JPH0337992A - 有機エレクトロルミネッセンス素子の製造方法 - Google Patents

有機エレクトロルミネッセンス素子の製造方法

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JPH0337992A
JPH0337992A JP1171037A JP17103789A JPH0337992A JP H0337992 A JPH0337992 A JP H0337992A JP 1171037 A JP1171037 A JP 1171037A JP 17103789 A JP17103789 A JP 17103789A JP H0337992 A JPH0337992 A JP H0337992A
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anode
layer
transport layer
electrode
emitting layer
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Seiichiro Yokoyama
横山 清一郎
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Idemitsu Kosan Co Ltd
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Abstract

(57)【要約】本公報は電子出願前の出願データであるた
め要約のデータは記録されません。

Description

【発明の詳細な説明】 〔産業上の利用分野〕 本発明は有機エレクトロルミネッセンス素子の製造方法
に関し、詳しくは発光量が多く、応答速度が速く、種々
の表示材料等として有用な有機エレクトロルミネッセン
ス素子の効率のよい製造方法に関する。
〔従来の技術及び発明が解決しようとする課題〕エレク
トロルミネッセンス素子(以下EL素子という)は、自
己発光のため視認性が高く、また完全固体素子であるた
め耐衝撃性に優れるという特徴を有しており、現在、無
機、有機化合物を発光層に用いた様々なEL素子が提案
され、実用化が試みられている。このうち、有機薄膜E
L素子は、印加電圧を大幅に低下させることができるた
め、各種材料が開発されつつある。
この有機薄膜EL素子としては、陽極/発光層/陰極か
らなる有機EL素子、陽極/正孔注入輸送層/発光層/
陰極からなる有機EL素子、陽極/発光層/電子注入輸
送層/陰極からなる有機EL素子あるいは陽極/正孔注
入輸送層/発光層/電子注入輸送層/陰極からなる有機
EL素子など、電極に発光層及び各種機能を有する薄層
を積層したものが種々開発されている。
従来、このような有機EL素子の製造方法としては種々
の積層方法、例えば蒸着法、イオンビーム法、プラズマ
重合法、LB法等を利用した方法が知られている。しか
し、これらの方法では、その工程が複雑であり生産性が
悪いという欠点があった。また、これらの方法で得られ
る有機EL素子は発光量や発光面積が小さいなどの問題
がある。
〔課題を達成するための手段〕
そこで本発明者らは、発光量及び発光面積が大きく、ま
た寿命が長い有機EL素子を比較的簡易な操作で効率よ
く製造する方法を開発すべく鋭意研究を重ねた。
その結果、発光層の材料あるいはその他の機能層の材料
を水性媒休体中でHLB(!10〜20の界面活性剤を
用いて得られる分散液あるいは可溶化液を電極上で特定
の条件下で通電処理する方法、所謂ミセル電解法を用い
て発光層等を形成することにより、上記の課題を達成で
きることを見出した。
本発明はかかる知見に基づいて完成したものである。す
なわち、本発明は陽極/発光層/陰極からなる有機EL
素子を製造するにあたり、発光層材料を水性媒休体中で
HLB値10〜20の界面活性剤にて分散あるいは可溶
化して得た分散液あるいは可溶化溶液を、陽極あるいは
陰極の電極上に前記発光層材料の膜が生成する条件下で
通電処理して発光層を形成することを特徴とする有機E
L素子の製造方法を提供するものである。また、本発明
は陽極/正孔注入輸送層/発光層/陰極からなる有@E
L素子、陽極/発光層/電子注入輸送N/陰極からなる
有機EL素子あるいは陽極/正孔注入輸送層/発光層/
電子注入輸送層/陰極からなる有機EL素子を製造する
にあたって、正孔注入輸送層材料3発光層材料及び電子
注入輸送層材料の少なくとも一層の材料を上記方法と同
様にして分散液あるいは可溶化溶液として、これを通電
処理して所望する機能層を形成して有機EL素子を製造
する方法をも提供するものである。
本発明はこのように(1)陽極/発光層/陰極からなる
有機EL素子、(2)陽極/正孔注入輸送層/発光層/
陰極からなる有機EL素子、 (3)陽極/発光層/電
