JPH0336724A - プラズマエッチング装置 - Google Patents
プラズマエッチング装置Info
- Publication number
- JPH0336724A JPH0336724A JP17231689A JP17231689A JPH0336724A JP H0336724 A JPH0336724 A JP H0336724A JP 17231689 A JP17231689 A JP 17231689A JP 17231689 A JP17231689 A JP 17231689A JP H0336724 A JPH0336724 A JP H0336724A
- Authority
- JP
- Japan
- Prior art keywords
- gas
- semiconductor substrate
- flow
- laminar flow
- discharge port
- Prior art date
- Legal status (The legal status is an assumption and is not a legal conclusion. Google has not performed a legal analysis and makes no representation as to the accuracy of the status listed.)
- Pending
Links
- 238000001020 plasma etching Methods 0.000 title claims abstract description 14
- 239000000758 substrate Substances 0.000 claims abstract description 26
- 239000004065 semiconductor Substances 0.000 claims abstract description 25
- 238000005530 etching Methods 0.000 claims abstract description 6
- 239000002245 particle Substances 0.000 abstract description 10
- 238000010586 diagram Methods 0.000 description 2
- 230000005484 gravity Effects 0.000 description 2
- 238000004140 cleaning Methods 0.000 description 1
Landscapes
- ing And Chemical Polishing (AREA)
- Drying Of Semiconductors (AREA)
Abstract
(57)【要約】本公報は電子出願前の出願データであるた
め要約のデータは記録されません。
め要約のデータは記録されません。
Description
【発明の詳細な説明】
［産業上の利用分野］
本発明は、プラズマエツチング装置に関する。
［従来の技術］
従来の技術としては第２図に示すようにガスの流れは、
半導体基板表面に対して垂直の方向に流れ、半導体基板
表面は、重力軸に対して垂直である。
半導体基板表面に対して垂直の方向に流れ、半導体基板
表面は、重力軸に対して垂直である。
［発明が解決しようとする課題］
しかし、従来のプラズマエツチング装置は、ガスの流れ
が半導体基板表面に対して垂直である為また層流状態で
ない為、−度エッチングされたパーティクルなどが再度
、半導体基板表面に付着するという問題点を有していた
。
が半導体基板表面に対して垂直である為また層流状態で
ない為、−度エッチングされたパーティクルなどが再度
、半導体基板表面に付着するという問題点を有していた
。
そこで、本発明は従来のこのような問題点を解決する為
、−度エッチングされたパーティクルなどが再度、半導
体基板表面に付着しないプラズマ二′ツチング装置を提
供することを目的とする。本発明の他の目的は、各種反
応チャンバに半導体基板を挿入する前の工程として用い
ることにより、清浄な半導体基板表面を得る表置洗浄装
置を提供する点にある。
、−度エッチングされたパーティクルなどが再度、半導
体基板表面に付着しないプラズマ二′ツチング装置を提
供することを目的とする。本発明の他の目的は、各種反
応チャンバに半導体基板を挿入する前の工程として用い
ることにより、清浄な半導体基板表面を得る表置洗浄装
置を提供する点にある。
［課題を解決するための手段］
本発明のプラズマエツチング装置は、半導体基板表面を
重力軸と平行にし、かつ、ガスの流れを半導体基板表面
と平行にし、層流状態雰囲気中でエツチングすることを
特徴とする特 ［作用コ 以上のように構成されたプラズマエツチング装置でエツ
チングすると、半導体基板表面から飛散したパーティク
ルなどは、層流状態の流れにより再度、半導体基板表面
に付着することなく排出される。
重力軸と平行にし、かつ、ガスの流れを半導体基板表面
と平行にし、層流状態雰囲気中でエツチングすることを
特徴とする特 ［作用コ 以上のように構成されたプラズマエツチング装置でエツ
チングすると、半導体基板表面から飛散したパーティク
ルなどは、層流状態の流れにより再度、半導体基板表面
に付着することなく排出される。
［実施例コ
以下に本発明の実施例を図面にもとづいて説明する。第
１図において１１は上部電極、１２は下部電極である。
１図において１１は上部電極、１２は下部電極である。
画電極は層流状態を維持する為に四面にティーパーがつ
いており、層流状態を維持できるようになっている。ま
た、１３は半導体基板、１４はガス吹き出し口、１５は
排気口である。矢印はガスの流れの方向を示し、かつ、
層流状態雰囲気であることを示している。
いており、層流状態を維持できるようになっている。ま
た、１３は半導体基板、１４はガス吹き出し口、１５は
排気口である。矢印はガスの流れの方向を示し、かつ、
層流状態雰囲気であることを示している。
プラズマエツチング装置において、下部′成極１２に高
周波を印カロし、上部電極１１を接地する。
周波を印カロし、上部電極１１を接地する。
ガス吹き出し口１４から、例えばＡｒガスをノー流状態
で流し、排気口１５で排気をする。この時、上部電極１
１と下部電極１２０間、および雰囲気は、層流状態であ
り、かつ、！極間でＡｔがプラズマ状態であるように、
各種条件を設定してやるここでガスの流れは、半導体基
板表面と平行である。この状態でプラズマエツチングさ
れた半導体基板表面上のパーティクルは飛散するが、ガ
ス吹き出し口１４と排気口１５０間は層流状態であるの
で、飛散したパーティクルは層流により、層流層間をた
