とすることになり、上記の連立方程式を使用す
る方法は必ずしも現実的ではない。そこで、何ら
かの近似法を利用して、現実的に許容しうる精度
を有し、しかも、簡便迅速に各パターンに対する
照射量の決定と寸法補正量の決定とが可能であれ
ば極めて便利である。
(4) 発明の目的
本発明の目的はこの要請にこたえるものであ
り、単位時間単位面積当り特定の数の電子を放出
する電子ビームを使用して、各パターン領域に適
正な現像エネルギー強度を与えるためには各パタ
ーン毎に電子ビームの照射量（走査速度）を制御
し、一方、いわゆる近接効果を制御するためには
各パターンに寸法補正を施してなす電子ビーム露
光方法において、各パターンに対する照射量（走
査速度）の算定と寸法補正量の算定とを簡便迅速
になしうる電子ビーム露光方法を提供することに
ある。
り、単位時間単位面積当り特定の数の電子を放出
する電子ビームを使用して、各パターン領域に適
正な現像エネルギー強度を与えるためには各パタ
ーン毎に電子ビームの照射量（走査速度）を制御
し、一方、いわゆる近接効果を制御するためには
各パターンに寸法補正を施してなす電子ビーム露
光方法において、各パターンに対する照射量（走
査速度）の算定と寸法補正量の算定とを簡便迅速
になしうる電子ビーム露光方法を提供することに
ある。
(5) 発明の構成
本発明の目的は、第１のパターンを露光するに
必要なエネルギー照射量と、該第１のパターンに
近接する少なくとも一つの第２のパターンを露光
する際に近接効果により生じる前記第１のパター
ンで照射されるエネルギー照射量との割合を求
め、該エネルギー照射量の比により、前記第１の
パターンの寸法補正量を導出して前記第１のパタ
ーンを露光する工程を含んでなることにより達成
される。
必要なエネルギー照射量と、該第１のパターンに
近接する少なくとも一つの第２のパターンを露光
する際に近接効果により生じる前記第１のパター
ンで照射されるエネルギー照射量との割合を求
め、該エネルギー照射量の比により、前記第１の
パターンの寸法補正量を導出して前記第１のパタ
ーンを露光する工程を含んでなることにより達成
される。
本発明の具現する技術的思想は、第３図ａに示
す如きパターンを形成するために、第３図ｂに示
す如く長さＳだけ寸法補正をなす場合、設計パタ
ーンのエツジ上のサンプル点Ａでの露光強度Ｆの
減少率Ｐと寸法補正量Ｓとの間に、Ｐ＝αS＋β
なる比例関係があることがシミユレーシヨンの結
果判明したので、各パターンの寸法補正量を決定
するために、この自然法則を利用することとして
完成されたものであり、設計パターンのエツジ上
のサンプル点での寸法補正を長さＳだけ施した場
合の露光強度F1と寸法補正を施さない場合の露
光強度F0との比率Ｐ＝F1／F0（強度の減少率）を
まず算出しておき、これと上記の比例関係とか
ら、縮少補正するパターン寸法すなわち寸法補正
量Ｓを求めることにある。
す如きパターンを形成するために、第３図ｂに示
す如く長さＳだけ寸法補正をなす場合、設計パタ
ーンのエツジ上のサンプル点Ａでの露光強度Ｆの
減少率Ｐと寸法補正量Ｓとの間に、Ｐ＝αS＋β
なる比例関係があることがシミユレーシヨンの結
果判明したので、各パターンの寸法補正量を決定
するために、この自然法則を利用することとして
完成されたものであり、設計パターンのエツジ上
のサンプル点での寸法補正を長さＳだけ施した場
合の露光強度F1と寸法補正を施さない場合の露
光強度F0との比率Ｐ＝F1／F0（強度の減少率）を
まず算出しておき、これと上記の比例関係とか
ら、縮少補正するパターン寸法すなわち寸法補正
量Ｓを求めることにある。
(6) 発明の実施例
以下、第４図を参照しつゝ、本発明の一実施例
に係る電子ビーム露光方法の各工程を更に詳述す
る。
に係る電子ビーム露光方法の各工程を更に詳述す
る。
第１工程
各パターンｉ（ｉ＝１〜３）につき、パターン
１のサンプル点Ａでの露光強度Fi（ri）（ｉ＝１〜
３）を、下式にもとづいて算出する。
１のサンプル点Ａでの露光強度Fi（ri）（ｉ＝１〜
３）を、下式にもとづいて算出する。
F1（r1）＝∫(W1-S)/2 -(W1-S)/2∫H1/2 -H1/2ｆ（ｒ）
dydx……(4) Fi（ri）＝∫Wi/2 -Wi/2∫Hi/2 -Hi/2ｆ（ｒ）dydx……
(5) 第２工程 寸法補正を長さＳだけ施すパターン１のサンプ
ル点Ａにおいては、下式が成立する。
