JPH0337827A - 磁気記録媒体の製造方法 - Google Patents

Abstract

(57)【要約】本公報は電子出願前の出願データであるた
め要約のデータは記録されません。

Description

【発明の詳細な説明】 産業上の利用分野 本発明は合金薄膜型磁気記録媒体の製造方法に関する。

従来の技術 磁気記録再生装置は年々高密度化しており、短波長記録
再生特性の優れた磁気記録媒体が要望されていも　現在
では基板上に磁性粉を塗布した塗布型磁気記録媒体が主
として使用されており、上記要望を満たすべく特性改善
がなされている力丈はぼ限界に近づきつつあも この限界を越えるものとして合金薄膜型磁気記録媒体が
開発されつつあも　合金薄膜型磁気記録媒体は真空蒸着
法　スパッタリング汰　メツキ法などにより作成され　
優れた短波長記録再生特性を有すへ　合金薄膜型磁気記
録媒体における磁性層として１．ｔ、　　Ｃｏ、　Ｃｏ
−Ｎｉ、　Ｃｏ−Ｎ１−Ｐ、　Ｆｅ−０等の面内記録用
薄膜及び、Ｃｏ−Ｃｒ、　Ｃｏ−Ｎｉ−Ｃｒ、　Ｃｏ−
Ｃｒ−Ｍｏ、　Ｃｏ−Ｃｒ−ＷＣｏ−Ｃｒ−Ｎｂ、　Ｃ
ｏ−Ｃｒ−Ｔａ、　Ｃｏ−■、　Ｃｏ−Ｃｒ−Ａ１等の
ＣＯ基合金からなる垂直記録用薄膜が有望である。

発明が解決しようとする課題 このような合金薄膜型磁気記録媒体は優れた短波長記録
再生特性を有している力ｔ　磁気ヘッドを媒体に接触さ
せて記録再生する際に傷が入りやすく、耐久性および走
行性が悪いという問題点かあつｔん 本発明は　このような従来技術の課題を解決することを
目的とすも 課題を解決するための手段 本発明（上　基板上に合金薄膜層を形成する工程と、前
記合金薄膜磁性層表面をイオン銃によるイオンを用いて
エツチングする工程と、更にその後に前記合金薄膜磁性
層表面を酸化させる工程とをそなえる磁気記録媒体の製
造方法であも作用 本発明によれば　合金薄膜型磁気記録媒体表面に　まず
イオン銃を用いたエツチング処理により、表面に微小か
つ−様な凹凸が形成される。

次に大気中酸化処理により、表面の凹凸がより大きくな
ると同時に　表面が硬くなも その結巣　磁気ヘッドを媒体に接触させて記録再生する
際に　媒体に傷が入りにくくなり、従来に比べて耐久性
が大幅に向上すると同時に　媒体の走行性も大幅に改善
される。

実施例 以下に　本発明の実施例について図面を参照しながら説
明すも 第１図に本発明の製造方法の一実施例のための製造装置
の一例を示す。

この装置は通常の真空蒸着装置にイオン銃７を備えたも
のである。基板としての高分子フィルムｌは円筒状キャ
ン２の周面に沿って矢印Ａの方向に走行する。３及び４
はそれぞれ高分子フィルム１の供給ロール及び巻き取り
ロールである。また９及び１０はフリーローラであも　
蒸着源５より蒸発した原子はスリットＳを通り、円筒上
キャン２の周面型　高分子フィルム１の表面に薄膜を形
成する。６は遮蔽板である。形成された薄膜１よ円筒上
キャン２の上で、イオン銃７より出たイオン８により表
面をエツチングされも 高分子フィルム１上に　真空蒸着法により合金薄膜磁性
層としてＣｏ−Ｃｒ薄膜を形成した後、イオン銃７より
出たイオン８を用いて上記薄膜をエツチングした　高分
子フィルム１の走行速度を５ｍ／分とじん　イオン化す
るガスとしてＩＬ　　Ａｒ、Ｎ＊、０２、Ｎｅ、　Ｋｒ
等いずれでも良い力ｔ　本実施例ではＡｒを用（＼ガス
導入量は２０ｃｃ／分としあ　またイオンの加速電圧は
−１５００Ｖ、　　イオン電流密度は５ｍＡ／ｃｍ２と
した　イオンを照射する際に高分子フィルムが熱的ダメ
ージを受けるのを避けるために直流電源１１を用いて高
分子フィルムｌと円筒状キャン２の間に電位差を設けて
高分子フィルムｌを円筒状キャン２の表面に張り付けた 上記イオンエツチング工程の後に　ｃｏ−Ｃｒ薄膜磁性
層を大気中で３１０℃に加熱して表面を酸化させ九　以
上の工程に於て、Ｃｏ−Ｃｒ薄膜磁性層断面の構造を第
２図（ａ）〜（ｃ）に模式的に示す。第２図に於て、　
（ａ）はＣｏ−Ｃｒ薄膜形成直後の磁性層表面の状態を
示し　従来の方法で作製されたＣ。

Ｃ「薄膜磁性層の表面の状態を示す。

また（ｂ）はイオン銃で表面をエツチングされた後の表
面の状態を表わＬ（ｃ）はその後更に大気中で表面を酸
化された媒体の表面の状態を示す。尚第２図（ｄｒｉｆ
ｔ、　　イオンエツチング工程がない点を除いては本発
明と同じ方法で作成したＣ。