子注入輸送層/陰極からなる有機EL素子及び(4)陽
極/正孔注入輸送層/発光層/電子注入輸送層/陰極か
らなる有機EL素子を製造するにあたって、所謂くセル
電解法を利用する方法である。ここで、本発明の方法は
、EL素子を構成する層のうち少なくとも一層を≧セル
電解法にて積層するもので、果セル電解法にて形成しな
い他の層は、他の積層方法、例えばマスキング蒸着法、
イオンビーム法、プラズマ法、スバッタリング法、エツ
チング法、キャスト法、デイツプ法、LB法などを組み
合わせて行うことができる。
本発明において用いられる有機EL素子の発光層材料と
しては、発光機能の有機化合物であれば良く、特に制限
はなく、従来公知の化合物の中から任意に選択して用い
ることができる。例えば多環縮合芳香族化合物、ベンゾ
チアゾール系、ペンシイ業ダゾール系、ペンソオキサゾ
ール系などの蛍光増白剤、金属キレート化オキシノイド
化合物、ジスチリルベンゼン系化合物などを用いること
ができる。
前記多環縮合芳香族化合物としては、例えばアントラセ
ン、アントラキノン、ナフタレン、フェナンスレン。ピ
レン、クリセン、ペリレン骨格を含む縮合環発光物質や
、約8個の縮合環を含む他の縮合環発光物質などを挙げ
ることができる。また前記各県の蛍光増白剤としては、
例えば特開昭59−194393号公報に記載のものを
用いることができ、その代表例としては、2,5−ビス
(5,7−ジーt−ペンチル−2−ベンゾオキサシリル
)−1,3,4−チアジアゾール;4,4”−ビス(5
,7−t−ペンチル−2−ベンゾオキサシリル)スチル
ベン;4,4°−ビス〔5,7−ジー(2−メチル−2
−ブチル)−2−ベンゾオキサシリル〕スチルベン;2
,5−ビス(5゜7−ジーt−ペンチル−2−ベンゾオ
キサシリル)チオフェン;2.5−ビス〔5−(α、α
−ジメチルベンジル)−2−ベンゾオキサシリルコチオ
フェン:2,5−ビス〔5,7−ジー(2−メチル−2
−ブチル)−2−ベンゾオキサゾール〕−3,4−ジフ
ェニルチオフェン;2,5−ビス(5−メチル−2−ベ
ンゾオキサシリル)チオフェン;4,4”−ビス−(2
−ベンゾオキサシリル)ビフェニル;5−メチル−2−
(2−(4−(5−メチル−2−ベンゾオキサシリル)
フヱニル〕ビニル〕ベンゾオキサゾール;2−(2−(
4−クロロフェニル)ビニル〕ナツト(1,2−d)オ
キサゾールなどのベンゾオキサゾール系、2.2“−(
p−フェニレンジビニレン)−ビスベンゾチアゾールな
どのベンゾチアゾール系、2−(2−(4−(2−ベン
ゾイミダゾリル)フェニル〕ビニル〕ベンシイ逅タソー
ル; 2− (2−(4−カルボキシフェニル)ビニル
〕ベンシイごダゾールなどのベンゾイミダゾール系など
の蛍光増白剤が挙げられる。
また前記金属キレート化オキサノイド化合物としては、
例えば特開昭63−295695号公報記載のものを用
いることができる。その代表例としては、トリス(8−
キノリノール)アルミニウム、ビス(8−キノリノール
)マグネシウム、ビス(ベンゾ(f)−8−キノリノー
ル)亜鉛、ビス(2−メチル−8−キノリノラード)ア
ル旦ニウムオキシド、トリス(8−キノリノール)イン
ジウム1 トリス(5−メチル−8−キノリノール)ア
ルミニウム、8−キノリノールリチウム、トリス(5−
クロロ−8−キノリノール)ガリウム。
ビス(5−クロロ−8−キノリノール)カルシウム、 
ホlJ C亜鉛([)−ビス(8−ヒドロキシ−5−キ
ノリノニル)メタンコなどの8−ヒドロキシキノリン系
金属錯体やジリチウムエビンドリジオンなどが挙げられ
る。
また、前記ジスチリルベンゼン系化合物としては、例え
ば特願平1−29681号明細書に記載のものを用いる
ことができる。明細書記載の1゜4−ビス(アルキルス
チリル)ベンゼン誘導体としては各種のものがあるが、
例えば次のものをあげることができる。
本発明の有機EL素子における発光層は、上記の材料か
ら適宜選定して用いればよいが、二種類以上を併用する
こともできる。
また、発光層は、電極の間に一層だけ存在させてもよく
、あるいは別の材料の発光層を積層してもよい。さらに
、目的とする素子に応じて、電極と発光層の間に正孔注
入輸送層及び/又は電子注入輸送層とを介在させること
も有効である。また、各1!能層は、−層からなるもの
でも、また複数の層からなるものでもよい。
このように、各機能層の積層構造とすることにより、発
光層だけの単層型のものより発光強度を大幅に向上させ
ることができる。
本発明の有機EL素子としては、(1)陽極/発光層/
陰極、(2)陽極/正孔注入輸送層/発光層/陰極、(
3)陽極/正孔注入輸送層/発光層/電子注入輸送層/
陰極あるいは(4)陽極/発光層/電子注入輸送N/陰
極をこの順序で積層した各態様のものをあげることがで
きる。
正孔注入輸送層を陽極と発光層との間に挾むことにより
、より低い電界で多くの正孔が発光層に注入される。積