だよい、排気口１５によってＡｒガスとともに排出され
る。
で流し、排気口１５で排気をする。この時、上部電極１
１と下部電極１２０間、および雰囲気は、層流状態であ
り、かつ、！極間でＡｔがプラズマ状態であるように、
各種条件を設定してやるここでガスの流れは、半導体基
板表面と平行である。この状態でプラズマエツチングさ
れた半導体基板表面上のパーティクルは飛散するが、ガ
ス吹き出し口１４と排気口１５０間は層流状態であるの
で、飛散したパーティクルは層流により、層流層間をた
だよい、排気口１５によってＡｒガスとともに排出され
る。
以上のような実施例において、−度エッチングされ半導
体基板表面上から飛散したパーティクルは再び半導体基
板上に付着することなく排出され清浄な表面が得られる
。
体基板表面上から飛散したパーティクルは再び半導体基
板上に付着することなく排出され清浄な表面が得られる
。
なお、上述したプラズマエツチング装置を各種反応チャ
ンバに半導体基板を挿入する前の工程として用いれば、
清浄な表面状態で各種反応チャンバに挿入することがで
きる。
ンバに半導体基板を挿入する前の工程として用いれば、
清浄な表面状態で各種反応チャンバに挿入することがで
きる。
［発明の効果］
以上説明した本発明のプラズマエツチング装置は、半導
体基板表面と平行たガス層流状態雰囲気中で、プラズマ
エツチングすることによって、−度エッチングにより飛
散したパーティクルが再度半導体基板表面上に付着する
ことがなくなり、清浄な表面が得られるという効果があ
る。また、かかるプラズマエツチング装置を各種反応チ
ャンバ前に設置することにより、半導体基板は清浄な表
面状態で反応チャンバに挿入され、パーティクルフリー
となる。
体基板表面と平行たガス層流状態雰囲気中で、プラズマ
エツチングすることによって、−度エッチングにより飛
散したパーティクルが再度半導体基板表面上に付着する
ことがなくなり、清浄な表面が得られるという効果があ
る。また、かかるプラズマエツチング装置を各種反応チ
ャンバ前に設置することにより、半導体基板は清浄な表
面状態で反応チャンバに挿入され、パーティクルフリー
となる。
第１図は、本発明のプラズマエツチング装置の概要図。
第２図は、従来例のプラズマエツチング装置の概要図。
１１・・・・・・・・・上部電極
１２・・・・・・・・・下部電極
１５・・・・・・・・・半導体基板
１４・・・・・・・・・ガス吹き出し口１５・・・・・
・・・・排気口 矢印は、ガスの流れを示し、 とを示す。 ２１・・・・・・・・・上部電極 ２２・・・・・・・・・下部電極 ２３・・・・・・・・・半導体基板 矢印は、ガスの流れを示す。 かつ層流であるこ
・・・・排気口 矢印は、ガスの流れを示し、 とを示す。 ２１・・・・・・・・・上部電極 ２２・・・・・・・・・下部電極 ２３・・・・・・・・・半導体基板 矢印は、ガスの流れを示す。 かつ層流であるこ
Claims (1)
- プラズマエッチング装置において、ガスの流れを半導体
基板表面と平行にし、層流状態雰囲気中でエッチングす
ることを特徴とするプラズマエッチング装置。
Priority Applications (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP17231689A JPH0336724A (ja) | 1989-07-04 | 1989-07-04 | プラズマエッチング装置 |
Applications Claiming Priority (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP17231689A JPH0336724A (ja) | 1989-07-04 | 1989-07-04 | プラズマエッチング装置 |
Publications (1)
| Publication Number | Publication Date |
|---|---|
| JPH0336724A true JPH0336724A (ja) | 1991-02-18 |
Family
ID=15939656
Family Applications (1)
| Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
|---|---|---|---|
| JP17231689A Pending JPH0336724A (ja) | 1989-07-04 | 1989-07-04 | プラズマエッチング装置 |
Country Status (1)
| Country | Link |
|---|---|
| JP (1) | JPH0336724A (ja) |
Cited By (3)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| US5328555A (en) * | 1992-11-24 | 1994-07-12 | Applied Materials, Inc. | Reducing particulate contamination during semiconductor device processing |
| JP2001144069A (ja) * | 1999-09-03 | 2001-05-25 | Ulvac Japan Ltd | フィルム状基板のプラズマエッチング装置 |
| JP2002173784A (ja) * | 2000-12-06 | 2002-06-21 | Nec Corp | 基板処理装置、及び、基板処理方法 |
-
1989
- 1989-07-04 JP JP17231689A patent/JPH0336724A/ja active Pending
Cited By (3)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| US5328555A (en) * | 1992-11-24 | 1994-07-12 | Applied Materials, Inc. | Reducing particulate contamination during semiconductor device processing |
| JP2001144069A (ja) * | 1999-09-03 | 2001-05-25 | Ulvac Japan Ltd | フィルム状基板のプラズマエッチング装置 |
| JP2002173784A (ja) * | 2000-12-06 | 2002-06-21 | Nec Corp | 基板処理装置、及び、基板処理方法 |
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