JPH0337148B2 - - Google Patents
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- Publication number
- JPH0337148B2 JPH0337148B2 JP56092988A JP9298881A JPH0337148B2 JP H0337148 B2 JPH0337148 B2 JP H0337148B2 JP 56092988 A JP56092988 A JP 56092988A JP 9298881 A JP9298881 A JP 9298881A JP H0337148 B2 JPH0337148 B2 JP H0337148B2
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- JP
- Japan
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- detection element
- unit detection
- signal extraction
- housing
- radiation detection
- Prior art date
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- Expired - Lifetime
Links
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Classifications
-
- G—PHYSICS
- G01—MEASURING; TESTING
- G01T—MEASUREMENT OF NUCLEAR OR X-RADIATION
- G01T1/00—Measuring X-radiation, gamma radiation, corpuscular radiation, or cosmic radiation
- G01T1/29—Measurement performed on radiation beams, e.g. position or section of the beam; Measurement of spatial distribution of radiation
- G01T1/2914—Measurement of spatial distribution of radiation
- G01T1/2921—Static instruments for imaging the distribution of radioactivity in one or two dimensions; Radio-isotope cameras
- G01T1/2928—Static instruments for imaging the distribution of radioactivity in one or two dimensions; Radio-isotope cameras using solid state detectors
Landscapes
- Physics & Mathematics (AREA)
- Health & Medical Sciences (AREA)
- Life Sciences & Earth Sciences (AREA)
- General Physics & Mathematics (AREA)
- High Energy & Nuclear Physics (AREA)
- Molecular Biology (AREA)
- Spectroscopy & Molecular Physics (AREA)
- Light Receiving Elements (AREA)
- Measurement Of Radiation (AREA)
- Nuclear Medicine (AREA)
Description
【発明の詳細な説明】
この発明はＸ線撮影装置に適用して有用なる高
密度実装用放射線検出素子に関する。
密度実装用放射線検出素子に関する。
この発明に関係の深い従来技術例を第１図乃至
第３図に示す。第２図は第１図のＡ−A′におけ
る断面図である。第１，２図で示す単位検出素子
は図で示される様な電極引出し線３，４が付随し
たマウント台２に半導体放射線検出素子１が固定
されており、接触と電極を兼ねたAu薄膜７、Al
薄膜８が表側と裏側面に蒸着され、更に表面にコ
ーテイング９が施されている。この様な構造をも
つ単位検出素子は、第３図に示される様なコリメ
ータ１１を配列、収納したハウジング１０に収納
され、矢印方向から照射されたＸ線の検出信号は
電極引出し線を経て後段のＩ／Ｖコンバータ１２
に伝送される。従来の構造では隣接する単位検出
素子の信号取り出し端子５が互いに接触する危険
性があり、特に単位検出素子を高密度に配列しよ
うとする場合には大きな問題となつている。
第３図に示す。第２図は第１図のＡ−A′におけ
る断面図である。第１，２図で示す単位検出素子
は図で示される様な電極引出し線３，４が付随し
たマウント台２に半導体放射線検出素子１が固定
されており、接触と電極を兼ねたAu薄膜７、Al
薄膜８が表側と裏側面に蒸着され、更に表面にコ
ーテイング９が施されている。この様な構造をも
つ単位検出素子は、第３図に示される様なコリメ
ータ１１を配列、収納したハウジング１０に収納
され、矢印方向から照射されたＸ線の検出信号は
電極引出し線を経て後段のＩ／Ｖコンバータ１２
に伝送される。従来の構造では隣接する単位検出
素子の信号取り出し端子５が互いに接触する危険
性があり、特に単位検出素子を高密度に配列しよ
うとする場合には大きな問題となつている。
この発明は、上記の様な従来技術の問題点を改
良しＸ線撮像装置に適用して有用な高密度実装用
放射線検出素子を提供することを目的とする。
良しＸ線撮像装置に適用して有用な高密度実装用
放射線検出素子を提供することを目的とする。
本発明は単位検出素子と構成する固定用マウン
ト台上にある信号取り出し端子が隣接する信号取
り出し端子と接触しないように設計することによ
り後段のＩ／Ｖコンバータへ伝送する検出信号の
取り出しを容易にしたものである。即ち、単位検
出素子を構成する固定用マウント台上には複数の
信号取り出し端子が設けられており、そのうちの
必要な端子だけを選択して使用する事により隣接
する単位検出素子の信号取り出し端子と重ならな
いように信号を取り出せる構造を有する。
ト台上にある信号取り出し端子が隣接する信号取
り出し端子と接触しないように設計することによ
り後段のＩ／Ｖコンバータへ伝送する検出信号の
取り出しを容易にしたものである。即ち、単位検
出素子を構成する固定用マウント台上には複数の
信号取り出し端子が設けられており、そのうちの
必要な端子だけを選択して使用する事により隣接
する単位検出素子の信号取り出し端子と重ならな
いように信号を取り出せる構造を有する。
以下本発明の実施例を第４図乃至第６図を参照
して説明する。第５図は第４図のＢ−B′におけ
る断面図である。単位検出素子は、第４，５図に
示される形状の電極引出し線３，４をもつ素子固
定用マウント台２に半導体放射線検出素子１が固
