JPH065502A - 露光データ変換方法および露光データ変換装置 - Google Patents
露光データ変換方法および露光データ変換装置Info
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- JPH065502A JPH065502A JP4159755A JP15975592A JPH065502A JP H065502 A JPH065502 A JP H065502A JP 4159755 A JP4159755 A JP 4159755A JP 15975592 A JP15975592 A JP 15975592A JP H065502 A JPH065502 A JP H065502A
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Abstract
(57)【要約】
【目的】 高寸法精度でかつ信頼性の高い露光データ変
換処理方法および露光データ変換装置を提供する。 【構成】 入力された設計パターンデータによる設計パ
ターンの寸法に対して寸法シフトを行う場合に近接効果
を同時に考慮すべき複数の寸法のうち、最も寸法精度を
要求される寸法の寸法シフト量を求め、求めた寸法シフ
ト量で前記同時に考慮すべき複数の寸法の寸法シフト処
理を行いシフトパターンデータを求める寸法シフト処理
工程Ｓ１００と、前記シフトパターンデータで表される
図形を予め定めた基本図形に分割する図形処理工程Ｓ２
００と、前記分割された基本図形毎に露光量データを求
め、さらに前記各基本図形毎の露光量データに基づく露
光を行った場合の相互の影響を考慮して前記露光量デー
タを補正し露光データを求める露光量補正工程Ｓ３００
と、を備える。
換処理方法および露光データ変換装置を提供する。 【構成】 入力された設計パターンデータによる設計パ
ターンの寸法に対して寸法シフトを行う場合に近接効果
を同時に考慮すべき複数の寸法のうち、最も寸法精度を
要求される寸法の寸法シフト量を求め、求めた寸法シフ
ト量で前記同時に考慮すべき複数の寸法の寸法シフト処
理を行いシフトパターンデータを求める寸法シフト処理
工程Ｓ１００と、前記シフトパターンデータで表される
図形を予め定めた基本図形に分割する図形処理工程Ｓ２
００と、前記分割された基本図形毎に露光量データを求
め、さらに前記各基本図形毎の露光量データに基づく露
光を行った場合の相互の影響を考慮して前記露光量デー
タを補正し露光データを求める露光量補正工程Ｓ３００
と、を備える。
Description
【０００１】
【産業上の利用分野】本発明は、露光データの変換方法
および露光データ変換処理装置に係り、特にサブクォー
ターμｍオーダーのパターンを露光するための露光デー
タの変換方法および露光データ変換処理装置に関する。
および露光データ変換処理装置に係り、特にサブクォー
ターμｍオーダーのパターンを露光するための露光デー
タの変換方法および露光データ変換処理装置に関する。
【０００２】電子デバイスの集積度は年々高まり、サブ
クォーターμｍ（〜約０．２５μｍ）デバイスを露光す
る技術が要請されており、電子ビーム露光技術は高解像
度を有する露光技術として知られている。しかし、必要
な寸法精度を確保するためには、近接効果の影響を考慮
しなければならず、サブクォーターμｍパターンに対し
ても有効な近接効果補正方法の開発が望まれている。
クォーターμｍ（〜約０．２５μｍ）デバイスを露光す
る技術が要請されており、電子ビーム露光技術は高解像
度を有する露光技術として知られている。しかし、必要
な寸法精度を確保するためには、近接効果の影響を考慮
しなければならず、サブクォーターμｍパターンに対し
ても有効な近接効果補正方法の開発が望まれている。
【０００３】
【従来の技術】近接効果とは、電子ビームを照射した場
合、照射されたレジストや基板等からの反射電子によ
り、近接した図形パターンのみかけ上の露光量が増加
し、微細な線が描画しにくくなる効果のことをいう。電
子ビーム露光等では、後方（電子ビームの照射方向とは
逆方向）への散乱は広範囲に広がってゆくため前方（電
子ビームの照射方向）への散乱よりも与える影響度が大
きくなる。したがって、露光パターンが近接すると散乱
した電子のにじみによって、露光させるべきでない領域
も露光され、コントラストの低下を招くこととなる。
合、照射されたレジストや基板等からの反射電子によ
り、近接した図形パターンのみかけ上の露光量が増加
し、微細な線が描画しにくくなる効果のことをいう。電
子ビーム露光等では、後方（電子ビームの照射方向とは
逆方向）への散乱は広範囲に広がってゆくため前方（電
子ビームの照射方向）への散乱よりも与える影響度が大
きくなる。したがって、露光パターンが近接すると散乱
した電子のにじみによって、露光させるべきでない領域
も露光され、コントラストの低下を招くこととなる。
【０００４】上記近接効果の補正方法として、従来、前
方散乱、後方散乱を表す２つの指数関数の和（近接効果
関数）によって、露光パターン内及び露光パターン間の
