JPH01287819A - 磁気記録媒体 - Google Patents
磁気記録媒体Info
- Publication number
- JPH01287819A JPH01287819A JP63117292A JP11729288A JPH01287819A JP H01287819 A JPH01287819 A JP H01287819A JP 63117292 A JP63117292 A JP 63117292A JP 11729288 A JP11729288 A JP 11729288A JP H01287819 A JPH01287819 A JP H01287819A
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- JP
- Japan
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- film
- magnetic recording
- thin
- recording medium
- thin film
- Prior art date
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- Pending
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Abstract
(57)【要約】本公報は電子出願前の出願データであるた
め要約のデータは記録されません。
め要約のデータは記録されません。
Description
【発明の詳細な説明】
産業上の利用分野
本発明は高密度記録に適した強磁性金属薄膜を磁気記録
層とする磁気記録媒体に関する。
層とする磁気記録媒体に関する。
従来の技術
近年、高密度磁気記録への要望から、従来の長手記録に
於ても、最近提案された垂直磁気記録に於ても、Ｇｅ系
の強磁性金属薄膜を磁気記録層とする磁気記録媒体の実
用化が強く望まれ、研究が盛んである。
於ても、最近提案された垂直磁気記録に於ても、Ｇｅ系
の強磁性金属薄膜を磁気記録層とする磁気記録媒体の実
用化が強く望まれ、研究が盛んである。
とりわけ、短波長記録での記録減磁が無視できる垂直磁
気記録は、単磁極ヘッドと、パーマロイ薄膜、Ｇｏ−Ｏ
ｒ垂直磁化膜から成る２層媒体との組み合わせで、極め
て優れた高ぞ度記録特性を示すことが開示され〔特公昭
５８−９１号公報〕に及んで、−層注目を集め以降、各
方面で改良が続けられてきた中で、現状で最も高記録密
度を達成しているリング型の磁気ヘッドによるヘリカル
走査方式と単層媒体の組み合わせでも高密度記録の可能
性が示されるに及び〔特開昭６１−７７１２８号公報〕
実用化に拍車がかかっている。
気記録は、単磁極ヘッドと、パーマロイ薄膜、Ｇｏ−Ｏ
ｒ垂直磁化膜から成る２層媒体との組み合わせで、極め
て優れた高ぞ度記録特性を示すことが開示され〔特公昭
５８−９１号公報〕に及んで、−層注目を集め以降、各
方面で改良が続けられてきた中で、現状で最も高記録密
度を達成しているリング型の磁気ヘッドによるヘリカル
走査方式と単層媒体の組み合わせでも高密度記録の可能
性が示されるに及び〔特開昭６１−７７１２８号公報〕
実用化に拍車がかかっている。
実用化の最重要課題は、高密度記録特性を維持できる耐
久性の確保にあり、各種の保護、潤滑膜が検討され〔特
開昭６１−１３１２３１号公報、特開昭６１−１５１８
３０号公報、＃！ｆ開昭６１−２２４１２８号公報〕る
中で、カーボン系の保護膜の利用が〔特開昭６１−１２
６６２７号公報、特開昭６１−２２０１２０号公報、特
開昭６１−２３３４１２号公報〕耐久性の向上に有効で
あることが知られるようになり、とりわけ硬質のカーボ
ン膜の保護膜としての期待は大きい〔外国論文誌アイイ
ーイーイー トランザクションズ オンマグネティクス
（ＩＥＩＣＥ ＴＲＡＮＳＡＣＴＩＯＮＳＯＮ Ｍ
ＡＧＮＫＴＩＣ８）ｖｏ／ ＭＡＧ−２３，Ｎｏ、。
久性の確保にあり、各種の保護、潤滑膜が検討され〔特
開昭６１−１３１２３１号公報、特開昭６１−１５１８
