JPH0336405B2 - - Google Patents
Info
- Publication number
- JPH0336405B2 JPH0336405B2 JP59108379A JP10837984A JPH0336405B2 JP H0336405 B2 JPH0336405 B2 JP H0336405B2 JP 59108379 A JP59108379 A JP 59108379A JP 10837984 A JP10837984 A JP 10837984A JP H0336405 B2 JPH0336405 B2 JP H0336405B2
- Authority
- JP
- Japan
- Prior art keywords
- substrate
- optical
- present
- electrical
- waveguide
- Prior art date
- Legal status (The legal status is an assumption and is not a legal conclusion. Google has not performed a legal analysis and makes no representation as to the accuracy of the status listed.)
- Expired - Lifetime
Links
Classifications
-
- G—PHYSICS
- G02—OPTICS
- G02B—OPTICAL ELEMENTS, SYSTEMS OR APPARATUS
- G02B6/00—Light guides; Structural details of arrangements comprising light guides and other optical elements, e.g. couplings
- G02B6/24—Coupling light guides
- G02B6/42—Coupling light guides with opto-electronic elements
- G02B6/4201—Packages, e.g. shape, construction, internal or external details
- G02B6/4202—Packages, e.g. shape, construction, internal or external details for coupling an active element with fibres without intermediate optical elements, e.g. fibres with plane ends, fibres with shaped ends, bundles
-
- H—ELECTRICITY
- H10—SEMICONDUCTOR DEVICES; ELECTRIC SOLID-STATE DEVICES NOT OTHERWISE PROVIDED FOR
- H10F—INORGANIC SEMICONDUCTOR DEVICES SENSITIVE TO INFRARED RADIATION, LIGHT, ELECTROMAGNETIC RADIATION OF SHORTER WAVELENGTH OR CORPUSCULAR RADIATION
- H10F55/00—Radiation-sensitive semiconductor devices covered by groups H10F10/00, H10F19/00 or H10F30/00 being structurally associated with electric light sources and electrically or optically coupled thereto
Landscapes
- Physics & Mathematics (AREA)
- General Physics & Mathematics (AREA)
- Optics & Photonics (AREA)
- Optical Couplings Of Light Guides (AREA)
- Led Device Packages (AREA)
- Photo Coupler, Interrupter, Optical-To-Optical Conversion Devices (AREA)
- Optical Integrated Circuits (AREA)
Description
〔発明の利用分野〕