近接効果の影響を考慮して露光量（電子ビームの照射
量）を決める方法がよく用いられている（例えば、「[C
orrections to proximity effectss in electron beaml
ithography] ,M.Parikh:j.Appl.Phys. 50(6),June 1979
」参照。）。この場合において、露光量変化に対する
パターン寸法変化量を小さくするため、ポジレジストを
用いる場合に垂直な断面形状を得るため、あるいはネガ
レジストを用いる場合に所望の残膜を得るため等には、
図６に示すように、露光量と逆比例する露光強度Ｆ
（Ｘ）の変化に対して、パターン中心からの距離Ｘが変
化しない位置で露光を行うことが望ましく、露光強度曲
線を用いてパターン中心からの距離がＡ点のような位置
で必要なパターン寸法が得られるように寸法シフト量、
すなわち、所望のパターンの寸法を得るために設計パタ
ーンの寸法から減少、あるいは増加させるべき寸法のず
らし量を決定している（詳細は、「[Proximity effect
correction for negative resist in erectron beam l
ithography],N.Nakayama et.al.:Internationsal Confe
rence on Electron & Beam Science & Technology1981
」を参照。）。
方散乱、後方散乱を表す２つの指数関数の和（近接効果
関数）によって、露光パターン内及び露光パターン間の
近接効果の影響を考慮して露光量（電子ビームの照射
量）を決める方法がよく用いられている（例えば、「[C
orrections to proximity effectss in electron beaml
ithography] ,M.Parikh:j.Appl.Phys. 50(6),June 1979
」参照。）。この場合において、露光量変化に対する
パターン寸法変化量を小さくするため、ポジレジストを
用いる場合に垂直な断面形状を得るため、あるいはネガ
レジストを用いる場合に所望の残膜を得るため等には、
図６に示すように、露光量と逆比例する露光強度Ｆ
（Ｘ）の変化に対して、パターン中心からの距離Ｘが変
化しない位置で露光を行うことが望ましく、露光強度曲
線を用いてパターン中心からの距離がＡ点のような位置
で必要なパターン寸法が得られるように寸法シフト量、
すなわち、所望のパターンの寸法を得るために設計パタ
ーンの寸法から減少、あるいは増加させるべき寸法のず
らし量を決定している（詳細は、「[Proximity effect
correction for negative resist in erectron beam l
ithography],N.Nakayama et.al.:Internationsal Confe
rence on Electron & Beam Science & Technology1981
」を参照。）。
【０００５】十分な寸法精度を有する露光データを得る
ための露光パターンデータの変換処理を行うためには、
寸法シフト補正処理において、比較的大きな寸法（設計
パターン幅）を有する露光パターンに対しては、図７に
示すように、シフト量を小さくし、小さな寸法を有する
露光パターンに対しては、シフト量を大きくする必要が
ある。具体的には、ポジレジストの場合、比較的大きな
寸法を有する露光パターン、例えば、設計パターン幅が
０．７μｍの場合には、約０．０１μｍ程度寸法を減少
させればよいが、小さな寸法を有する露光パターン、例
えば、設計パターン幅が０．４μｍの場合には、約０．
０８μｍも寸法を減少させる必要がある。 ここで、従
来の設計パターンデータの露光データへの変換処理につ
いて図８を参照して説明する。
ための露光パターンデータの変換処理を行うためには、
寸法シフト補正処理において、比較的大きな寸法（設計
パターン幅）を有する露光パターンに対しては、図７に
示すように、シフト量を小さくし、小さな寸法を有する
露光パターンに対しては、シフト量を大きくする必要が
ある。具体的には、ポジレジストの場合、比較的大きな
寸法を有する露光パターン、例えば、設計パターン幅が
０．７μｍの場合には、約０．０１μｍ程度寸法を減少
させればよいが、小さな寸法を有する露光パターン、例
えば、設計パターン幅が０．４μｍの場合には、約０．
０８μｍも寸法を減少させる必要がある。 ここで、従
来の設計パターンデータの露光データへの変換処理につ
いて図８を参照して説明する。
【０００６】設計パターンデータが入力されると、（ス
テップＳ１０）、まず、反転処理、リダクション（拡
大、縮小）処理、フィールド分割処理および露光を行う
露光装置の持つ基本図形への設計パターンデータの分割
であるパターン分割処理等の図形処理が行われる（ステ
ップＳ１１）。具体的には、入力された設計パターンデ
ータが図８（ｂ）に示すようなものであるとすると、図
形処理により図８（ｃ）に示すように、電子ビーム露光
装置が描画可能な基本図形Ｐ11〜Ｐ15に分割する。