３０号公報、＃！ｆ開昭６１−２２４１２８号公報〕る
中で、カーボン系の保護膜の利用が〔特開昭６１−１２
６６２７号公報、特開昭６１−２２０１２０号公報、特
開昭６１−２３３４１２号公報〕耐久性の向上に有効で
あることが知られるようになり、とりわけ硬質のカーボ
ン膜の保護膜としての期待は大きい〔外国論文誌アイイ
ーイーイー トランザクションズ オンマグネティクス
（ＩＥＩＣＥ ＴＲＡＮＳＡＣＴＩＯＮＳＯＮ Ｍ
ＡＧＮＫＴＩＣ８）ｖｏ／ ＭＡＧ−２３，Ｎｏ、。
Ｐ、Ｐ、２４１０〜２４１２ （１９８７） ）。
発明が解決しようとする課題
硬質カーボン摸の中で、ダイアモンド状硬質炭素膜（以
下り、Ｌ、Ｃ膜と呼ぶ）は、その硬度が保護性能にとっ
て重要で、スパッタリング法、プラズマ加速法、イオン
ビームデポジション法等の夫々の製造条件を最適化する
ことで対応が図られているのが現状であるが、保護性能
を十分得るに必要であることから、短波長でのスペーシ
ング損失が問題であり、改善が望１れていた。本発明は
、上記した事情に鑑みなされたもので、スペーシング損
失を改良した磁気記録媒体を提供するものである。
下り、Ｌ、Ｃ膜と呼ぶ）は、その硬度が保護性能にとっ
て重要で、スパッタリング法、プラズマ加速法、イオン
ビームデポジション法等の夫々の製造条件を最適化する
ことで対応が図られているのが現状であるが、保護性能
を十分得るに必要であることから、短波長でのスペーシ
ング損失が問題であり、改善が望１れていた。本発明は
、上記した事情に鑑みなされたもので、スペーシング損
失を改良した磁気記録媒体を提供するものである。
課題を解決するための手段
上記した課題を解決するため本発明の磁気記録媒体は、
強磁性金属薄膜上に８１又は００層を介してダイアモン
ド状硬質炭素薄膜を配するようにしたものである。
強磁性金属薄膜上に８１又は００層を介してダイアモン
ド状硬質炭素薄膜を配するようにしたものである。
作用
本発明の磁気記録媒体は、上記した構成により、Ｓｌ又
はＧｅ薄膜がり、 Ｌ、 Ｃ，膜をよりダイアモンド購
造の結晶配列をエピタキシー的に助けることから硬さが
増大し、薄くしても十分な保護性能を有するように出来
ることからスペーシング損失を小さくできるようになる
のである。
はＧｅ薄膜がり、 Ｌ、 Ｃ，膜をよりダイアモンド購
造の結晶配列をエピタキシー的に助けることから硬さが
増大し、薄くしても十分な保護性能を有するように出来
ることからスペーシング損失を小さくできるようになる
のである。
実施例
以下、図面を参照しながら本発明の実施例について説明
する。図は本発明の磁気記録媒体に係る一実施例の拡大
断面図である。図で１は、ポリアミド、ポリイミド、ポ
リエーテルエーテルケトン。
する。図は本発明の磁気記録媒体に係る一実施例の拡大
断面図である。図で１は、ポリアミド、ポリイミド、ポ
リエーテルエーテルケトン。
ポリエーテルサルフオン、ボリフェニレンサルフフイド
、ポリサル７オン、ポリエチレンナフタレート等の高分
子フィルムで、必要に応じて、水溶性高分子から成るみ
みず状の下塗り層や、Ｔ：ｘｏ ２ ＋Ｚｒ Ｏ２＊
Ｃａ ｃ ０５ ＋ Ｏｒ ２０５等の微粒子を配した
微粒子塗布層等を配したものを用いることもできる。
、ポリサル７オン、ポリエチレンナフタレート等の高分
子フィルムで、必要に応じて、水溶性高分子から成るみ
みず状の下塗り層や、Ｔ：ｘｏ ２ ＋Ｚｒ Ｏ２＊
Ｃａ ｃ ０５ ＋ Ｏｒ ２０５等の微粒子を配した
微粒子塗布層等を配したものを用いることもできる。
２はＧｏ −Ｃｒ 、 Ｇｏ −Ｔｉ 、 Ｃｏ −Ｎ
ｉ 、 Ｇｏ−Ｚｒ。
ｉ 、 Ｇｏ−Ｚｒ。
Ｇｏ−Ｒｕ、 Ｇｏ−Ｐｔ、Ｇｏ−Ｔ１Ｌ＋ Ｃｏ −
Ｗ、 Ｇｏ −０、Ｇｏ −Ｎｉ −０，Ｇｏ −Ｃ
ｒ −Ｎｂ 、Ｇｏ −Ｎｉ−Ｐ等の強磁性金属薄膜
で、スパッタリング法。
Ｗ、 Ｇｏ −０、Ｇｏ −Ｎｉ −０，Ｇｏ −Ｃ
ｒ −Ｎｂ 、Ｇｏ −Ｎｉ−Ｐ等の強磁性金属薄膜
で、スパッタリング法。
イオンブレーティング法、電子ビーム蒸着法等により形
成される。
成される。
３はＳｉ又はＧｏの薄膜で、好ましい膜厚は２０人から
