JPH05156432A - 電子サイクロトロン共鳴装置 - Google Patents

電子サイクロトロン共鳴装置

Info

Publication number
JPH05156432A
JPH05156432A JP33996891A JP33996891A JPH05156432A JP H05156432 A JPH05156432 A JP H05156432A JP 33996891 A JP33996891 A JP 33996891A JP 33996891 A JP33996891 A JP 33996891A JP H05156432 A JPH05156432 A JP H05156432A
Authority
JP
Japan
Prior art keywords
discharge chamber
introduction window
microwave introduction
cyclotron resonance
electron cyclotron
Prior art date
Legal status (The legal status is an assumption and is not a legal conclusion. Google has not performed a legal analysis and makes no representation as to the accuracy of the status listed.)
Pending
Application number
JP33996891A
Other languages
English (en)
Inventor
Shunichi Murakami
俊一 村上
Current Assignee (The listed assignees may be inaccurate. Google has not performed a legal analysis and makes no representation or warranty as to the accuracy of the list.)
Canon Anelva Corp
Original Assignee
Anelva Corp
Priority date (The priority date is an assumption and is not a legal conclusion. Google has not performed a legal analysis and makes no representation as to the accuracy of the date listed.)
Filing date
Publication date
Application filed by Anelva Corp filed Critical Anelva Corp
Priority to JP33996891A priority Critical patent/JPH05156432A/ja
Publication of JPH05156432A publication Critical patent/JPH05156432A/ja
Pending legal-status Critical Current

Links

Landscapes

  • Physical Vapour Deposition (AREA)
  • Chemical Vapour Deposition (AREA)
  • ing And Chemical Polishing (AREA)

Abstract

(57)【要約】 (修正有) 【目的】 放電室で生成させたイオンによるエッチング
で生じた物質がマイクロ波導入窓に付着しないようにし
た電子サイクロトロン共鳴装置を提供することを目的と
している。 【構成】 放電室5とマイクロ波発振器6が結合され、
放電室5のマイクロ波導入窓8を通してマイクロ波が放
電室5に導入されるようにした装置において、マイクロ
波導入窓8の内側に沿って、透明ガラス製のすだれ状遮
蔽部材10が設置してある。