テップＳ１０）、まず、反転処理、リダクション（拡
大、縮小）処理、フィールド分割処理および露光を行う
露光装置の持つ基本図形への設計パターンデータの分割
であるパターン分割処理等の図形処理が行われる（ステ
ップＳ１１）。具体的には、入力された設計パターンデ
ータが図８（ｂ）に示すようなものであるとすると、図
形処理により図８（ｃ）に示すように、電子ビーム露光
装置が描画可能な基本図形Ｐ11〜Ｐ15に分割する。
【０００７】次に、各分割された基本図形毎に寸法を変
更する寸法シフト補正および寸法シフト補正後の各基本
図形の互いの影響を考慮しつつ露光量を補正するＤＯＳ
Ｅ量補正を含む近接効果補正処理を施して（ステップＳ
１２）、露光データを出力する（ステップＳ１３）。具
体的には、図形処理で分割した基本図形Ｐ11〜Ｐ15毎に
寸法シフトを行い、図８（ｄ）の破線で示すようにシフ
ト図形Ｐ’1 〜Ｐ’5を求め、このシフト図形Ｐ’11〜
Ｐ’15毎にＤＯＳＥ量補正を行い、図８（ｅ）に示す露
光データとして出力する。
更する寸法シフト補正および寸法シフト補正後の各基本
図形の互いの影響を考慮しつつ露光量を補正するＤＯＳ
Ｅ量補正を含む近接効果補正処理を施して（ステップＳ
１２）、露光データを出力する（ステップＳ１３）。具
体的には、図形処理で分割した基本図形Ｐ11〜Ｐ15毎に
寸法シフトを行い、図８（ｄ）の破線で示すようにシフ
ト図形Ｐ’1 〜Ｐ’5を求め、このシフト図形Ｐ’11〜
Ｐ’15毎にＤＯＳＥ量補正を行い、図８（ｅ）に示す露
光データとして出力する。
【０００８】
【発明が解決しようとする課題】上記従来の設計パター
ンデータの露光データへの変換処理においては、露光装
置が描画可能な基本図形へのパターン分割処理を行った
後に、個々の基本図形に対する寸法シフト処理を行って
いた。この寸法シフト処理をそのままサブクォークμｍ
デバイスの露光に適用すると従来では問題とならなかっ
た新たな問題点が生じる。つまり、各基本図形の他の隣
接する基本図形との結合部における寸法シフト量が一致
するとは限らないのである。具体的には、図９（ａ）に
示すように、平行四辺形Ｆ1 と長方形Ｆ2 との結合部
分、すなわち、設計データ（図８（ｂ）参照）では長さ
が一致していたはずの辺Ｌ1 と辺Ｌ2 の長さが寸法シフ
ト量が一致しないことにより一致せず、最も寸法精度の
要求される部分で寸法精度が低下してしまっていた。上
述したように元の設計パターンデータにはない凹凸部分
が露光データに生じ、高解像度レジストを用いた場合に
は、パターン形状の劣化をもたらし（図９（ｂ）参
照）、信頼性が低下してしまうという問題点があった。
特に設計寸法ルールが小さいほど、必要とする寸法シフ
ト量が大きいため（図７参照）、凹凸が生じた場合の形
状劣化の度合いが大きいものとなっていた。
ンデータの露光データへの変換処理においては、露光装
置が描画可能な基本図形へのパターン分割処理を行った
後に、個々の基本図形に対する寸法シフト処理を行って
いた。この寸法シフト処理をそのままサブクォークμｍ
デバイスの露光に適用すると従来では問題とならなかっ
た新たな問題点が生じる。つまり、各基本図形の他の隣
接する基本図形との結合部における寸法シフト量が一致
するとは限らないのである。具体的には、図９（ａ）に
示すように、平行四辺形Ｆ1 と長方形Ｆ2 との結合部
分、すなわち、設計データ（図８（ｂ）参照）では長さ
が一致していたはずの辺Ｌ1 と辺Ｌ2 の長さが寸法シフ
ト量が一致しないことにより一致せず、最も寸法精度の
要求される部分で寸法精度が低下してしまっていた。上
述したように元の設計パターンデータにはない凹凸部分
が露光データに生じ、高解像度レジストを用いた場合に
は、パターン形状の劣化をもたらし（図９（ｂ）参
照）、信頼性が低下してしまうという問題点があった。
特に設計寸法ルールが小さいほど、必要とする寸法シフ
ト量が大きいため（図７参照）、凹凸が生じた場合の形
状劣化の度合いが大きいものとなっていた。
【０００９】そこで、本発明の目的は、高寸法精度でか
つ信頼性の高い露光データ変換処理方法および露光デー
タ変換装置を提供することにある。
つ信頼性の高い露光データ変換処理方法および露光デー
タ変換装置を提供することにある。
【００１０】
【課題を解決するための手段】上記課題を解決するた
め、第１の発明は、図１の原理説明図に示すように、入
力された設計パターンデータによる設計パターンの寸法
に対して寸法シフトを行う場合に近接効果を同時に考慮
すべき複数の寸法のうち、最も寸法精度を要求される寸
法の寸法シフト量を求め、求めた寸法シフト量で前記同
時に考慮すべき複数の寸法の寸法シフト処理を行いシフ
トパターンデータを求める寸法シフト処理工程Ｓ１００
と、前記シフトパターンデータで表される図形を予め定
めた基本図形に分割する図形処理工程Ｓ２００と、前記
分割された基本図形毎に露光量データを求め、さらに前
記各基本図形毎の露光量データに基づく露光を行った場
合の相互の影響を考慮して前記露光量データを補正し露
光データを求める露光量補正工程Ｓ３００と、を備えて
構成する。