本発明は光通信の光伝送モジユール実装基板技
術係り、特に光の受光及び発光素子と光伝送用フ
アイバとを高い光結合効率で接続し、かつ前記素
子ないしは信号の受発信に必要な電気素子を能率
的かつ小型、高密度に搭載するに好適な電気及び
光学回路基板に関する。 〔発明の背景〕 近年、光フアイバを伝送路とした光通信の発達
はめざましく、通信幹線をはじめ、電力、プラン
トオフイスオートメーシヨン（OA）、フアクト
リーオートメーシヨン（FA）構内通信網
（LAN）などへの適用、さらには高度情報通信網
（INS）計画における加入者系伝送システムへの
応用が検討されている。これら通信分野で光通信
の適用において、今後重要であることは、システ
ムを構成する機器、部品などが低廉で、かつモジ
ユールの小型化、組み立ての簡素化、量産技術の
確立が要求される。 従来、これらの伝送モジユールの発光素子とフ
アイバの結合部は個別の球レンズやロツドレンズ
を用いて組み立てていた。しかしこの方法ではレ
ンズとフアイバとの軸合わせや設置に多くの時間
と工数が必要である。またこの方法では、発光素
子、レンズ、フアイバ相互の設置許容誤差が厳し
く、組立作業を著しく困難としている。さらにこ
の方法では、レンズの焦点距離に合わせた一定の
間隔が必要である。このため光軸方向に対する短
小化にはおのずと限界がある。また、発光素子の
駆動や信号の符号化のための電気素子を搭載する
ために別個のスペースが必要である。さらに双方
向通信用には、これに受信系統も付加しなければ
ならない。これらの理由によつて、従来の方法で
は、その組立作業工程は複雑多岐にわたり、量産
性に乏しく、また小型化、低コストをはばんでい
た（特開昭55−117114）。 〔発明の目的〕 本発明の目的は、光の受光及び発光素子と光フ
アイバを容易に結合し、かつ光伝送モジユールや
電気−光学機器等の小型化、生産性の向上、組み
立ての簡素化、低コスト化を図るために電気及び
光学回路素子用基板を提供することにある。 〔発明の概要〕 本発明の特徴はセラミツクス基板にフエースプ
レートまたは光フアイバないしはロツドレンズな
どからなる光の導波部と金属導体からなる電気配
線回路部を設けたことである。このため、光通信
の光伝送モジユールや電気及び光学回路素子の搭
載を必要とする機器において、これらの素子また
は光の伝送路（光フアイバなど）を本発明の基板
に能率的に、かつ小型に直接実装できる。 また本発明基板の特徴は光の導波部として、フ
エースプレートまたは、光フアイバないしはロツ
ドレンズなどの光導波部をセラミツクス基板に埋
設したことである。このため光フアイバと光の受
光及び発光素子との接続・結合を容易にし、また
上記両者間での光の結合効率が高いことにある。
このため、従来の別個の球レンズもロツドレンズ
を用いる結合方法に較べて、同部の組立作業をき
わめて簡素化し、かつ短小化できる。 以下、本発明基板の特徴・構成の主な点を順に
説明する。 光の導波部及び材料 本発明基板の重要特徴である光の導波部の材料
として次の３つをあげることができる。 １ フエースプレート ２ 光フアイバ ３ ロツドレンズ １のフエースプレートとはコア径が約15μm以
下からなるガラスせん維を多数に束ね、これを低
融点ガラスで融着したものである。この融着され
たガラスせん維の束を輪切りにし、切断面を研摩
したものをフエースプレートと呼んでいる。この
ようなフエースプレートを基板に埋設することに
よつて、従来のように球レンズやロツドレンズを
用いず、直接本基板を介して容易に、受発光素子
と光伝送用フアイバを接続して入出光を結合でき
る。また本発明の他の導波材として、光フアイバ
ないしはロツドレンズを使用することができる。 これらフエースプレート、光フアイバ、ロツド
レンズはその材料組成によつて、線熱膨張係数
（以下熱膨張係数と呼ぶ）が異なる。通常はフエ
ーズプレートが80〜100×10-7／℃、光フアイバ
及びロツドレンズ（多成分ガラス等）で35〜80×
10-7／℃である。 基板及び融着材料 本発明基板の重要条件の一つとして次のことが
要求される。これらのことは本発明を生むに至つ
た一連の実験結果によつて明らかとなつた。 (1) 基板材料、光の導波材料及びこれらを接着固
定するための融着材料のそれぞれの熱膨張係数
の差が15×10-7／℃以内であること これは、本発明基板の導波部の埋設（埋込
み）作業工程における加熱・冷却及び実稼働時
における電気及び光学回路素子の発熱による熱
衝撃によつて、本発明の基板にクラツクが発生
することを防ぐためである。第４表は基板材
料、導波材料、融着材料の３者の熱膨張係数の