層される正孔注入輸送層の材料としては、陽極より注入
された正孔を発光層に伝達する機能を有する層を形成す
る正孔伝達化合物であれば、特に制限なく使用できる。
ここで好ましい正孔伝達化合物は、104〜106ボル
ト/cvaの電場を与えられた電極間に層が配置された
場合、少なくとも10−’afl/ボルト・秒の正孔移
動度をもつ。従って好ましい例としては、光導電材料に
おいて正孔の電荷輸送材として用いられている各種化合
物があげられる。
このような電荷輸送材として以下のような例があげられ
る。
■米国特許第3112197号明細書等に記載されてい
るトリアゾール誘導体、 ■米国特許第3189447号明細書等に記載されてい
るオキサジアゾール誘導体、 ■特公昭37−16096号公報等に記載されているイ
ミダゾール誘導体、 ■米国特許第3615402号、同3820989号、
同3542544号明細書や特公昭45−555号、同
51−10983号公報さらには特開昭51−9322
4号、同55−17105号。
同56−4148号、同55−108667号1同55
−156−953号、同56−36656号公報等に記
載されているボリアリールアルカン誘導体、 ■米国特許第3180729号、同4278746号明
細書や特開昭55−88064号、同55−88065
号、同49−105537号、同55−51086号、
同56−80051号、同56−88141号、同57
−45545号、同54−112637号、同55−7
4546号公報等に記載されているピラゾリン誘導体お
よびピラゾロン誘導体、 ■米国特許第3615404号明細書や特公昭51−1
0105号、同46−3712号、同47−25336
号公報さらには特開昭54−53435号、同54−1
10536号、同54−119925号公報等に記載さ
れているフェニレンジアミン誘導体、 ■米国特許第3567450号、同3180703号、
同3240597号、同3658520号。
同4232103号、同4175961号、同4012
376号明細書や特公昭49−35702号、同39−
27577号公報さらには特開昭55−144250号
、同56−119132号。
同56−22437号公報、西独特許第11105号明
細書等に記載されているアリールアミン誘導体、 ■米国特許第3526501号明細書等に記載されてい
るアミノ置換カルコン誘導体、 ■米国特許第3257203号明細書等に記載されてい
るオキサゾール誘導体、 [相]特開昭56−46234号公報等に記載されてい
るスチリルアントラセン誘導体、 ■特開昭54−110837号公報等に記載されている
フルオレノン誘導体、 ■米国特許第3717462号明細書や特開昭54−5
9143号、同55−52063号、同55−5206
4号、同55−46760号、同55−85495号、
同57−11350号、同57−148749号公報等
に記載されているヒドラゾン誘導体、 ■特開昭61−210363号、同6l−22845L
号、同61−14642号、同61−72255号、同
62−47646号、同62−36674号、同62−
10652号、陽62−30255号、同60−934
45号、同60−94462号、同60−174749
号、同60−175052号公報等に記載されているス
チルベン誘導体などを列挙することができる。
さらに特に好ましい例としては、特開昭63−2956
95号公報に開示されているホール輸送層としての化合
物(芳香族三級アミン)や正孔注入帯としての化合物(
ポルフィリン化合物)をあげることができる。
さらに特に正孔伝達化合物として好ましい例は、特開昭
53−27033号公報、同54−58445号公報、
同54−149634号公報。
同54−64299号公報、同55−79450号公報
、同55−144250号公報、同56−119132
号公報、同61−295558号公報、同61−983
53号公報及び米国特許第4127412号明細書等に
開示されているものである。それらの例を示せば次の如
くである。
旧し し1013 本発明の正孔注入輸送層はこれらの化合物を1種または
2種以上から成る一層で構成されてもよいし、あるいは
別種の化合物からなる他の正孔注入輸送層を積層したも
のであってもよい。
一方、本発明では、電子注入輸送層を陰極と発光層との
間に挟むことにより、より低い電界で多くの電子が発光
層に注入される。電子注入輸送層の材料としては、電子
伝達化合物から威るものであって、陰極より注入された
電子を発光層にする機能を有するものである。このよう
な材料としては上記の如き機能を有する薄膜を形成しう
るものであれば、特に制限なく使用することができる。
具体的には次のようなものがあげられる。
などのニトロ置換フルオレノン誘導体、■特開昭57−
149259号、同58−5545C号、同63−10