め、第１の発明は、図１の原理説明図に示すように、入
力された設計パターンデータによる設計パターンの寸法
に対して寸法シフトを行う場合に近接効果を同時に考慮
すべき複数の寸法のうち、最も寸法精度を要求される寸
法の寸法シフト量を求め、求めた寸法シフト量で前記同
時に考慮すべき複数の寸法の寸法シフト処理を行いシフ
トパターンデータを求める寸法シフト処理工程Ｓ１００
と、前記シフトパターンデータで表される図形を予め定
めた基本図形に分割する図形処理工程Ｓ２００と、前記
分割された基本図形毎に露光量データを求め、さらに前
記各基本図形毎の露光量データに基づく露光を行った場
合の相互の影響を考慮して前記露光量データを補正し露
光データを求める露光量補正工程Ｓ３００と、を備えて
構成する。
【００１１】また、第２の発明の露光データ変換装置１
０は、図２の原理説明図に示すように、入力された設計
パターンデータＰＤINによる設計パターンの寸法に対し
て寸法シフトを行う場合に近接効果を同時に考慮すべき
複数の寸法のうち、最も寸法精度を要求される寸法の寸
法シフト量を求め、求めた寸法シフト量で前記同時に考
慮すべき複数の寸法の寸法シフト処理を行いシフトパタ
ーンデータＳＰＤを生成し、出力する寸法シフト処理手
段２０と、シフトパターンデータＳＰＤで表される図形
を予め定めた基本図形に分割して基本図形パターンデー
タＰＤF として出力する図形処理手段と、基本図形パタ
ーンデータＰＤF 毎に露光量データを求め、さらに各基
本図形パターンデータＰＤF 毎の露光量データに基づく
露光を行った場合の各基本図形相互の影響を考慮して露
光量データを補正して露光データＥＤとして出力する露
光量補正手段４０と、を備えて構成する。
０は、図２の原理説明図に示すように、入力された設計
パターンデータＰＤINによる設計パターンの寸法に対し
て寸法シフトを行う場合に近接効果を同時に考慮すべき
複数の寸法のうち、最も寸法精度を要求される寸法の寸
法シフト量を求め、求めた寸法シフト量で前記同時に考
慮すべき複数の寸法の寸法シフト処理を行いシフトパタ
ーンデータＳＰＤを生成し、出力する寸法シフト処理手
段２０と、シフトパターンデータＳＰＤで表される図形
を予め定めた基本図形に分割して基本図形パターンデー
タＰＤF として出力する図形処理手段と、基本図形パタ
ーンデータＰＤF 毎に露光量データを求め、さらに各基
本図形パターンデータＰＤF 毎の露光量データに基づく
露光を行った場合の各基本図形相互の影響を考慮して露
光量データを補正して露光データＥＤとして出力する露
光量補正手段４０と、を備えて構成する。
【００１２】
【作用】第１の発明によれば、寸法シフト処理工程Ｓ１
００は、入力された設計パターンデータによる設計パタ
ーンの寸法に対して寸法シフトを行う場合に近接効果を
同時に考慮すべき複数の寸法のうち、最も寸法精度を要
求される寸法の寸法シフト量を求め、求めた寸法シフト
量で前記同時に考慮すべき複数の寸法の寸法シフト処理
を行いシフトパターンデータを求め、図形処理工程Ｓ２
００に移行する。図形処理工程Ｓ２００は、求められた
シフトパターンデータで表される図形をあらかじめ定め
た基本図形に分割し、露光量補正工程Ｓ３００に移行す
る。露光量補正工程Ｓ３００は、分割された基本図形毎
に露光量データを求め、さらに各基本図形毎の露光量デ
ータに基づく露光を行った場合の相互の影響を考慮して
露光量データを補正し、露光データを求める。
００は、入力された設計パターンデータによる設計パタ
ーンの寸法に対して寸法シフトを行う場合に近接効果を
同時に考慮すべき複数の寸法のうち、最も寸法精度を要
求される寸法の寸法シフト量を求め、求めた寸法シフト
量で前記同時に考慮すべき複数の寸法の寸法シフト処理
を行いシフトパターンデータを求め、図形処理工程Ｓ２
００に移行する。図形処理工程Ｓ２００は、求められた
シフトパターンデータで表される図形をあらかじめ定め
た基本図形に分割し、露光量補正工程Ｓ３００に移行す
る。露光量補正工程Ｓ３００は、分割された基本図形毎
に露光量データを求め、さらに各基本図形毎の露光量デ
ータに基づく露光を行った場合の相互の影響を考慮して
露光量データを補正し、露光データを求める。
【００１３】したがって、設計パターンデータで表され
る図形を基本図形に分割する前に寸法シフト処理を行う
ため、設計パターンデータにはない不要な凹凸が露光デ
ータに生じないため、高寸法精度で高信頼性の露光デー
タを得ることができる。
る図形を基本図形に分割する前に寸法シフト処理を行う
ため、設計パターンデータにはない不要な凹凸が露光デ
ータに生じないため、高寸法精度で高信頼性の露光デー
タを得ることができる。
【００１４】また、第２の発明によれば、寸法シフト処
理手段２０は、入力された設計パターンデータＰＤINに
よる設計パターンの寸法に対して寸法シフトを行う場合
に近接効果を同時に考慮すべき複数の寸法のうち、最も
寸法精度を要求される寸法の寸法シフト量を求め、求め
た寸法シフト量で同時に考慮すべき複数の寸法の寸法シ
フト処理を行いシフトパターンデータＳＰＤを生成し、