異なる材料を用いて導波部を埋設実験した結果
である。これで明らかのように、それぞれ、用
いる材料の熱膨張係数が15×10-7／℃以内であ
ればクラツクは発生しない。このため、まず初
めに使用する導波材に近い熱膨張係数の基板材
料の選定を要する。 たとえば、セラミツクス基板は組成・製法に
よつて熱膨張係数が次のように異なつている。 フオルステライト系基板…80〜98×10-7／℃ アルミナ系基板……………65〜80×10-7／℃ ムライト系基板……………40〜50×10-7／℃ ガラスセラミツクス系………30〜100×10-7／
℃ したがつて、埋込む各種導波部材の熱膨張係
数に見合つた基板の熱膨張係数を30〜100×
10-7／℃の範囲で選定することができる。 また、本発明は上記２者の融着材として次の
特性を有することが要求される。 (2) 融着作業温度は700℃以下であること。これ
は、基板と導波部材とを融着するための加熱に
よつて、導波材特性の劣化を防止するためであ
る。 (3) 融着材の融着後の熱膨張係数は基板及び導波
材と熱膨張係数の差が15×10-7／℃以内である
こと。この条件を満たすために本発明基板の融
着材として、次の物質をあげることができる。 １ PbO−ZnO（またはSiO2）−B2O3系ガラスフ
リツト ２ ZnO−B2O3−SiO2（またはV2O5）系ガラス
フリツト ３ SiO2−B2O3−Al2O3−Mgo（またはBao）系
ガラスフリツト これらの物質はそれぞれの組成比を変えること
によつて、融着作業温度を350〜685℃の範囲に、
また熱膨張係数を40〜120×10-7／℃の範囲に変
えることができる。このため各種の熱膨張率の異
なる導波材と基板の接着に適用できる。 基板配線方法 次に本発明のもう一つの構成要素である電気配
線方法について述べる。 電気配線方法は主に厚膜法と薄膜法をとること
ができる厚膜法ではAg−Pd系やその他導電ペー
ストが有効である。また薄膜法では、Cr−Ni（ま
たはCu）−Auより成る導体配線方法が有効であ
る。この配線工程は光の導波部を埋込む前及び後
に実施できる。 以上、本発明による材料及び構造によつて電気
及び光学回路素子を搭載し、これと光伝送に必要
な光フアイバを接続できる。電気及び光学回路素
子基板を得ることができる。また、本発明基板は
セラミツクスを使用しているため(1)抗折強度、(2)
気密性、(3)電気配線性にすぐれている。これらの
特性は本発明基板を実用に供するために重要であ
る。たとえば(1)の強度は15Kg／mm2以上が必要で、
これは本基板のパツケージまたは電気端子用ピン
付時に要求される。(2)の気密性はパツケージの気
密封止を行うに有効である。(3)の電気配線性の良
さは、本基板の量産性、低コスト化、長期寿命
性、信頼性を確保するために有効である。 以下、これまで述べた特徴を得るために、本発
明基板の製造方法を実施例を用いて説明する。 実施例 １（第４表No.１） 第２表No.１のアルミナ系基板にAg−Pd及びAu
系ペーストを用い、第１図のａに示した電気配線
部を印刷した。ここで、Auは電気素子をワイヤ
ボンドするための配線部３に、またAg−Pdは電
気端子用ピン付部の配線部５に用いた。 次に前記印刷済の基板をベルト炉にて、850℃
×10分で焼成し、厚膜による電気配線部をを形成
した。 次に第１表No.１に示したフエースプレートの鏡
面研摩仕上の端面に耐熱性ポリイミド系樹脂をコ
ートし、これを上記基板のスルホール部に挿入し
た。このときフエースプレートは基板に水平にセ
ツトした。 次に第３表No.１に示したPbO−ZnO−B2O3系
低融点ガラスフリツトの固形体（0.5mm角）をフ
エースプレートの周辺に置き465℃×15分で加熱
した。このときガラスフリツトは熔融し、基板の
スルホールとフエースプレートのすきまに滲透す
る。この融着加熱の昇降温度は50℃／ｈで行つ
た。 次に室温まで冷却した前記基板のフエースプレ
ートの光導波部端面にコートしてあるポリイミド
系樹脂を除去したのち、有機溶剤及び水を用い超
音波洗浄器で洗浄して、本発明の電気及び光学回
路素子基板を得た。 このようにして得た本発明の基板は、たとえば
光フアイバを用いる光通信の光伝送用モジユール
の実装用基板に供することができる。これについ
ては後にまとめて述べる。 実施例 ２（第４表No.２） 第２表No.１に示したアルミナ系基板に第１表No.
３に示したフエースプレートを第３表No.２のPbO
−B2O3−ZnO系低融点ガラスフリツトを用い、
実施例１と同様の方法で電気配線部を形成したの
ち、光の導波部（フエースプレート）を埋込ん