4061号公報等に記載されているアントラキノジメタ
ン誘導体、 ■Polymer Preprints、 Japan
 Vol、 31+ Na5(1988) 、 p、6
81等に記載されているなどのジフェニルキノン誘導体
、 などのチオピランジオ キシド誘導体、 ■J、 J、 APPl、 Phys、、 27. L
 269(1988)等に記載されている で表わされる化合物、 ■特開昭60−69657号、同61−14376号、
同61−148159号公報等に記載されているフレオ
レニリデンメタン誘導体、 ■特開昭61−225151号、同61−233750
号公報等に記載されているアントラキノジメタン誘導体
及びアントロン誘導体などをあげることができる。
■日本学術振興会、光電相互変換第125委員会第12
9回研究会にて九州大学安達らの講演により開示された で表わされる化合物、 本発明の方法では、上記の如き材料を用いて、所請電セ
ル電解法、即ちこれらの材料を水性媒休体中でHLB値
10〜20の界面活性にて分散あるいは可溶化して得た
分散液あるいは可溶化溶液を、電極(陽極又は陰極)上
に前記材料の膜(薄膜)が生成する条件下で通電処理す
る方法を行うことにより、効率よく薄膜の層を形成する
ことができる。
このような有機EL素子は通常基板上に形成される。本
発明の有機EL素子において使用される基板は、透明性
を有するものが好ましく、一般にガラス、透明プラスチ
ック、石英等が充当される。
また、電極(陽極、陰極)としては次の如きものが好ま
しい。陽極としては仕事関数の大きい即ち、4eV以上
の金属1合金、電気伝導性化合物及びこれらの混合物を
電極物質とするものが好ましく用いられる。このような
電極物質の具体例としては、Auなどの金属、Cur、
ITO。
SnO□、ZnOなどの導電性透明材料、導電性ポリマ
ー、酸化物導電体が挙げられる。該陽極は、これらの電
極物質を蒸着あるいはスパッタリングなどの方法により
、薄膜を形成させることにより作製することができる。
この際、公知の方法例えばマスクを用いた方法あるいは
レジストを用いたエツチング法等により電極をパターン
加工できる。
この電極より発光を取り出す場合には、透過率を10%
より大きくすることが望ましく、また電極としてのシー
ト抵抗は数百Ω/ cd以下が好ましい。
さらに膜厚は材料にもよるが、通常10〜200nmの
範囲で選択される。
一方、陰極としては仕事関数の小さい即ち、4eV以下
の金属2合金、電気伝導性化合物及びこれらの混合物を
電極物質とするものが好ましく用いられる。このような
電極物質の具体例としては、Na、Na−に合金、Mg
、Li、Mg/Cu混合物、 A l / A I O
z、  I nなどが挙げられる。
該陰極は、これらの電極物質を蒸着あるいはスパッタリ
ングなどの方法により、薄膜を形成させることにより作
製することができる。前記のような公知のマスク法、エ
ツチング法によりパターン加工できる。また電極として
シート抵抗は数百Ω/d以下が好ましい、さらに膜厚は
通常10nmないし1μm、好ましくは50〜200n
mの範囲で選ばれる。なお、本発明の素子においては該
陽極または陰極のいずれか一方が透明または半透明であ
ることが発光を透過し、取り出す効率がよいので好まし
い。
本発明の方法では、まず上述の如き基板上に上記の方法
にて電極(陽極または陰極)をバターニングして形成し
、このものの上に所望の薄層、即ち発光層、正孔注入輸
送層あるいは電子注入輸送層の少なくとも一層を、所謂
ミセル電解法にて積層し、さらに電極、基板上の電極が
陽極の場合は陰極、基板上の電極が陰極の場合は陽極を
形成する。
この積層にあたり、該積層材料、具体的には上記発光層
、正孔注入輸送層あるいは電子注入輸送層の材料を1種
あるいは必要により2種以上を水性媒休体中でHLB値
10〜20の界面活性剤にて分散あるいは可溶化して分
散液あるいは可溶化溶液を得る。ここで水性媒体として
は水をはじめ、水とアルコールの混合物、水とアセトン
の混合液など様々な媒体を挙げることができる。
一方、本発明の方法では、界面活性剤として、HLB値
10〜20、好ましくは12〜18の界面活性剤を用い
る。このような界面活性剤の好適例をあげれば、ポリオ
キシエチレンアルキルエーテル、ポリオキシエチレン脂
肪酸エステル、ポリオキシエチレンアルキルフェニルエ
ーテル、ポリオキシエチレンポリオキシプロピレンアル
キルエーテルなどの非イオン系界面活性剤をあげること
ができる。そのほか、アルキル硫酸塩、ポリオキシエチ
レンアルキルエーテル硫酸塩、塩化アルキルトリメチル
アンモニウム、脂肪酸ジエチルアξノエチルアξドなど
を使用することも可能である。
さらに、界面活性剤の好ましい例として次の如きフェロ
セン誘導体が挙げられる。すなわち一般式〔式中、R1
及びR2はそれぞれ炭素数6以下のアルキル基、炭素数