図形処理手段３０に出力する。図形処理手段３０は、シ
フトパターンデータＳＰＤで表される図形を予め定めた
基本図形に分割して基本図形パターンデータＰＤF とし
て露光量補正手段４０に出力する。露光量補正手段４０
は、基本図形パターンデータＰＤF 毎に露光量データを
求め、さらに前記各基本図形パターンデータ毎の露光量
データに基づく露光を行った場合の各基本図形相互の影
響を考慮して露光量データを補正して露光データＥＤと
して出力する。
理手段２０は、入力された設計パターンデータＰＤINに
よる設計パターンの寸法に対して寸法シフトを行う場合
に近接効果を同時に考慮すべき複数の寸法のうち、最も
寸法精度を要求される寸法の寸法シフト量を求め、求め
た寸法シフト量で同時に考慮すべき複数の寸法の寸法シ
フト処理を行いシフトパターンデータＳＰＤを生成し、
図形処理手段３０に出力する。図形処理手段３０は、シ
フトパターンデータＳＰＤで表される図形を予め定めた
基本図形に分割して基本図形パターンデータＰＤF とし
て露光量補正手段４０に出力する。露光量補正手段４０
は、基本図形パターンデータＰＤF 毎に露光量データを
求め、さらに前記各基本図形パターンデータ毎の露光量
データに基づく露光を行った場合の各基本図形相互の影
響を考慮して露光量データを補正して露光データＥＤと
して出力する。
【００１５】したがって、設計パターンデータＰＤINで
表される図形を基本図形パターンデータＰＤF に分割す
る前に寸法シフト処理を行うため、露光データＥＤには
元の設計パターンデータにはなかった凹凸が生じること
はなく、高寸法精度で高信頼性の露光データを得ること
ができる。
表される図形を基本図形パターンデータＰＤF に分割す
る前に寸法シフト処理を行うため、露光データＥＤには
元の設計パターンデータにはなかった凹凸が生じること
はなく、高寸法精度で高信頼性の露光データを得ること
ができる。
【００１６】
【実施例】次に図３乃至図７を参照して本発明の実施例
を説明する。図３に本実施例の露光データ変換装置の概
要構成を示す。
を説明する。図３に本実施例の露光データ変換装置の概
要構成を示す。
【００１７】露光データ変換装置１は、設計パターンデ
ータや露光データ等の各種データを記憶する磁気ディス
ク装置等の外部記憶装置２と、設計装置６又は磁気テー
プ等の記憶媒体７により外部から与えられる設計パター
ンデータＰＤINに対して、寸法シフト処理を施しシフト
パターンデータＳＰＤとして出力する寸法シフト処理部
３と、シフトパターンデータＳＰＤに図形処理を行いシ
フトパターン図形データＳＰＦとして出力する図形処理
部４と、シフトパターン図形データＳＰＦのそれぞれに
対して露光量データを求め、求めた露光量データに対し
て近接効果を補正して露光データＥＤとして外部の電子
ビーム描画装置８に出力する露光量補正処理部５と、を
備えて構成される。
ータや露光データ等の各種データを記憶する磁気ディス
ク装置等の外部記憶装置２と、設計装置６又は磁気テー
プ等の記憶媒体７により外部から与えられる設計パター
ンデータＰＤINに対して、寸法シフト処理を施しシフト
パターンデータＳＰＤとして出力する寸法シフト処理部
３と、シフトパターンデータＳＰＤに図形処理を行いシ
フトパターン図形データＳＰＦとして出力する図形処理
部４と、シフトパターン図形データＳＰＦのそれぞれに
対して露光量データを求め、求めた露光量データに対し
て近接効果を補正して露光データＥＤとして外部の電子
ビーム描画装置８に出力する露光量補正処理部５と、を
備えて構成される。
【００１８】次に図４乃至図７を参照して動作について
説明する。露光データ変換装置１に設計パターンデータ
ＰＤINが入力されると、（ステップＳ１）、まず、寸法
シフト処理部３は、クリティカルディメンションに応じ
た一様な寸法シフトを施し（ステップＳ２）、図４
（ｃ）に破線で示すシフトパターンデータＳＰＤとして
出力する。例えば、図５に示すように、一辺１０μｍの
正方形の２つの領域AREA1 、AREA2 の間に０．５μｍの
配線PATHを設ける場合を考える。これら２つの領域AREA
1 、AREA2 および配線PATHは同時に近接効果を考慮する
必要が有る。すなわち、配線PATHの寸法を確実に確保
し、領域AREA1 、AREA2 の寸法精度はあまり要求されな
い場合を考慮すると、この場合配線PATHの寸法０．５μ
ｍがクリティカルディメンションに相当し、０．５μｍ
の配線PATHが確実に確保されるようなシフト量を領域AR
EA1 、AREA2 および配線PATHに一様に（例えば、すべて
０．０１μｍのシフト量とする。）設定する。
説明する。露光データ変換装置１に設計パターンデータ
ＰＤINが入力されると、（ステップＳ１）、まず、寸法
シフト処理部３は、クリティカルディメンションに応じ
た一様な寸法シフトを施し（ステップＳ２）、図４
（ｃ）に破線で示すシフトパターンデータＳＰＤとして
出力する。例えば、図５に示すように、一辺１０μｍの
正方形の２つの領域AREA1 、AREA2 の間に０．５μｍの
