JPH0337207B2 - - Google Patents
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- JPH0337207B2 JPH0337207B2 JP59250219A JP25021984A JPH0337207B2 JP H0337207 B2 JPH0337207 B2 JP H0337207B2 JP 59250219 A JP59250219 A JP 59250219A JP 25021984 A JP25021984 A JP 25021984A JP H0337207 B2 JPH0337207 B2 JP H0337207B2
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Description
【発明の詳細な説明】
〔産業上の利用分野〕
本発明は順序制御装置、とくにコンピユータシ
ステムの電源を投入する場合および電源を切断す
る場合においてこのコンピユータシステムを構成
する各周辺装置(以後テバイス)の電源投入また
は電源切断の順序を制御するための順序制御装置
に関するものである。[Detailed Description of the Invention] [Field of Industrial Application] The present invention relates to a sequence control device, particularly to each peripheral device (hereinafter referred to as a device) constituting a computer system when turning on and turning off the power of a computer system. The present invention relates to a sequence control device for controlling the order in which power is turned on or turned off.
〔従来の技術〕
一般にコンピユータシステムにおいては、電源
投入に当つてシステムを構成するすべてのテバイ
スに同時に電源を投入すると過大な突入電流が生
じて供給電源側に悪影響を与えるので、これを防
ぎ、さらにまた、システムの安定な立ち上りおよ
び誤動作を伴なわない切断が行なわれるようにす
るために、順序制御装置をシステム中に設け、シ
ステム中の各テバイスに対する電源の投入/切断
をこの順序制御装置で行なえるようにしている。[Prior Art] In general, in a computer system, when power is turned on to all the devices that make up the system at the same time, an excessive inrush current is generated, which has a negative effect on the power supply side. In addition, in order to ensure that the system starts up stably and disconnects without malfunction, a sequence control device is installed in the system, and the sequence control device turns on and off the power to each device in the system. I try to do that.
しかして、このような順序制御装置自身の電源
が事故等によりOFFになつた場合にも、運用中
のシステムにできる限り影響を与えないようにす
るために、順序制御装置自身の電源OFFに対し
ては以下のように制御される必要がある。 Even if the power of such a sequential control device itself is turned off due to an accident, etc., in order to have as little impact on the system in operation as possible, it is necessary to prevent the power of the sequential control device itself from being turned off. must be controlled as follows.
すなわち、順序制御装置の電源OFFが起る前
のシステム中の各テバイスに対する電源投入/切
断の状態を順序制御装置自身の電源OFFが起つ
てもそのまま保持するように制御される必要があ
る。 That is, it is necessary to maintain the power on/off state of each device in the system before the sequential control device is powered off even when the sequential control device itself is powered off.
このような制御を行なうために従来は、後に詳
述するように、順序制御装置に設けたリレーのブ
レーク接点(コイル電流が流れるとブレーク(オ
フ)し、コイル電流がなくなると機械的にメーク
(オン)する接点)を利用して、テバイス側電源
を投入/切断するスイツチとなるリレーを投入状
態に保持しておく自己保持電流を流すための電流
ループを形成し、これによつて順序制御装置に電
源OFFが起つても、投入されているテバイスの
電源はそのまま投入状態が保持されるようにして
いる。 Conventionally, in order to perform this kind of control, as will be explained in detail later, the break contact of the relay provided in the sequential control device (breaks (off) when coil current flows, and mechanically closes (turns off) when coil current disappears). A current loop is formed to flow a self-holding current that keeps the relay, which is a switch that turns on/off the power on the device side, in the on state. Even if the power is turned off, devices that are turned on will remain powered on.
しかしながらこの方法では、後述するように、
テバイス当り少なくとも2個の制御用リレーが必
要となり、このためシステム中のテバイスの数の
2倍のリレーが必要となる。
However, with this method, as described later,
At least two control relays are required per device, thus requiring twice as many relays as there are devices in the system.
一般にリレーは、ICやLSIに比してその機能の
割合いに形状が大きく、また値段が高いため、シ
ステム中のテバイスの数が増すにつれ、リレーの
実装スペースと価格の面でそのテイメリツトが顕
著に現われるようになる。 In general, relays are larger in size and more expensive than ICs or LSIs, so as the number of devices in a system increases, the advantages of relays in terms of mounting space and price become more noticeable. begins to appear.
一方このようなリレーの作用を、論理ゲートを
用いて実現しようとしても、リレーは、電源
OFFに対して特定の接続状態を機械的に保持す
る機能を有しているのに対して、論理ゲートは電
源OFFによりその機能が失なわれてしまうため
に、論理ゲートを用いてリレーのこのような保持
作用を代行させることは容易ではない。 On the other hand, even if you try to realize this kind of relay function using logic gates, the relay will not be able to function without power supply.
While logic gates have the function of mechanically maintaining a specific connection state when the power is turned off, logic gates lose their function when the power is turned off. It is not easy to substitute such a holding action.
本発明の目的は、このような問題を解決し、順
序制御装置自身の電源OFFに対して、各テバイ
スに対する電源の投入/切断状態に保持できる、
リレーを用いない順序制御装置を提供することに
ある。 The purpose of the present invention is to solve such problems and to maintain the power on/off state for each device even when the sequential control device itself is powered off.
An object of the present invention is to provide a sequence control device that does not use relays.
本発明の装置は、それぞれが自己の電源の投
入/切断を行なうためのリレーを有する複数のテ
バイスを前記リレーを介して該リレーを含むテバ
イスの電源の投入/切断の順序を制御する順序制
御装置において、前記各リレーのメーク状態を自
己保持するための自己保持電流を、該リレーを含
むテバイスに対する制御電源に直列に接続され
た、該リレーのコイルと、該コイルに対応するメ
ーク型接点と、各テバイスの前記自己保持電流を
整流合成するためのダイオードと、前記順序制御
装置に含まれるパワーオンリセツト回路の出力に
よりその導通のオンオフが制御され前記整流合成
された自己保持電流を導通できるようにした
PNP型トランジスタとNPN型トランジスタとで
構成されるSCR回路とを介して得られるように
している。
The device of the present invention is a sequence control device for controlling the order of power on/off of a plurality of devices, each of which has a relay for turning on/off its own power, via the relay. A self-holding current for self-maintaining the make state of each of the relays is connected in series to a control power source for a device including the relay, and a make-type contact corresponding to the coil of the relay, and a make-type contact corresponding to the coil; A diode for rectifying and combining the self-holding current of each device and the output of a power-on reset circuit included in the sequential control device control the conduction on and off of the diode, so that the rectified and combined self-holding current can be conducted. did
This is achieved through an SCR circuit composed of a PNP type transistor and an NPN type transistor.