Ｃ「薄膜の断面の模式図である。

蒸着されたままのＣｏ−Ｃｒ薄膜磁性層（友　第２図（
ａ）に示すように　はぼ平坦な表面を有している。

このＣｏ−Ｃｒ薄膜磁性層の表面をイオンエツチングす
ると、第２図（ｂ）に示すような凹凸が形成されも　こ
れはもともとの薄膜表面の形状　組成などの表面状態が
完全に均一ではないために　選択的にエツチングされる
部分があるからであもこのＣｏ−Ｃｒ薄膜磁性層の表面
を大気中で高温で酸化すると、表面にＣｏｏが成長すん
　この場合も酸化層の成長が不均一に起こるので、第２
図（Ｃ）に示すように表面の凹凸は更に犬きくなん　こ
の凹凸を走査型電子顕微鏡を用いて表面観察すると、０
、　０１〜０．　０２μｍＯ）凹凸がＣｏ−Ｃｒ薄膜磁
性層表面に形成されていも また第２図（ｃ）ｉ；Ｌ　　イオンエツチングをしない
（ｄ）の状態に比べて、より明瞭な凹凸が形成されてい
るのが見られる。以上で本発明の主な工程の説明を終わ
るカミ　通常は信頼性をより高めるために第２図（ｃ）
の状態の薄膜磁性層上に潤滑剤などの保護層を形成する
。

次に本発明の製造方法により作製した磁気記録媒体の耐
久性および走行性について説明する。

高分子フィルム基板としては膜厚１０μｍのポリイミド
フィルムを使用し　この上に真空蒸着法により、膜厚０
．２５μｍのＣｏ−Ｃｒ垂直磁気異方性膜を形成した　
この媒体の表面を、前記イオン銃を用いて、平均深さ０
．０１μｍ程度エツチングしｔも その抵　上記媒体を大気中で３１０℃に２０秒間保持し
て表面に酸化層を形成した　更にこれらの処理の施され
たＣｏ−Ｃｒ垂直磁気異方性膜表面に膜厚約５０Ａの潤
滑剤を塗布し九　その後に８ｍｍ幅のテープ状にスリッ
トした 耐久性は　このテープを市販の８　ｍｍＶ　Ｔ　Ｒデツ
キにかけてスチル再生を行ない評価した　走行性は動摩
擦係数を測ることによって評価した次表に　第２図（ａ
）、　（ｂ）、　（ｃ）、　（ｄ）の状態のテープサン
プルａａ、　ｂｂ、　ｃｃ、　ｄｄについての評価結果
をまとめも 表に於てスチル耐久時間は　スチル再生モードにしてか
ら再生開始時の再生出力に対し再生出力が３ｄＢ低下す
るまでの時間である。表に示す結果から分かるように　
本発明の方法によって作製した磁気テープ（よ　スチル
耐久性が６０分以上動摩擦係数が０．　２となっており
、非常に優れた耐久性および走行性を有していることが
分かる。

これに対し　サンプルａａ％　ｂｂ、ｄｄはスチル耐久
法　動摩擦係数ともに実用上不十分であも以上では合金
薄膜磁性層としてＣｏ−Ｃｒ膜について説明したバ　こ
れ以外の合金薄膜磁性層でも上記と同様の結果が得られ
も　また上記では蒸着機連続的にイオンエツチングする
例を示したカミ　蒸着後１度巻取りロールに巻き取った
後で、再び高分子フィルムを走行させてイオンエツチン
グしてもよりち　また基板としてポリイミドフィルムを
用いたカミ　ポリイミド以外の高分子基板およびＡｌな
どの金属基板でも上記と同様に本発明は有効であも 発明の効果 本発明の磁気記録媒体の製造方法によれば　媒体表面に
急峻でかつ硬い酸化物の−様な凹凸を形成することが可
能であるために磁気ヘッドを媒体に接触させて記録再生
する際に媒体に傷が入りにくくなり、従来の製造方法に
比べて大幅に耐久性および走行性の向上した媒体を作製
できも

【図面の簡単な説明】

第１図は本発明の一実施例の薄膜の製造方法を実施する
ための製造装置の一例を示す正面は　第２図は同実施例
における媒体断面の構造を示す断面図であも ｌ・・・高分子フィルな　２・・・円筒状キャン、　３
・・・供給ロー）ＩＩ　　４・・・巻取りローノｋ　５
・・・蒸発派６・・・遮蔽板　７・・・イオン紘　８・
・・イオン、　９、ｌＯ・・・フリーローラ、　１１・
・・直流型温　１２・・・高分子フィルｋ　　１３・・
・Ｃｏ−Ｃｒ薄膜磁性恩　Ｓ・・・スリット。

Claims (2)

【特許請求の範囲】
1. （１）基板上に合金薄膜磁性層を形成する工程と、前記
   合金薄膜磁性層の表面をイオン銃によるイオンを用いて
   エッチングする工程と、更にその後に前記合金薄膜磁性
   層の表面を酸化させる工程とを備えたことを特徴とする
   磁気記録媒体の製造方法
2. （２）イオン銃のイオンの加速電圧を５００Ｖ以上とす
   ることを特徴とする請求項１記載の磁気記録媒体の製造
   方法