配線PATHを設ける場合を考える。これら２つの領域AREA
1 、AREA2 および配線PATHは同時に近接効果を考慮する
必要が有る。すなわち、配線PATHの寸法を確実に確保
し、領域AREA1 、AREA2 の寸法精度はあまり要求されな
い場合を考慮すると、この場合配線PATHの寸法０．５μ
ｍがクリティカルディメンションに相当し、０．５μｍ
の配線PATHが確実に確保されるようなシフト量を領域AR
EA1 、AREA2 および配線PATHに一様に（例えば、すべて
０．０１μｍのシフト量とする。）設定する。
【００１９】次に、図形処理部４は、シフトパターンデ
ータＳＰＤに対し図形処理を行う（ステップＳ３）。た
とえば、マスクやレチクルを露光する際に必要なミラー
反転等の反転処理や、リダクション（拡大、縮小）処理
を行う。つづいて、電子ビーム描画装置等の露光装置
は、ビームの走査だけで露光を行える領域（フィール
ド）が定まっているため、シフトパターンデータＳＰＤ
を必要なフィールドに分割するフィールド分割処理を行
う。さらに露光を行う電子ビーム描画装置（露光装置）
８で描画可能な基本図形への設計パターンデータＰＤIN
（あるいはシフトパターンデータＳＰＤ）で表される図
形の分割であるパターン分割処理を行う。
ータＳＰＤに対し図形処理を行う（ステップＳ３）。た
とえば、マスクやレチクルを露光する際に必要なミラー
反転等の反転処理や、リダクション（拡大、縮小）処理
を行う。つづいて、電子ビーム描画装置等の露光装置
は、ビームの走査だけで露光を行える領域（フィール
ド）が定まっているため、シフトパターンデータＳＰＤ
を必要なフィールドに分割するフィールド分割処理を行
う。さらに露光を行う電子ビーム描画装置（露光装置）
８で描画可能な基本図形への設計パターンデータＰＤIN
（あるいはシフトパターンデータＳＰＤ）で表される図
形の分割であるパターン分割処理を行う。
【００２０】これらの図形処理が終了すると、図形処理
部４は処理後のシフトパターンデータＳＰＤをシフトパ
ターン図形データＳＰＦとして出力する。例えば、入力
された設計パターンデータＰＤINで表される図形が図４
（ｃ）に示すようなものであるとすると、図形処理によ
り図４（ｄ）に示すように、電子ビーム描画装置８が描
画可能な基本図形Ｐ1 〜Ｐ5 に分割したものをシフトパ
ターン図形データＳＰＦとして出力する。
部４は処理後のシフトパターンデータＳＰＤをシフトパ
ターン図形データＳＰＦとして出力する。例えば、入力
された設計パターンデータＰＤINで表される図形が図４
（ｃ）に示すようなものであるとすると、図形処理によ
り図４（ｄ）に示すように、電子ビーム描画装置８が描
画可能な基本図形Ｐ1 〜Ｐ5 に分割したものをシフトパ
ターン図形データＳＰＦとして出力する。
【００２１】次に、露光量補正処理部５は、各分割され
たシフトパターン図形データＳＰＦである基本図形Ｐ1
〜Ｐ5 毎にその面積、形状等から実際の露光量を求め
る。次に、ステップＳ２の処理で施した一様な寸法シフ
ト量を基本図形Ｐ1 〜Ｐ5 毎に考慮しつつ、各基本図形
Ｐ1 〜Ｐ5 の互いの影響を考慮して露光量を補正するた
めのＤＯＳＥ量補正を施し（ステップＳ４）、露光デー
タＥＤとして電子ビーム描画装置８に直接出力し、ある
いは、外部記憶装置２に出力して記憶する（ステップＳ
５）。すなわち、図４（ｅ）に示すように図形処理で分
割した基本図形Ｐ 2 〜Ｐ4 毎に寸法シフト前の各図形
Ｐ’2 〜Ｐ’4 の辺上（例えば、点ｓ1 。）、中心（あ
るいは重心。例えば、点ｓ2 。）、頂点（例えば、点ｓ
3 。）等に露光量を評価するためのサンプル点を設けて
ＤＯＳＥ量補正を行い、図４（ｆ）に示す露光データと
して出力する。このＤＯＳＥ量補正は、例えば、図形Ｐ
2 の４辺の中点にサンプル点を設けた場合には、各サン
プル点における露光量を求め、それらの算術平均を求め
ること等により行う。
たシフトパターン図形データＳＰＦである基本図形Ｐ1
〜Ｐ5 毎にその面積、形状等から実際の露光量を求め
る。次に、ステップＳ２の処理で施した一様な寸法シフ
ト量を基本図形Ｐ1 〜Ｐ5 毎に考慮しつつ、各基本図形
Ｐ1 〜Ｐ5 の互いの影響を考慮して露光量を補正するた
めのＤＯＳＥ量補正を施し（ステップＳ４）、露光デー
タＥＤとして電子ビーム描画装置８に直接出力し、ある
いは、外部記憶装置２に出力して記憶する（ステップＳ
５）。すなわち、図４（ｅ）に示すように図形処理で分
割した基本図形Ｐ 2 〜Ｐ4 毎に寸法シフト前の各図形
Ｐ’2 〜Ｐ’4 の辺上（例えば、点ｓ1 。）、中心（あ
るいは重心。例えば、点ｓ2 。）、頂点（例えば、点ｓ
3 。）等に露光量を評価するためのサンプル点を設けて
ＤＯＳＥ量補正を行い、図４（ｆ）に示す露光データと
して出力する。このＤＯＳＥ量補正は、例えば、図形Ｐ
2 の４辺の中点にサンプル点を設けた場合には、各サン
プル点における露光量を求め、それらの算術平均を求め
ること等により行う。
【００２２】上述したように、本実施例によれば、始め
にクリティカルディメンションに応じた一様な寸法シフ