５０人で高周波スパッタリング法又はイオンブレーティ
ング法で製膜するのが好ましいが、勿論、高分子フィル
ムの温度をあげて電子ビーム蒸着することで製膜しても
よい。４はり、 Ｌ、 Ｃ。
５０人で高周波スパッタリング法又はイオンブレーティ
ング法で製膜するのが好ましいが、勿論、高分子フィル
ムの温度をあげて電子ビーム蒸着することで製膜しても
よい。４はり、 Ｌ、 Ｃ。
膜で、高周波スパッタリング法、イオンビームデポジシ
ョン法、プラズマ加速法等で形成した膜厚５０Ａから１
００ムの膜を用いればよい。５は高級アルコール、弗素
オイル等の潤滑剤で真空蒸着法、溶液塗布法等により、
スペーシング損失を無視できる量を配設すればよい。
ョン法、プラズマ加速法等で形成した膜厚５０Ａから１
００ムの膜を用いればよい。５は高級アルコール、弗素
オイル等の潤滑剤で真空蒸着法、溶液塗布法等により、
スペーシング損失を無視できる量を配設すればよい。
本発明は、磁気ディスク・磁気テープのいずれで実施し
てもよいが以下更に具体的に比較例との対比で一例を説
明する。厚み１０μｍのポリエチレンテレフタレートフ
ィルム上に直径９０ムのＫｕ２０３微粒子を１５ケ／（
μｍ）配し、その上に高周波スパッタリング法でＧｏ
−Ｃｊｒ （Ｃｏ ： ｓ。
てもよいが以下更に具体的に比較例との対比で一例を説
明する。厚み１０μｍのポリエチレンテレフタレートフ
ィルム上に直径９０ムのＫｕ２０３微粒子を１５ケ／（
μｍ）配し、その上に高周波スパッタリング法でＧｏ
−Ｃｊｒ （Ｃｏ ： ｓ。
ｗｔ％ ）垂直磁化膜を１８００人配し、Ｓｌ又はＧｅ
をターゲットにして高周波スパッタリング法でＳｉ膜又
はＧｅ膜を配し、その上にグラファイトをターゲットに
してり、 Ｌ、 Ｃ膜を形成し、真空蒸着法で４０人パ
ーフルオロミリスチン酸を配してから８ミリ幅の磁気テ
ープを製造した。一方比較例は、Ｓｉ又はＧｅを介さず
に同じ条件でり、 Ｌ、 Ｃ，膜を形成したものである
。これらの磁気テープを改造した８ミリビデオにより、
ギャップ長０．１３μｍのアモルファスヘッドにより、
ビット長０．１９μｍ。
をターゲットにして高周波スパッタリング法でＳｉ膜又
はＧｅ膜を配し、その上にグラファイトをターゲットに
してり、 Ｌ、 Ｃ膜を形成し、真空蒸着法で４０人パ
ーフルオロミリスチン酸を配してから８ミリ幅の磁気テ
ープを製造した。一方比較例は、Ｓｉ又はＧｅを介さず
に同じ条件でり、 Ｌ、 Ｃ，膜を形成したものである
。これらの磁気テープを改造した８ミリビデオにより、
ギャップ長０．１３μｍのアモルファスヘッドにより、
ビット長０．１９μｍ。
トランクピッチ６μｍの信号を記録し、再生出力を相対
比較すると共にスチル状態で、ノイズが画像目視で目立
つようになるまでの時間で耐久性を比較した結果をテー
プ条件を変えたものについて表にまとめて示した。
比較すると共にスチル状態で、ノイズが画像目視で目立
つようになるまでの時間で耐久性を比較した結果をテー
プ条件を変えたものについて表にまとめて示した。
（以下余白）
表より、従来例とほぼ同程度の耐久性を得た上でスペー
シング損失の改良は、約３（ｄＢ）の出力増につながる
もので高密度記録にとって有価値性は明白である。尚Ｃ
ｏ −Ｎ ｉ −０斜め蒸着膜はＧｏ−Ｏｒ薄膜よりも
保護膜が薄くでき例えばあることも確かめた中で特記す
べき事項といえる。
シング損失の改良は、約３（ｄＢ）の出力増につながる
もので高密度記録にとって有価値性は明白である。尚Ｃ
ｏ −Ｎ ｉ −０斜め蒸着膜はＧｏ−Ｏｒ薄膜よりも
保護膜が薄くでき例えばあることも確かめた中で特記す
べき事項といえる。
発明の効果
以上のように本発明によれば、耐久性を確保した上で高
密度記録を実現できる磁気記録媒体が得られるといった
すぐれた効果がある。
密度記録を実現できる磁気記録媒体が得られるといった
すぐれた効果がある。
図は本発明に係る一実施例の磁気記録媒体の拡大断面図
である。 １・・・・・・高分子フィルム、２・・・・・・強磁性
金属薄膜、３・・・・・・Ｓｉ （又はＧ６）４膜、４
・・・・・・Ｄ、Ｌ、Ｃ膜。