だ。この導波部の埋込むための融着加熱は500℃
×20分、昇降温度速度は50℃／ｈで行つた。 このようにして得た本発明基板は光通信用、双
方向用モジユールの実装用基板に供することがで
きる。これについても後にまとめて述べる。
術係り、特に光の受光及び発光素子と光伝送用フ
アイバとを高い光結合効率で接続し、かつ前記素
子ないしは信号の受発信に必要な電気素子を能率
的かつ小型、高密度に搭載するに好適な電気及び
光学回路基板に関する。 〔発明の背景〕 近年、光フアイバを伝送路とした光通信の発達
はめざましく、通信幹線をはじめ、電力、プラン
トオフイスオートメーシヨン（OA）、フアクト
リーオートメーシヨン（FA）構内通信網
（LAN）などへの適用、さらには高度情報通信網
（INS）計画における加入者系伝送システムへの
応用が検討されている。これら通信分野で光通信
の適用において、今後重要であることは、システ
ムを構成する機器、部品などが低廉で、かつモジ
ユールの小型化、組み立ての簡素化、量産技術の
確立が要求される。 従来、これらの伝送モジユールの発光素子とフ
アイバの結合部は個別の球レンズやロツドレンズ
を用いて組み立てていた。しかしこの方法ではレ
ンズとフアイバとの軸合わせや設置に多くの時間
と工数が必要である。またこの方法では、発光素
子、レンズ、フアイバ相互の設置許容誤差が厳し
く、組立作業を著しく困難としている。さらにこ
の方法では、レンズの焦点距離に合わせた一定の
間隔が必要である。このため光軸方向に対する短
小化にはおのずと限界がある。また、発光素子の
駆動や信号の符号化のための電気素子を搭載する
ために別個のスペースが必要である。さらに双方
向通信用には、これに受信系統も付加しなければ
ならない。これらの理由によつて、従来の方法で
は、その組立作業工程は複雑多岐にわたり、量産
性に乏しく、また小型化、低コストをはばんでい
た（特開昭55−117114）。 〔発明の目的〕 本発明の目的は、光の受光及び発光素子と光フ
アイバを容易に結合し、かつ光伝送モジユールや
電気−光学機器等の小型化、生産性の向上、組み
立ての簡素化、低コスト化を図るために電気及び
光学回路素子用基板を提供することにある。 〔発明の概要〕 本発明の特徴はセラミツクス基板にフエースプ
レートまたは光フアイバないしはロツドレンズな
どからなる光の導波部と金属導体からなる電気配
線回路部を設けたことである。このため、光通信
の光伝送モジユールや電気及び光学回路素子の搭
載を必要とする機器において、これらの素子また
は光の伝送路（光フアイバなど）を本発明の基板
に能率的に、かつ小型に直接実装できる。 また本発明基板の特徴は光の導波部として、フ
エースプレートまたは、光フアイバないしはロツ
ドレンズなどの光導波部をセラミツクス基板に埋
設したことである。このため光フアイバと光の受
光及び発光素子との接続・結合を容易にし、また
上記両者間での光の結合効率が高いことにある。
このため、従来の別個の球レンズもロツドレンズ
を用いる結合方法に較べて、同部の組立作業をき
わめて簡素化し、かつ短小化できる。 以下、本発明基板の特徴・構成の主な点を順に
説明する。 光の導波部及び材料 本発明基板の重要特徴である光の導波部の材料
として次の３つをあげることができる。 １ フエースプレート ２ 光フアイバ ３ ロツドレンズ １のフエースプレートとはコア径が約15μm以
下からなるガラスせん維を多数に束ね、これを低
融点ガラスで融着したものである。この融着され
たガラスせん維の束を輪切りにし、切断面を研摩
したものをフエースプレートと呼んでいる。この
ようなフエースプレートを基板に埋設することに
よつて、従来のように球レンズやロツドレンズを
用いず、直接本基板を介して容易に、受発光素子
と光伝送用フアイバを接続して入出光を結合でき
る。また本発明の他の導波材として、光フアイバ
ないしはロツドレンズを使用することができる。 これらフエースプレート、光フアイバ、ロツド
レンズはその材料組成によつて、線熱膨張係数
（以下熱膨張係数と呼ぶ）が異なる。通常はフエ
ーズプレートが80〜100×10-7／℃、光フアイバ
及びロツドレンズ（多成分ガラス等）で35〜80×
10-7／℃である。 基板及び融着材料 本発明基板の重要条件の一つとして次のことが
要求される。これらのことは本発明を生むに至つ
た一連の実験結果によつて明らかとなつた。 (1) 基板材料、光の導波材料及びこれらを接着固
定するための融着材料のそれぞれの熱膨張係数
の差が15×10-7／℃以内であること これは、本発明基板の導波部の埋設（埋込
み）作業工程における加熱・冷却及び実稼働時