ト補正を施し、その後に図形処理を行っているので、最
終的な露光データに設計パターンデータにはなかった凹
凸部分が生じることがないため、大きなパターンからサ
ブクォーターμｍオーダーの超微細パターンまで、高精
度で信頼性の高い露光データを得ることができ、高精度
で形状劣化のないパターン形成が可能となる。
にクリティカルディメンションに応じた一様な寸法シフ
ト補正を施し、その後に図形処理を行っているので、最
終的な露光データに設計パターンデータにはなかった凹
凸部分が生じることがないため、大きなパターンからサ
ブクォーターμｍオーダーの超微細パターンまで、高精
度で信頼性の高い露光データを得ることができ、高精度
で形状劣化のないパターン形成が可能となる。
【００２３】
【発明の効果】第１の発明によれば、設計パターンデー
タを基本図形に分割する前に寸法シフト処理を行うた
め、各基本図形毎に異なる寸法シフト量に起因する設計
パターンデータにはない不要な凹凸が生じることがな
く、高寸法精度で高信頼性の露光データを得ることがで
きる。
タを基本図形に分割する前に寸法シフト処理を行うた
め、各基本図形毎に異なる寸法シフト量に起因する設計
パターンデータにはない不要な凹凸が生じることがな
く、高寸法精度で高信頼性の露光データを得ることがで
きる。
【００２４】また、第２の発明によれば、設計パターン
データを基本図形パターンデータに分割する前に寸法シ
フト処理を行うため、露光データには元の設計パターン
データにはなかった凹凸が生じることはなく、高寸法精
度で高信頼性の露光データを得ることができ、電子ビー
ム描画装置等を用いて高精度で形状劣化のないパターン
形成を行うことができる。
データを基本図形パターンデータに分割する前に寸法シ
フト処理を行うため、露光データには元の設計パターン
データにはなかった凹凸が生じることはなく、高寸法精
度で高信頼性の露光データを得ることができ、電子ビー
ム描画装置等を用いて高精度で形状劣化のないパターン
形成を行うことができる。
【図１】第１の発明の原理説明図である。
【図２】第２の発明の原理説明図である。
【図３】実施例の装置構成を示すブロック図である。
【図４】実施例の処理を説明する図である。
【図５】実施例の動作を説明する図である。
【図６】露光強度関数を説明する図である。
【図７】寸法シフト量を説明する図である。
【図８】従来の処理を説明する図である。
【図９】従来の問題点を説明する図である。 符号の説明 １…露光データ変換装置 ２…外部記憶装置 ３…寸法シフト処理部 ４…図形処理部 ５…露光量補正部 ６…設計装置 ７…記憶媒体 ８…電子ビーム描画装置 １０…露光データ変換装置 ２０…寸法シフト処理手段 ３０…図形処理手段 ４０…露光量補正手段 Ｓ１００…寸法シフト処理工程 Ｓ２００…図形処理工程 Ｓ３００…露光量補正処理工程 ＰＤIN…設計パターンデータ ＳＰＤ…シフトパターンデータ ＰＤF …基本図形パターンデータ ＳＰＦ…シフトパターン図形データ ＥＤ…露光データ
───────────────────────────────────────────────────── フロントページの続き (51)Int.Cl.5 識別記号 庁内整理番号 ＦＩ 技術表示箇所 Ｈ０１Ｊ 37/305 9172−5Ｅ
Claims (4)
- 【請求項１】 入力された設計パターンデータによる設
計パターンの寸法に対して寸法シフトを行う場合に近接
効果を同時に考慮すべき複数の寸法のうち、最も寸法精
度を要求される寸法の寸法シフト量を求め、求めた寸法
シフト量で前記同時に考慮すべき複数の寸法の寸法シフ
ト処理を行いシフトパターンデータを求める寸法シフト
処理工程（Ｓ１００）と、 前記シフトパターンデータで表される図形を予め定めた
基本図形に分割する図形処理工程（Ｓ２００）と、 前記分割された基本図形毎に露光量データを求め、さら
に前記各基本図形毎の露光量データに基づく露光を行っ
た場合の各基本図形相互の影響を考慮して前記露光量デ
ータを補正し、露光データを求める露光量補正工程（Ｓ
３００）と、 を備えたことを特徴とする露光データ変換方法。 - 【請求項２】 請求項１記載の露光データ変換方法にお
いて、 前記露光量補正工程は、前記設計パターンデータで表さ
れる図形を基本図形に分割した場合の各基本図形上に露
光量を評価するサンプル点を設け、当該サンプル点の露
光量に基づいて前記露光量補正を行うことを特徴とする
露光データ変換方法。 - 【請求項３】 入力された設計パターンデータ（Ｐ
ＤIN）による設計パターンの寸法に対して寸法シフトを
行う場合に近接効果を同時に考慮すべき複数の寸法のう
ち、最も寸法精度を要求される寸法の寸法シフト量を求
め、求めた寸法シフト量で前記同時に考慮すべき複数の
寸法の寸法シフト処理を行いシフトパターンデータ（Ｓ
ＰＤ）を生成し出力する寸法シフト処理手段（２０）
と、 前記シフトパターンデータ（ＳＰＤ）で表される図形を
あらかじめ定めた基本図形に分割して基本図形パターン
データとして出力する図形処理手段（３０）と、 前記基本図形パターンデータ（ＰＤF ）毎に露光量デー
