JPH0337859B2 - - Google Patents
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- Publication number
- JPH0337859B2 JPH0337859B2 JP60263276A JP26327685A JPH0337859B2 JP H0337859 B2 JPH0337859 B2 JP H0337859B2 JP 60263276 A JP60263276 A JP 60263276A JP 26327685 A JP26327685 A JP 26327685A JP H0337859 B2 JPH0337859 B2 JP H0337859B2
- Authority
- JP
- Japan
- Prior art keywords
- capillary
- wire bonding
- tip
- silicon carbide
- ruby
- Prior art date
- Legal status (The legal status is an assumption and is not a legal conclusion. Google has not performed a legal analysis and makes no representation as to the accuracy of the status listed.)
- Expired - Lifetime
Links
Classifications
-
- H—ELECTRICITY
- H10—SEMICONDUCTOR DEVICES; ELECTRIC SOLID-STATE DEVICES NOT OTHERWISE PROVIDED FOR
- H10W—GENERIC PACKAGES, INTERCONNECTIONS, CONNECTORS OR OTHER CONSTRUCTIONAL DETAILS OF DEVICES COVERED BY CLASS H10
- H10W72/00—Interconnections or connectors in packages
- H10W72/071—Connecting or disconnecting
- H10W72/0711—Apparatus therefor
-
- H—ELECTRICITY
- H10—SEMICONDUCTOR DEVICES; ELECTRIC SOLID-STATE DEVICES NOT OTHERWISE PROVIDED FOR
- H10W—GENERIC PACKAGES, INTERCONNECTIONS, CONNECTORS OR OTHER CONSTRUCTIONAL DETAILS OF DEVICES COVERED BY CLASS H10
- H10W72/00—Interconnections or connectors in packages
- H10W72/071—Connecting or disconnecting
- H10W72/0711—Apparatus therefor
- H10W72/07141—Means for applying energy, e.g. ovens or lasers
Landscapes
- Wire Bonding (AREA)
Description
〔産業上の利用分野〕
本発明はLISやICなどの半導体装置のワイヤボ
ンデイングに使用するキヤピラリーに関するもの
である。 〔従来の技術〕 半導体装置において、半導体チツプの電極とパ
ツケージのリード電極との接続には、金またはア
ルミニウムよりなる直径0.015〜0.1mm程度の細い
導線を用いているがこの接続工程（ワイヤボンデ
イング）には第３図に先端部を示すように導線を
先端に送出する直径0.025〜0.1mm程度の細孔Ｈを
備えたキヤピラリーＣを使用している。 このキヤピラリーＣの材質としては、当初ガラ
スや超硬質剤を用いていたが、耐摩耗性等の点か
ら、最近はアルミナ多結晶セラミツク製のもの
や、アルミナを原料にし、単結晶としたルビー、
サフアイアなどで形成したものが広く用いられて
きた。 特に低コストのアルミナ多結晶セラミツク製キ
ヤピラリーが最も多く使用されていた。 〔従来技術の問題点〕 ところが、アルミナ多結晶セラミツク製のキヤ
ピラリーの場合、金属の付着性が大きく、また表
面に存在するボンドやピンホール等のため、第３
図に示すように先端部に導線や電極の粉が付着し
やすく、この付着物Ｆが多くたまると細孔Ｈの穴
詰まりや導線切れ、ループ異常等を引き起こして
いた。さらに、このキヤピラリー先端部は常に
300℃程度となつており、１秒間に14回程度の高
速で導線を電極上に圧着する際に、電極に打ちつ
けられて瞬間的に約1000℃の高温に達することが