における電気及び光学回路素子の発熱による熱
衝撃によつて、本発明の基板にクラツクが発生
することを防ぐためである。第４表は基板材
料、導波材料、融着材料の３者の熱膨張係数の
異なる材料を用いて導波部を埋設実験した結果
である。これで明らかのように、それぞれ、用
いる材料の熱膨張係数が15×10-7／℃以内であ
ればクラツクは発生しない。このため、まず初
めに使用する導波材に近い熱膨張係数の基板材
料の選定を要する。 たとえば、セラミツクス基板は組成・製法に
よつて熱膨張係数が次のように異なつている。 フオルステライト系基板…80〜98×10-7／℃ アルミナ系基板……………65〜80×10-7／℃ ムライト系基板……………40〜50×10-7／℃ ガラスセラミツクス系………30〜100×10-7／
℃ したがつて、埋込む各種導波部材の熱膨張係
数に見合つた基板の熱膨張係数を30〜100×
10-7／℃の範囲で選定することができる。 また、本発明は上記２者の融着材として次の
特性を有することが要求される。 (2) 融着作業温度は700℃以下であること。これ
は、基板と導波部材とを融着するための加熱に
よつて、導波材特性の劣化を防止するためであ
る。 (3) 融着材の融着後の熱膨張係数は基板及び導波
材と熱膨張係数の差が15×10-7／℃以内である
こと。この条件を満たすために本発明基板の融
着材として、次の物質をあげることができる。 １ PbO−ZnO（またはSiO2）−B2O3系ガラスフ
リツト ２ ZnO−B2O3−SiO2（またはV2O5）系ガラス
フリツト ３ SiO2−B2O3−Al2O3−Mgo（またはBao）系
ガラスフリツト これらの物質はそれぞれの組成比を変えること
によつて、融着作業温度を350〜685℃の範囲に、
また熱膨張係数を40〜120×10-7／℃の範囲に変
えることができる。このため各種の熱膨張率の異
なる導波材と基板の接着に適用できる。 基板配線方法 次に本発明のもう一つの構成要素である電気配
線方法について述べる。 電気配線方法は主に厚膜法と薄膜法をとること
ができる厚膜法ではAg−Pd系やその他導電ペー
ストが有効である。また薄膜法では、Cr−Ni（ま
たはCu）−Auより成る導体配線方法が有効であ
る。この配線工程は光の導波部を埋込む前及び後
に実施できる。 以上、本発明による材料及び構造によつて電気
及び光学回路素子を搭載し、これと光伝送に必要
な光フアイバを接続できる。電気及び光学回路素
子基板を得ることができる。また、本発明基板は
セラミツクスを使用しているため(1)抗折強度、(2)
気密性、(3)電気配線性にすぐれている。これらの
特性は本発明基板を実用に供するために重要であ
る。たとえば(1)の強度は15Kg／mm2以上が必要で、
これは本基板のパツケージまたは電気端子用ピン
付時に要求される。(2)の気密性はパツケージの気
密封止を行うに有効である。(3)の電気配線性の良
さは、本基板の量産性、低コスト化、長期寿命
性、信頼性を確保するために有効である。 以下、これまで述べた特徴を得るために、本発
明基板の製造方法を実施例を用いて説明する。 実施例 １（第４表No.１） 第２表No.１のアルミナ系基板にAg−Pd及びAu
系ペーストを用い、第１図のａに示した電気配線
部を印刷した。ここで、Auは電気素子をワイヤ
ボンドするための配線部３に、またAg−Pdは電
気端子用ピン付部の配線部５に用いた。 次に前記印刷済の基板をベルト炉にて、850℃
×10分で焼成し、厚膜による電気配線部をを形成
した。 次に第１表No.１に示したフエースプレートの鏡
面研摩仕上の端面に耐熱性ポリイミド系樹脂をコ
ートし、これを上記基板のスルホール部に挿入し
た。このときフエースプレートは基板に水平にセ
ツトした。 次に第３表No.１に示したPbO−ZnO−B2O3系
低融点ガラスフリツトの固形体（0.5mm角）をフ
エースプレートの周辺に置き465℃×15分で加熱
した。このときガラスフリツトは熔融し、基板の
スルホールとフエースプレートのすきまに滲透す
る。この融着加熱の昇降温度は50℃／ｈで行つ
た。 次に室温まで冷却した前記基板のフエースプレ
ートの光導波部端面にコートしてあるポリイミド
系樹脂を除去したのち、有機溶剤及び水を用い超
音波洗浄器で洗浄して、本発明の電気及び光学回
路素子基板を得た。 このようにして得た本発明の基板は、たとえば
光フアイバを用いる光通信の光伝送用モジユール
の実装用基板に供することができる。これについ
ては後にまとめて述べる。 実施例 ２（第４表No.２） 第２表No.１に示したアルミナ系基板に第１表No.