タを求め、さらに前記各基本図形パターンデータ（ＰＤ
F ）毎の露光量データに基づく露光を行った場合の相互
の影響を考慮して前記露光量データを補正して露光デー
タ（ＥＤ）として出力する露光量補正手段（４０）と、 を備えたことを特徴とする露光データ変換装置。 - 【請求項４】 請求項３記載の露光データ変換装置にお
いて、 前記露光量補正手段（４０）は、前記設計パターンデー
タで表される図形を基本図形に分割した場合の各基本図
形上に露光量を評価するサンプル点を設け、当該サンプ
ル点の露光量に基づいて前記露光量補正を行うサンプル
点補正手段を備えたことを特徴とする露光データ変換装
置。
Priority Applications (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP4159755A JPH065502A (ja) | 1992-06-18 | 1992-06-18 | 露光データ変換方法および露光データ変換装置 |
Applications Claiming Priority (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP4159755A JPH065502A (ja) | 1992-06-18 | 1992-06-18 | 露光データ変換方法および露光データ変換装置 |
Publications (1)
| Publication Number | Publication Date |
|---|---|
| JPH065502A true JPH065502A (ja) | 1994-01-14 |
Family
ID=15700555
Family Applications (1)
| Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
|---|---|---|---|
| JP4159755A Withdrawn JPH065502A (ja) | 1992-06-18 | 1992-06-18 | 露光データ変換方法および露光データ変換装置 |
Country Status (1)
| Country | Link |
|---|---|
| JP (1) | JPH065502A (ja) |
Cited By (3)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| KR100393129B1 (ko) * | 1997-01-28 | 2003-10-24 | 어플라이드 머티어리얼스, 인코포레이티드 | 패턴발생에서근접효과의런타임보정을위한방법및장치 |
| JP2006120682A (ja) * | 2004-10-19 | 2006-05-11 | Fujitsu Ltd | 描画データ作成方法及び描画データ作成プログラム |
| JP2018531423A (ja) * | 2015-10-07 | 2018-10-25 | アセルタ ナノグラフィクス | 整合手順によってｉｃ製造プロセスに適用されるドーズ補正を判断するための方法 |
-
1992
- 1992-06-18 JP JP4159755A patent/JPH065502A/ja not_active Withdrawn
Cited By (4)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| KR100393129B1 (ko) * | 1997-01-28 | 2003-10-24 | 어플라이드 머티어리얼스, 인코포레이티드 | 패턴발생에서근접효과의런타임보정을위한방법및장치 |
| JP2006120682A (ja) * | 2004-10-19 | 2006-05-11 | Fujitsu Ltd | 描画データ作成方法及び描画データ作成プログラム |
| JP2018531423A (ja) * | 2015-10-07 | 2018-10-25 | アセルタ ナノグラフィクス | 整合手順によってｉｃ製造プロセスに適用されるドーズ補正を判断するための方法 |
| JP2020160464A (ja) * | 2015-10-07 | 2020-10-01 | アセルタ ナノグラフィクス | 整合手順によってｉｃ製造プロセスに適用されるドーズ補正を決定するための方法 |
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Legal Events
| Date | Code | Title | Description |
|---|---|---|---|
| A300 | Application deemed to be withdrawn because no request for examination was validly filed |
Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: A300 Effective date: 19990831 |