6以下のアルコキシ基、アミノ基、ジメチルアミ)基、
水酸基、アセチルア逅ノ基、カルボキシル基、メトキシ
カルボニル基、アセトキシ基、アルデヒド基あるいはハ
ロゲンを示し、R3は水素又は炭素数4〜18の直鎖あ
るいは分岐アルキル基又はアルケニル基を示し、R4及
びR5はそれぞれ水素又はメチル基を示す。Yは酸素あ
るいはオキシカルボニル基を示し、aは0〜4の整数、
bはO〜4の整数9mは1〜18の整数、nは2.0〜
70.0の実数を示す。〕 で表わされるフェロセン誘導体を代表的なものとしてあ
げることができる。ここで、一般式(1)中の各記号は
前述した通りである。つまり、国際公開WO38107
538,WO39101939゜特願昭63−2337
97号、その他に記載される如く、R1及びR−はそれ
ぞれ炭素数6以下のアルキル基(メチル基(CH3)、
エチル基(Ct Hs)等)、アルコキシ基(メトキシ
基(OCH3)、エトキシ基(OCzHs)等)、アも
ノ基(N)(り。
ジメチルアミノ基 (N(CHi)z))、水酸基(O
H)。
アセチルアミノ基(NHCOCH,)、カルボキシル基
(COOH)、アセトキシ基(OCOC)13)。
メトキシカルボニル基(COOCR3)、アルデヒド基
(CHO)あるいはハロゲン(塩素、臭素。
フッ素、沃素等)を示す、RI及びRzは同一であって
も異なってもよく、さらにR1及びRtがそれぞれ複数
個フェロセンの五員環に存在した場合にも、複数の置換
基がそれぞれ同一であっても異なっていてもよい。また
、R3は水素又は炭素数4〜18の直鎖あるいは分岐ア
ルキル基またはアルケニル基を示している。
さらにYは酸素(−0−)又はオキシカルボニル基(−
C−O−)を示し、R’、RSは水素又1 はメチル基(CH3)を示す。従って、−0(CHIC
H,0)、lH。
−C−0(CH,CH,○)nHあるいは1 等である。
またmは1〜18の整数を示す。従って、環員炭素原子
と上記酸素又はオキシカルボニル基との間に、エチレン
基、プロピレン基等の炭素数1〜18のアルキ゛レン基
が介在したものとなる。さらにnは上記オキシエチレン
基などのオキシアルキレン基の繰り返し数を示すもので
、2.0〜70.0の整数のみならず、これらを含む実
数を意味し、オキシアルキレン基などの繰り返し数の平
均値を示すものである。
本発明の方法で用いるフェロセン誘導体は、上記一般式
(1)で表わされるもののほかに、様々なものがあり、
アンモニウムタイプ、ピリジンタイプ(国際公開WO3
B107538等)をはじめ、特願昭63−23379
7号明細書、同63−233798号明細書、同63−
248600号明細書、同63−248601号明細書
、特願平1−45370号明細書、同1−54956号
明細書、同1−70680号明細書、同1−70681
号明細書、同1−76498号明細書および同1−76
499号明細書に記載されたフェロセン誘導体を挙げる
ことができる。
このなかで特に次に挙げるフェロセン誘導体が好適に使
用される。
上記の如きフェロセン誘導体は極めて効率良く水性媒体
に、所望の機能層の材料を分散あるいは可溶化すること
ができるものである。
本発明の方法では、まず水性媒休体中に上記の界面活性
剤および所望の機能層の材料を入れて、超音波、ホモジ
ナイザーあるいは撹拌機等により、1時間〜7日間程度
充分に攪拌させる。この操作で機能層材料は、HLB値
10〜2oを有する界面活性剤の作用で、水性媒休体中
に均一に分散あるいは可溶化して、分散液あるいはξセ
ル溶液となる0本発明の方法では、このようにして得た
均一分散液あるいは果セル溶液に、所望に応じて支持塩
を加えて、また状況に応じて過剰の機能層材料を遠心分
離、デカンテーション、静止沈降等にて除去し、得られ
た電解液を静置したままあるいは若干の撹拌を加えなが
ら通電処理する。また、通電処理中に機能層材料を電解
液に補充添加してもよく、あるいは電解液の一部を系外
へ抜き出し、抜き出した電解液に機能層材料を加えて充
分に混合撹拌し、しかる後にこの液を系内へ戻す循環回
路を併設してもよい。
この際の機能層材料の濃度は飽和濃度以上であればよい
、また界面活性剤の濃度は、特に制限はないが、通常は
10μM〜0.1 M、好ましくは0.5mM〜5mM
の範囲で選定する。また、支持塩(支持電解質)は、水
性媒体の電気伝導度を調節するために必要に応じて加え
るものである。この支持塩の添加量は、可溶化あるいは
分散している機能層材料の析出を妨げない範囲であれば
よく、通常は上記界面活性剤の0〜300倍程度の濃度
、好ましくは10〜200倍程度の濃度を目安とする。
この支持塩を加えずに通電を行うこともできるが、この
場合支持塩を含まない純度の高い薄膜が得られる。また
、支持塩を用いる場合、その支持塩の種類は、可溶化の
進行や電極への前記疎水性物質の析出を妨げることなく
、水性媒体の電気伝導度を調節しうるちのであれば特に