３に示したフエースプレートを第３表No.２のPbO
−B2O3−ZnO系低融点ガラスフリツトを用い、
実施例１と同様の方法で電気配線部を形成したの
ち、光の導波部（フエースプレート）を埋込ん
だ。この導波部の埋込むための融着加熱は500℃
×20分、昇降温度速度は50℃／ｈで行つた。 このようにして得た本発明基板は光通信用、双
方向用モジユールの実装用基板に供することがで
きる。これについても後にまとめて述べる。
【表】
【表】
【表】
（以下同様）
実施例 ３（第４表No.３）
第２表No.４に示したムライト系クリーンシート
にＷ−Mo系ペーストを用いて第１図に示した電
気配線部を印刷し、1550℃×1h（N2＋H2＋H2O
中）で焼成して、配線済の基板を得た。次にこれ
の配線表面にメツキ法でAuを約3μmの厚さに付
けた。 次に前記基板を十分に水洗したのち、実施例１
と同様の方法で第１表No.４のロツドレンズを埋込
んだ。このロツドレンズの融着には第３表No.５に
示したPbO−B2O3−ZnO系ガラスフリツトを用
い、495℃×25分、昇降温速度は50℃／ｈで行つ
た。 実施例 ４（第４表No.４） SiO2−B2O3−Al2O3−MgOの低融点ガラス
455wt.％と石英ガラス粉末55wt.％からなるグリ
ーンシートの原料粉末に、ポリビニルブチラール
とその溶剤（ノルマルブチルアルコール）などか
らなる有機バインダーを加え、ボールミルで8h
混合する。次に混合泥しよう（スリツプ）をキヤ
ステイングマシーンで、1.2mmの厚さをもつガラ
スセラミツクス系グリーンシートを作る。このグ
リーンシートを用いて、焼き上がりが第２表No.５
に示した寸法になるよう切断し、パンチ法でスル
ホール穴をあけた。 次にこの加工済のグリーンシートに第１表No.５
に示したフアイバをスルホール穴に挿入し、685
℃×1hで焼成した。このときの昇降温速度は50
℃／ｈである。このグリーンシートの焼成によつ
て、同時に導波材であるフアイバも同着できた。 この前記焼成済基板の導波部端面の付着物を落
すため、１／4μmのダイヤモンドペーストで約３
分研摩した。 次に前記の基板を有機溶剤及び水で十分洗浄し
たのち、配線材料として、Cr0.1μm−Cu3μm−
Au0.1μmの厚さの３層からなる導体をスパツタ
リング（薄膜）法で形成した。このときの配線回
路は第１図のａに示したパターンをステンレスで
マスクを作り、これを基板の上に重ね前記金
にＷ−Mo系ペーストを用いて第１図に示した電
気配線部を印刷し、1550℃×1h（N2＋H2＋H2O
中）で焼成して、配線済の基板を得た。次にこれ
の配線表面にメツキ法でAuを約3μmの厚さに付
けた。 次に前記基板を十分に水洗したのち、実施例１
と同様の方法で第１表No.４のロツドレンズを埋込
んだ。このロツドレンズの融着には第３表No.５に
示したPbO−B2O3−ZnO系ガラスフリツトを用
い、495℃×25分、昇降温速度は50℃／ｈで行つ
た。 実施例 ４（第４表No.４） SiO2−B2O3−Al2O3−MgOの低融点ガラス
455wt.％と石英ガラス粉末55wt.％からなるグリ
ーンシートの原料粉末に、ポリビニルブチラール
とその溶剤（ノルマルブチルアルコール）などか
らなる有機バインダーを加え、ボールミルで8h
混合する。次に混合泥しよう（スリツプ）をキヤ
ステイングマシーンで、1.2mmの厚さをもつガラ
スセラミツクス系グリーンシートを作る。このグ
リーンシートを用いて、焼き上がりが第２表No.５
に示した寸法になるよう切断し、パンチ法でスル
ホール穴をあけた。 次にこの加工済のグリーンシートに第１表No.５
に示したフアイバをスルホール穴に挿入し、685
℃×1hで焼成した。このときの昇降温速度は50
℃／ｈである。このグリーンシートの焼成によつ
て、同時に導波材であるフアイバも同着できた。 この前記焼成済基板の導波部端面の付着物を落
すため、１／4μmのダイヤモンドペーストで約３
分研摩した。 次に前記の基板を有機溶剤及び水で十分洗浄し
たのち、配線材料として、Cr0.1μm−Cu3μm−
Au0.1μmの厚さの３層からなる導体をスパツタ
リング（薄膜）法で形成した。このときの配線回
路は第１図のａに示したパターンをステンレスで
マスクを作り、これを基板の上に重ね前記金
【表】
【表】
実施例１〜４にて製造した本発明の電気及び光
学回路基板を用い、第２図示したように発光ダイ
オード（LED）及び受光素子（PIN−PD）なら
びに光伝送用フアイバ（多モードフアイバ）、ま
た前記素子を駆動するに必要な電気素子などを実
装した。その結果、次の効果を得た。 (1) モジユール寸法の小型化 (2) 光の結合効率の向上 (3) 設置許容誤差の緩和 (4) モジユール組立工数の低温 (5) モジユール組立時間の低減 (6) モジユールの低コスト化 以上のように本発明によれば、モジユールを小
型化し、光の結合効率を向上させ、またモジユー
ルのフアイバ、光素子の設置許容誤差を緩和で
き、かつモジユールの組立工程を著しく簡素化で
きる。このため、光通信モジユールや電気及び光
学回路素子モジユールの低コストが図れる。
学回路基板を用い、第２図示したように発光ダイ
オード（LED）及び受光素子（PIN−PD）なら
びに光伝送用フアイバ（多モードフアイバ）、ま
た前記素子を駆動するに必要な電気素子などを実
装した。その結果、次の効果を得た。 (1) モジユール寸法の小型化 (2) 光の結合効率の向上 (3) 設置許容誤差の緩和 (4) モジユール組立工数の低温 (5) モジユール組立時間の低減 (6) モジユールの低コスト化 以上のように本発明によれば、モジユールを小
型化し、光の結合効率を向上させ、またモジユー
ルのフアイバ、光素子の設置許容誤差を緩和で