である。 １・・・・・・高分子フィルム、２・・・・・・強磁性
金属薄膜、３・・・・・・Ｓｉ （又はＧ６）４膜、４
・・・・・・Ｄ、Ｌ、Ｃ膜。
Claims (1)
- 強磁性金属薄膜上にＳｉ又はＧｅ層を介して、ダイアモ
ンド状硬質炭素薄膜を配したことを特徴とする磁気記録
媒体。
Priority Applications (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP63117292A JPH01287819A (ja) | 1988-05-13 | 1988-05-13 | 磁気記録媒体 |
Applications Claiming Priority (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP63117292A JPH01287819A (ja) | 1988-05-13 | 1988-05-13 | 磁気記録媒体 |
Publications (1)
| Publication Number | Publication Date |
|---|---|
| JPH01287819A true JPH01287819A (ja) | 1989-11-20 |
Family
ID=14708141
Family Applications (1)
| Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
|---|---|---|---|
| JP63117292A Pending JPH01287819A (ja) | 1988-05-13 | 1988-05-13 | 磁気記録媒体 |
Country Status (1)
| Country | Link |
|---|---|
| JP (1) | JPH01287819A (ja) |
Cited By (3)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| JPH09138943A (ja) * | 1995-11-14 | 1997-05-27 | Nec Corp | 磁気ディスク媒体 |
| US5973447A (en) * | 1997-07-25 | 1999-10-26 | Monsanto Company | Gridless ion source for the vacuum processing of materials |
| US6322880B1 (en) * | 1998-09-28 | 2001-11-27 | Seagate Technology Llc | Magneto-resistance recording media comprising a foundation layer and a C-overcoat |
-
1988
- 1988-05-13 JP JP63117292A patent/JPH01287819A/ja active Pending
Cited By (3)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| JPH09138943A (ja) * | 1995-11-14 | 1997-05-27 | Nec Corp | 磁気ディスク媒体 |
| US5973447A (en) * | 1997-07-25 | 1999-10-26 | Monsanto Company | Gridless ion source for the vacuum processing of materials |
| US6322880B1 (en) * | 1998-09-28 | 2001-11-27 | Seagate Technology Llc | Magneto-resistance recording media comprising a foundation layer and a C-overcoat |
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