制限はない。
具体的には、−船釣に広く支持塩として用いられている
硫酸塩(リチウム、カリウム、ナトリウム、ルビジウム
、アルミニウムなどの塩)、酢酸塩(リチウム、カリウ
ム、ナトリウム、ルビジウム、ベリリウム、マグネシウ
ム、カルシウム、ストロンチウム、バリウム、アルミニ
ウムなどの塩)。
ハロゲン化物塩(リチウム、カリウム、ナトリウム、ル
ビジウム、カルシウム、マグネシウム、アルミニウムな
どの塩)、水溶性酸化物塩(リチウム、カリウム、ナト
リウム、ルビジウム、カルシウム、マグネシウム、アル
ミニウムなどの塩)が好適である。
本発明の方法における通電条件は、使用している電極、
即ち陽極あるいは陰極上、正孔注入輸送層上9発光層上
あるいは電子注入輸送層上に前記機能層材料の薄膜が生
成する条件下に設定すればよい。ここで通電条件は、状
況に応じて様々に異なるが、具体的には液温を室温〜8
0″C1陽極あるいは陰極上に前記機能層材料の薄膜が
生成する条件とは、状況に応じて様々に異なるが、具体
的には液温を室温〜70°C1好ましくは20〜60℃
、通電時間を1分〜2時間として、定電位あるいは定電
流にて通電処理することとなる。この定電位での通電処
理にあたっては、両極間を0.5〜10.OV、好まし
くは3.0〜0.5Vの電位に設定し、また、定電流で
の通電処理にあたっては、電流密度を1 u A/Cl
11〜100 mA/cd、好ましくは100 u A
/c4〜10 mA/dの範囲に設定すればよい。
本発明の方法で得られた薄膜には、さらに必要に応じて
、通電洗浄、溶媒洗浄、150〜350°Cでのベーキ
ング処理等の後処理を行うことも有効である。
このようにして得られた正孔注入輸送層2発光層あるい
は電子注入輸送層の上にさらにもう一方の電極を従来公
知の方法で形成して、有機EL素子を得ることができる
。
本発明の方法によれば、種々の有機EL素子を製造する
ことができる。例えば、(1)基板上に電極(陽極ある
いは陰極)を種々の方法にて形成し、この上に上記ミセ
ル電解法にて発光層を積層し、さらに対電極を形成した
有機EL素子、(2)基板上に電極を種々の方法にて形
成し、この上に上記ミセル電解法あるいは他の方法にて
正孔注入輸送層を積層し、さらにミセル電解法あるいは
他の方法にて発光層を積層しく但し、正孔注入輸送層1
発光層の少なくとも一層はミセル電解法で形成)、その
上に陰極を形成した有機EL素子、(3)基板上に電極
を種々の方法にて形成し、この上に上記ミセル電解法あ
るいは他の方法にて発光層を積層し、さらにミセル電解
法あるいは他の方法にて電子注入輸送層を積層しく但し
、発光層、電子注入輸送層の少なくとも一層はミセル電
解法で形成)、その上に対電極を形成した有機EL素子
、(4)基板上に電極を種々の方法にて形成し、この上
に上記ミセル電解法あるいは他の方法にて、正孔注入輸
送層1発光層をこの順に積層し、さらにミセル電解法あ
るいは他の方法にて電子注入輸送層を積層しく但し、正
孔注入輸送層9発光層および電子注入輸送層の少なくと
も一層はミセル電解法で形成)、その上に対電極を形成
した有機EL素子などが挙げられる。また、ここで積層
の順序は常に基板の側からのみでなく、対向電極の側か
ら積層して、所望する有機EL素子を形成することもで
きる。
〔実施例〕
次に実施例及び比較例により本発明をさらに詳細に説明
する。
実施例1 膜厚120nmのITO透明電極が設けられているガラ
ス基板(25X75X1.1閣サイズ。
HOYA社製)を透明支持基板とし、これをイソプロピ
ルアルコールで30分間超音波洗浄し、さらにイソプロ
ピルアルコールに浸漬して洗浄した。
N、N’−ジフェニル−N、 N’−ジ(3−メチルフ
ェニル)−4,4°−ジアミノビフェニル(TPO)2
00gを2mMのFPEG水溶液に加え、超音波で10
分間分散した後、スターラーで3日間撹拌した。その後
、LiBrを加え、100mMの濃度とし、上記基板を
浸漬して陽極とし、対極に白金板を設け、0.5vで3
0分間電解した。通電量は、0.03クーロン(C)で
あった。
こうして、膜厚1100nの正孔注入輸送層が形成され
た。さらに、クマリン30の入ったモリブデン製抵抗ボ
ートを真空蒸着装置に入れ、通電し、235°Cまで加
熱し、蒸着速度0.5〜0.7nm/secで、前記正
孔注入輸送層の上に蒸着して、膜厚1100nの発光層
を設けた。なお、蒸着時の該基板の温度は室温であった
。
蒸着後、真空槽をあけ、発光層の上にステンレス鋼製の
マスクを設置し、モリブテン製の抵抗加熱ボートにマグ
ネシウムを3g入れ、電子ビーム蒸着装置のるつぼに銅
を入れた。この後、再び真空槽を3 X 10−’Pa
まで減圧し、マグネシウム入りのボートに通電し蒸着速
度4〜5nm/secでマグネシウムを蒸着した。この
とき同時に電子ビームにより銅を加熱し、蒸着速度0.