次に、本発明について図面を参照して説明す
る。理解を容易にするために最初従来例について
説明する。
Next, the present invention will be explained with reference to the drawings. For ease of understanding, a conventional example will be explained first.
第5図は従来例を説明するためのブロツク図で
ある。この従来例は、順序制御装置1′と、m個
のテバイス2′−1〜2′−mを含むシステムであ
る。 FIG. 5 is a block diagram for explaining a conventional example. This conventional example is a system including a sequence control device 1' and m devices 2'-1 to 2'-m.
例えばテバイス2′−1は、自己に対する制御
電源Vd′1を有しており、またこの制御電源Vd′1を
用いてテバイス2′−1の供給電源のON(投入)
およびOFF(切断)を実行するためのリレー
RL′1,rl′1を有している。リレー接点rl′1はメーク
型の接点で、リレーコイルRL′1に(特定値以上
の)電流が流れると対応するリレー接点rl′1をメ
ーク(ON)し、リレーコイルRL′1に(特定値以
上の)電流が流れなくなると対応する接点rl′1は
機械的にブレイク(OFF)される。そしてテバ
イス2′−1の供給電源(図示せず)に対する
ON/OFFはリレーコイルRL′1に流れる電流によ
り接点rl′1と全く同様にメーク/ブレークが制御
される別の接点(図示せず)により行なわれる。
例えばリレーコイルRL′1に電流が流れると接点
rl′1はメークし、同時にrl′1と同じ動作をする別の
電源ON OFF用のリレー接点によりテバイス
2′−1はその供給電源に対してONされる。ま
たコイルRL′1に電流が流れなくなると接点rl′1は
機械的にOFFし、同時にrl′1と同じ動作をするこ
の電源ON OFF用のリレー接点によりテバイス
2−1は供給電源からOFFされる。 For example, device 2'-1 has its own control power supply V d ' 1 , and uses this control power supply V d ' 1 to turn on (turn on) the power supply to device 2'-1.
and relay for executing OFF (disconnection)
It has RL′ 1 and r l ′ 1 . Relay contact r l ′ 1 is a make type contact, and when a current (above a certain value) flows through relay coil RL ′ 1, it makes (ON) the corresponding relay contact r l ′ 1 and turns on relay coil RL ′ 1 . When the current (above a certain value) stops flowing, the corresponding contact r l ′ 1 is mechanically broken (turned OFF). and for the power supply (not shown) of device 2'-1.
ON/OFF is performed by another contact (not shown) whose make/break is controlled in exactly the same way as contact r l ' 1 by the current flowing through relay coil RL' 1 .
For example, when current flows through relay coil RL′ 1 , the contact
r l ′ 1 is turned on, and at the same time, device 2 ′-1 is turned on to the power supply by another power ON/OFF relay contact that operates in the same way as r l ′ 1 . Also, when current no longer flows through coil RL' 1 , contact r l ' 1 is mechanically turned OFF, and at the same time, this power ON/OFF relay contact, which operates in the same way as r l ' 1 , disconnects device 2-1 from the power supply. It will be turned off.
テバイス2′−1以外の他のすべてのテバイス
も以上と全く同じ構成になつている。 All devices other than device 2'-1 have exactly the same configuration as above.
これに対して順序制御装置1′には、各テバイ
ス2′−1〜2′−mに対応して、それぞれ2個ず
つのテバイス電源投入/切断制御用のリレーが設
けられている。 On the other hand, the sequence control device 1' is provided with two relays for controlling device power on/off, corresponding to each of the devices 2'-1 to 2'-m.
例えばテバイス2′−1に対しては、テバイス
2′−1の電源投入を始動するメーク型リレー
ON1,on1とテバイス2′−1の電源切断を始動
するブレーク型リレーOFF1,off1とが設けられ
ている。そしてこれ等各リレーコイルON1,
OFF1の一方の端には、順序制御装置1′の電源電
圧V′ccが接続され、他の端には、それぞれナンド
ゲート14′−1および15′−1の出力が接続さ
れている。これら各ナンドゲート14′−1およ
び15′−1は同様に順序制御装置1′の電源V′cc
により駆動されている。 For example, for device 2'-1, a make type relay that starts powering on device 2'-1
ON 1 , on 1 and break-type relays OFF 1 , off 1 are provided for starting power-off of the device 2'-1. And each of these relay coils ON 1 ,
One end of OFF 1 is connected to the power supply voltage V'cc of the sequential control device 1', and the other end is connected to the outputs of NAND gates 14'-1 and 15'-1, respectively. Each of these NAND gates 14'-1 and 15'-1 similarly receives the power supply V' cc of the sequence control device 1'.
is driven by.
これらのリレーおよびナンドゲートの構成は他
のテバイスに対しても全く同様である。 The configurations of these relays and NAND gates are exactly the same for other devices.
さらに順序制御装置1′の中には、パワーオン
リセツト回路(POR)12′が設けられている。
このパワーオンリセツト回路(POR)12′は、
電源V′ccが特定のスレシホールド電圧E′1よりも
高い場合には、回路(POR)12′の出力V′pは
ハイ論理レベル(以後Hレベル)をとり、また、
E′1よりも低い場合にはV′pはロウ論理レベル(以
後Lレベル)をとる。 Furthermore, a power-on reset circuit (POR) 12' is provided in the sequence control device 1'.
This power-on reset circuit (POR) 12' is
When the power supply V'cc is higher than a certain threshold voltage E'1 , the output V'p of the circuit (POR) 12' assumes a high logic level (hereinafter referred to as H level), and
When it is lower than E'1 , V'p assumes a low logic level (hereinafter referred to as L level).
このパワーオンリセツト回路12′の出力V′p
は、上述の各ナンドゲート14′−1〜14′−m
および15′−1〜15′−mのそれぞれ一方の入
力に供給されている。 The output V′ p of this power-on reset circuit 12′
are each of the above-mentioned NAND gates 14'-1 to 14'-m
and 15'-1 to 15'-m, respectively.
これらのナンドゲートは前述のように電源V′cc
により駆動されているのでV′ccが特定の電圧E′2
よりも低下すると論理素子としての機能が失なわ
れるが、パワーオンリセツト回路(POR)1
2′のスレシホールドE′1は、E′1>E′2になるよう
に選ばれており、これにより電源断等によりV′cc
の電圧低下が起ると、各ナンドゲートの論理素子
としての機能が失なわれる前に、まずこれらのゲ
ートの一方の入力にLレベルが加わり、これらす
べてのゲートをOFFするように構成されている。 These NAND gates are connected to the power supply V′ cc as mentioned above.