Description

【発明の詳細な説明】
【0001】
【産業上の利用分野】この発明は、放電室とマイクロ波
発振器が結合され、放電室のマイクロ波導入窓を通して
マイクロ波が放電室に導入されるようにした電子サイク
ロトロン共鳴(以下ECRと言う)装置に関する。
【0002】
【従来の技術】従来、前記の如くのECR装置がエッチ
ング装置や薄膜形成装置に使用されている。
【0003】ECR装置の放電室に加工室が連設され
て、エッチング装置や薄膜形成装置が構成される。前記
放電室に導入した反応ガスは、放電室に導入されたマイ
クロ波と、外部から印加された磁界によってプラズマ化
される。
【0004】エッチング装置では、放電室に生成された
プラズマ中のイオンを、放電室と加工室の連結開口部に
設けた引出し用のグリッド電極で加工室側に引き出し、
加工室にセットした基板のエッチングが行なわれる。
【0005】薄膜形成装置では、磁力線の強度の勾配を
利用してイオンが加工室側に引き出され、加工室にセッ
トした基板上に薄膜を堆積させている。
【0006】何れの場合も、加工室に引き出される反応
ガスのイオンは運動エネルギーを持っている。特に、エ
ッチング装置の場合、数百eV程度の、比較的高い運動
エネルギーを持っている。
【0007】
【発明が解決しようとする課題】前記のように、ECR
装置を用いたエッチング装置や薄膜形成装置では、イオ
ンが運動エネルギーを有しているために、加工室の基板
に対して、必要な挙動をするだけでなく、基板側へ飛行
する過程で接触するすべての箇所(放電室の内壁面、グ
リッド電極等)に対しても、エッチング作用を及ぼして
いた。この結果、放電室の内壁面、グリッド電極等のエ
ッチングで生じた物質が、四方八方に飛散することにな
り、一部はマイクロ波導入窓に付着し、放電室に導入さ
れるマイクロ波が導入窓で反射されたり、吸収されたり
するに至っていた。
【0008】マイクロ波の反射や吸収が起ると、放電室
に導入されるマイクロ波のエネルギーが低下して、イオ
ン密度も減少するので、エッチング速度の低下や、薄膜
の堆積速度の低下があり、また、マイクロ波導入窓の破
損が起る場合もあった。
【0009】従って、比較的短期間のサイクルで、放電
室を大気に曝して、マイクロ波導入窓の交換をする必要
があった。
【0010】
【課題を解決する為の手段】この発明は、前記のような
問題点に鑑みてなされたもので、イオンによるエッチン
グで生じた物質がマイクロ波導入窓に付着しないように
したECR装置を提供することを目的としている。
【0011】この目的を達成するこの発明のECR装置
は、放電室とマイクロ波発振器が結合され、放電室のマ
イクロ波導入窓を通してマイクロ波が放電室に導入され
るようにしたECR装置において、前記マイクロ波導入
窓の内側に沿って、透明ガラス製のすだれ状遮蔽部材が
設置してあることを特徴としている。
【0012】前記すだれ状遮蔽部材は、複数の短冊状透
明ガラス板を所定の間隔で斜設したり、複数の漏斗状の
環状透明ガラス部材を同心円状に配置して構成したもの
である。
【0013】このすだれ状遮蔽部材は、マイクロ波導入
窓の内側に溶着されるが、適当な支持部材があれば、必
ずしも溶着しなくても良い。
【0014】また、このすだれ状遮蔽部材は、マイクロ
波導入窓が通常石英製とされるので、導入窓と同一の石
英製とするのが望ましい。
【0015】
【作用】この発明のECR装置によれば、放電室で生成
したイオンのエッチングを受けて生じた物質中、マイク
ロ波導入窓に飛来した物質をすだれ状遮蔽部材に付着さ
せ、マイクロ波導入窓には付着し難くすることができ
る。
【0016】
【実施例】以下、この発明の実施例を図を参照して説明
する。図1は、ECRエッチング装置の概略を示したも
ので、ECR装置1に加工室2が連設してあり、連結開
口部3に、イオン引出しのためのグリッド電極4が設け
られている。ECR装置1は放電室5とマイクロ波発振
器6が導波管7で結合されて、マイクロ波をマイクロ波
導入窓8を通して放電室5に導入できるようになってい
る。放電室5の外周には、電磁コイル9が設置されて、
放電室5内に磁界が印加できるようになっている。
【0017】前記マイクロ波導入窓8は、石英製で、両
面を平坦面8a、8bとしてある。このマイクロ波導入
窓8の内側にすだれ状遮蔽部材10が設置してある。す
だれ状遮蔽部材10は図2(a) 、(b) に示したように、
短冊状の透明ガラス板(石英製)11、11を所定の間
隔で、斜めに設置して構成したもので、マイクロ波導入
窓8の平坦面8aに垂直の方向から見て、平坦面8aが
直視できないようにしてある。前記透明ガラス板11、
11は、マイクロ波導入窓8の平坦面8aに溶着によっ
て固着したものである。
【0018】また、図3(a) 、(b) は、すだれ状遮蔽部
材10の別の実施例で、透明ガラス(石英)製で漏斗状
とした複数の環状部材12、12がマイクロ波導入窓8
の平坦面8aに、同心円状に設置して構成してある。
【0019】上記実施例のECRエッチング装置におい
て、ECR装置1の放電室5で生成したイオンが加工室
2側へ引き出される過程で、イオンがグリッド電極4や
放電室5の内壁へ接触すると、該部はエッチングされ
る。エッチングによって生じた物質は、余弦法則に従っ
て、四方八方へ飛散し、マイクロ波導入窓8へも飛来す
る。
【0020】マイクロ波導入窓8へ飛来する物質は、図
2(b) 、図3(b) に矢示13、14、15で示したよう
に、あらゆる方向から飛来することになるが、飛来した
物質の大部分は、マイクロ波導入窓8の平坦面8aまで
到達することなく、すだれ状遮蔽部材10を構成した透
明ガラス板11、11又は環状部材12、12に衝突
し、付着する。この結果、マイクロ波導入窓8は、平坦
面8aが比較的長期間に亘って清浄な状態に維持され、
この間、マイクロ波の反射、吸収を受けることなく、放
電室5へ導入することができる。
【0021】以上ECRエッチング装置の実施例につい
て説明したが、ECR薄膜形成装置でも、同様に実施し
て、マイクロ波導入窓の汚損を低減することができる。
【0022】
【発明の効果】この発明によれば、イオンのエッチング
で生じた物質がマイクロ波導入窓に付着し難くできるの
で、長期間に亘り、反射、吸収のないマイクロ波導入が
可能で、エッチング速度、薄膜形成速度などの装置の性
能を安定化できる効果がある。
【0023】また、マイクロ波導入窓が汚損され難いの
で、マイクロ波導入窓の交換期間を長期化できる効果が
ある。
【図面の簡単な説明】
【図1】この発明の実施例のECRエッチング装置の概
略図である。
【図2】同じく実施例のマイクロ波導入窓で(a) は拡大
正面図、(b) 拡大断面図である。
【図3】この発明の他の実施例のマイクロ波導入窓で
(a) は拡大正面図、(b) は拡大断面図である。
【符号の説明】
1 ECR装置 2 加工室 4 グリッド電極 5 放電室 6 マイクロ波発振器 7 導波管 8 マイクロ波導入窓 10 すだれ状遮蔽部材 11 透明ガラス板 12 環状部材