1〜0.3nm/secで銅を蒸着し前記マグネシウム
に銅を混合し、Mg:Cu対向電極とした。以上により
目的とするEL素子の作製を終えた。
この素子のITO電極を正極、Mg:Cuから威る対向
電極を負極として、直流15Vを印加したところ、電流
密度32mA/c4の電流が流れ、緑色の発光を得た。
この際の発光極大波長は508nm、発光輝度は500
cd/rrf、発光効率は0.331m/Wであった。
なお、クマリン30は3− (2’−N−メチルベンズ
イごダゾリル)−7−N、N−ジエチルアミノクマリン
で、次の構造を有している。
tHs  H3 実施例2 実施例1で用いたITO透明電極と同様のIT0透明電
極に、実施例1と同様の操作でTPDを製膜し、TPD
/ITO電極を得た。膜厚は95nmであった。
クマリン30を200mgと2mMのFPEGPE法に
加え、超音波で10分間分散した後、スターラーで3時
間攪拌した。その後、LiBrを加えて、100mMの
濃度とし、上記TPD/ITO電極を浸漬して陽極とし
、対極に白金を設け、0.5■で30分間電解した。通
電量は0.03Gであった。この結果クマリン30/J
PD/ITOを得た。
蒸着後、真空槽をあけ、発光層の上にステンレス鋼製の
マスクを設置し、モリブテン製の抵抗加熱ボートにマグ
ネシウムを3g入れ、電子ビーム蒸着装置のるつぼに銅
を入れた。この後、再び真空槽を3 X 10−’Pa
まで減圧し、マグネシウム入りのボートに通電し蒸着速
度4〜5nm/secでマグネシウムを蒸着した。この
とき同時に電子ビームにより銅を加熱し、蒸着速度0.
1〜0.3nm/seeで銅を蒸着し前記マグネシウム
に銅を混合し、Mg:Cu対向電極とした。以上により
目的とするEL素子の作製を終えた。
この素子のITO電極を正極、Mg:Cuから威る対向
電極を負極として、直流15Vを印加したところ、電流
密度21mA/c+fiの電流が流れ、緑色の発光を得
た。この際の発光極大波長は510nm、発光輝度は8
30cd/rrr、発光効率は1.46fm/Wであっ
た。
実施例3 テトラフェニルブタジェン(TPB)200■を2mM
のFPEGPE法に加え、超音波で10分間分散させた
後、スターラーで3日間攪拌した。
その後、LiBrを加え100mMの濃度とし、実施例
1で用いたITO基板を浸漬して陽極とし、対極に白金
を設け、0,5Vで300分間電解した。
通電量は、0.3Cであった。この結果、TPB/IT
Oを得た。
次に、真空槽をあけ、該発光層の上にステンレス鋼製の
マスクを設置し、一方、電子ビーム加熱の蒸着用るつぼ
にAlを入れ、再び真空槽を3×10−’Paまで減圧
したのち、電子ビームによりAI!、を加熱して、1〜
1.5 n m/ secの蒸着速度で、lを蒸着して
、膜厚150nmのAlから成る対向電極とすることに
より、目的とするEL素子を作製した。
この素子のITO電極を正極、Al2から成る対向電極
を負極として、直流40Vを印加したところ、電流密度
37mA/c111の電流が流れ、青色の発光を得た。
この際の発光極大波長は420nm、発光輝度は1cd
/rdであった。
実施例4 実施例1で用いたIT○透明電極と同様の透明電極を、
IMのピロールと0.1 MのLiBrを溶解した溶液
に浸漬して陽極とし、対極に白金を設け、1.5■の電
位で3分間電解重合して、ピロール/ITO電極を得た
。このとき流れた電流は35μA/cfltであった。
次に、ペリレン100■と2mMのFPEGの溶液を超
音波で10分間分散させた後、スターラーで3日間攪拌
した。その後、LiBrを加え100mMの濃度とし、
これに上記ピロール/■To電極を浸漬して陽極とし、
対極に白金を設け、0.5vで30分間電解した。通電
量は0.03Cであった。この結果、ペリレン/ポリピ
ロール/IToを得た。
蒸着後、真空槽をあけ、発光層の上にステンレス鋼製の
マスクを設置し、モリブテン製の抵抗加熱ボートにマグ
ネシウムを3g入れ、電子ビーム蒸着装置のるつぼに銅
を入れた。この後、再び真空槽を3 X 10−’Pa
まで減圧し、マグネシウム入りのボートに通電し蒸着速
度4〜5nm/secでマグネシウムを蒸着した。この
とき同時に電子ビームにより銅を加熱し、蒸着速度0.