Since V′ cc is driven by a specific voltage E′ 2
If it drops below 1, it loses its function as a logic element, but power-on reset circuit (POR)1
2' threshold E' 1 is chosen so that E' 1 >E' 2 , so that V' cc
When a voltage drop occurs, before each NAND gate loses its function as a logic element, an L level is first applied to one input of these gates, turning off all these gates. .
さて、この順序制御装置1′の電源V′ccが正常
の場合におけるこの従来例の動作は下記の通りで
ある。 Now, the operation of this conventional example when the power supply V' cc of this sequential control device 1' is normal is as follows.
テバイス2′−1に対する制御を例にとつて説
明する。他のテバイスに対する制御も全く同様で
ある。 The control for the device 2'-1 will be explained as an example. The control for other devices is exactly the same.
ナンドゲート14′−1および15′−1の制御
入力PON′1およびPOFF′1は通常はLレベルに保
たれている。 Control inputs PON' 1 and POFF' 1 of NAND gates 14'-1 and 15'- 1 are normally maintained at L level.
今テバイス2′−1の電源がOFFの状態のと
き、この電源をONにするには、制御入力PON′1
を特定時間幅だけHレベルにする。この結果ナン
ドゲート14′−1の出力はLレベルになり、リ
レーコイルON1に電流が流れて対応する接点on1
をメークする。すると、制御電源Vd′1、コイル
RL′1、接点on1、接点off1を介して電流が流れ、
接点rl′1をメークする。 When the power of device 2'-1 is currently OFF, in order to turn on this power, input the control input PON' 1
is set to H level for a specific time period. As a result, the output of the NAND gate 14'-1 becomes L level, current flows through the relay coil ON 1 , and the corresponding contact ON 1
make up. Then, the control power supply V d ′ 1 and the coil
Current flows through RL′ 1 , contact ON 1 , contact OFF 1 ,
Make contact r l ′ 1 .
こうしてテバイス2′−1に対する電源の投入
が行なわれるが、いつたん接点rl′1がメークされ
ると、制御電源V′d1、コイルRL′1、接点rl′1、接
点off1を介する電流ループが形成され、このルー
プを介してリレーRL′1,rl′1のメーク状態を自己
保持するための自己保持電流が流れるため、制御
入力PON′1が再び通常のLレベルに戻つて接点
on1をブレークしても、テバイス2′−1の電源投
入状態はそのまま保持される。 In this way, the device 2'-1 is powered on, but once the contact r l ' 1 is made, the power is turned on via the control power supply V' d1 , the coil RL' 1 , the contact r l ' 1 , and the contact off 1 . A current loop is formed, and a self-holding current flows through this loop to self-maintain the make state of the relays RL' 1 and r l ' 1 , so that the control input PON' 1 returns to the normal L level again. contact
Even if on 1 is broken, the power-on state of device 2'-1 is maintained.
次にこうして投入されたテバイス2′−1の電
源をOFFするには、ナンドゲート15′−1の制
御入力POFF1を特定の時間幅だ拾けHレベルに
する。この結果、コイルOFF1に電流が流れ、ブ
レーク切点off1をブレークし、前述のコイルRL′1
に対する自己保持電流のループを開いてしまうの
で、コイルRL′1に流れる電流が断となり、メー
ク接点rl′1が機械的にブレークし、テバイス2′−
1の電源OFFが行なわれる。こうしていつたん、
接点rl′1がブレークしてしまうと、制御入力
POFF′1が再び通常のLレベルに戻り、接点off1
がメークしても、も早やコイルRL′1を含む前述
の電流ループは形成されずテバイス2′−1の電
源OFFの状態はそのまま保持される。 Next, in order to turn off the power to the device 2'-1 that has been turned on in this way, the control input POFF1 of the NAND gate 15'-1 is set to H level for a specific time period. As a result, current flows through the coil OFF 1 , breaking the break point OFF 1 , and the above-mentioned coil RL′ 1
As a result, the current flowing through coil RL′ 1 is cut off, the make contact r l ′ 1 mechanically breaks, and device 2′-
1 power is turned off. In this way,
If contact r l ′ 1 breaks, the control input
POFF′ 1 returns to the normal L level again, and contact OFF 1
Even if the coil RL'- 1 is formed, the aforementioned current loop including the coil RL'1 is no longer formed, and the power OFF state of the device 2'-1 is maintained as it is.
このように順序制御装置1′の電源V′ccが正常
の場合には、制御入力PON′1およびPOFF′1を特
定時間幅だけHレベルにすることによつて、テバ
イス2′−1の電源ON/OFFを自由に制御する
ことができる。 In this way, when the power supply V' cc of the sequential control device 1' is normal, the power supply of the device 2'-1 is controlled by setting the control inputs PON' 1 and POFF' 1 to H level for a specific time period. ON/OFF can be controlled freely.
次に順序制御装置1′の電源V′ccが正常状態か
らOFF状態にうつる場合には以下のように動作
する。 Next, when the power supply V'cc of the sequence control device 1' changes from the normal state to the OFF state, the operation is as follows.
電源V′ccの電圧が正常値から0に落ちる過程に
おいて、前述のパワーオンリセツト回路(POR)
12′のスレシホールド値E′1よりも低下すると、
回路(POR)12′は、前述のように、その出力
V′pを直ちにLレベルに落とす。この結果、ナン
ドゲート14′−1,15′−1はともにその出力
がHレベル側に保たれつつ電源電圧V′ccが低下し
遂にはこれらの論理ゲートが論理素子としての動
作ができなくなる電圧値E′2以下に低下する。 During the process in which the voltage of the power supply V'cc drops from the normal value to 0, the power-on reset circuit (POR) described above
When it falls below the threshold value E′ 1 of 12′,
The circuit (POR) 12' has its output as described above.
Immediately drop V'p to L level. As a result, while the outputs of both NAND gates 14'-1 and 15'-1 are maintained at the H level side, the power supply voltage V'cc decreases, and eventually reaches a voltage value at which these logic gates cannot operate as logic elements. It decreases to less than E′ 2 .