あるため、熱伝導率の低いアルミナ多結晶セラミ
ツク製のキヤピラリーは、ヒートシヨツクによる
先端部の欠けや摩耗が激しく、比較的短期間で使
用不能となつていた。 また、ルビー、サフアイヤ等のアルミナ単結晶
で形成したキヤピラリーの場合は、先端部に導線
や電極の粉の付着や摩耗は少ないが、キヤピラリ
ー自体を製造する加工工程中に発生したマイクロ
クラツクに基づき、キヤピラリーをボンデイング
装置に取り付ける際などの取ら扱い中に欠けや折
れが発生することが多く、ボンデイングにより寿
命を全うするものに対し途中で使用不能となるも
のが約50％があつた。さらにルビーやサフアイア
は、アルミナ多結晶セラミツク製に比べコストが
高いという問題点もあつた。 〔問題点を解決するための手段〕 上記に鑑みて、本発明はワイヤボンデイング用
キヤピラリーの少なくとも先端部を、炭化珪素を
主成分とし、焼結助剤として炭素、硼素、酸化ア
ルミニウム、酸化ベリリウムなどの少なくとも一
種を含有した炭化珪素質セラミツクで形成したも
のである。 〔実施例〕 本発明に係るキヤピラリーＣは第１図に示すよ
うに、導線を先端部に送出する細孔Ｈを備えてお
り、全体を炭化珪素質セラミツクより形成してい
る。このようなキヤピラリーを試作し、従来の超
硬質剤、アルミナ多結晶セラミツク、ルビーより
なるキヤピラリーと共にワイヤボンデイング試験
を行つた。それぞれのキヤピラリーを10個用意し
同一条件のもとに金線でボンデイングを行い、ボ
ンデイング回数と、導線の接続状態の関係を調べ
た結果、それぞれの平均値は第１表のようになつ
た。
ンデイングに使用するキヤピラリーに関するもの
である。 〔従来の技術〕 半導体装置において、半導体チツプの電極とパ
ツケージのリード電極との接続には、金またはア
ルミニウムよりなる直径0.015〜0.1mm程度の細い
導線を用いているがこの接続工程（ワイヤボンデ
イング）には第３図に先端部を示すように導線を
先端に送出する直径0.025〜0.1mm程度の細孔Ｈを
備えたキヤピラリーＣを使用している。 このキヤピラリーＣの材質としては、当初ガラ
スや超硬質剤を用いていたが、耐摩耗性等の点か
ら、最近はアルミナ多結晶セラミツク製のもの
や、アルミナを原料にし、単結晶としたルビー、
サフアイアなどで形成したものが広く用いられて
きた。 特に低コストのアルミナ多結晶セラミツク製キ
ヤピラリーが最も多く使用されていた。 〔従来技術の問題点〕 ところが、アルミナ多結晶セラミツク製のキヤ
ピラリーの場合、金属の付着性が大きく、また表
面に存在するボンドやピンホール等のため、第３
図に示すように先端部に導線や電極の粉が付着し
やすく、この付着物Ｆが多くたまると細孔Ｈの穴
詰まりや導線切れ、ループ異常等を引き起こして
いた。さらに、このキヤピラリー先端部は常に
300℃程度となつており、１秒間に14回程度の高
速で導線を電極上に圧着する際に、電極に打ちつ
けられて瞬間的に約1000℃の高温に達することが
あるため、熱伝導率の低いアルミナ多結晶セラミ
ツク製のキヤピラリーは、ヒートシヨツクによる
先端部の欠けや摩耗が激しく、比較的短期間で使
用不能となつていた。 また、ルビー、サフアイヤ等のアルミナ単結晶
で形成したキヤピラリーの場合は、先端部に導線
や電極の粉の付着や摩耗は少ないが、キヤピラリ
ー自体を製造する加工工程中に発生したマイクロ
クラツクに基づき、キヤピラリーをボンデイング
装置に取り付ける際などの取ら扱い中に欠けや折
れが発生することが多く、ボンデイングにより寿
命を全うするものに対し途中で使用不能となるも
のが約50％があつた。さらにルビーやサフアイア
は、アルミナ多結晶セラミツク製に比べコストが
高いという問題点もあつた。 〔問題点を解決するための手段〕 上記に鑑みて、本発明はワイヤボンデイング用
キヤピラリーの少なくとも先端部を、炭化珪素を
主成分とし、焼結助剤として炭素、硼素、酸化ア
ルミニウム、酸化ベリリウムなどの少なくとも一
種を含有した炭化珪素質セラミツクで形成したも
のである。 〔実施例〕 本発明に係るキヤピラリーＣは第１図に示すよ
うに、導線を先端部に送出する細孔Ｈを備えてお
り、全体を炭化珪素質セラミツクより形成してい
る。このようなキヤピラリーを試作し、従来の超
硬質剤、アルミナ多結晶セラミツク、ルビーより
なるキヤピラリーと共にワイヤボンデイング試験
を行つた。それぞれのキヤピラリーを10個用意し
同一条件のもとに金線でボンデイングを行い、ボ
ンデイング回数と、導線の接続状態の関係を調べ
た結果、それぞれの平均値は第１表のようになつ
た。
叙上のように、本発明によればワイヤボンデイ
ング用キヤピラリーの少なくとも先端部分を炭化
珪素質セラミツクより形成したこにより、先端部
への導線や電極粉の付着やヒートシヨツクによる
欠け、摩耗が少ないため、長寿命化を図ることが
できるだけでなく、安定したワイヤボンデイング