dydx……(4) Fi（ri）＝∫Wi/2 -Wi/2∫Hi/2 -Hi/2ｆ（ｒ）dydx……
(5) 第２工程 寸法補正を長さＳだけ施すパターン１のサンプ
ル点Ａにおいては、下式が成立する。
Q1F1(r1)＋Q2F2(r2)＋Q3F3(r3)＝Ｅ ……(6)
但し、
Q1（ｉ＝１〜３）は各パターンの照射量であ
り、各設計パターンの辺上のサンプル点での露光
強度より算出される。
り、各設計パターンの辺上のサンプル点での露光
強度より算出される。
例えばパターン１の照射量Q1は下式を使用し
て算出する。
て算出する。
Q1・F0＝Ｅ ……(7)
Q1＝∫W1/2 -W1/2∫H1/2 -H1/2ｆ（ｒ）dydx＝Ｅ……(8
) 但し、 ｆ（ｒ）は散乱強度分布であり、(1)式を使用し
て算出するものであり、 Ｅは現像エネルギー強度であり、 W1はパターン１のパターン幅であり、 H1はパターン１のパターン長である。
) 但し、 ｆ（ｒ）は散乱強度分布であり、(1)式を使用し
て算出するものであり、 Ｅは現像エネルギー強度であり、 W1はパターン１のパターン幅であり、 H1はパターン１のパターン長である。
第３工程
各パターンにつき、そのパターンに寸法補正を
施すものとして、同時に他のパターンに対してな
される電子ビーム照射にもとづく影響も含めて計
算された、そのパターンに望ましい値の現像エネ
ルギー強度を与えることとなる露光強度を算出す
る。すなわち、長さＳだけ寸法補正の施されるパ
ターン１の露光強度F1（r1）は、 F1(r1)＝｛Ｅ−Q2F2（r2）−Q3F3（r3）｝／Q1
……(9) を使用して算出する。
施すものとして、同時に他のパターンに対してな
される電子ビーム照射にもとづく影響も含めて計
算された、そのパターンに望ましい値の現像エネ
ルギー強度を与えることとなる露光強度を算出す
る。すなわち、長さＳだけ寸法補正の施されるパ
ターン１の露光強度F1（r1）は、 F1(r1)＝｛Ｅ−Q2F2（r2）−Q3F3（r3）｝／Q1
……(9) を使用して算出する。
第４工程
それぞれのパターンにつき、そのパターンに寸
法補正を施す場合の露光強度とそのパターンに寸
法補正を施さない場合の露光強度との比すなわち
強度の減少率を算出する。例えば、パターン１に
ついては、(8)式と(9)式との比（減少率）Ｐ＝F1
（r1）／F0を求める。
法補正を施す場合の露光強度とそのパターンに寸
法補正を施さない場合の露光強度との比すなわち
強度の減少率を算出する。例えば、パターン１に
ついては、(8)式と(9)式との比（減少率）Ｐ＝F1
（r1）／F0を求める。
第５工程
寸法補正量Ｓと強度の減少率Ｐとの間には、
Ｐ＝αS＋β ……(10)
の関係があることがシミユレーシヨンの結果判明
しているから、この関係を使用して、各パターン
につき第４工程において算出した減少率から、各
パターン毎の寸法補正量を算出するものである。
しているから、この関係を使用して、各パターン
につき第４工程において算出した減少率から、各
パターン毎の寸法補正量を算出するものである。
通常の電子露光装置は第５図に示す如く構成さ
れている。図において、５は本体であり、６は電
子銃であり、７は電子レンズ系であり、８はＸ−
Ｙ偏向器であり、９は試料であり、１０はCPU
であり、１１はDA変換器であり、１２は増幅器
である。
れている。図において、５は本体であり、６は電
子銃であり、７は電子レンズ系であり、８はＸ−
Ｙ偏向器であり、９は試料であり、１０はCPU
であり、１１はDA変換器であり、１２は増幅器
である。
各パターンに対する照射量と寸法補正量とはパ
ターン設計時に決定されるから、この照射量（走
査速度）と寸法補正量とをCPU６に記憶させて
おき、その指令にもとづきＸ−Ｙ偏向器８を駆動
してビームスポツトを歩進させ、いわゆる近接効
果の発生を避けながら、各パターンに望ましい現
像エネルギー強度を与え、高精度のパターン形成
と可能とする。
ターン設計時に決定されるから、この照射量（走
査速度）と寸法補正量とをCPU６に記憶させて
おき、その指令にもとづきＸ−Ｙ偏向器８を駆動
してビームスポツトを歩進させ、いわゆる近接効
果の発生を避けながら、各パターンに望ましい現
像エネルギー強度を与え、高精度のパターン形成
と可能とする。
(7) 発明の効果
以上説明せるとおり、本発明によれば、単位時
間単位面積当り特定の数の電子を放出する電子ビ
ームを使用して、各パターン領域に適正な現像エ
ネルギー強度を与えるためには各パターン毎に電