この結果、上述の電源V′ccの低下過程において
は、コイルON1およびコイルOFF1のいずれに
も、それぞれの接点on1およびoff1の状態を変化
させる電流は流れないため、テバイス2′−1の
電源のON/OFFの状態は電源V′ccが正常状態の
ときと全く同じに保持される。これはテバイス
2′−1ばかりでなく、他のすべてのテバイスも
全く同様に動作することは明らかである。 As a result, during the process of decreasing the power supply V' cc mentioned above, no current flows through either the coil ON 1 or the coil OFF 1 to change the states of the respective contacts ON 1 and OFF 1 , so that the device 2'- The ON/OFF state of the power supply No. 1 is maintained exactly the same as when the power supply V'cc is in a normal state. It is clear that this works not only for device 2'-1, but also for all other devices in exactly the same way.
なお、この従来例における電源電圧V′cc、パワ
ーオンリセツト回路(POR)12′の出力電圧
V′p、各リレーの接点on1,off1、およびrl′1の動作
をタイムチヤートとして第6図および第7図に示
す。 In addition, in this conventional example, the power supply voltage V' cc and the output voltage of the power-on reset circuit (POR) 12'
The operations of V' p , contacts on 1 , off 1 , and r l ' 1 of each relay are shown in FIGS. 6 and 7 as time charts.
第6図は、電源V′ccを最初のOFF状態からON
して正常値とし、V′ccの正常値においてテバイス
2′−1の電源投入を行い、テバイス2′−1の電
源投入状態のままV′ccをOFFした場合を示してい
る。 Figure 6 shows how the power supply V′ cc is turned on from the initial OFF state.
The device 2'-1 is powered on with V'cc set to a normal value, and V'cc is turned off while the device 2'-1 is powered on.
また第7図は、V′ccをONにしてテバイス2′−
1の電源投入を行ない、次にテバイス2′−1の
電源切断を行なつた後にV′ccをOFFした場合を示
している。 In addition, Fig. 7 shows the device 2'- with V' cc turned ON.
The case is shown in which the device 2'-1 is powered on, then the device 2'-1 is powered off, and then V'cc is turned off.
これらのタイムチヤートより明らかなように、
テバイスの電源のON/OFFの状態は、順序制御
装置1′の電源V′ccのON/OFFによつては全く影
響を受けないようになつている。 As is clear from these time charts,
The ON/OFF state of the power supply of the device is completely unaffected by the ON/OFF state of the power supply V'cc of the sequence control device 1'.
このように従来技術においては、各テバイスに
対してそれぞれ2個ずつのリレーを順序制御装置
1′中に用意し、これによつてそのテバイスに対
する電源の投入/切断を制御しかつ順序制御装置
1′自身に電源断が起つてもそのテバイスの電源
の投入/切断の状態がそのまま保持されるように
するという目的を達成している。 In this way, in the prior art, two relays are provided for each device in the sequence control device 1', and these relays control the power on/off of the device and the sequence control device 1'. 'The purpose of this device is to maintain the power on/off status of the device even if the device itself loses power.
しかし、このようなリレーを用いることは、前
述のように、テバイスの数が多くなると、リレー
の実装スペースおよび価格の面でデイメリツトが
顕著になる。 However, as described above, when the number of devices increases, the disadvantages of using such a relay become significant in terms of the mounting space and cost of the relay.
さて次に、以上の欠点を除去する本発明につい
て説明する。 Next, the present invention which eliminates the above drawbacks will be explained.
第1図は本発明の一実施例を示すブロツク図で
ある。 FIG. 1 is a block diagram showing one embodiment of the present invention.
この実施例は、順序制御装置1、m個のテバイ
ス2−1〜2−mを含んでいる。 This embodiment includes a sequence control device 1 and m devices 2-1 to 2-m.
さらにこの順序制御装置1は、SCR回路11、
パワーオンリセツト回路(POR)12、インバ
ータ13、および前述のm個の各テバイス2−1
〜2−mに対応して、それぞれナンドゲート14
−1〜14−m、アンドゲート15−1〜15−
mおよび同じく各テバイス2−1〜2−mに対応
してダイオード16−1〜16−mを含んでい
る。これらの各ゲートはオープンコレクタ型のゲ
ートを用い、Lレベルに対するワイヤードOR動
作を許すようにしている。 Furthermore, this sequence control device 1 includes an SCR circuit 11,
Power-on reset circuit (POR) 12, inverter 13, and each of the aforementioned m devices 2-1
~2-m, respectively, NAND gate 14
-1 to 14-m, and gate 15-1 to 15-
diodes 16-1 to 16-m corresponding to the devices 2-1 to 2-m. Each of these gates uses an open collector type gate to allow wired OR operation with respect to the L level.
また、各テバイス2−1〜2−mは前述した従
来例と全く同様に、それぞれに対する制御電源
Vd1〜Vdo1を有し、これらの制御電源を用いて各
テバイスの供給電源を投入/切断するためのリレ
ーRL1,rl1〜RLn,rlnを有していて、テバイス
側の構成は、前述の従来例と全く同じである。 In addition, each of the devices 2-1 to 2-m is provided with a control power supply for each device in exactly the same way as in the conventional example described above.
V d1 to V do1 , and relays RL 1 , r l1 to RL n , rl n for turning on/off the power supply to each device using these control power supplies, and the configuration on the device side is exactly the same as the conventional example described above.
さて、SCR回路11の詳細を第2図に示す。
このSCR回路11は、互いに相補的の特性を有
するPNP型のトランジスタQ1とNPN型のトラン
ジスタQ2とを用いて、基本的にはQ1のコレクタ
をQ2のベースに、またQ2のコレクタをQ1のベー
スに接続してSCR特性をもたせるようにした回
路である。さらにトランジスタQ1とQ2とのコレ
クタ電流をバランスさせるために必要に応じて抵
抗R1およびR2が挿入され、またトランジスタQ2
がOFFの状態のとき、そのリーク電流によつて
トランジスタQ1がONするのを防止するための抵
抗R3が挿入され、トランジスタQ2がOFFのとき
には、トランジスタQ1のエミツタ、ベース間の
電位差を0付近にしてトランジスタQ1をもOFF
状態に保つようにしている。 Now, details of the SCR circuit 11 are shown in FIG.
This SCR circuit 11 uses a PNP type transistor Q 1 and an NPN type transistor Q 2 which have complementary characteristics to each other. Basically, the collector of Q 1 is used as the base of Q 2 , and the collector of Q 2 is used as the base of Q 2 . This circuit connects the collector to the base of Q1 to provide SCR characteristics. Furthermore, resistors R 1 and R 2 are inserted as necessary to balance the collector currents of transistors Q 1 and Q 2 , and transistor Q 2
When transistor Q2 is off, a resistor R3 is inserted to prevent transistor Q1 from turning on due to its leakage current, and when transistor Q2 is off, the potential difference between the emitter and base of transistor Q1 is Set near 0 and turn off transistor Q1 as well.