き、かつモジユールの組立工程を著しく簡素化で
きる。このため、光通信モジユールや電気及び光
学回路素子モジユールの低コストが図れる。
第１図は本発明の電気及び光学回路基板を示す
図、第２図は本発明基板を用いた双方向用光通信
モジユールを示す図である。 １……セラミツクス基板、２……フエースプレ
ート、３……電気配線部、４……電気素子搭載
部、５……電気端子ピン接線部、６……光伝送用
フアイバ、７……発光素子、８……受光素子、９
……発光用電気素子、１０……受光用電気素子、
１１……電気用端子ピン、１２………カバーモー
ルド。
図、第２図は本発明基板を用いた双方向用光通信
モジユールを示す図である。 １……セラミツクス基板、２……フエースプレ
ート、３……電気配線部、４……電気素子搭載
部、５……電気端子ピン接線部、６……光伝送用
フアイバ、７……発光素子、８……受光素子、９
……発光用電気素子、１０……受光用電気素子、
１１……電気用端子ピン、１２………カバーモー
ルド。
Claims (1)
- １ セラミツク基板に、平面基板の片面から他の
面に光を集光及び伝送する光の導波部が埋設さ
れ、かつ基板の少なくとも片面に裸の受光又は発
光機能を持つチツプを直接搭載するための接続端
子、そのチツプの信号を制御するためのIC接続
端子及びそれらの電気配線部が設けられている電
気及び光学回路素子基板。
Priority Applications (3)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP59108379A JPS60252308A (ja) | 1984-05-30 | 1984-05-30 | 電気及び光学回路素子基板 |
| EP19850902653 EP0182920A4 (en) | 1984-05-30 | 1985-05-29 | Substrate mounting optical transmission module. |
| PCT/JP1985/000296 WO1985005698A1 (fr) | 1984-05-30 | 1985-05-29 | Substrat de montage de module de transmission optique |
Applications Claiming Priority (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP59108379A JPS60252308A (ja) | 1984-05-30 | 1984-05-30 | 電気及び光学回路素子基板 |
Publications (2)
| Publication Number | Publication Date |
|---|---|
| JPS60252308A JPS60252308A (ja) | 1985-12-13 |
| JPH0336405B2 true JPH0336405B2 (ja) | 1991-05-31 |
Family
ID=14483275
Family Applications (1)
| Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
|---|---|---|---|
| JP59108379A Granted JPS60252308A (ja) | 1984-05-30 | 1984-05-30 | 電気及び光学回路素子基板 |
Country Status (3)
| Country | Link |
|---|---|
| EP (1) | EP0182920A4 (ja) |
| JP (1) | JPS60252308A (ja) |
| WO (1) | WO1985005698A1 (ja) |
Families Citing this family (4)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| DE102006061722B4 (de) | 2006-12-28 | 2010-04-01 | Infineon Technologies Ag | Anschlussmodul und Verfahren zum Herstellen desselben |
| CN105428504B (zh) * | 2015-12-23 | 2017-12-29 | 陕西华经微电子股份有限公司 | 一种led光源封装用厚膜陶瓷支架的制备方法 |
| CN107422429B (zh) * | 2017-06-27 | 2019-08-23 | 江苏长电科技股份有限公司 | 光电收发功能一体的SiP封装结构及其制造方法 |
| CN117310896A (zh) * | 2022-06-22 | 2023-12-29 | 华为技术有限公司 | 一种光器件、光通信设备及光交换系统 |
Family Cites Families (9)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| US3624462A (en) * | 1969-07-03 | 1971-11-30 | Fairchild Camera Instr Co | Face-bonded photoarray package |
| FR2322382A1 (fr) * | 1975-08-29 | 1977-03-25 | Radiotechnique Compelec | Conduit optique |
| US4070516A (en) * | 1976-10-18 | 1978-01-24 | International Business Machines Corporation | Multilayer module having optical channels therein |
