JPH0337725B2 - - Google Patents
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- Publication number
- JPH0337725B2 JPH0337725B2 JP57072241A JP7224182A JPH0337725B2 JP H0337725 B2 JPH0337725 B2 JP H0337725B2 JP 57072241 A JP57072241 A JP 57072241A JP 7224182 A JP7224182 A JP 7224182A JP H0337725 B2 JPH0337725 B2 JP H0337725B2
- Authority
- JP
- Japan
- Prior art keywords
- oxide
- fired
- reducing atmosphere
- electrodes
- present
- Prior art date
- Legal status (The legal status is an assumption and is not a legal conclusion. Google has not performed a legal analysis and makes no representation as to the accuracy of the status listed.)
- Expired - Lifetime
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- Inorganic Insulating Materials (AREA)
- Ceramic Capacitors (AREA)
Description
本発明は卑金属電極をもつ積層セラミツクコン
デンサに関するものである。 近年エレクトロニクスの発展とともに電子部品
の小形化が著しく進んできている。セラミツクコ
ンデンサにおいてもグリーンシートの上に電極を
印刷し、電極が端面に交互に露出し、かつ互いに
対向するようにグリーンシートを重ね合せて積層
体とし、この積層体を熱圧着して空気中において
1200〜1400℃で焼成するなどの方法で得られるい
わゆる積層コンデンサとして小形化指向が一段と
進んでいる。しかしながら、積層コンデンサの電
極は誘導体磁器と同時焼成を行うため、磁器材料
と反応せずかつ1200〜1400℃の高温で酸化しない
金属であることが必要である。これらの条件を満
たす金属として白金、パラジウムあるいは両者の
合金が用いられてきたが、これらの金属は極めて
高価であり、積層コンデンサを広範囲に普及させ
ていく上で大きな障害となつていた。 このような高価な電極材料に代るものとして、
卑金属電極で安価なニツケルなどを使用する方法
が提案されており、これらの電極金属は空気中で
焼成すると酸化するため還元性雰囲気で焼成する
必要があつた。しかしながら、従来のチタン酸バ
リウムを主体とした誘電体磁器材料では、還元雰
囲気中で焼成すると半導体化されてしまい、絶縁
抵抗、誘電体損失などの電気特性が著しく劣化
し、コンデンサとして使用できなくなるという欠
点があつた。 本発明はこのような欠点をなくし、還元雰囲気
中で焼成してもすぐれた電気特性を有する卑金属
電極をもつ積層セラミツクコンデンサを提供する
ものである。 以下本発明を実施例により説明する。 炭酸バリウム、酸化ランタン、酸化セリウム、
酸化チタン、酸化ジルコニウム、酸化マグネシウ
ム、酸化クロム、酸化バナジウム、酸化マンガ
ン、酸化スズ、酸化インジウム、酸化タングステ
ンを第１表に示す組成となるように配合し、16時
間湿式混合したのち乾燥した。この混合原料を空
気中において1050〜1200℃で２時間仮焼し、次い
で湿式粉砕を行なつたのち乾燥した。この粉末に
有機バインダーを加え造粒し10mmφ、厚み0.6mm
ｔに成形した。このようにして得られた成形体に
Ni電極ペーストを8.0mmφのスクリーン径を用い
て塗布し中性（例えばN2）あるいは還元雰囲気
（N2−０〜10vol％H2）で1300〜1400℃で２時間
保持し、自然冷却して150℃以下で投入ガスを止
め、焼成体を取り出した。 このようにして得られたNi電極をもつ誘電体
磁器の電気的特性を測定し、その結果を第１表に
併せて示した。 第１表の静電容量（Cap）、誘電体損失（tanδ）
は1Vrms、1KHzでの値、絶縁抵抗（1R）は
50VDC1分間印加後の測定値をそれぞれ示した。 なお、表中の試料番号に○印を付したものは本
発明の範囲外のものであり、それ以外はすべて本
発明範囲内のものである。本発明によるものは中
性または還元雰囲気での焼成で、すぐれた電気特
性が得られた。
デンサに関するものである。 近年エレクトロニクスの発展とともに電子部品
の小形化が著しく進んできている。セラミツクコ
ンデンサにおいてもグリーンシートの上に電極を
印刷し、電極が端面に交互に露出し、かつ互いに
対向するようにグリーンシートを重ね合せて積層
体とし、この積層体を熱圧着して空気中において
1200〜1400℃で焼成するなどの方法で得られるい
わゆる積層コンデンサとして小形化指向が一段と
進んでいる。しかしながら、積層コンデンサの電
極は誘導体磁器と同時焼成を行うため、磁器材料
と反応せずかつ1200〜1400℃の高温で酸化しない
金属であることが必要である。これらの条件を満
たす金属として白金、パラジウムあるいは両者の
合金が用いられてきたが、これらの金属は極めて
高価であり、積層コンデンサを広範囲に普及させ
ていく上で大きな障害となつていた。 このような高価な電極材料に代るものとして、