I try to keep it in good condition.
このSCR回路11は入力電圧Viが特定のスレ
シホールド値E3よりも低いときには、トランジ
スタQ1およびトランジスタQ2がともにOFF状態
になるため、供給電圧Vsとアース間には電流が
流れない。入力電圧ViがこのスレシホールドE3
を越えて高くなると、トランジスタQ1およびQ2
が同時に導通状態となり、Vsとアース間を低イ
ンピーダンスでシヨートする。これとともに、
VsとVi間をも低インピーダンスで接続しViの電
位をVsの電位に近ずける。 In this SCR circuit 11, when the input voltage Vi is lower than a specific threshold value E3 , both the transistor Q1 and the transistor Q2 are turned off, so that no current flows between the supply voltage Vs and the ground. The input voltage Vi is this threshold E 3
Transistors Q 1 and Q 2
becomes conductive at the same time, and shortens between Vs and ground with low impedance. Along with this,
Connect Vs and Vi with low impedance to bring the potential of Vi closer to the potential of Vs.
このVsとアース間の低インピーダンスによる
シヨート作用はいつたんSCR回路11がONする
と、Vsとして前述のスレシホールドE3以上の電
圧があれば成立する。 This shot effect due to the low impedance between Vs and ground is established as long as the SCR circuit 11 is turned on and Vs has a voltage equal to or higher than the threshold E3 described above.
さて次にパワーオンリセツト回路(POR)1
2′と全く同様な回路であり、電源電圧Vccが特定
のスレシホールド値E1よりも高い場合にはその
出力VpとしてHレベルを出力し、電源電圧Vccが
このスレシホールド値E1よりも低くなると、そ
の出力VpとしてLレベルを出力するようにした
スレシホールド回路である。 Now, next is the power-on reset circuit (POR) 1.
This circuit is exactly the same as 2', and when the power supply voltage Vcc is higher than a specific threshold value E1 , it outputs an H level as its output Vp , and the power supply voltage Vcc is higher than this threshold value. This is a threshold circuit that outputs an L level as its output Vp when it becomes lower than E1 .
このスレシホールド値E1は上述のSCR回路1
1のスレシホールド値E3に対してE1>E3になる
ように設定され、後述するように、順序制御装置
1の電源Vccの断が生じた場合に、電圧Vccが降下
してゆく過程において、VccがSCR回路11のス
レシホールド値E3以下に抵下する前に(つまり
SCR回路11が前述のように機能できる電圧範
囲にあるときに)、まずパワーオンリセツト回路
12のスレシホールド値E1をきることによりそ
の出力Vpを強制的にLレベルに落すようにして
いる。 This threshold value E1 is the SCR circuit 1 mentioned above.
The voltage V cc is set so that E 1 >E 3 for the threshold value E 3 of 1, and as described later, when the power supply V cc of the sequential control device 1 is cut off, the voltage V cc drops. In the process of
(When the SCR circuit 11 is within the voltage range in which it can function as described above), first, by cutting the threshold value E1 of the power-on reset circuit 12, its output Vp is forcibly dropped to the L level. There is.
さらにまた、本実施例で用いられている論理素
子としてナンドゲート14−1〜14−m、アン
ドゲート15−1〜15−mおよびインバータ1
3があるが、これらはすべて電源電圧Vccを用い
て駆動されているのでVccがある程度以下の電圧
に低下するとこれらは論理素子としての機能を失
なうことになる。このVccのスレシホールド電圧
E2とすると、前述の各スレシホールド値はE1>
E2>E3になるように設定されている。 Furthermore, the logic elements used in this embodiment include NAND gates 14-1 to 14-m, AND gates 15-1 to 15-m, and inverter 1.
3, but since they are all driven using the power supply voltage V cc , if V cc drops below a certain level, they will lose their function as logic elements. This V cc threshold voltage
Assuming E 2 , each threshold value mentioned above is E 1 >
It is set so that E 2 > E 3 .
さて最初に、順序制御装置1の電源電圧Vccが
正常状態にある場合の動作について説明する。 First, the operation when the power supply voltage V cc of the sequence control device 1 is in a normal state will be described.
上述したように、Vccが正常状態にある場合に
は、パワーオンリセツト回路(POR)12の出
力Vpは、Hレベルに保たれている。これがイン
バータ13を介してLレベル信号となりSCR回
路11の入力として供給され、このために入力
Viは、SCR回路11のスレシホールド値E3以下
に保たれている。従つて電源電圧Vccの正常状態
においてはSCR回路11は完全にOFF状態にあ
り、Vsとアース間の接続が実質的に開いてしま
うために、順序制御装置1の動作には何の影響も
与えない。 As described above, when Vcc is in a normal state, the output Vp of the power-on reset circuit (POR) 12 is maintained at the H level. This becomes an L level signal via the inverter 13 and is supplied as an input to the SCR circuit 11, so that the input
Vi is kept below the threshold value E3 of the SCR circuit 11. Therefore, in the normal state of the power supply voltage Vcc , the SCR circuit 11 is completely OFF, and the connection between Vs and ground is essentially opened, so there is no effect on the operation of the sequential control device 1. I won't give it.
また、パワーオンリセツト回路(POR)12
の、Hレベルに保たれている出力Vpは、各ナン
ドゲート14−1〜14−mおよびアンドゲート
15−1〜15−mのそれぞれの一方の入力とし
て供給され、これらのゲートの他方の入力をその
まま通過させる状態に保つている。 In addition, the power-on reset circuit (POR) 12
The output V p maintained at H level is supplied as one input to each of the NAND gates 14-1 to 14-m and AND gates 15-1 to 15-m, and the other input of these gates It is kept in a state that allows it to pass through as is.
さて、各テバイス2−1〜2−mに対応する各
ナンドゲート14−1〜14−mの制御入力
PON1〜PONnおよび各アンドゲート15−1〜
15−mの制御入力POFF1〜POFFnは、通常状
態においてはすべてLレベルに保たれている。こ
の結果、各ナンドゲート14−1〜14−mの出
力はHレベルに、また各アンドゲート15−1〜
15−mの出力はLレベルに保たれている。 Now, the control input of each NAND gate 14-1 to 14-m corresponding to each device 2-1 to 2-m
PON 1 ~ PON n and each AND gate 15-1~
Control inputs POFF 1 to POFF n of 15-m are all kept at L level in the normal state. As a result, the output of each NAND gate 14-1 to 14-m goes to H level, and each AND gate 15-1 to
The output of 15-m is maintained at L level.