が行え、IC等の半導体装置の品質を安定させる
ことができる。 さらにルビー、サフアイアに比べてコストを低
くできるなどの特長を有した優れたキヤピラリー
を提供できる。
ング用キヤピラリーの少なくとも先端部分を炭化
珪素質セラミツクより形成したこにより、先端部
への導線や電極粉の付着やヒートシヨツクによる
欠け、摩耗が少ないため、長寿命化を図ることが
できるだけでなく、安定したワイヤボンデイング
が行え、IC等の半導体装置の品質を安定させる
ことができる。 さらにルビー、サフアイアに比べてコストを低
くできるなどの特長を有した優れたキヤピラリー
を提供できる。
第１図は本発明に係るワイヤボンデイング用キ
ヤピラリーの実施例を表す一部破断面図、第２図
は本発明に係るワイヤボンデイング用キヤピラリ
ーの他の実施例を表す一部断面図、第３図は従来
のワイヤボンデイング用キヤピラリー先端部の一
部断面図である。 Ｃ：キヤピラリー、Ｈ：細孔、Ｆ：付着物。
ヤピラリーの実施例を表す一部破断面図、第２図
は本発明に係るワイヤボンデイング用キヤピラリ
ーの他の実施例を表す一部断面図、第３図は従来
のワイヤボンデイング用キヤピラリー先端部の一
部断面図である。 Ｃ：キヤピラリー、Ｈ：細孔、Ｆ：付着物。
Claims (1)
- １ 少なくとも先端部分を、炭化珪素を主成分と
し、焼結助剤として炭素、硼素、酸化アルミニウ
ム、酸化ベリリウムなどの少なくとも一種を含有
した炭化珪素質セラミツクにより形成したことを
特徴とするワイヤボンデイング用キヤピラリー。
Priority Applications (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP60263276A JPS62123729A (ja) | 1985-11-22 | 1985-11-22 | ワイヤボンデイング用キヤピラリ− |
Applications Claiming Priority (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP60263276A JPS62123729A (ja) | 1985-11-22 | 1985-11-22 | ワイヤボンデイング用キヤピラリ− |
Publications (2)
| Publication Number | Publication Date |
|---|---|
| JPS62123729A JPS62123729A (ja) | 1987-06-05 |
| JPH0337859B2 true JPH0337859B2 (ja) | 1991-06-06 |
Family
ID=17387211
Family Applications (1)
| Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
|---|---|---|---|
| JP60263276A Granted JPS62123729A (ja) | 1985-11-22 | 1985-11-22 | ワイヤボンデイング用キヤピラリ− |
Country Status (1)
| Country | Link |
|---|---|
| JP (1) | JPS62123729A (ja) |
Families Citing this family (1)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| TWI865802B (zh) * | 2020-08-20 | 2024-12-11 | 美商工藝技術公司 | 引線接合毛細管 |
Family Cites Families (1)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| JPS61204946A (ja) * | 1985-03-07 | 1986-09-11 | Mitsubishi Electric Corp | ワイヤボンディング用キャピラリチップの製造方法 |
-
1985
- 1985-11-22 JP JP60263276A patent/JPS62123729A/ja active Granted
Also Published As
| Publication number | Publication date |
|---|---|
| JPS62123729A (ja) | 1987-06-05 |
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Legal Events
| Date | Code | Title | Description |
|---|---|---|---|
| LAPS | Cancellation because of no payment of annual fees |