子ビームの照射量（走査速度）を制御し、一方、
いわゆる近接効果を抑制するためには各パターン
に寸法補正を施してなす電子ビーム露光方法にお
いて、各パターンに対する照射量（走査速度）の
算定と寸法補正量の算定とを簡便迅速になしうる
電子ビーム露光方法を提供することができる。
間単位面積当り特定の数の電子を放出する電子ビ
ームを使用して、各パターン領域に適正な現像エ
ネルギー強度を与えるためには各パターン毎に電
子ビームの照射量（走査速度）を制御し、一方、
いわゆる近接効果を抑制するためには各パターン
に寸法補正を施してなす電子ビーム露光方法にお
いて、各パターンに対する照射量（走査速度）の
算定と寸法補正量の算定とを簡便迅速になしうる
電子ビーム露光方法を提供することができる。
第１図は電子ビーム強度分布を示すグラフであ
り、第２図は、寸法を補正して近接効果を補正す
る手法を説明するための図である。第３図ａ，ｂ
は本発明の技術思想を説明するための図であり、
第４図は本発明の構成を説明するための図であ
り、第５図は本発明の実施に使用しうる電子露光
装置の概念的構成図である。 ５……電子ビーム露光装置本体、６……電子
銃、７……電子レンズ系、８……Ｘ−Ｙ偏向器、
９……試料、１０……CPU、１１……DA変換
器、１２……増幅器。
り、第２図は、寸法を補正して近接効果を補正す
る手法を説明するための図である。第３図ａ，ｂ
は本発明の技術思想を説明するための図であり、
第４図は本発明の構成を説明するための図であ
り、第５図は本発明の実施に使用しうる電子露光
装置の概念的構成図である。 ５……電子ビーム露光装置本体、６……電子
銃、７……電子レンズ系、８……Ｘ−Ｙ偏向器、
９……試料、１０……CPU、１１……DA変換
器、１２……増幅器。
Claims (1)
- １ 第１のパターンを露光するに必要なエネルギ
ー照射量と、該第１のパターンに近接する少なく
とも一つの第２のパターンを露光する際に近接効
果により生じる前記第１のパターンで照射される
エネルギー照射量との割合を求め、該エネルギー
照射量の比により、前記第１のパターンの寸法補
正量を導出して前記第１のパターンを露光する工
程を含んでなることを特徴とする電子ビーム露光
方法。
Priority Applications (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP57228361A JPS59119834A (ja) | 1982-12-27 | 1982-12-27 | 電子ビ−ム露光方法 |
Applications Claiming Priority (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP57228361A JPS59119834A (ja) | 1982-12-27 | 1982-12-27 | 電子ビ−ム露光方法 |
Publications (2)
| Publication Number | Publication Date |
|---|---|
| JPS59119834A JPS59119834A (ja) | 1984-07-11 |
| JPH0336295B2 true JPH0336295B2 (ja) | 1991-05-31 |
Family
ID=16875248
Family Applications (1)
| Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
|---|---|---|---|
| JP57228361A Granted JPS59119834A (ja) | 1982-12-27 | 1982-12-27 | 電子ビ−ム露光方法 |
Country Status (1)
| Country | Link |
|---|---|
| JP (1) | JPS59119834A (ja) |
-
1982
- 1982-12-27 JP JP57228361A patent/JPS59119834A/ja active Granted
Also Published As
| Publication number | Publication date |
|---|---|
| JPS59119834A (ja) | 1984-07-11 |
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