例えば、電源OFFの状態にあるテバイス2−
1に対する電源投入は以下のように行なわれる。 For example, device 2-
The power supply to 1 is performed as follows.
すなわち、テバイス2−1に対応するナンドゲ
ート14−1の制御入力PON1を特定の時間幅だ
けHレベルにすると、このナンドゲート14−1
の出力がLレベルに落ちる結果、テバイス2−1
のリレーコイルRL1に充分な電流が流れ、対応す
るメーク接点rl1をメークし、これによつてテバイ
ス2−1の電源投入が行なわれる。これと共に接
点rl1が閉じる結果、制御電源Vd1のH側から、コ
イルRL1、接点rl1を介してアンドゲート14−1
のLレベル出力に電流パスが生じ、これによつて
リレーRL1,rl1はメーク状態で自己保持され、テ
バイス2−1の電源投入状態が保たれる。 That is, when the control input PON 1 of the NAND gate 14-1 corresponding to the device 2-1 is set to H level for a specific time width, this NAND gate 14-1
As a result, the output of device 2-1 falls to L level.
Sufficient current flows through the relay coil RL 1 to make the corresponding make contact r l1 , thereby turning on the power to the device 2-1. At the same time, the contact r l1 closes, and the AND gate 14-1 is connected from the H side of the control power supply V d1 via the coil RL 1 and the contact r l1 .
A current path is generated in the L-level output of the relays RL 1 and r l1 , thereby self-maintaining the relays RL 1 and r l1 in the make state, and the power-on state of the device 2-1 is maintained.
次にこの状態でテバイス2−1の電源をOFF
するためには、アンドゲート15−1の制御入力
POFF1を特定の時間幅だけHレベルとする。こ
の結果、アンドゲート15−1の出力側はHレベ
ルとなり、コイルRL1を流れていた電流がカツト
オフされ接点rl1は機械的にブレークする。こうし
て接点rl1がブレークすると、自己保持電流が0に
なるために、制御入力POFF1が再びLレベルに
戻つても、接点rl1はブレーク状態に保持され、テ
バイス2−1は電源OFFの状態に保たれる。 Next, turn off the power to device 2-1 in this state.
In order to do this, the control input of AND gate 15-1
Set POFF 1 to H level for a specific time period. As a result, the output side of the AND gate 15-1 becomes H level, the current flowing through the coil RL1 is cut off, and the contact rl1 is mechanically broken. When the contact r l1 breaks in this way, the self-holding current becomes 0, so even if the control input POFF 1 returns to the L level again, the contact r l1 is held in the broken state and the device 2-1 is in the power OFF state. is maintained.
以上のように、順序制御装置1の電源Vccが正
常の場合には、制御入力PON1またはPOFF1を特
定の時間幅だけHレベルにすることによつて、テ
バイス2−1の電源の投入または切断を自由に行
なうことができる。そしてこのようにしてテバイ
ス2−1の電源の投入または切断を行なつた後、
制御入力PON1およびPOFF1をLレベルに保持す
ることによつてテバイス2−1の電源の投入/切
断の状態をそのまま保持することができる。 As described above, when the power supply V cc of the sequential control device 1 is normal, the device 2-1 is powered on by setting the control input PON 1 or POFF 1 to the H level for a specific time period. Or you can cut freely. After turning on or turning off the power to device 2-1 in this way,
By holding the control inputs PON 1 and POFF 1 at L level, the power on/off state of the device 2-1 can be maintained as it is.
以上の動作は、テバイス2−1ばかりでなく、
他のすべてのテバイスに対しても対応する制御入
力を用いて、互に他と独立に自由に行なうことが
できる。各アンドゲート15−1〜15−mの出
力はそれぞれダイオード16−1〜16−mを介
して整流合成されSCR回路11の出力側Vsに接
続されているため以上の動作において相互に干渉
し合わないことは明らかである。 The above operation is not limited to Device 2-1.
All other devices can also be freely controlled independently of each other using corresponding control inputs. The outputs of the AND gates 15-1 to 15-m are rectified and combined via diodes 16-1 to 16-m and connected to the output side Vs of the SCR circuit 11, so they interfere with each other in the above operations. It is clear that there is no such thing.
さて次に、順序制御装置1自身の電源Vccに電
源断が生じた場合について説明する。 Next, a case will be described in which a power failure occurs in the power supply V cc of the sequence control device 1 itself.
最初に、テバイス2−1の電源がONの状態に
あり、従つて接点rl1がメークしており、制御電源
Vd1、コイルRL1、接点rl1およびアンドゲート1
5−1を介して自己保持電流が流れている状態の
とき電源Vccに電源断が生じた場合につき説明す
る。 Initially, the power of device 2-1 is on, so contact r l1 is made, and the control power
V d1 , coil RL 1 , contact r l1 and AND gate 1
A case will be explained in which a power cut occurs in the power supply V cc while a self-holding current is flowing through 5-1.
電源Vccが断になり、その電圧値が降下してゆ
くと、その途中で最初にパワーオンリセツト回路
(POR)12のスレシホールドE1をまず横切る。
これが起ると、前述のようにパワーオンリセツト
回路(POR)12は、その出力電圧Vpを直ちに
Lレベルとする。前述のようにE1>E2に設定さ
れているので、この時点では、ナンドゲート14
−1〜14−mおよびアンドゲート15−1〜1
5−mはまた論理素子としての機能を有してお
り、従つて以後VccがE2以下に低下するまでは
PON1〜PONnおよびPOFF1〜POFFnの制御入力
の影響をデイセーブルして、現在の論理レベルを
そのまま保持するように制御する。 When the power supply Vcc is cut off and its voltage value drops, it first crosses the threshold E1 of the power-on reset circuit (POR) 12 on the way.
When this occurs, the power-on reset circuit (POR) 12 immediately brings its output voltage V p to the L level as described above. As mentioned above, E 1 > E 2 is set, so at this point, NAND gate 14
-1 to 14-m and AND gate 15-1 to 1
5-m also has a function as a logic element, so from then on until V cc falls below E 2 ,
The effects of the control inputs of PON 1 to PON n and POFF 1 to POFF n are disabled to maintain the current logic level.