Claims (5)

    【特許請求の範囲】
  1. 【請求項1】 放電室とマイクロ波発振器が結合され、
    放電室のマイクロ波導入窓を通してマイクロ波が放電室
    に導入されるようにした電子サイクロトロン共鳴装置に
    おいて、前記マイクロ波導入窓の内側に沿って、透明ガ
    ラス製のすだれ状遮蔽部材が設置してあることを特徴と
    した電子サイクロトロン共鳴装置。
  2. 【請求項2】 すだれ状遮蔽部材は、複数の短冊状透明
    ガラス板を、所定の間隔で斜設して構成してある請求項
    1記載の電子サイクロトロン共鳴装置。
  3. 【請求項3】 すだれ状遮蔽部材は、複数の漏斗状の環
    状透明ガラス部材を同心円状に配置して構成してある請
    求項1記載の電子サイクロトロン共鳴装置。
  4. 【請求項4】 すだれ状遮蔽部材は、マイクロ波導入窓
    の内側に溶着してある請求項1記載の電子サイクロトロ
    ン共鳴装置。
  5. 【請求項5】 すだれ状遮蔽部材は、マイクロ波導入窓
    と共に石英製とした請求項1記載の電子サイクロトロン
    共鳴装置。
JP33996891A 1991-11-29 1991-11-29 電子サイクロトロン共鳴装置 Pending JPH05156432A (ja)

Priority Applications (1)

Application Number Priority Date Filing Date Title
JP33996891A JPH05156432A (ja) 1991-11-29 1991-11-29 電子サイクロトロン共鳴装置

Applications Claiming Priority (1)

Application Number Priority Date Filing Date Title
JP33996891A JPH05156432A (ja) 1991-11-29 1991-11-29 電子サイクロトロン共鳴装置

Publications (1)

Publication Number Publication Date
JPH05156432A true JPH05156432A (ja) 1993-06-22

Family

ID=18332477

Family Applications (1)

Application Number Title Priority Date Filing Date
JP33996891A Pending JPH05156432A (ja) 1991-11-29 1991-11-29 電子サイクロトロン共鳴装置

Country Status (1)

Country Link
JP (1) JPH05156432A (ja)

Cited By (2)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
JP2015143380A (ja) * 2014-01-31 2015-08-06 ブラザー工業株式会社 成膜装置
CN107139297A (zh) * 2017-06-05 2017-09-08 安徽信达家居有限公司 一种提高藤条编织性能的处理方法

Cited By (2)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
JP2015143380A (ja) * 2014-01-31 2015-08-06 ブラザー工業株式会社 成膜装置
CN107139297A (zh) * 2017-06-05 2017-09-08 安徽信达家居有限公司 一种提高藤条编织性能的处理方法

Similar Documents

Publication Publication Date Title
EP0106497B1 (en) Ion shower apparatus
US20040222367A1 (en) Beam source and beam processing apparatus
JP4003305B2 (ja) プラズマ処理方法
JPH1187098A (ja) プラズマ処理装置
JP3550466B2 (ja) プラズマ処理方法
JPH05275350A (ja) 半導体製造装置
JPH0317907B2 (ja)
JPS5824143A (ja) フオトマスク
JPH0734253A (ja) マイクロ波プラズマ処理装置
EP2063462A1 (en) Apparatus and method for dry etching
JPH0234427B2 (ja)
JPS5916975A (ja) スパツタリング装置
JPH01205519A (ja) プラズマ処理装置
JPH0286127A (ja) プラズマクリーニング方法
JPS6126223A (ja) エツチング方法および装置
JP2901623B2 (ja) プラズマ洗浄方法
JPH01293618A (ja) プラズマエッチング方法
JPS5943992B2 (ja) イオン処理装置
JPH03191061A (ja) 成膜用治具
JPH01140724A (ja) プラズマ処理装置
JPH02297929A (ja) マイクロ波プラズマ処理装置
JPS62276822A (ja) プラズマ装置
JPH0558776A (ja) 真空装置
JPH09310176A (ja) マグネトロンスパッタ装置
JPS6383261A (ja) スパツタリング装置