卑金属電極で安価なニツケルなどを使用する方法
が提案されており、これらの電極金属は空気中で
焼成すると酸化するため還元性雰囲気で焼成する
必要があつた。しかしながら、従来のチタン酸バ
リウムを主体とした誘電体磁器材料では、還元雰
囲気中で焼成すると半導体化されてしまい、絶縁
抵抗、誘電体損失などの電気特性が著しく劣化
し、コンデンサとして使用できなくなるという欠
点があつた。 本発明はこのような欠点をなくし、還元雰囲気
中で焼成してもすぐれた電気特性を有する卑金属
電極をもつ積層セラミツクコンデンサを提供する
ものである。 以下本発明を実施例により説明する。 炭酸バリウム、酸化ランタン、酸化セリウム、
酸化チタン、酸化ジルコニウム、酸化マグネシウ
ム、酸化クロム、酸化バナジウム、酸化マンガ
ン、酸化スズ、酸化インジウム、酸化タングステ
ンを第１表に示す組成となるように配合し、16時
間湿式混合したのち乾燥した。この混合原料を空
気中において1050〜1200℃で２時間仮焼し、次い
で湿式粉砕を行なつたのち乾燥した。この粉末に
有機バインダーを加え造粒し10mmφ、厚み0.6mm
ｔに成形した。このようにして得られた成形体に
Ni電極ペーストを8.0mmφのスクリーン径を用い
て塗布し中性（例えばN2）あるいは還元雰囲気
（N2−０〜10vol％H2）で1300〜1400℃で２時間
保持し、自然冷却して150℃以下で投入ガスを止
め、焼成体を取り出した。 このようにして得られたNi電極をもつ誘電体
磁器の電気的特性を測定し、その結果を第１表に
併せて示した。 第１表の静電容量（Cap）、誘電体損失（tanδ）
は1Vrms、1KHzでの値、絶縁抵抗（1R）は
50VDC1分間印加後の測定値をそれぞれ示した。 なお、表中の試料番号に○印を付したものは本
発明の範囲外のものであり、それ以外はすべて本
発明範囲内のものである。本発明によるものは中
性または還元雰囲気での焼成で、すぐれた電気特
性が得られた。
【表】
【表】
Claims (1)
- 【特許請求の範囲】 １ 一般式〔Ba(1-X)Mx］A〔Ti(1-y)Zry］BO3 において、Mg、Cr、Ｖ、Mn、Sn、In、Ｗの酸
化物のいずれか１種を0.01〜1.0重量％含有する
誘電体磁器に卑金属電極を形成してなることを特
徴とする積層セラミツクコンデンサ。 ただし、Ｍ＝La、Ce 0.005≦Ｘ≦0.1 0.01≦Ｙ≦0.3 1.0＜Ａ／Ｂ＜1.05
Priority Applications (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP7224182A JPS58188121A (ja) | 1982-04-27 | 1982-04-27 | 積層セラミツクコンデンサ |
Applications Claiming Priority (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP7224182A JPS58188121A (ja) | 1982-04-27 | 1982-04-27 | 積層セラミツクコンデンサ |
Publications (2)
| Publication Number | Publication Date |
|---|---|
| JPS58188121A JPS58188121A (ja) | 1983-11-02 |
| JPH0337725B2 true JPH0337725B2 (ja) | 1991-06-06 |
Family
ID=13483590
Family Applications (1)
| Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
|---|---|---|---|
| JP7224182A Granted JPS58188121A (ja) | 1982-04-27 | 1982-04-27 | 積層セラミツクコンデンサ |
Country Status (1)
| Country | Link |
|---|---|
| JP (1) | JPS58188121A (ja) |
Families Citing this family (3)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| JP2795654B2 (ja) * | 1988-10-14 | 1998-09-10 | ティーディーケイ株式会社 | 高誘電率磁器組成物 |
| JPH11186100A (ja) * | 1997-12-25 | 1999-07-09 | Murata Mfg Co Ltd | 非線形誘電体素子 |
| JP2016032015A (ja) * | 2014-07-29 | 2016-03-07 | 株式会社村田製作所 | 薄膜容量素子 |
Family Cites Families (1)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| JPS5521402B2 (ja) * | 1974-12-13 | 1980-06-10 |
-
1982
- 1982-04-27 JP JP7224182A patent/JPS58188121A/ja active Granted
Also Published As
| Publication number | Publication date |
|---|---|
| JPS58188121A (ja) | 1983-11-02 |
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