一方パワーオンリセツト回路(POR)12の
出力電圧VpがLレベルになると、この時点では
まだ論理素子としての機能を保持しているインバ
ータ13は、その出力をそれまでのLレベルから
Hレベル側に反転する。この結果SCR回路12
に対する入力ViはSCR回路12の前述のスレシ
ホールド値E3より確実に高くなり、SCR回路1
2は導通状態となり、出力Vsとアース間を低イ
ンピーダンスで接続する。この結果、テバイス1
の制御電源Vd1、リレーコイルRL1、接点rl1、ダ
イオード16−1およびSCR回路11が直列に
接続された電流ループが形成され、それまでの、
電源Vd1、コイルRL1、接点rl1およびアンドゲー
ト15−1により形成されていた自己保持電流ル
ープは、こうして新らしく形成された自己保持電
流ループに引き継がれる。しかもE1>E2に設定
されているために、アンドゲート15−1がその
機能を失う前に、それまでアンドゲート15−1
によつて保持されていた自己保持電流を流すため
の、接点rl1の帰線1000−1とアース間の導通
は、ダイオード16−1と導通状態となつた
SCR回路11によつて、引き継ぎ過程で保持電
流が切断されることなく確実に引き継がれる。こ
の結果、テバイス2−1の電源投入の状態はVcc
が0になつても確実に保持される。 On the other hand, when the output voltage V p of the power-on reset circuit (POR) 12 reaches the L level, the inverter 13, which is still functioning as a logic element at this point, changes its output from the L level to the H level. to be reversed. As a result, SCR circuit 12
The input Vi for SCR circuit 12 is definitely higher than the aforementioned threshold value E3 of SCR circuit 12.
2 becomes conductive and connects the output Vs and ground with low impedance. As a result, the device 1
A current loop is formed in which the control power supply V d1 , the relay coil RL 1 , the contact r l1 , the diode 16-1, and the SCR circuit 11 are connected in series, and until then,
The self-holding current loop formed by the power supply V d1 , the coil RL 1 , the contact r l1 and the AND gate 15-1 is taken over by the newly formed self-holding current loop. Moreover, since E 1 > E 2 is set, before AND gate 15-1 loses its function, AND gate 15-1
The continuity between the return wire 1000-1 of the contact rl1 and the ground to flow the self-holding current held by the diode 16-1 has become conductive.
The SCR circuit 11 ensures that the holding current is not cut off during the handover process. As a result, the power-on state of device 2-1 is V cc
It is reliably held even if becomes 0.
なお、Vccが0になつても、SCR回路11に対
する電源はテバイス2−1の制御電源Vd1からダ
イオード16−1を介して供給され、これによつ
てSCR回路11は導通状態を維持できる。 Note that even if V cc becomes 0, power to the SCR circuit 11 is supplied from the control power supply V d1 of the device 2-1 via the diode 16-1, so that the SCR circuit 11 can maintain a conductive state. .
以上はテバイス2−1について説明したもので
あるが、他のテバイスについても全く同様であ
り、また、電源投入状態の複数のテバイスがシス
テム中に存在する場合でも、これら各テバイスの
電源投入の状態がVccのOFFに対して保持される
ことも明らかである。 The above explanation is for device 2-1, but the same applies to other devices, and even if there are multiple devices in the power-on state in the system, the power-on state of each of these devices It is also clear that holds for V cc OFF.
次にテバイス2−1の電源が切断されている状
態、つまりrl1がブレイクしていて、コイルRL1に
電流が流れていない状態において、電源Vccが断
になつた場合について説明する。 Next, a case will be described in which the power supply V cc is cut off while the device 2 - 1 is powered off, that is, r l1 is broken and no current flows through the coil RL 1 .
電源VccがOFFとなり、その電圧がE1を越えて
低下すると、前述のように、パワーオンリセツト
回路(POR)12の出力VpがLレベルになり、
この結果、ナンドゲート14−1は、制御入力
PON1の制御機能をデイセーブルされ、その出力
はこの論理素子がその機能を有する間はそれ以前
からのハイレベルの状態(出力インピーダンスの
比較的高い状態)に保持され、これはさらにVcc
の電圧が下つてナンドゲート14−1が論理素子
としての機能を失うようになつても出力インピー
ダンスの高い状態はそのまま保持される。このた
め、Vccが正常状態から0に低下する途中のいず
れの点においても、接点rl1をメークする電流がコ
イルRL1に流れることはない。この結果テバイス
2−1の電源の切断状態はそのまま保持される。 When the power supply Vcc is turned off and its voltage drops beyond E1 , the output Vp of the power-on reset circuit (POR) 12 becomes L level, as described above.
As a result, the NAND gate 14-1 receives the control input
The control function of PON 1 is disabled and its output is held at its previous high level state (relatively high output impedance) while this logic element has its function, which is further reduced by V cc
Even if the voltage decreases and the NAND gate 14-1 loses its function as a logic element, the state of high output impedance is maintained as it is. Therefore, at any point during which V cc falls from the normal state to 0, the current that makes the contact r l1 does not flow through the coil RL 1 . As a result, the power-off state of the device 2-1 is maintained as it is.
以上は、テバイス2−1について説明したもの
であるが、他のテバイスについても全く同様であ
り、また電源切断状態の複数のテバイスが存在す
る場合にも、電源Vccの断に対してこれら各テバ
イスの電源切断の状態が保持されることも明らか
である。 The above explanation is for device 2-1, but the same applies to other devices, and even if there are multiple devices in the power-off state, each of these devices will be It is also clear that the powered off state of the device is maintained.
なお第3図および第4図に、Vcc、Vp、ナンド
ゲート14−1、アンドゲート15−1、SCR
回路11およびリレーrl1の状態の変化をタイムチ
ヤートとして示す。 In addition, in FIG. 3 and FIG. 4, V cc , V p , NAND gate 14-1, AND gate 15-1, SCR
Changes in the state of circuit 11 and relay r l1 are shown as time charts.
第3図は、最初にVccをONとし、Vccが正常電
圧になつた後、テバイス2−1の電源を投入し、
テバイス2−11の電源が投入された状態のま
ま、VccをOFFしたときの変化を示すタイムチヤ
ートであり、また第4図は、上述のようにして
Vccが正常状態になり、テバイス2−1の電源を
投入した後、さらにVccの正常状態においてテバ
イス2−1の電源を切断し、テバイス2−1の電
源が切断状態のままVccをOFFしたときの変化を
示すタイムチヤートである。 Figure 3 shows that V cc is first turned on, and after V cc reaches the normal voltage, the device 2-1 is powered on.
This is a time chart showing the changes when Vcc is turned off while the device 2-11 is powered on.
After V cc is in a normal state and device 2-1 is powered on, the power to device 2-1 is turned off while V cc is in a normal state, and V cc is turned on while device 2-1 is powered off. This is a time chart showing the changes when turned off.
これらのタイムチヤートより、電源VccのOFF
に対してテバイス2−1の電源の投入/切断の状
態は変化なく保持されることが分る。 From these time charts, turn off the power supply V cc .