| JPS54100745A (en) * | 1978-01-25 | 1979-08-08 | Oki Electric Ind Co Ltd | Optical fiber connector |
| JPS6031270Y2 (ja) * | 1980-02-27 | 1985-09-18 | 松下電工株式会社 | プリント基板 |
| JPS58206177A (ja) * | 1982-05-26 | 1983-12-01 | Sumitomo Electric Ind Ltd | 光リンク受信回路 |
| JPS5922407U (ja) * | 1982-08-02 | 1984-02-10 | オムロン株式会社 | 光伝送装置 |
| JPS5977402A (ja) * | 1982-10-26 | 1984-05-02 | Toshiba Corp | 光リンク |
| JPS60182780A (ja) * | 1984-02-29 | 1985-09-18 | Fujitsu Ltd | 光部品の構造 |
-
1984
- 1984-05-30 JP JP59108379A patent/JPS60252308A/ja active Granted
-
1985
- 1985-05-29 WO PCT/JP1985/000296 patent/WO1985005698A1/ja not_active Ceased
- 1985-05-29 EP EP19850902653 patent/EP0182920A4/en not_active Withdrawn
Also Published As
| Publication number | Publication date |
|---|---|
| EP0182920A1 (en) | 1986-06-04 |
| EP0182920A4 (en) | 1987-06-16 |
| WO1985005698A1 (fr) | 1985-12-19 |
| JPS60252308A (ja) | 1985-12-13 |
Similar Documents
| Publication | Publication Date | Title |
|---|---|---|
| US5256469A (en) | Multi-layered, co-fired, ceramic-on-metal circuit board for microelectronic packaging | |
| US5432878A (en) | Silicon carrier for testing and alignment of optoelectronic devices and method of assembling same | |
| KR100307078B1 (ko) | 기판을지지하는세라믹회로보드용글라스결합층 | |
| US4169001A (en) | Method of making multilayer module having optical channels therein | |
| US4070516A (en) | Multilayer module having optical channels therein | |
| US5277724A (en) | Method of minimizing lateral shrinkage in a co-fired, ceramic-on-metal circuit board | |
| US4830878A (en) | Method of manufacturing a substrate coated with multiple thick films | |
| US3860405A (en) | Bonding of optical components | |
| CA2051890A1 (en) | Crystal growth inhibitor for glassy low dielectric inorganic composition | |
| CA2050095A1 (en) | Dielectric composition containing cordierite and glass | |
| JPH0515662B2 (ja) | ||
| JPH0336405B2 (ja) | ||
| JP2922375B2 (ja) | セラミック・オン金属回路基板およびその製造方法 | |
| JPH0566564B2 (ja) | ||
| JPH01252548A (ja) | ガラスセラミックス組成物 | |
| WO2012011628A1 (ko) | 프로브 카드 및 그 제조방법 | |
| JP2002232054A (ja) | 光モジュールの実装構造 | |
| KR100744855B1 (ko) | 높은 열적 사이클 전도체 시스템 | |
| CA2000680A1 (en) | Hybrid circuits and thick film dielectrics used therein | |
| JPS61245594A (ja) | 光−電気混成集積回路基板 | |
| JPH11251647A (ja) | 熱電変換素子および熱電変換装置と、これらの製造方法 | |
| JP2005191307A (ja) | 配線基板 | |
| JP2763476B2 (ja) | 配線基板及びその製造方法 | |
| JP2003132733A (ja) | 導体組成物およびこれを用いた配線基板 | |
| JPH06164096A (ja) | 回路基板 |