定され、接触と電極を兼ねたAu７とAl８がそれ
ぞれ表側、裏側の面に蒸着され更に絶縁と保護を
兼ねて表面にコーテイング９が施されている。こ
のような構成をもつ単位検出素子は第６図のよう
にコリメータ１１に接着されて一体化されハウジ
ング１０の中に配列、収納される。４本ある表側
の信号取り出し端子は第６図に示されるように実
装試験後に１本を残して他の３本は取り除かれ、
信号取り出し端子が重ならない工夫がされてお
り、残された１本の信号取り出し端子から信号が
取り出されてＩ／Ｖコンバータに接続される。こ
れにより隣り合う信号取り出し端子の間隔を大き
くとることができ、絶縁処理が容易となり信号の
取り出しも容易となつて単位検出素子の実装の高
密度化をより進めることができた。裏面の信号取
り出し端子は互いに接続されて共通になり信号線
は、共通線のみの１本となる構造になつている。
これにより全体の信号線の数を従来の約半分に減
らすことができ、検出器の構造を簡単にすること
ができ検出器組立ての際の工程の複雑さを大きく
軽減することができた。
して説明する。第５図は第４図のＢ−B′におけ
る断面図である。単位検出素子は、第４，５図に
示される形状の電極引出し線３，４をもつ素子固
定用マウント台２に半導体放射線検出素子１が固
定され、接触と電極を兼ねたAu７とAl８がそれ
ぞれ表側、裏側の面に蒸着され更に絶縁と保護を
兼ねて表面にコーテイング９が施されている。こ
のような構成をもつ単位検出素子は第６図のよう
にコリメータ１１に接着されて一体化されハウジ
ング１０の中に配列、収納される。４本ある表側
の信号取り出し端子は第６図に示されるように実
装試験後に１本を残して他の３本は取り除かれ、
信号取り出し端子が重ならない工夫がされてお
り、残された１本の信号取り出し端子から信号が
取り出されてＩ／Ｖコンバータに接続される。こ
れにより隣り合う信号取り出し端子の間隔を大き
くとることができ、絶縁処理が容易となり信号の
取り出しも容易となつて単位検出素子の実装の高
密度化をより進めることができた。裏面の信号取
り出し端子は互いに接続されて共通になり信号線
は、共通線のみの１本となる構造になつている。
これにより全体の信号線の数を従来の約半分に減
らすことができ、検出器の構造を簡単にすること
ができ検出器組立ての際の工程の複雑さを大きく
軽減することができた。
本発明は上記実施例に限定されるものではな
く、たとえばマウント台は複数の任意の素材を用
いて矩形、円形、三角形、扇形など任意の形にす
ることができる。
く、たとえばマウント台は複数の任意の素材を用
いて矩形、円形、三角形、扇形など任意の形にす
ることができる。
またAu薄膜、Al薄膜も任意の方法を用いて形
成することができる。又、Au薄膜の代りにPt（白
金）、Al薄膜の代りにPd（パラジウム）Ni（ニツ
ケル）なども使用出来る。
成することができる。又、Au薄膜の代りにPt（白
金）、Al薄膜の代りにPd（パラジウム）Ni（ニツ
ケル）なども使用出来る。
第１乃至第３図は従来例を示す図、第４図乃至
第６図は本発明の一実施例を示す図である。 １：半導体放射線検出素子、２：固定用マウン
ト台、３：電極引出し線（表側）、４：電極引出
し線（裏側）、５：信号取り出し端子、６：固定
剤、７：Au薄膜、８：Al薄膜、９：コーテイン
グ層、１０：ハウジング、１１：コリメータ。
第６図は本発明の一実施例を示す図である。 １：半導体放射線検出素子、２：固定用マウン
ト台、３：電極引出し線（表側）、４：電極引出
し線（裏側）、５：信号取り出し端子、６：固定
剤、７：Au薄膜、８：Al薄膜、９：コーテイン
グ層、１０：ハウジング、１１：コリメータ。
Claims (1)
- １ 素子固定用マウント台に固定された半導体放
射線検出素子の表、裏面から各々マウント台上に
延在された信号取り出し電極を設け、前記各々の
信号取り出し電極の延在方向とほぼ直角に各々設
けられた各１本の出力端子を備えた単位検出素子
と、前記単位検出素子を納める筐体から成る高密
度実装用放射線検出素子において、前記出力端子
の一方は各単位検出素子毎にマウント台上の位置
が異なるように設けられ、これらの単位検出素子
の一方の出力端子が互いに重ならないように筐体
内に配置されていることを特徴とする高密度実装
用放射線検出素子。
Priority Applications (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP56092988A JPS57207883A (en) | 1981-06-18 | 1981-06-18 | Radiation detecting element for high density mounting |
Applications Claiming Priority (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP56092988A JPS57207883A (en) | 1981-06-18 | 1981-06-18 | Radiation detecting element for high density mounting |
Publications (2)
| Publication Number | Publication Date |
|---|---|
| JPS57207883A JPS57207883A (en) | 1982-12-20 |
| JPH0337148B2 true JPH0337148B2 (ja) | 1991-06-04 |
Family
ID=14069746
Family Applications (1)
| Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
|---|---|---|---|
| JP56092988A Granted JPS57207883A (en) | 1981-06-18 | 1981-06-18 | Radiation detecting element for high density mounting |
Country Status (1)
| Country | Link |
|---|---|
| JP (1) | JPS57207883A (ja) |
Families Citing this family (1)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| JPS58168980A (ja) * | 1982-03-31 | 1983-10-05 | Toshiba Corp | 放射線検出器 |
-
1981
- 1981-06-18 JP JP56092988A patent/JPS57207883A/ja active Granted
Also Published As
| Publication number | Publication date |
|---|---|
| JPS57207883A (en) | 1982-12-20 |
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