1〜0.3nm/secで銅を蒸着し前記マグネシウム
に銅を混合し、Mg:Cu対向電極とした。以上により
目的とするEL素子の作製を終えた。
この素子のITO電極を正極、Mg:Cuから成る対向
電極を負極として、直流13Vを印加したところ、電流
密度46mA/cnlの電流が流れ、緑味黄色の発光を
得た。この際の発光極大波長は560nm、発光輝度は
240cd/n(、発光効率は0.131 m/Wであ
った。
比較例I ITOが付いているガラス基板(25mmX75mmX
1.lnmサイズ、HOYA社製)を透明支持基板とし
、これをイソプロピルアルコールで30分超音波洗浄し
、さらにイソプロピルアルコールに浸漬して洗浄したこ
の透明基板を乾燥窒素ガスで乾燥し、真空蒸着装置の基
板ホルダーに固定し、モリブデン製の抵抗加熱ボートに
N、N’−ジフェニル−N、N″−ビス(3−メチルフ
ェニル)−1,1’−ビフェニル−4,4゛−シアミン
(TPD)を200■入れ、さらに別のモリブデン製の
抵抗加熱ボートにクマリン30を200■入れ真空蒸着
装置に取付けた。
その後、真空槽を2 X 10−’Paまで減圧し、T
PDの入った前記ボートに通電し220°Cまで加熱し
、蒸着速度0.1〜0.3nm/秒で透明支持基板上に
蒸着し、膜厚100 nmの正孔注入層(正孔注入輸送
層)とした。さらにクマリン30の入った前記ボートを
通電し、235℃まで加熱し蒸着速度0.5〜0.7n
m/秒で透明支持基板上の正孔注入層の上に蒸着し膜厚
1100nの発光層を得た。このとき基板の温度は室温
であった。
蒸着後、真空槽を開け、発光層の上にステンレス鋼製の
マスクを設置し、モリブデン製の抵抗加熱ボートにマグ
ネシウムを3g入れ、電子ビーム蒸着装置のるつぼに銅
を入れた。その後、再度真空槽を3 X 10−’Pa
まで減圧しマグネシウム入れのボードに通電し、蒸着速
度4〜5 n m 7秒でマグネシウムを蒸着した。こ
のとき、同時に電子ビームにより銅を加熱し、0.2〜
0.3nm/秒で銅を蒸着して前記マグネシウムに銅を
混合し、対向電極とした0以上によりEL素子の作製を
終えた。
この素子のITO電極を陽極、マグネシウムと銅の混合
物よりなる対向電極を負極として、直流20Vを印加し
たところ電流密度が87mA/c++1の電流が流れ、
緑色の発光を得た。
このときの発光極大波長は510nm、発光体半値幅は
60nm、発光輝度は440cd/ボであった。
〔発明の効果〕
以上の如く、本発明の方法によれば、電極上に機能を有
する薄膜を積層するにあたり、位置あわせなどの操作を
必要とせず比較的簡易な操作で所望の薄膜を効率良く製
造することができる。また得られた有機EL素子は、接
触面積が広く、高輝度、高効率である。
したがって、本発明の方法は、表示材料、プリンタ、液
晶バックライトなどに用いられる有機EL素子の製造に
有効に利用される。

Claims (5)

    【特許請求の範囲】
  1. (1)陽極/発光層/陰極からなる有機エレクトロルミ
    ネッセンス素子を製造するにあたり、発光層材料を水性
    媒体中でHLB値10〜20の界面活性剤にて分散ある
    いは可溶化して得た分散液あるいは可溶化溶液を、陽極
    あるいは陰極の電極上に前記発光層材料の膜が生成する
    条件下で通電処理して発光層を形成することを特徴とす
    る有機エレクトロルミネッセンス素子の製造方法。
  2. (2)陽極/正孔注入輸送層/発光層/陰極からなる有
    機エレクトロルミネッセンス素子を製造するにあたり、
    正孔注入輸送層材料及び/又は発光層材料を水性媒体中
    でHLB値10〜20の界面活性剤にて分散あるいは可
    溶化して得た分散液あるいは可溶化溶液を、陽極あるい
    は陰極の電極上に前記材料の膜が生成する条件下で通電
    処理して正孔注入輸送層及び/又は発光層を形成するこ
    とを特徴とする有機エレクトロルミネッセンス素子の製
    造方法。
  3. (3)陽極/発光層/電子注入輸送層/陰極からなる有
    機エレクトロルミネッセンス素子を製造するにあたり、
    発光層材料及び/又は電子注入輸送層材料を水性媒体中
    でHLB値10〜20の界面活性剤にて分散あるいは可
    溶化して得た分散液あるいは可溶化溶液を、陽極あるい
    は陰極の電極上に前記材料の膜が生成する条件下で通電
    処理して発光層及び/又は電子注入輸送層を形成するこ
    とを特徴とする有機エレクトロルミネッセンス素子の製
    造方法。
  4. (4)陽極/正孔注入輸送層/発光層/電子注入輸送層
    /陰極からなる有機エレクトロルミネッセンス素子を製
    造するにあたり、正孔注入輸送層材料,発光層材料及び
    電子注入輸送層材料の少なくとも一層の材料を水性媒休
    体中でHLB値10〜20の界面活性剤にて分散あるい
    は可溶化して得た分散液あるいは可溶化溶液を、陽極あ
    るいは陰極の電極上に前記材料の膜が生成する条件下で
    通電処理して正孔注入輸送層,発光層及び電子注入輸送
    層の少なくとも一層を形成することを特徴とする有機エ
    レクトロルミネッセンス素子の製造方法。
  5. (5)界面活性剤がフェロセン誘導体である請求項1〜
    4のいずれかに記載の製造方法。
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