In contrast, it can be seen that the power on/off state of the device 2-1 is maintained unchanged.
なお、これらのタイムチヤートにおいては、ナ
ンドゲート14−1、およびアンドゲート15−
1は、その出力がHレベルで、アースとの間のイ
ンピーダンスが高い状態をOFFで表わし、その
出力がLレベルでアースとインピーダンスが低い
状態をONで表わしている。またSCR回路11の
ONENABLEの状態は、SCR回路11の出力Vs
に必要な電圧が加わればONできる状態であるこ
とを表わしている。 In addition, in these time charts, NAND gate 14-1 and AND gate 15-
1 indicates a state in which the output is at H level and the impedance between the ground and the ground is high, and an OFF state, and an ON state in which the output is at the L level and the impedance between the ground and the ground is low. Also, the SCR circuit 11
The ONENABLE state is the output Vs of the SCR circuit 11.
This indicates that it can be turned on if the necessary voltage is applied to it.
これら第3図および第4図は、テバイス2−1
に対する電源の投入/切断について示したもので
あるが、他のテバイスに対しても全く同様になる
ことは明らかである。 These figures 3 and 4 show the device 2-1.
Although this example shows how to turn on/off power to a device, it is clear that the same applies to other devices as well.
このように本実施例は、実己の電源断に対し
て、自己の制御する各テバイスの電源の投入/切
断の状態をそのまま保持することができる。 In this way, this embodiment can maintain the power on/off state of each device controlled by itself even if the device itself is powered off.
なお、以上は本発明の一実施例を示したもの
で、本発明は以上の実施例に限定されるものでは
ない。 Note that the above is one embodiment of the present invention, and the present invention is not limited to the above embodiment.
以上述べたように本発明によると、自己の電源
断に対して、自己の制御する各テバイスの電源の
投入/切断の状態をそのまま保持できる順序制御
装置をリレーを用いることなく構成できる。しか
も本発明の装置は、従来例に比して各テバイスに
対して設けられた2個のリレーのかわりに各1個
のダイオードと、テバイス数に関係なく設けられ
た1個のSCR回路だけですむので、実装スペー
スが小さく原価が安くなるという優れた点が、テ
バイスの数を増すにつれて増々顕著になるという
特徴がある。
As described above, according to the present invention, it is possible to configure a sequence control device that can maintain the power on/off state of each device controlled by itself even if its own power is cut off, without using a relay. Moreover, the device of the present invention has only one diode for each device instead of two relays provided for each device, and only one SCR circuit provided regardless of the number of devices, compared to the conventional example. Therefore, the advantages of small mounting space and low cost become increasingly noticeable as the number of devices increases.
第1図は本発明の一実施例を示すブロツク図、
第2図はこの実施例で用いるSCR回路の回路例
示す図、第3図および第4図は本実施例の動作を
説明するためのタイムチヤート、第5図は従来例
を説明するためのブロツク図、第6図および第7
図は従来例の動作を説明するためのタイムチヤー
トである。
図において、1…順序制御装置、2−1〜2−
m…テバイス、11…SCR回路、12…パワー
オンリセツト回路(POR)、13…インバータ、
14−1〜14−m…ナンドゲート、15−1〜
15−m…アンドゲート、16−1〜16−m…
ダイオード、RL1,rl1〜RLn,rln…リレー、Vd1
〜Vdn…制御電源。
FIG. 1 is a block diagram showing one embodiment of the present invention;
Fig. 2 is a diagram showing an example of the SCR circuit used in this embodiment, Figs. 3 and 4 are time charts for explaining the operation of this embodiment, and Fig. 5 is a block diagram for explaining the conventional example. Figures 6 and 7
The figure is a time chart for explaining the operation of the conventional example. In the figure, 1... Sequence control device, 2-1 to 2-
m...device, 11...SCR circuit, 12...power-on reset circuit (POR), 13...inverter,
14-1~14-m...Nand Gate, 15-1~
15-m...and gate, 16-1 to 16-m...
Diode, RL 1 , r l1 ~ RL n , r ln ...Relay, V d1
~V dn …Control power supply.
Claims (1)
ためのリレーを有する複数のテバイスを前記リレ
ーを介して該リレーを含むテバイスの電源の投
入/切断の順序を制御する順序制御装置におい
て、 前記各リレーのメーク状態を自己保持するため
の自己保持電流を、 該リレーを含むテバイスに対する制御電源に直
列に接続された、該リレーのコイルと、該コイル
に対応するメーク型接点と、各テバイスの前記自
己保持電流を整流合成するためのダイオードと、
前記順序制御装置に含まれるパワーオンリセツト
回路の出力によりその導通のオンオフが制御され
前記整流合成された自己保持電流を導通できるよ
うにしたPNP型トランジスタとNPN型トランジ
スタとで構成されるSCR回路と を介して得られるようにしたことを特徴とする順
序制御装置。[Claims] 1. Sequence control of a plurality of devices each having a relay for turning on/off its own power, controlling the order of turning on/off the power of the devices including the relay via the relay. In the device, a self-holding current for self-maintaining the make state of each of the relays is supplied to a coil of the relay and a make-type contact corresponding to the coil, which are connected in series to a control power source for a device including the relay. , a diode for rectifying and combining the self-holding current of each device;
an SCR circuit composed of a PNP transistor and an NPN transistor, whose conduction is controlled by the output of a power-on reset circuit included in the sequence control device, and is configured to conduct the rectified and combined self-holding current; A sequence control device characterized in that the sequence control device can be obtained through.
Priority Applications (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP59250219A JPS61128308A (en) | 1984-11-27 | 1984-11-27 | Sequential control device |
Applications Claiming Priority (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP59250219A JPS61128308A (en) | 1984-11-27 | 1984-11-27 | Sequential control device |
Publications (2)
| Publication Number | Publication Date |
|---|---|
| JPS61128308A JPS61128308A (en) | 1986-06-16 |
| JPH0337207B2 true JPH0337207B2 (en) | 1991-06-04 |
Family
ID=17204601
Family Applications (1)
| Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
|---|---|---|---|
| JP59250219A Granted JPS61128308A (en) | 1984-11-27 | 1984-11-27 | Sequential control device |
Country Status (1)
| Country | Link |
|---|---|
| JP (1) | JPS61128308A (en) |
-
1984
- 1984-11-27 JP JP59250219A patent/JPS61128308A/en active Granted
Also Published As
| Publication number | Publication date |
|---|---|
| JPS61128308A (en) | 1986-06-16 |
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